JP6727551B2 - ガラス積層体の製造方法及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、ガラス積層体の製造方法及びガラス積層体を用いた電子デバイスの製造方法に関する。

液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ等の薄型表示機器やセンサの基板、あるいは固体撮像素子やレーザーダイオード等の半導体パッケージ用カバー、さらには薄膜化合物太陽電池の基板等には、フィルム状に薄板化されたガラスフィルムが使用されている。

このガラスフィルムの表面には、透明電極の成膜処理や封止処理等のように加熱処理を伴う電子デバイス製造関連処理を施す場合がある。このような処理時には、ガラスフィルムが可撓性に富むこと等に起因して、ガラスフィルムの取り扱いが困難になり得る。そこで、ガラスフィルムと支持ガラスとを積層したガラス積層体の形態として、ガラスフィルムを取り扱うことが行われている。ガラスフィルムと支持ガラスとの積層では、ガラスフィルムと支持ガラスとの間に異物が挟み込まれるのに伴い、気泡が発生し、回路的な不良を引き起こすおそれがある。これを防止するため、ガラスフィルムと支持ガラスとの積層は、クラス１０００又はそれよりも清浄なクリーンルーム内で行われる。

ここで、ガラス積層体は、電子デバイス製造関連処理における加熱（処理）後に、ガラスフィルムと支持ガラスが強固に接合し、両者を容易に分離できない事態が生じる場合がある。このような事態を防止するために、特許文献１には、支持ガラスに無機薄膜を形成し、無機薄膜を介してガラスフィルムを支持ガラスに積層することが開示されている。

特開２０１１−１８４２８４号公報

しかしながら、特許文献１に開示されているように、支持ガラスに無機薄膜を形成するには、スパッタ法などによる成膜装置が必要となり、製造コストが増大する。また、支持ガラスから無機薄膜が剥離し、電子デバイスの製造工程自体に悪影響を与えるおそれもある。

本発明は、支持ガラスの接合面に無機薄膜を形成しなくても、ガラスフィルムの接合面と支持ガラスの接合面とを容易に分離できるガラス積層体を提供することを技術的課題とする。

上記の課題を解決するために創案された本発明は、ガラスフィルム及び支持ガラスを含み、ガラスフィルムの接合面と支持ガラスの接合面とが分離可能に密着しているガラス積層体の製造方法であって、ガラスフィルムの接合面と支持ガラスの接合面の少なくとも一方にガスを噴射して雰囲気中の分子状汚染物質を付着させる表面処理工程と、ガラスフィルムの接合面と支持ガラスの接合面とを分子状汚染物質を介して密着させてガラス積層体を得る積層工程とを備えていることを特徴とする。

本発明において、「分子状汚染物質」とは、クリーンルーム内の雰囲気に含まれる分子状物質であって、フィルターによって物理的に除去することが困難な分子状物質を意味する。分子状汚染物質の詳細な説明については、後述する。

上記の構成によれば、ガラスフィルムの接合面と支持ガラスの接合面の少なくとも一方に、雰囲気中の分子状汚染物質がガスによって運ばれて付着する。そのため、この状態でガラスフィルムの接合面と支持ガラスの接合面とを密着させれば、ガラスフィルムの接合面と支持ガラスの接合面との間に分子状汚染物質が存在するガラス積層体を製造することができる。このようなガラス積層体であれば加熱しても、分子状汚染物質の作用によって、ガラスフィルムの接合面と支持ガラスの接合面とが強固に接合されるのが阻止される。そのため、加熱後であってもガラスフィルムの接合面と支持ガラスの接合面を容易に分離することができる。

ここで、分子状汚染物質によって分離性が良好に維持される理由は次のように考えられる。すなわち、分子状汚染物質を付着させない場合、加熱前のガラス積層体の接合部はガラス表面のＯＨ基の水素結合によって接合しているが、加熱後のガラス積層体の接合部ではガラス表面のＯＨ基の水素結合が共有結合に変化する。この共有結合によって接合部が強固に接合され、分離できない事態が生じ得る。これに対し、分子状汚染物質を付着させた場合、ガラスフィルムと支持ガラスの間に分子状汚染物質が介在するので、接合部の水素結合が共有結合に変化するのが阻止され、接合部における過度な接合力の増加が防止される。また、加熱により分子状汚染物質が分解すれば、接合部の疎水性が増加する。この疎水性の増加によっても、接合部の水素結合が共有結合に変化するのが阻止され、接合部における過度な接合力の増加が防止される。

