JP6737687B2 - 架橋ゴムの分子モデルにおける力学的等方性を向上させる分子モデル作成方法、及び同方法を実行する装置 - Google Patents
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Description
所定の座標にて、架橋剤粒子を発生させるステップと、
前記発生させた架橋剤粒子の所定のペアの間に、高分子粒子を発生するステップと、
架橋剤粒子および高分子粒子と、それらの各々から所定の結合距離範囲にある高分子粒子との間に、所定の化学結合を生成するステップと、及び、
前記化学結合を生成するステップにて得られる構造モデルにおいて、所定の圧力及び温度下で平衡化して分子モデルを作成するステップと
を含み、
前記架橋剤粒子を発生させるステップが、空間的に直交三軸方向に偏り無く架橋剤粒子を配置するステップを含む。
所定の座標にて、架橋剤粒子を発生させる架橋剤粒子発生部と、
前記発生させた架橋剤粒子の所定のペアの間に、高分子粒子を発生する高分子粒子生成部と、
架橋剤粒子および高分子粒子と、それらの各々から所定の結合距離範囲にある高分子粒子との間に、所定の化学結合を生成する化学結合生成部と、及び、
前記化学結合生成部により得られる構造モデルにおいて、所定の圧力及び温度下で平衡化して分子モデルを作成する平衡化部と
を含み、
前記架橋剤粒子発生部が、空間的に直交三軸方向に偏り無く架橋剤粒子を配置する。
分子動力学法やモンテカルロ法などに使用する従来の架橋ゴムの分子モデル作成法では、高分子粒子と架橋剤粒子の間の化学結合を、乱数を用いて生成するため、高分子粒子の個数及び架橋剤粒子の数を一定とし、高分子鎖の長さを所定のものとしつつ、所定の手順により架橋ゴムの分子モデルを作成したとしても、本来等方的であるべき架橋ゴムの分子モデルにおける力学特性に異方性が生じることがある。作成される架橋ゴムの分子モデルの力学特性の異方性の発生は、高分子鎖や架橋剤粒子の初期配置及び乱数の種などに起因するものであると言われている。
[1]シミュレーション装置の構成
実施の形態1に係る装置は、作成する架橋ゴムの分子モデルにおける力学特性の等方性を高めるシミュレーション装置である。シミュレーション装置は、ワークステーションやパーソナルコンピュータなどのコンピュータにより構成される。
実施の形態1に係るシミュレーション装置2(の分子モデル作成部12)は、トポロジー上、直交三軸(x軸、y軸、z軸)方向に沿った架橋剤粒子間の高分子粒子の数(即ち、部分鎖の長さ)の分布ができるだけ一致するようにして、分子モデルを作成する。トポロジーは、二粒子間の結合だけでなく、三粒子間の結合角、四粒子間の二面角などにより、一般には表現される。
図2は、実施の形態1に係る架橋ゴムの分子モデルの作成処理を示すフローチャートである。図1(2)は、実施の形態1に係る架橋ゴムのシミュレーション装置2における分子モデル作成部12の構成を示すブロック図である。図2及び図1を用いて、シミュレーション装置2の分子モデル作成部12の動作について説明する。
図5は、実施の形態1に係るシミュレーション装置2の分子モデル作成部12により作成された架橋ゴムの分子モデルについての、力学特性(SS特性)の分子動力学シミュレーションによる計算処理を示すフローチャートである。この計算処理は、図1(1)に示すシミュレーション装置2の特性計算部14が実行する。
実施の形態1に係るシミュレーション装置2の分子モデル作成部12による分子モデルにおける力学特性の等方性を確認する計算を次のように行った。
図6(1)〜(4)は全体として、従来例1におけるSS特性をプロットしたグラフである。横軸には、図5のステップST22にて複数設定される歪みが取られている。縦軸には、横軸にて取られた歪みに対応する張力が取られている。なお、図6(1)〜(4)における歪み及び張力のいずれの値も無次元化されている。後で説明する図7(1)〜(4)のグラフにおいても同様である。
図7(1)〜(4)は全体として、実施例1におけるSS特性をプロットしたグラフである。図6(1)〜(4)と同様に、横軸には歪みが、縦軸には張力が、取られている。
以上、実施の形態1に係る分子モデル作成装置、及び分子モデル作成方法を記載した。本発明は、上述の実施の形態1に限定されるものではない。
Claims (6)
- コンピュータにより実行される、架橋ゴムの分子モデルを作成する方法において、
所定の座標にて、架橋剤粒子を発生させるステップと、
前記発生させた架橋剤粒子の所定のペアの間に、高分子粒子を発生するステップと、
架橋剤粒子および高分子粒子と、それらの各々から所定の結合距離範囲にある高分子粒子との間に、所定の化学結合を生成するステップと、及び、
前記化学結合を生成するステップにて得られる構造モデルにおいて、所定の圧力及び温度下で平衡化して分子モデルを作成するステップと
を含み、
前記架橋剤粒子を発生させるステップが、空間的に直交三軸方向に偏り無く架橋剤粒子を配置するステップを含む、
分子モデル作成方法。 - 最初の架橋剤粒子の配置の仕方が、ダイヤモンド格子に基づくものであり、
前記平衡化して分子モデルを作成するステップにおいて作成される分子モデルが、4配位の架橋ゴムの分子モデルである、
請求項1に記載の分子モデル作成方法。 - 請求項1に記載の分子モデル作成方法により作成された前記分子モデルについての力学特性を計算処理するステップを含む、
シミュレーション方法。 - 架橋ゴムの分子モデルを作成する、コンピュータにより構成される装置において、
所定の座標にて、架橋剤粒子を発生させる架橋剤粒子発生部と、
前記発生させた架橋剤粒子の所定のペアの間に、高分子粒子を発生する高分子粒子発生部と、
架橋剤粒子および高分子粒子と、それらの各々から所定の結合距離範囲にある高分子粒子との間に、所定の化学結合を生成する化学結合生成部と、及び、
前記化学結合生成部により得られる構造モデルにおいて、所定の圧力及び温度下で平衡化して分子モデルを作成する平衡化部と
を含み、
前記架橋剤粒子発生部が、空間的に直交三軸方向に偏り無く架橋剤粒子を配置する、
分子モデル作成装置。 - 最初の架橋剤粒子の配置の仕方が、ダイヤモンド格子に基づくものであり、
前記平衡化部により作成される分子モデルが、4配位の架橋ゴムの分子モデルである、
請求項4に記載の分子モデル作成装置。 - 請求項4に記載の分子モデル作成装置により作成された前記分子モデルについての力学特性を計算処理する特性計算部を含む、
シミュレーション装置。
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