JP6725216B2 - 表面温度測定方法、加熱方法、表面温度測定装置、及び加熱装置 - Google Patents

Description

本発明は、被加熱面に対して加熱体を相対的に移動して被加熱面を加熱して被加熱面の表面温度分布が時間的に変化する場合であっても、適正な表面温度分布を測定することができる表面温度測定方法、加熱方法、表面温度測定装置、及び加熱装置に関する。

従来から、加熱対象物の被加熱面を非接触で加熱する方法として、高温の気体を吹き付けて被加熱面の熱伝達を使って加熱する方法、電熱線ヒータ等の高温の発熱体を加熱対象物の被加熱面に接近させ、発熱体からの輻射熱で加熱する方法、ランプヒータ等の赤外線を被加熱面に当て、赤外線による輻射熱で加熱する方法、電磁誘導コイルを用いて被加熱面に誘導電流を誘起させ、加熱対象物の材質による抵抗熱で被加熱面を加熱する方法などがある。

ここで、発熱体などの加熱体の寸法より大きい被加熱面を加熱する場合、加熱体を移動して被加熱面を万遍なく撫でるように加熱している。この加熱体を移動させる方法としては、ロボットアーム先端の手首部に加熱体を装着し、ロボットのプログラムに従って加熱体を被加熱面の形状に合わせて移動している。

一方、被加熱面の表面温度分布を測定する方法としては、熱電対を被加熱面に貼って測定する方法がある。しかし、熱電対を被加熱面に貼ることは、熱電対自体が加熱されてしまうこと、熱電対の陰の部分が加熱されにくいこと、被加熱面に傷が付くおそれがあること、被加熱面の大きさによっては熱電対の数が膨大となること、などの欠点がある。これに対し、赤外線サーモグラフィー（赤外線画像測定装置）を用いて被加熱面の表面温度分布を測定する方法は、赤外線サーモグラフィー自体が被加熱面に非接触であり、被加熱面の表面温度分布を画素単位で測定できるという利点がある。

特開平４−１７４３２７号公報

ところで、上述したように、加熱体の寸法よりも大きい被加熱面を加熱する場合、加熱体を移動して被加熱面を万遍なく撫でるように加熱している。この場合、加熱体の直下では被加熱面が加熱されて表面温度は高くなるが、加熱体が移動すると、その表面温度が高くなった部分の被加熱面は冷却され、表面温度は低くなる。すなわち、被加熱面内の狭い部分では、加熱体の移動によって、加熱体がこの狭い部分に接近したときは加熱されて表面温度が上昇するが、この狭い部分を離れた後では放熱が継続して表面温度が低下する。そして、この狭い部分は、その後加熱体が再び接近するまで放熱を続け、加熱体が接近した時に再度加熱されて表面温度が上昇する。例えば、図３に示すように、被加熱面の狭い部分の表面温度は、周期的に急激な昇温と緩慢な降温とを繰り返すことになる。

したがって、加熱体の寸法よりも大きい被加熱面を加熱する場合であって、加熱体による被加熱面全体に対する１つの移動加熱処理が行われる場合、この１つの移動加熱処理中における被加熱面の表面温度分布は時間的に変化することになる。すなわち、移動中の加熱体の位置によって被加熱面の表面温度分布が異なるものとなる。

ここで、加熱体による被加熱面に対する移動加熱処理を評価する場合、被加熱面の表面温度分布を用いることになる。しかし、加熱体の移動に伴って被加熱面の表面温度分布が変化するため、適正な移動加熱処理の評価を行うことができない。

なお、特許文献１には、サーモグラフィーを移動させ、赤外線温度画像を複数枚撮像し、広い面積の被加熱面の温度測定を行うものが記載されている。しかし、特許文献１に記載されたものは、被加熱面の表面温度の時間的変化に対応した表面温度分布を測定するものではない。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、被加熱面に対して加熱体を相対的に移動して被加熱面を加熱して被加熱面の表面温度分布が時間的に変化する場合であっても、適正な表面温度分布を測定することができる表面温度測定方法、加熱方法、表面温度測定装置、及び加熱装置を提供することを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる表面温度測定方法は、被加熱面を有する加熱対象物と前記被加熱面に比して小さい加熱面を有した加熱体とを非接触で相対的に移動させて前記加熱対象物の前記被加熱面を加熱する場合における前記被加熱面の表面温度分布を測定する表面温度測定方法であって、前記加熱体と前記加熱対象物との相対的移動による１つの移動加熱処理中に、前記被加熱面の全部または一部の温度測定領域を構成する各メッシュ領域毎の温度をサンプリング時間毎に非接触で測定して蓄積し、前記１つの移動加熱処理の終了毎に、蓄積された各メッシュ領域毎の測定温度の平均値をもとに前記温度測定領域の表面温度分布を求めることを特徴とする。