上記の構成において、積層工程の後に、ガラス積層体を加熱する加熱工程を備えていることが好ましい。このようにすれば、加熱工程後に、ガラス積層体の接合部の外縁部から液体が侵入（滲み）するのを効果的に防止することができる。液体の種類（例えば、レジストなどの樹脂）によっては、加熱などによってガラスフィルムと支持ガラスを接着してしまう場合もあるので、液体の侵入を防止し得る構成は非常に有用である。ここで、液体の侵入を防止できる理由は、分子状汚染物質の一部が加熱によって分解され、ガラス積層体の接合部における疎水性が増加するためと考えられる。

上記の構成において、加熱工程で、ガラス積層体を２００〜３００℃で加熱することが好ましい。このようにすれば、ガラス積層体の接合部の外縁部から液体の侵入を防止する効果を、短時間の加熱処理で実現することができる。

上記の構成において、表面処理工程の前に、ガラスフィルムの接合面及び支持ガラスの接合面を洗浄する洗浄工程を備えていることが好ましい。このようにすれば、ガラスフィルムの接合面及び支持ガラスの接合面の清浄度が上がる。そのため、ガラスフィルムの接合面と支持ガラスの接合面とをしっかりと密着させることができる。

上記の構成において、ガラスフィルムの接合面及び支持ガラスの接合面のそれぞれの表面粗さＲａが、２．０ｎｍ以下であることが好ましい。このようにすれば、ガラスフィルムの接合面及び支持ガラスの接合面の平滑性が良好になる。そのため、ガラスフィルムの接合面と支持ガラスの接合面とをしっかりと密着させることができる。

上記の構成において、ガスがクリーンドライエアであることが好ましい。このようにすれば、次のような利点がある。第一に、ガスを発生原因とする異物が支持ガラスの接合面及び／又はガラスフィルムの接合面に付着するのを防止することができる。第二に、接合面の余分な水分（例えば、洗浄工程で付着した水分）を乾燥により除去し、分子状汚染物質を効率よく付着させることができる。第三に、使用済みガスの特別な処理が不要であるので、クリーンルーム内で安価に使用することができる。

上記の構成において、積層工程で、ガラスフィルムの接合面と支持ガラスの接合面とを減圧雰囲気下で密着させることが好ましい。このようにすれば、ガラスフィルムの接合面と支持ガラスの接合面との間に泡が形成されるのを抑制することができる。また、仮に泡が形成されたとしても、減圧下で形成された泡は、電子デバイス製造関連処理工程での減圧工程にて膨張することがない。このため、泡の膨張に伴うガラスフィルムの破損や形成される回路パターンに異常が発生することを防止できる。

上記の構成において、表面処理工程で、支持ガラスの接合面にのみガスを噴射するようにしてもよい。このようにすれば、分子状汚染物質を運ぶガスがガラスフィルムに対して噴射されないため、ガラスフィルムがガスの噴射による振動等で破損する事態を防止できる。

上記の課題を解決するために創案された本発明は、ガラスフィルム及び支持ガラスを含み、ガラスフィルムの接合面と支持ガラスの接合面とが分離可能に密着しているガラス積層体を製造するガラス積層体製造工程と、ガラス積層体のガラスフィルムに加熱処理を伴う電子デバイス製造関連処理を施す電子デバイス製造関連処理工程と、ガラス積層体の支持ガラスから電子デバイス製造関連処理が施されたガラスフィルムを分離させる分離工程とを備えている電子デバイスの製造方法であって、ガラス積層体製造工程では、上記ガラス積層体の製造方法により、ガラス積層体を得ることを特徴とする。このような構成によれば、ガラス積層体の状態でガラスフィルムに加熱処理を伴う電子デバイス製造関連処理を施しても、その後に、電子デバイス製造関連処理が施されたガラスフィルムを支持ガラスから容易に分離することができる。

