JP6730921B2 - 研磨液組成物の製造方法 - Google Patents
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Description
シリカ分散液がpH10.1以上10.9以下に調整されて所定時間経過すると、シリカ表面のシロキサン結合(Si−O−Si結合)が切断されて、シラノール基数が増加すると考えられる。そして、pH10.1以上10.9以下に調整されて所定時間経過後のシリカ分散液を用いてpH1以上3以下の研磨液組成物を調製し、該研磨液組成物で被研磨基板を研磨すると、研磨された基板表面の表面欠陥(LPD)、特にスクラッチの発生を低減できると推定される。
但し、本開示はこの推定に限定して解釈されなくてもよい。
本開示におけるシリカ分散液は、シリカ粒子及び水を含有する。本開示におけるシリカ分散液の状態としては、シリカ粒子が分散した状態が好ましく、シリカ粒子が水中に分散した状態がより好ましい。
本開示において、pH10.1以上10.9以下に調整される前のシリカ分散液(以下、「分散液P1」ともいう)、及びpH10.1以上10.9以下に調整されたシリカ分散液(以下、「分散液P2」ともいう)をまとめて単に「分散液P」ともいう。
本開示におけるシリカ粒子(以下、「粒子A」ともいう)としては、コロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、沈降シリカ、凝集シリカ、会合シリカ、表面修飾シリカ等が挙げられ、粒子Aは1種単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。粒子Aとしては、研磨速度確保の観点から、好ましくはコロイダルシリカ及び沈降シリカから選ばれる1種以上、より好ましくはコロイダルシリカである。
本開示に係る分散液Pに使用される水としては、イオン交換水、蒸留水、超純水等が挙げられる。分散液P中の水の含有量は、100質量%から粒子A及び他の成分を除いた残余とすることができる。
分散液P1のpH調整に使用されるpH調整剤、すなわち、分散液P2に含まれうるpH調整剤としては、例えば、アルカリ剤及び酸から選ばれる1種以上が挙げられ、本開示の効果発現の観点から、アルカリ剤が好ましい。アルカリ剤としては、表面欠陥(LPD)の低減の観点から、無機アルカリ剤が好ましく、アンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、及びヒドロキシルアミンから選ばれる1種以上がより好ましく、アンモニア、水酸化ナトリウム及び水酸化カリウムから選ばれる1種以上が更に好ましく、アンモニアがより更に好ましい。酸としては、例えば、後述の研磨液組成物のpH調整に使用される酸が挙げられる。
一般的に、研磨液組成物は、原料シリカ、水及び必要に応じて添加剤を配合してなるものである。本開示において、pH10.1以上10.9以下に調整されてから48時間以上経過した分散液P2は、磁気ディスク基板の製造方法における、被研磨基板の研磨に用いられる研磨液組成物の原料シリカとして使用できる。したがって、本開示における研磨液調製工程は、pH10.1以上10.9以下に調整されて48時間以上経過した分散液P2、水及び必要に応じて後述する添加剤を公知の方法で配合する工程を含むことができる。本開示において「配合する」とは、分散液P2、水及び必要に応じて添加剤を同時に又は任意の順序で混合することを含む。前記配合は、例えば、ホモミキサー、ホモジナイザー、超音波分散機及び湿式ボールミル等の混合器を用いて行うことができる。
本開示における被研磨基板は、磁気ディスク基板又は磁気ディスク基板に用いられる基板であり、例えば、Ni−Pメッキされたアルミニウム合金基板や、珪酸ガラス、アルミノ珪酸ガラス、結晶化ガラス、強化ガラス等のガラス基板が挙げられる。中でも、本開示で使用される被研磨基板としては、強度と扱いやすさの観点からNi−Pめっきアルミニウム合金基板が好ましい。上記被研磨基板の形状には特に制限はなく、例えば、ディスク状、プレート状、スラブ状、プリズム状等の平面部を有する形状や、レンズ等の曲面部を有する形状であればよい。中でも、ディスク状の被研磨基板が適している。ディスク状の被研磨基板の場合、その外径は例えば2mm以上95mm以下程度であり、その厚みは例えば0.5mm以上2mm以下程度である。
本開示は、pH10.1以上10.9以下に調整されて48時間以上経過した後の分散液P2をpH1以上3以下に再調整する工程を含む、シリカ分散液の製造方法(以下、「本開示に係る分散液製造方法」)に関する。本開示に係る分散液製造方法により得られるシリカ分散液は、研磨液組成物の調製に使用されうる。本開示に係る分散液製造方法により得られるシリカ分散液を用いることで、基板表面の表面欠陥を低減可能な研磨液組成物が得られうる。