また、本発明にかかる加熱方法は、上記の発明に記載の表面温度測定方法によって求められた前記温度測定領域の表面温度分布を用いて前記加熱体による前記加熱対象物の加熱制御を行うことを特徴とする。

また、本発明にかかる加熱方法は、上記の発明において、前記加熱制御は、求められた表面温度分布が所望の温度分布となるように次の１つの移動加熱処理の変更制御を行うことを特徴とする。

また、本発明にかかる加熱方法は、上記の発明において、前記１つの移動加熱処理の変更制御は、前記加熱体と前記被加熱面との間の距離及び姿勢を含む移動経路の変更、移動加熱処理中の移動速度変更、前記加熱体の出力の変更のいずれか１以上の組み合わせであることを特徴とする。

また、本発明にかかる表面温度測定装置は、被加熱面を有する加熱対象物と前記被加熱面に比して小さい加熱面を有した加熱体とを非接触で相対的に移動させて前記加熱対象物の前記被加熱面を加熱する場合における前記被加熱面の表面温度分布を測定する表面温度測定装置であって、前記加熱体と前記加熱対象物との相対的移動による１つの移動加熱処理中に、前記被加熱面の全部または一部の温度測定領域を構成する各メッシュ領域毎の温度をサンプリング時間毎に非接触で測定して蓄積する温度測定部と、前記１つの移動加熱処理の終了毎に、蓄積された各メッシュ領域毎の測定温度の平均値をもとに前記温度測定領域の表面温度分布を求める温度分布算出部と、を備えたことを特徴とする。

また、本発明にかかる加熱装置は、上記の発明に記載の表面温度測定装置によって求められた前記温度測定領域の表面温度分布を用いて前記加熱体による前記加熱対象物の加熱制御を行う加熱制御部を備えたことを特徴とする。

また、本発明にかかる加熱装置は、上記の発明において、前記加熱制御部は、求められた表面温度分布が所望の温度分布となるように次の１つの移動加熱処理の変更制御を行うことを特徴とする。

また、本発明にかかる加熱装置は、上記の発明において、前記加熱制御部は、前記加熱体と前記被加熱面との間の距離及び姿勢を含む移動経路の変更、移動加熱処理中の移動速度変更、前記加熱体の出力の変更のいずれか１以上の組み合わせを行って前記１つの移動加熱処理の変更制御を行うことを特徴とする。

本発明によれば、被加熱面を有する加熱対象物と前記被加熱面に比して小さい加熱面を有した加熱体とを非接触で相対的に移動させて前記加熱対象物の前記被加熱面を加熱する場合における前記被加熱面の表面温度分布を測定する際、前記加熱体と前記加熱対象物との相対的移動による１つの移動加熱処理中に、前記被加熱面の全部または一部の温度測定領域を構成する各メッシュ領域毎の温度をサンプリング時間毎に非接触で測定して蓄積し、前記１つの移動加熱処理の終了毎に、蓄積された各メッシュ領域毎の測定温度の平均値をもとに前記温度測定領域の表面温度分布を求めるようにしている。このため、１つの移動加熱処理中に表面温度分布が時間変化する場合であっても、適正な表面温度分布を測定することができる。

図１は、本発明の実施の形態である加熱装置の全体構成を示す模式図である。 図２は、被加熱面上を近接して移動する誘導加熱コイルの移動経路の一例を示す図である。 図３は、被加熱面上の点の温度の時間変化を示す図である。 図４は、表面温度分布の生成を説明する説明図である。 図５は、制御部による表面温度測定処理を含む移動加熱処理手順を示すフローチャートである。 図６は、１つの移動加熱処理の変更の設定の一例を示す模式図である。 図７は、１つの移動加熱処理における他の移動経路の一例を示す図である。 図８は、被加熱面内の一部の領域を温度測定領域とする一例を示す図である。 図９は、１つの移動加熱処理の移動経路が異なる場合における加熱開始点及び加熱終了点の位置を示す図である。