上記の構成において、電子デバイス製造関連処理工程が、ガラス積層体を液体に接触させる液体処理工程を備え、液体処理工程の前に、ガラス積層体に加熱処理を施すことが好ましい。このようにすれば、液体処理工程で、ガラス積層体の接合部の外縁部から液体が侵入するのを効果的に防止することができる。

以上のような本発明によれば、支持ガラスの接合面に無機薄膜を形成しなくても、ガラスフィルムの接合面と支持ガラスの接合面とを容易に分離できるガラス板積層体を提供することができる。

（ａ）は、本発明の実施形態に係る電子デバイスの製造方法におけるガラス積層体製造工程で得られるガラス積層体の断面図であり、（ｂ）はそのガラス積層体の平面図である。 本発明の実施形態に係る電子デバイスの製造方法における表面処理工程の実施状況を示す概略側面図である。 ガラス積層体の接合部に含まれる泡の一例を示す部分平面図である。 本発明の実施形態に係る電子デバイスの製造方法における電子デバイス製造関連処理工程の実施状況を示す概略斜視図である。 本発明の実施形態に係る電子デバイスの製造方法における剥離工程の実施状況を示す概略斜視図である。

本発明に係るガラス積層体の製造方法及び電子デバイスの製造方法の一実施形態について説明する。なお、以下では、電子デバイスの製造方法を説明する過程で、ガラス積層体の製造方法を併せて説明するが、ガラス積層体の製造方法は電子デバイスの製造方法から独立して単独実施することもできる。

本実施形態に係る電子デバイスの製造方法は、ガラス積層体製造工程と、電子デバイス製造関連処理工程と、分離工程とを、この順に備えている。ここで、ガラス積層体製造工程は、ガラス積層体の製造方法に相当する。

（ガラス積層体製造工程）
ガラス積層体製造工程は、ガラス積層体を製造する工程である。図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、ガラス積層体１は、ガラスフィルム２及び支持ガラス３を含み、ガラスフィルム２の接合面２ａと支持ガラス３の接合面３ａとが分離可能に密着している。

本実施形態では、支持ガラス３がガラスフィルム２よりも大きく、ガラスフィルム２の端面から支持ガラス３が食み出している。なお、支持ガラス３はガラスフィルム２と同じ大きさでもよいし、小さくてもよい。すなわち、支持ガラス３の端面とガラスフィルム２の端面が面一であってもよいし、支持ガラス３の端面からガラスフィルム２が食み出していてもよい。

ガラスフィルム２の厚みは、３００μｍ以下であることが好ましく、５０〜２００μｍであることがより好ましい。支持ガラス３の厚みは、７００μｍ以下であることが好ましく、４００〜５００μｍであることがより好ましい。

ガラスフィルム２の接合面２ａ及び支持ガラス３の接合面３ａのそれぞれの表面粗さＲａは、好ましくは２．０ｎｍ以下であり、より好ましくは１．０ｎｍ以下であり、更に好ましくは０．５ｎｍ以下であり、最も好ましくは０．２ｎｍ以下である。本発明において、表面粗さＲａは、ＪＩＳ Ｒ １６８３：２０１４を準用する方法で測定するものとする。

ガラスフィルム２は、外縁部２ｙを除く中央部分が有効部２ｘとされる。なお、説明の便宜上、図１（ｂ）では、有効部２ｘと外縁部２ｙの仮想的な境界線Ｘを記載している。

ガラスフィルム２及び支持ガラス３は、例えば、オーバーフローダウンドロー法、スロットダウンドロー法、ロールアウト法、フロート法、アップドロー法、リドロー法により製造される。本実施形態では、オーバーフローダウンドロー法により製造されたガラス基板を使用する。この場合、ガラスフィルム２の接合面２ａ及び支持ガラス３の接合面３ａは、未研磨面であることが好ましい。

ガラス積層体製造工程は、本実施形態では、洗浄工程と、表面処理工程と、積層工程と、加熱工程とを、この順で備えている。表面処理工程、積層工程及び加熱工程は、クラス１０００又はそれよりも清浄なクリーンルーム内で行われる。洗浄工程は、クリーンルーム内で行ってもよく、クリーンルーム外で行ってもよい。