一般に、磁気ディスクは、研削工程を経た被研磨基板が、粗研磨工程、仕上げ研磨工程を経て研磨され、記録部形成工程にて磁気ディスク化されて製造される。本開示に係る研磨液製造方法により得られる研磨液組成物又は本開示に係る分散液製造方法により得られるシリカ分散液を用いて製造された研磨液組成物(以下、これらをまとめて「本開示における研磨液組成物」ともいう)は、磁気ディスク基板の製造方法における、被研磨基板を研磨する研磨工程、好ましくは仕上げ研磨工程に使用されうる。すなわち、本開示は、本開示における研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する研磨工程を含む、磁気ディスク基板の製造方法(以下、「本開示に係る基板製造方法」ともいう)に関する。
本開示は、上述した本開示の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する研磨工程を含む、基板の研磨方法に関する。研磨液組成物の製造方法、研磨工程における研磨方法及び研磨条件、被研磨基板については、上述の本開示に係る磁気ディスク基板の製造方法と同様とすることができる。本開示の研磨方法を使用することにより、表面欠陥(LPD)が低減された、高品質の磁気ディスク基板を高収率で、生産性よく製造できるという効果が奏されうる。
本開示は、本開示に係る研磨液組成物の製造に用いられる研磨液キットであって、pH10.1以上10.9以下に調整された分散液P2(第一液)を含み、分散液P2(第一液)は、pH10.1以上10.9以下に調整されてから48時間以上経過後に使用される、研磨液キット(以下、「本開示に係るキット」ともいう)に関する。本開示に係るキットによれば、研磨された基板表面の表面欠陥(LPD)を低減できる研磨液組成物が製造されうる。
[シリカ粒子(粒子A)の平均粒子径の測定方法]
まず、粒子Aが水に分散されたシリカスラリーを固形分で1.5g分を200mLビーカーに採取し、イオン交換水100mLを加えてスターラーで混合した。次に、電位差滴定装置を用いて、0.1mol/Lの塩酸標準溶液で試料溶液をpH3.0に調整した。塩化ナトリウム30.0gを加えスターラーで溶解して、ビーカーの150mLの標線までイオン交換水を加えスターラーで混合した。恒温水槽(20±2℃)に約30分間浸漬する。電位差滴定装置を用いて、0.1mol/Lの水酸化ナトリウム標準溶液で滴定を行い、pH4.0からpH9.0まで変化するときに使用された水酸化ナトリウム標準溶液の量(g)(A)を読み取る。同時に空試験を行い、空試験の滴定に要した水酸化ナトリウム標準溶液の量(g)(B)を読み取った。そして、下記計算式により粒子Aの平均粒子径(nm)を算出し、結果を表1に示した。
平均粒子径(nm)=3100÷26.5×(A−B)÷試料採取量(g)
シリカ分散液又は研磨液組成物の25℃におけるpHは、pHメータ(東亜電波工業株式会社製「HM−30G」)を用いて測定した値であり、pHメータの電極をシリカ分散液又は研磨液組成物へ浸漬して1分後の数値である。
粒子Aの単位面積あたりのシラノール基量は、差動型示差熱天秤(TG−DTA)(理学電機工業株式会社製「Thermo Plus TG8120」)を用いて測定した。粒子Aの水分散液を120℃で24時間乾燥させ、得られた粉末状のシリカを測定試料とした。前記試料をエアーフロー(300mL/min)下、25〜700℃まで10℃/分の速度で昇温し、200℃で測定した質量の残分をSiO2の質量(g)、200〜700℃までの加熱の間の質量の減少量をシラノール基由来のヒドロキシル基量(g)として測定し、下記の式を用いてシラノール基量(個/nm2)を算出した。ここでは、保管期間前後のシラノール基量をそれぞれ算出し、結果を表1に示した。さらに、保管期間前後のシラノール基量の結果から、保管中のシラノール基増加量を算出し、結果を表1に示した。なお、粒子AのBET比表面積は以下のように測定した。
シラノール基量(個/nm2)=(ヒドロキシル基量(g)×2×1000/18/SiO2の質量(g))×6.02×1023(個/mol)/BET比表面積(m2/g)
[BET比表面積の測定方法]
粒子AのBET比表面積は、自動比表面積測定装置(株式会社島津製作所製「フローソーブIII 2305」)を用いて測定した。粒子Aの水分散液を120℃で24時間乾燥させ、得られた粉末状のシリカを測定試料とした。測定用ガスには、窒素とヘリウムの混合ガス(N2:30体積%、He:70体積%)を用いた。