以下、添付図面を参照してこの発明を実施するための形態について説明する。

（全体構成）
図１は、本発明の実施の形態である加熱装置の全体構成を示す模式図である。図１に示すように、加熱装置は、先端に加熱体としての誘導加熱コイル２が取り付けられたロボットアーム３、赤外線サーモグラフィー４、制御部５、表示部６、操作部７、及び、記憶部８を有する。また、制御部５は、温度検出部１１、温度分布算出部１２、加熱制御部１３を有する。また、記憶部８は、目標表面温度分布情報Ｄ１、表面温度分布画像Ｄ２、加熱変更制御情報Ｄ３を有する。なお、制御部５には、誘導加熱コイル２及びロボットアーム３、赤外線サーモグラフィー４、表示部６、操作部７、記憶部８が接続される。

誘導加熱コイル２は、例えば、円状に巻かれたコイルである。誘導加熱コイル２は、ロボットアーム３によって位置及び姿勢を変えることができる。この誘導加熱コイル２の位置及び姿勢を含む移動経路、移動速度、及び出力は、制御部５のもとに制御される。誘導加熱コイル２は、導電性の加熱対象物１の被加熱面１ａに接近させて移動し、被加熱面１ａを加熱する。誘導加熱コイル２は、図示しない電源から供給される高周波電流によって磁界を発生し、加熱対象物１に渦電流を発生させ、その抵抗熱によって被加熱面１ａを加熱する。被加熱面１ａは、誘導加熱コイル２の寸法よりも大きいため、誘導加熱コイル２を移動させ、被加熱面１ａを万遍なく撫でるように加熱する。なお、本実施の形態では、誘導加熱コイル２を被加熱面１ａに対して移動させるようにしているが、被加熱面１ａを誘導加熱コイル２に対して移動させるようにしてもよい。さらに、誘導加熱コイル２及び被加熱面１ａの双方を移動させてもよい。すなわち、被加熱面１ａと誘導加熱コイル２との位置関係が相対的に移動できる機構であればよい。

赤外線サーモグラフィー４は、所定サンプリング間隔で、被加熱面１ａに対する赤外線領域の表面温度分布画像を撮像する。温度検出部１１は、赤外線サーモグラフィー４が撮像した表面温度分布画像を取得し、記憶部８内に表面温度分布画像Ｄ２として蓄積する。

温度分布算出部１２は、１つの移動加熱処理の開始から終了までの間で所定サンプリング時間毎に蓄積された複数の表面温度分布画像Ｄ２内の対応する各画素の平均値を求め、この平均値による表面温度分布を求める。なお、平均値は、表面温度分布画像Ｄ２の各画素単位ではなく、予め設定されたメッシュ領域単位で求めてもよい。なお、予め設定されたメッシュ領域単位は隣接する複数の画素から構成される。また、各画素単位を予め設定されたメッシュ領域単位として取り扱っても良い。

加熱制御部１３は、記憶部８に記憶された目標表面温度分布情報Ｄ１が示す目標表面温度分布と温度分布算出部１２が算出した表面温度分布とが同じ（許容範囲内）になるように、誘導加熱コイル２と被加熱面１ａとの間の距離及び姿勢を含む移動経路の変更、移動加熱処理中の移動速度変更、誘導加熱コイル２の出力の変更のいずれか１以上を変更する次の１つの移動加熱処理を設定し、この設定した１つの移動加熱処理の実行を制御する。なお、移動加熱処理の変更は、記憶部８内の加熱変更制御情報Ｄ３を参照して決定される。

表示部６は、被加熱面１ａ、誘導加熱コイル２の移動経路及び移動状態、表面温度分布などの各種情報を表示出力する。

操作部７は、制御部５に対する制御指示を行う。操作部７は、キーボードやポインティングデバイスによって実現される。

（移動加熱処理の詳細）
図２は、被加熱面１ａ上を近接して移動する誘導加熱コイル２の移動経路の一例を示す図である。また、図３は、被加熱面１ａ上の点Ｐ１１の温度の時間変化を示す図である。さらに、図４は、表面温度分布の生成を説明する説明図である。

図２に示すように、誘導加熱コイル２は、被加熱面１ａ上に近接し、加熱開始点である点Ｐ１から移動経路Ｌ１を移動し、加熱終了点である点Ｐ２に移動した後、移動経路Ｌ２を介して点Ｐ１に戻る１つの移動加熱処理を繰り返す。移動経路Ｌ１は、図上、上下にジグザグに移動して被加熱面１ａを万遍なく加熱する経路である。