洗浄工程では、ガラスフィルム２及び支持ガラス３を洗浄する。この洗浄により、ガラスフィルム２の接合面２ａ及び支持ガラス３の接合面３ａのそれぞれの水の接触角度を１０°以下にすることが好ましい。ガラスフィルム２の接合面２ａや支持ガラス３の接合面３ａに付着した異物や汚れは、積層工程で、両接合面２ａ，３ａの間に泡を形成する核になり得るので、洗浄工程で除去するのが好ましい。ここで、異物は、ＨＥＰＡフィルター（Ｈｉｇｈ Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ Ｐａｒｔｉｃｕｌａｔｅ Ａｉｒ Ｆｉｌｔｅｒ）で補足できる大きさであり、例えばガラス粉などが挙げられる。

表面処理工程では、図２に示すように、支持ガラス３の接合面３ａに対して、複数のガス噴射ノズル４からガス５を噴射する。このガス５の噴射により、雰囲気中の分子状汚染物質６を支持ガラス３の接合面３ａ側に運び、支持ガラス３の接合面３ａに付着させる。なお、図２において、説明の便宜上、分子状汚染物質６は拡大して図示しているが、実際の分子状汚染物質６は、微小である。分子状汚染物質６は、例えば、フィルター（例えばＨＥＰＡフィルター）で物理的に補足することができない（フィルターを通過可能な）有機分子である。

本実施形態では、ガス５は分子状汚染物質６のキャリアガスであり、分子状汚染物質６を実質的に含んでいない。この場合でも、クリーンルーム内にガラスフィルム２の接合面２ａ又は支持ガラス３の接合面３ａにガス５を噴射することなく、クリーンルーム内にガラスフィルム２又は支持ガラス３を配置するだけで、雰囲気中の分子状汚染物質６が僅かに付着する。この分子状汚染物質６の付着を促進するため、本実施形態では、ガス５を噴射するとともに、ガス５とは別に分子状汚染物質６の発生源（芳香剤７）を配置する。これにより、発生源（芳香剤７）から浮遊した分子状汚染物質６は、ガス５の噴射によって支持ガラス３の接合面３ａ側に運ばれることとなる。

分子状汚染物質６としては、例えば、各種炭化水素、アルコール、シロキサン、油脂などが挙げられる。本実施形態では、分子状汚染物質６の発生源として芳香剤７を配置しているが、例えば、塗装、クリーナー、シーリング剤、潤滑剤、人体なども分子状汚染物質６の発生源になり得る。したがって、クリーンルーム内に発生源が十分に存在する場合は、芳香剤７のような発生源を配置しなくてもよい。なお、ガス５として、ある程度の含有量で分子状汚染物質を含むガスを用いることも考えられるが、分子状汚染物質を含むガスを生成する設備が必要であること、分子状汚染物質の付着量のコントロールが難しいこと、などの問題がある。

本実施形態では、表面処理工程は、ガラスフィルム２の接合面２ａに対しても同様に行って、ガラスフィルム２の接合面２ａにも分子状汚染物質６を付着させる。なお、表面処理工程は、支持ガラス３の接合面３ａとガラスフィルム２の接合面２ａのいずれか一方のみに行ってもよい。この場合、ガラスフィルム２の破損を防止するという観点からは、支持ガラス３の接合面３ａに対してのみ行うことが好ましい。

分子状汚染物質６を付着させることによって、ガラスフィルム２の接合面２ａ及び／又は支持ガラス３の接合面３ａの水の接触角を１０°〜３０°にすることが好ましく、２０°〜３０°にすることがより好ましい。このような水の接触角であれば、ガラス積層体１を加熱（例えば、２５０℃以上）した後であっても、ガラスフィルム２と支持ガラス３の分離性が良好になる。

