JP6731613B2 - 複合材料及びこれが用いられる硫酸分解器、水素製造装置 - Google Patents
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Description
本発明の複合材料は、ハステロイC276(登録商標)で構成された基材と、前記基材の組成に対してシリコンが20wt.%を超えて添加され前記基材の上に形成された表面層と、前記基材と前記表面層との間に形成され、厚さが50〜400μmの範囲であり前記基材の組成に対してシリコンが5〜20wt.%の範囲で添加された中間層と、を具備することを特徴とする。
本発明の複合材料において、前記基材におけるシリコン濃度は0.08wt.%以下であることを特徴とする。
本発明の複合材料において、前記表面層におけるシリコン添加量は50wt.%以下であることを特徴とする。
本発明の複合材料は、前記表面層の上にシリカガラス層が形成されたことを特徴とする。
本発明の複合材料において、前記表面層には亀裂が形成され、前記亀裂に前記シリカガラス層が侵入していることを特徴とする。
本発明の複合材料は、47wt.%の濃度の120℃沸騰硫酸中における腐食速度が0.5mm/年以下であることを特徴とする。
本発明の硫酸分解器は、硫酸を沸騰させて分解する硫酸分解器であって、前記複合材料が前記硫酸と接する箇所に使用されたことを特徴とする。
本発明の水素製造装置は、前記硫酸分解器が使用されたことを特徴とする。
Si組成が高いほど耐食性が高くなる。このため、図1の構成においては、表面層12の耐食性は特に高くなる。一方、前記の通り、Si組成が高いほどクラック(亀裂)は発生しやすくなる。このため、実際には上記の製造時において、基材10との間の熱膨張係数の違いに起因して中間層11、表面層12にはクラックが発生しやすい。このため、図1に示されるように、表面層12、中間層11にはクラックSが発生し、図3においても、クラックが存在することが確認できる。しかしながら、上記のような積層構造をとることにより、少なくともこのクラックSが部品の主体となる基材10にまで進展することは抑制される。
10 基材
11 中間層
12 表面層
13 封止層
S クラック
Claims (8)
- ハステロイC276(登録商標)で構成された基材と、
前記基材の組成に対してシリコンが20wt.%を超えて添加され前記基材の上に形成された表面層と、
前記基材と前記表面層との間に形成され、厚さが50〜400μmの範囲であり前記基材の組成に対してシリコンが5〜20wt.%の範囲で添加された中間層と、
を具備することを特徴とする複合材料。 - 前記基材におけるシリコン濃度は0.08wt.%以下であることを特徴とする請求項1に記載の複合材料。
- 前記表面層におけるシリコン添加量は50wt.%以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の複合材料。
- 前記表面層の上にシリカガラス層が形成されたことを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載の複合材料。
- 前記表面層には亀裂が形成され、前記亀裂に前記シリカガラス層が侵入していることを特徴とする請求項4に記載の複合材料。
- 47wt.%の濃度の120℃沸騰硫酸中における腐食速度が0.5mm/年以下であることを特徴とする請求項1から請求項5までのいずれか1項に記載の複合材料。
- 硫酸を沸騰させて分解する硫酸分解器であって、請求項1から請求項6までのいずれか1項に記載の複合材料が前記硫酸と接する箇所に使用されたことを特徴とする硫酸分解器。
- 請求項7に記載の硫酸分解器が使用されたことを特徴とする水素製造装置。
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