図３に示すように、点Ｐ１１の位置における温度は、上述した１つの移動加熱処理の繰り返しによって、最低温度Ｔｂと最高温度Ｔａとの間で温度変化する。この温度変化は、誘導加熱コイル２が加熱開始点である点Ｐ１に位置する時点ｔ１から、移動経路Ｌ１，Ｌ２を介して再び点Ｐ１に位置する時点ｔ２までの間での変化と同じ変化を繰り返す。この移動経路Ｌ１，Ｌ２を介した１回の移動加熱処理を「１つの移動加熱処理」と称する。なお、図３では、誘導加熱コイル２の移動経路、移動速度、出力が同じである１つの移動加熱処理を繰り返している。ここで、誘導加熱コイル２の移動経路、移動速度、出力の変更制御が行われる場合、上述した１つの移動加熱処理は異なるものとなる。

点Ｐ１１の温度変化は、誘導加熱コイル２が点Ｐ１１を通過する直前で温度が最低温度となっており、誘導加熱コイル２の点Ｐ１１の通過開始とともに点Ｐ１１の温度が急上昇している。その後、誘導加熱コイル２が点Ｐ１１を通過完了すると、点Ｐ１１の温度は、放熱等によって緩慢に低下する。

図４の上部に示すように、各位置（各画素）の点Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３の温度は、誘導加熱コイル２が移動する時間の経過に伴って変化する。ここで、温度検出部１１は、被加熱面１ａ全体の表面温度分布画像Ｄ２を所定サンプリング時間ΔＳごとに取得することによって、点Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３などを含む各画素の温度変化（測定温度変化）を得ることができる。

温度分布算出部１２は、１つの移動加熱処理の時間Δｔ内で蓄積された複数の表面温度分布画像Ｄ２内の対応する各画素毎の測定温度の平均値を求める。例えば、点Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３での平均値は、各点で時間Δｔ内で蓄積されたサンプリング数がＮ個である場合、それぞれ蓄積された測定温度を加算し、それぞれＮで除算した平均値Ｔ１１ave，Ｔ１２ave，Ｔ１３aveとなる。温度分布算出部１２は、各画素毎の平均値の分布を表面温度分布として算出する。

（移動加熱処理手順）
ここで、図５に示したフローチャートを参照して、制御部５による表面温度測定処理を含む移動加熱処理手順について説明する。まず、温度検出部１１は、加熱制御部１３が１つの移動加熱処理を開始したか否かを判断する（ステップＳ１０１）。１つの移動加熱処理が開始していない場合（ステップＳ１０１，Ｎｏ）には、この判断処理を繰り返す。一方、１つの移動加熱処理が開始した場合（ステップＳ１０１，Ｙｅｓ）には、所定サンプリング時間ごとに温度測定領域（被加熱面１ａ全体）の表面温度分布画像Ｄ２を赤外線サーモグラフィー４から取得して記憶部８に蓄積する（ステップＳ１０２）。

その後、温度分布算出部１２は、加熱制御部１３が１つの移動加熱処理を終了したか否かを判断する（ステップＳ１０３）。この移動加熱処理の終了とは、図２では、誘導加熱コイル２が、図２に示した移動経路Ｌ１，Ｌ２を介して再び点Ｐ１に戻ったときである。

１つの移動加熱処理が終了していない場合（ステップＳ１０３，Ｎｏ）には、ステップＳ１０２に移行して表面温度分布画像Ｄ２の取得及び蓄積の処理を繰り返す。一方、１つの移動加熱処理が終了した場合（ステップＳ１０３，Ｙｅｓ）、温度分布算出部１２は、蓄積された複数の表面温度分布画像Ｄ２の各画素に対応する複数の温度の平均値を求め、この平均値による表面温度分布を算出する（ステップＳ１０４）。

その後、加熱制御部１３は、算出された表面温度分布が、記憶部８に予め記憶された目標表面温度分布情報Ｄ１が示す目標表面温度分布と同じになったか否かを判断する（ステップＳ１０５）。表面温度分布が目標表面温度分布と同じか否かの判断は、各画素あるいは各メッシュ毎の差が許容範囲内に収まっているか否かである。加熱制御部１３は、表面温度分布が目標表面温度分布と同じになった場合（ステップＳ１０５，Ｙｅｓ）には、さらに、加熱処理の終了指示があるか否かを判断する（ステップＳ１０６）。加熱処理の終了指示があった場合（ステップＳ１０６，Ｙｅｓ）には、本処理を終了する。一方、加熱処理の終了指示がない場合（ステップＳ１０６，Ｎｏ）には、ステップＳ１０１に移行し、現在の１つの移動加熱処理を変えずに上述した処理を繰り返す。