ガス５の噴射流量は、０．０５〜１ｍ^３／ｍｉｎであることが好ましく、０．３〜１ｍ^３／ｍｉｎであることがより好ましい。ガス５の噴射時間は、５分〜４０分であることが好ましく、２０分〜４０分であることがより好ましい。ガス５の噴射流量や噴射時間によって、ガラスフィルム２の接合面２ａや支持ガラス３の接合面３ａの水の接触角は調整できる。本発明において、「ガスの噴射流量」は、ガラスフィルム２の接合面２ａ又は支持ガラス３の接合面３ａの１ｍ^２あたりの噴射流量を意味する。

ガス５は、不活性ガスでもよいが、クリーンドライエアであることが好ましい。クリーンドライエアの露点温度は、例えば、−１０℃以下であることが好ましい。

ガス５は、ヒータなどの加熱手段（不図示）で、例えば５０℃程度に加熱してもよい。このようにガス５を加熱して噴射すると、表面処理の対象となる、ガラスフィルム２の接合面２ａ及び／又は支持ガラス３の接合面３ａに対する分子状汚染物質６の付着効率が向上する場合がある。

積層工程では、ガラスフィルム２の接合面２ａと支持ガラス３の接合面３ａとを分子状汚染物質６を介して密着させ、ガラス積層体１を得る。本実施形態では、分子状汚染物質６が付着した支持ガラス３の接合面３ａに、分子状汚染物質６が付着したガラスフィルム２の接合面２ａが密着される。このようなガラス積層体１であれば加熱しても、分子状汚染物質６の作用によって、ガラスフィルム２の接合面２ａと支持ガラス３の接合面３ａとが強固に接合されるのが阻止される。そのため、加熱後であってもガラスフィルム２の接合面２ａと支持ガラス３の接合面３ａを容易に分離することができる。

積層工程では、真空チャンバー内にガラスフィルム２と支持ガラス３を配置し、減圧雰囲気下でガラスフィルム２の接合面２ａと支持ガラス３の接合面３ａとを密着させることが好ましい。両接合面２ａ，３ａの間に泡がない場合には特に問題ないが、泡が存在する場合、電子デバイス製造関連処理工程に真空工程が含まれているときに、泡が膨張してガラスフィルム２が破損するおそれがある。また、ガラスフィルム２の表面に泡を原因とする凹凸ができ、電子デバイス製造関連処理工程で電極等を形成する際に、パターン不良の原因となる。これに対して、減圧雰囲気下で両接合面２ａ，３ａを密着させると、泡がつぶれる。そのため、泡を原因とするガラスフィルム２の破損やパターン不良が生じるのを防止できる。

減圧雰囲気の圧力は、０．１〜１００Ｐａであることが好ましく、０．１〜１０Ｐａであることがより好ましい。

加熱工程（第一の加熱工程）では、オーブン内でガラス積層体１を加熱する。加熱工程での加熱温度は、１００℃以上であることが好ましく、２００℃〜３００℃であることがより好ましく、２００℃〜２５０℃であることが更に好ましい。このようにすれば、加熱工程後に、ガラス積層体１の接合部の外縁部、すなわち、ガラスフィルム２の外縁部２ｙから液体が侵入するのを効果的に防止することができる。電子デバイス製造関連処理工程で使用する液体の種類によっては、加熱などによってガラスフィルム２の接合面２ａと支持ガラス３の接合面３ａを強固に接着してしまう場合もあるので、液体の侵入を防止し得る構成は非常に有用である。特に、図３に示すように、ガラスフィルム２の外縁部２ｙには、異物や汚れを核とし、ガラスフィルム２の外方空間に対して開放した泡Ｂが形成されやすい。このような泡Ｂは液体の侵入を招きやすいが、加熱工程でガラス積層体１を予め加熱することで、このような泡Ｂを起点とする液体の侵入も効果的に防止できる。

加熱温度を２００℃〜３００℃又は２００℃〜２５０℃とする場合、加熱時間は、例えば１０分〜３０分とすることができる。

（電子デバイス製造関連処理工程）
電子デバイス製造関連処理工程では、透明電極の成膜処理や封止処理等に伴う加熱処理（第二の加熱工程）により、図４に示すように、ガラスフィルム２の有効部２ｘにデバイス部８が作り込まれた電子デバイス９が、支持ガラス３上に積層された状態となる。