pH調整前の分散液P1のpH調整を表1に示すpH調整剤を用いて行い、表1に示す所定のpHに調整された分散液P2を得た。そして、所定期間保管された分散液P2を、研磨液組成物の調製に用いた。表1には、粒子Aの平均粒子径、分散液P1のpH、pH調整剤の種類、分散液P2のpH、分散液P2のpH調整後(保管前)のシラノール基量、保管温度、分散液P2の保管期間、分散液P2の保管期間後のシラノール基量、保管中のシラノール基増加量を示した。
pH調整前の分散液P1として、以下の粒子A(コロイダルシリカスラリーA1〜A4)を使用した。
A1:コロイダルシリカスラリー[pH9.0、日揮触媒化成社製、粒子Aの平均粒子径:18.0nm、粒子Aの含有量:40質量%]
A2:コロイダルシリカスラリー[pH9.5、日揮触媒化成社製、粒子Aの平均粒子径:25.0nm、粒子Aの含有量:48質量%]
A3:コロイダルシリカスラリー[pH10.0、日揮触媒化成社製、粒子Aの平均粒子径:50.0nm、粒子Aの含有量:40質量%]
A4:コロイダルシリカスラリー[pH10.0、日揮触媒化成社製、粒子Aの平均粒子径:100.0nm、粒子Aの含有量:40質量%]
分散液P1のpH調整には、以下のpH調整剤B1〜B3を用いた。
B1:アンモニア水[キシダ化学社製、濃度:28質量%]
B2:水酸化カリウム水溶液[和光純薬社製、48質量%水酸化カリウム水溶液を、イオン交換水にて2.4質量%に希釈したもの]
B3:水酸化ナトリウム水溶液[和光純薬社製、50質量%水酸化ナトリウム水溶液を、イオン交換水にて2.4質量%に希釈したもの]
イオン交換水に、硫酸を0.4質量%、HEDPを0.05質量%、過酸化水素を0.4質量%添加し混合した水溶液の撹拌下に、上記実施例1〜11及び比較例1〜5の分散液P2を5質量%になるように添加し、実施例1〜11及び比較例1〜5の研磨液組成物を調製した。各研磨液組成物の25℃におけるpHは1.4であった。そして、調製した研磨液組成物を用いて、基板の研磨を行い研磨後の被研磨基板表面を評価した。
上記のように調製した研磨液組成物を用いて被研磨基板の仕上げ研磨を下記条件で行った。被研磨基板としては、アルミナ研磨材を含有する研磨液であらかじめ粗研磨し、表面粗さAFM−Raが5〜15ÅであるNi−Pメッキアルミニウム合金基板(厚さ:1.27mm、外径:95mmφ、内径:25mmφ)を用いた。
<仕上げ研磨条件>
研磨試験機:スピードファム社製、両面9B研磨機
研磨パッド:フジボウ社製、ウレタン製仕上げ研磨用パッド
上定盤回転数:32.5rpm/分
研磨液組成物供給量:100mL/分
本研磨時間:4分
本研磨荷重:7.8kPa
基板の枚数:10枚
測定機器:KLA−Tencor社製「Candela OSA7100」
評価:研磨後の基板をイオン交換水中に5分間浸漬洗浄した後、イオン交換水で20秒間すすぎ洗浄を行った。その後、研磨試験機に投入した基板のうち、無作為に4枚を選択し、各々の基板を10,000rpmにてレーザを照射し表面欠陥(LPD)(個)を測定した。その4枚の基板の各々両面にある表面欠陥(LPD)(個)の合計を8で除して、基板面当たりの表面欠陥数(LPD)(個)を算出した。LPDの数値が小さいほど、表面欠陥が少ないことを示す。表面欠陥(LPD)の測定結果を表1に示した。
Claims (7)
- シリカ粒子及び水を含む研磨液組成物の製造方法であって、
pH10.1以上10.9以下に調整されて48時間以上経過した後のシリカ分散液を用いてpH1以上3以下の研磨液組成物を調製する工程を含み、
前記シリカ分散液は、シリカ粒子及び水を含有する、研磨液組成物の製造方法。 - 前記研磨液組成物の調製に用いられるシリカ分散液をpH10.1以上10.9以下に調整する工程を含む、請求項1に記載の研磨液組成物の製造方法。
- 前記研磨液組成物の調製に用いられるシリカ分散液は、無機アルカリ剤を用いてpH調整されたものである、請求項1又は2に記載の研磨液組成物の製造方法。
- シリカ粒子の平均粒子径は、1nm以上100nm以下である、請求項1から3のいずれかに記載の研磨液組成物の製造方法。
- pH10.1以上10.9以下に調整されて48時間以上経過した後のシリカ分散液をpH1以上3以下に再調整する工程を含み、
前記シリカ分散液は、シリカ粒子及び水を含有する、シリカ分散液の製造方法。 - 請求項1から4のいずれかに記載の研磨液組成物の製造方法によって製造される研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程を含む、磁気ディスク基板の製造方法。
- 請求項1から4のいずれかに記載の研磨液組成物の製造方法によって製造される研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程を含む、基板の研磨方法。
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