一方、加熱制御部１３は、表面温度分布が目標表面温度分布と同じでないと判断した場合（ステップＳ１０５，Ｎｏ）には、誘導加熱コイル２と被加熱面１ａとの間の距離及び姿勢を含む移動経路の変更、移動加熱処理中の移動速度変更、誘導加熱コイル２の出力の変更のいずれか１以上を変更する次の１つの移動加熱処理を設定し（ステップＳ１０７）、ステップＳ１０１に移行し、設定された次の１つの移動加熱処理による上述した処理を繰り返す。

例えば、ステップＳ１０７による次の１つの移動加熱処理の設定は、図６に示すように、表面温度分布上の点（画素）ＰＡが目標表面温度分布上の点ＰＡよりも温度が高い場合には、移動経路Ａの点ＰＡで誘導加熱コイル２と被加熱面１ａとの間の距離ｄ１を、温度差に対応する距離ｄａ増大して誘導加熱コイル２を位置２ａに変更し、被加熱面１ａから離隔する設定を行う。一方、表面温度分布上の点ＰＡが目標表面温度分布上の点ＰＡよりも温度が低い場合、移動経路Ａの点ＰＡで誘導加熱コイル２と被加熱面１ａとの間の距離ｄ１を、温度差に対応する距離ｄｂ減少して誘導加熱コイル２を位置２ｂに変更し、被加熱面１ａに近接する設定を行う。

なお、上述した実施の形態による移動経路は、図２に示したように、被加熱面１ａを図上、上下にジグザグ移動するものであったが、これに限らず、図７に示すように、移動経路Ｌ１が終了する点Ｐ２から、図上、左右にジグザグ移動する移動経路Ｌ３を経て、加熱開始点である点Ｐ１に移動加熱処理しつつ戻るようにすることが好ましい。

また、上述した実施の形態による加熱制御は、算出された表面温度分布が目標表面温度分布となるように制御するものであったが、単に表面温度分布を均一にする場合、被加熱面１ａ全体の平均温度と、算出した表面温度分布の各画素の温度との温度差を求め、この温度差をなくすような、１つの移動加熱処理の変更制御を行うようにしてもよい。

さらに、図８に示すように、上述した実施の形態による温度測定領域は、被加熱面１ａ全体の領域Ｅであったが、これに限らず、温度測定領域を、被加熱面１ａ内の一部の領域Ｅ１としてもよい。

また、図９に示すように、１つの移動加熱処理の移動経路は、被加熱面１ａに対して異なる移動経路Ｌ１１，Ｌ１２となる場合がある。この各移動経路Ｌ１１，Ｌ１２の加熱開始点及び加熱終了点である点Ｐ１は、同一点である。

上述した実施の形態では、誘導加熱コイル２の相対的移動による１つの移動加熱処理中に、被加熱面１ａの全部または一部の温度測定領域を構成する各画素毎あるいは各メッシュ領域毎の温度をサンプリング時間毎に非接触で測定して蓄積し、１つの移動加熱処理の終了毎に、蓄積された各画素あるいは各メッシュ領域毎の測定温度の平均値をもとに温度測定領域の表面温度分布を求めるようにしている。この結果、１つの移動加熱処理中に、各画素あるいは各メッシュ領域の温度が時間変化する場合であっても、適正な表面温度分布を得ることができる。さらに、この実施の形態では、得られた適正な表面温度分布をもとに加熱制御を行うようにしているので、精度の高い加熱処理を行うことができる。

なお、上述した実施の形態では、加熱体の一例として誘導加熱コイル２を示したがこれに限らず、電熱線ヒータ等の高温の発熱体やランプヒータ等の赤外線照射体などの加熱体であってもよい。

また、上述した加熱対象物は、導電性を有する材料であったが、例えば、カーボンなどの導電性フィラーが混入された合成樹脂であってもよい。さらに、導電性の加熱対象物の被加熱面上に、重合反応で硬化させる樹脂系などの塗料が塗布されているものであってもよい。この場合の加熱制御は、加熱対象物に塗布された塗料の焼付け処理を行うものである。