電子デバイス製造関連処理工程の加熱処理では、ガラスフィルム２が例えば２００℃〜４００℃に加熱される。

電子デバイス製造関連処理工程は、ガラス積層体１に液体（例えば、薬液や樹脂など）を接触させる液体処理工程を備えていてもよい。液体処理工程としては、例えば、洗浄や、透明電極の成膜処理時に行われるウェットエッチングなどが挙げられる。このように液体処理工程を行う場合であっても、本実施形態では、ガラス積層体製造工程の加熱工程において、予めガラス積層体１が加熱されているので、液体処理工程でガラス積層体１の接合部の外縁部から液体が侵入するのを防止できる。ここで、加熱工程は、液体処理工程の前であれば、電子デバイス製造関連処理工程の中で行ってもよい。また、電子デバイス製造関連処理工程の中で、液体処理工程の前に行われる加熱処理を加熱工程として利用してもよい。これらの場合、ガラス積層体製造工程の加熱工程は省略してもよく、ガラス積層体製造工程の加熱工程を併用してもよい。電子デバイス製造関連処理工程の加熱工程又は加熱処理の好ましい条件は、ガラス積層体製造工程の加熱工程と同様である。

分離工程では、図５に示すように、電子デバイス製造処理が施されたガラスフィルム２、すなわち電子デバイス９を支持ガラス３から分離することで、単体の電子デバイス９が製品等として製造される。

以下、本発明に係るガラス積層体の製造方法及び電子デバイスの製造方法を実施例に基づいて説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

（１）支持ガラスとしては、縦寸法が１１００ｍｍ、横寸法が１３００ｍｍ、厚みが０．５ｍｍの矩形状の板ガラスを使用した。
（２）ガラスフィルムとしては、縦寸法が１０９６ｍｍ、横寸法が１２９６ｍｍ、厚みが０．２ｍｍの矩形状の薄板ガラスを使用した。
（３）支持ガラス及びガラスフィルムはいずれも、日本電気硝子株式会社製の無アルカリガラス（製品名：ＯＡ−１０Ｇ）を使用した。
（４）支持ガラスの接合面及びガラスフィルムの接合面はいずれも、表面粗さＲａが０．２ｎｍであった。
（５）支持ガラスの端面は、Ｒ面取りされていた。ガラスフィルムの端面は、面取りされることなく、スクライブ切断されたままの面であった。
（６）支持ガラス及びガラスフィルムは、ロールブラシとｐＨ１０のアルカリイオン水を用いて洗浄機内で洗浄した後、リンス液でリンスすると共に、エアナイフで乾燥させた。
（７）支持ガラスとガラスフィルムの両方の接合面にガスを噴射してクリーンルーム内の分子状汚染物質を付着させた。ただし、後述する実施例４では、支持ガラスの接合面のみにガスを噴射してクリーンルーム内の分子状汚染物質を付着させた。ガスはクリーンドライエアとした。ガスの噴射流量は０．５ｍ^３／ｍｉｎとした。分子状汚染物質の発生源として、クラス１０００のクリーンルーム内に芳香剤を配置した。
（８）分子状汚染物質を付着させた後、支持ガラスの接合面と、ガラスフィルムの接合面とを減圧雰囲気下で密着させて積層した。この際、液晶ディスプレイ装置の製造に用いられるＯＤＦ合着機を使用した。減圧雰囲気の圧力は１Ｐａとした。

上記の（１）〜（８）によって得られた実施例１〜５に係るガラス積層体を、オーブン内で加熱し、その後の分離試験を行った。また、分子状汚染物質を付着する以外は上記の（１）〜（８）と同条件によって得られた比較例に係るガラス積層体についても、オーブン内で加熱し、その後の分離試験を行った。分離試験は、各実施例及び比較例において、同条件で製造されたガラス積層体を１０個用意し、その中で、支持ガラスとガラスフィルムの両方を破損させることなく分離できた個数を確認することによって行った。分離試験における分離作業は、支持ガラスのコーナー部を曲げることでガラスフィルムを浮き上がらせ、ガラスフィルムの浮上部分を支持ガラスから引き剥がす方向に引っ張ることによって行った。また、各実施例及び比較例において、ガラス積層体の状態におけるガラスフィルムの有効部と外縁部の泡の個数をカウントし、泡の個数の平均値を算出した。その結果を表１に示す。

また、上記の実施例１に係るガラス積層体を熱処理前に洗浄液に浸漬すると、外縁部からの液体の浸透が確認された。これに対し、上記の実施例１に係るガラス積層体を２５０℃で１０分間に亘って熱処理した後に洗浄液に浸漬すると、外縁部からの液体の浸透は確認されなかった。熱処理後に分離されたガラスフィルム及び支持ガラスの接合面の接触角は、いずれも２１°であった。

なお、本発明は、上記実施形態の構成に限定されるものではなく、上記した作用効果に限定されるものでもない。本発明は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。

例えば、ガラスフィルム２及び／又は支持ガラス３を所定方向に搬送しながら、その搬送経路の途中で、搬送面とは反対側の面に対してガス５を噴射して雰囲気中の分子状汚染物質６を付着させてもよい。

１ ガラス積層体
２ ガラスフィルム
２ａ 接合面
２ｘ 有効部
２ｙ 外縁部
３ 支持ガラス
３ａ 接合面
４ ガス噴射ノズル
５ ガス
６ 分子状汚染物質
７ 芳香剤（発生源）
８ デバイス部
９ 電子デバイス

Claims (10)

1. ガラスフィルム及び支持ガラスを含み、前記ガラスフィルムの接合面と前記支持ガラスの接合面とが分離可能に密着しているガラス積層体の製造方法であって、
   前記ガラスフィルムの前記接合面と前記支持ガラスの前記接合面の少なくとも一方の水の接触角が１０°以上になるように、ガスを噴射して雰囲気中の分子状汚染物質を付着させる表面処理工程と、前記ガラスフィルムの前記接合面と前記支持ガラスの前記接合面とを前記分子状汚染物質を介して密着させて前記ガラス積層体を得る積層工程とを備えていることを特徴とするガラス積層体の製造方法。
2. 前記積層工程の後に、前記ガラス積層体を加熱する加熱工程を備えていることを特徴とする請求項１に記載のガラス積層体の製造方法。
3. 前記加熱工程で、前記ガラス積層体を２００〜３００℃で加熱することを特徴とする請求項２に記載のガラス積層体の製造方法。
4. 前記表面処理工程の前に、前記ガラスフィルムの前記接合面及び前記支持ガラスの前記接合面を洗浄する洗浄工程を備えていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のガラス積層体の製造方法。
5. 前記ガラスフィルムの前記接合面及び前記支持ガラスの前記接合面のそれぞれの表面粗さＲａが、２．０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のガラス積層体の製造方法。
6. 前記ガスがクリーンドライエアであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のガラス積層体の製造方法。
7. 前記積層工程で、前記ガラスフィルムの前記接合面と前記支持ガラスの前記接合面とを減圧雰囲気下で密着させることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のガラス積層体の製造方法。
8. 前記表面処理工程で、前記支持ガラスの前記接合面にのみ前記ガスを噴射することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のガラス積層体の製造方法。
9. ガラスフィルム及び支持ガラスを含み、前記ガラスフィルムの接合面と前記支持ガラスの接合面とが分離可能に密着しているガラス積層体を製造するガラス積層体製造工程と、前記ガラス積層体の前記ガラスフィルムに加熱処理を伴う電子デバイス製造関連処理を施す電子デバイス製造関連処理工程と、前記ガラス積層体の支持ガラスから前記電子デバイス製造関連処理が施されたガラスフィルムを分離させる分離工程とを備えている電子デバイスの製造方法であって、
   前記ガラス積層体製造工程では、請求項１〜８のいずれか１項に記載のガラス積層体の製造方法により、前記ガラス積層体を得ることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
10. 前記電子デバイス製造関連処理工程が、前記ガラス積層体に液体を接触させる液体処理工程を備え、前記液体処理工程の前に、前記ガラス積層体に前記加熱処理を施すことを特徴とする請求項９に記載の電子デバイスの製造方法。

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