なお、被加熱面１ａの表面温度分布を測定する表面温度測定装置は、温度測定部（赤外線サーモグラフィー４及び温度検出部１１）と、温度分布算出部１２とによって構成される。

また、上述した実施の形態では赤外線サーモグラフィー４を利用していたが、一定領域の表面温度を測定できる複数の赤外線温度計測装置により領域ごとに温度を測定し、領域ごとの温度を表面温度分布として利用しても良い。

１ 加熱対象物
１ａ 被加熱面
２ 誘導加熱コイル
３ ロボットアーム
４ 赤外線サーモグラフィー
５ 制御部
６ 表示部
７ 操作部
８ 記憶部
１１ 温度検出部
１２ 温度分布算出部
１３ 加熱制御部
Ｄ１ 目標表面温度分布情報
Ｄ２ 表面温度分布画像
Ｄ３ 加熱変更制御情報
Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ１１，Ｌ１２ 移動経路
Ｐ１，Ｐ２，Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３ 点
ｔ１，ｔ２ 時点
Ｔａ 最高温度
Ｔｂ 最低温度
Δｔ 時間

Claims (8)

1. 被加熱面を有する加熱対象物と前記被加熱面の全部または一部の温度測定領域に比して小さい加熱面を有した加熱体とを非接触で相対的に移動させて前記加熱対象物の前記被加熱面を加熱する場合における前記被加熱面の表面温度分布を測定する表面温度測定方法であって、
   前記被加熱面の表面温度分布が所望の温度分布になるまで、前記加熱体と前記加熱対象物との相対的移動による１つの移動加熱処理を連続して行う際、前記１つの移動加熱処理中に、前記温度測定領域を構成する各メッシュ領域毎の温度をサンプリング時間毎に非接触で測定して蓄積し、
   前記１つの移動加熱処理の終了毎に、蓄積された各メッシュ領域毎の測定温度の時間平均値をもとに前記温度測定領域の表面温度分布を求めることを特徴とする表面温度測定方法。
2. 請求項１に記載の表面温度測定方法によって求められた前記温度測定領域の表面温度分布を用いて前記加熱体による前記加熱対象物の加熱制御を行うことを特徴とする加熱方法。
3. 前記加熱制御は、求められた表面温度分布が所望の温度分布となるように次の１つの移動加熱処理の変更制御を行うことを特徴とする請求項２に記載の加熱方法。
4. 前記１つの移動加熱処理の変更制御は、前記加熱体と前記被加熱面との間の距離及び姿勢を含む移動経路の変更、移動加熱処理中の移動速度変更、前記加熱体の出力の変更のいずれか１以上の組み合わせであることを特徴とする請求項３に記載の加熱方法。
5. 被加熱面を有する加熱対象物と前記被加熱面の全部または一部の温度測定領域に比して小さい加熱面を有した加熱体とを非接触で相対的に移動させて前記加熱対象物の前記被加熱面を加熱する場合における前記被加熱面の表面温度分布を測定する表面温度測定装置であって、
   前記被加熱面の表面温度分布が所望の温度分布になるまで、前記加熱体と前記加熱対象物との相対的移動による１つの移動加熱処理を連続して行う際、前記１つの移動加熱処理中に、前記温度測定領域を構成する各メッシュ領域毎の温度をサンプリング時間毎に非接触で測定して蓄積する温度測定部と、
   前記１つの移動加熱処理の終了毎に、蓄積された各メッシュ領域毎の測定温度の時間平均値をもとに前記温度測定領域の表面温度分布を求める温度分布算出部と、
   を備えたことを特徴とする表面温度測定装置。
6. 請求項５に記載の表面温度測定装置によって求められた前記温度測定領域の表面温度分布を用いて前記加熱体による前記加熱対象物の加熱制御を行う加熱制御部を備えたことを特徴とする加熱装置。
7. 前記加熱制御部は、求められた表面温度分布が所望の温度分布となるように次の１つの移動加熱処理の変更制御を行うことを特徴とする請求項６に記載の加熱装置。
8. 前記加熱制御部は、前記加熱体と前記被加熱面との間の距離及び姿勢を含む移動経路の変更、移動加熱処理中の移動速度変更、前記加熱体の出力の変更のいずれか１以上の組み合わせを行って前記１つの移動加熱処理の変更制御を行うことを特徴とする請求項７に記載の加熱装置。

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