JP6724409B2 - 発光装置 - Google Patents

Description

本開示は、発光装置に関する。

従来、基板同士の接合にはコネクタ等の接合部品が用いられる。 例えば、特許文献１には、複数のＬＥＤ基板と中継基板とを、コネクタを介して接続する構造が記載されている。 また、特許文献２には、ベース基板と中継基板とを、コネクタ及び半田を介して接続する構造が記載されている。
さらに、特許文献３には、発光素子が配置されている基板が、半田などの接続部材で別の基板に接続されている構造の発光装置が記載されている。

特開２０１３−０１６３２５号公報 国際公開第２０１４／１１５３４４号 特開２０１４−１２３６８８号公報

しかしながら、特許文献１，２に示すように、基板同士の接合にコネクタを使用する構造では基板同士の接合箇所が増えると、必要になるコネクタの数が増えるのでコスト高になるという問題が生じる。 また、コネクタの配置に大きなスペースが必要になるので基板レイアウトの自由度が小さくなるなどの問題も生じる。

そこで、本開示に係る実施形態は、コネクタ等の接合部品を使用することなく可撓性基板と他の基板とを接合することで、コストを低減できる発光装置を提供するものである。コネクタ等の接合部品を使用することなく可撓性基板と他の基板とを接合する構造を基板接合構造とする。

本開示の実施形態に係る発光装置は、可撓性を有する第１基材上に設けられる第１配線パターンを備える第１基板と、第２基材上に設けられる第２配線パターンを備える第２基板と、前記第1配線パターン上に実装された発光素子と、を有し、前記第１配線パターンと前記第２配線パターンが対面しないように前記第１基板の接合端部が前記第２基板に重なるとともに前記第１基板の第２端部が前記第２基板と重ならず、前記第１配線パターンと前記第２配線パターンとにまたがり、前記第１基板の前記接合端部の一部を覆う導電性の接合部材を有して構成されている。

本開示の実施形態に係る発光装置によれば、コネクタ等の接合部品を使用することなく可撓性基板と他の基板とを接合することができるので、コネクタに要する費用を削減できる。 また、コネクタの配置に必要なスペースが不要となるので基板レイアウトの自由度が大きくなる。

第１実施形態に係る発光装置を示す図である。 第１実施形態の変形例１であって、第１基板及び第２基板が反射板の裏面に取り付けられている状態を示す図である。 第１実施形態に係る発光装置に用いる第１基板の平面図である。 第１実施形態に係る発光装置に用いる第２基板の平面図である。 第１実施形態に係る発光装置に含まれる基板接合構造の斜視図である。 図４ＡにおけるＸ−Ｘでの断面図である。 第１通電ランドと第２通電ランドを接合する半田の形状を示す図である。 第２実施形態に係る発光装置に含まれる基板接合構造を示す図であり、第１基板が粘着部材を介して第２基板に接着された状態を示す断面図である。 第３実施形態に係る発光装置に含まれる基板接合構造を示す図であり、長尺の第１基板が継ぎ足された状態を示す斜視図である。 第４実施形態に係る発光装置を示す図である。 反射板の平面に形成される貫通孔を示す図である。 反射板の平面に形成される貫通孔の別の形状を示す図である。 反射板の平面に形成される貫通孔のさらに別の形状を示す図である。 第１実施形態の変形例２に係る発光装置に用いる第１基板の第１端部を示す平面図である。 第１実施形態の変形例２に係る発光装置に含まれる基板接合構造を示す図であり、導電性の接合部材が接合端部の全面を覆う状態を示す平面図である。

≪第１実施形態≫
以下、第１実施形態に係る発光装置について説明する。
なお、以下の説明において参照する図面は、実施形態を概略的に示したものであるため、各部材のスケールや間隔、位置関係などが誇張、あるいは、部材の一部の図示が省略されている場合がある。 また、平面図とその断面図において、各部材のスケールや間隔が一致しない場合もある。 また、以下の説明では、同一の名称及び符号については原則として同一又は同質の部材を示しており、詳細な説明は適宜省略することとする。

［発光装置の構成］
まず、第１実施形態に係る発光装置の概略構成について、図１Ａ，図１Ｂを参照して説明する。
図１Ａは第１実施形態に係る発光装置を示す図、図１Ｂは第１実施形態の変形例１であって、第１基板及び第２基板が反射板の裏面に取り付けられている状態を示す図である。
第１実施形態に係る発光装置１０は、図１Ａに示すように、ＬＥＤ（light emitting diode）などの発光素子１が実装された複数の第１基板２（部品実装基板）と、複数の第１基板２が接合して連結される１つの第２基板３（中継基板）と、第１基板２及び第２基板３を支持する反射板４と、を備える。 第２基板３及び第１基板２は、ここでは、両面テープなどの粘着剤（図示せず）で反射板４に貼り付けられている。 また、第１基板２は、細長い帯状に形成され、長手方向が互いに平行になるように複数が配置されている。
そして、第１実施形態に係る発光装置に含まれる基板接合構造は、発光素子１が実装される長尺の可撓性基板である第１基板２と第２基板３とを接合する接合構造である。

また、図１Ｂに示すように、第１基板２及び第２基板３の取り付け位置が、反射板４の裏面である発光装置１０であってもよい。 つまり、反射板４が第１基板２の部品実装面２ａの側、及び第２基板３の基板接合面３ａの側に取り付けられている発光装置１０であってもよい。
この場合、反射板４には、第１基板２に取り付けられた発光素子１の位置に貫通孔４ｈが開口し、発光素子１と半田（図４Ａに示す半田Ｈｄ）とが、反射板４から露出する構成としている。 反射板４が、表面の側あるいは裏面の側に第１基板２及び第２基板３を取り付けて（支持して）いる構成の発光装置１０としてもよい。

なお、第１基板２や第２基板３には、細長いテープ状の銅箔やアルミニウム箔を絶縁性材料で被覆したものを用いることもできる。 このような絶縁性材料としては、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やポリイミドやガラスエポキシ等の薄い材料を用いることが好ましい。

なお、第１基板２と第２基板３の材料は、異なるものであってもよい。 ただし、同じ材料であれば、線膨張係数などの物性が同じになるため、温度変化等による取り付け部への歪みを抑制することができる。

また、図１Ａに示す一例では、第２基板３が反射板４の一方の面に配置されているが、複数の第１基板２が接続された第２基板３が反射板４の両面に配置された構造の発光装置１０であってもよい。 この場合、２つの第２基板３は電気的な接続において、直列に接続されていてもよいし、並列に接続されていてもよい。

［第１基板（部品実装基板）の構成］
図２は第１実施形態に係る発光装置に用いる第１基板の平面図である。
図２に示すように、第１基板２は、発光素子１等の実装部品を実装するための基板である。 第１基板２は、可撓性（柔軟性）を有する可撓性基板である。 第１基板２は、具体例として、ポリイミド基材やガラスエポキシ基材など可撓性を有する基材である第１基材２０ａ上に、銅箔などの導電部材で形成される部品側導電部２０（第１配線パターン）がプリント配線等で設けられた可撓性基板である。
部品側導電部２０は、発光素子１（実装部品）が電気的に接続される配線部分である。 この部品側導電部２０は、第１基材２０ａの一方の面に形成され、この面が第１基板２の部品実装面２ａになる。 第１基板２の部品実装面２ａには長手方向に所定間隔を空けて１列に並んで発光素子１が実装されている。

第１基板２の部品実装面２ａ上には、絶縁材料からなる第１絶縁フィルム２０ｂが設けられている。第１絶縁フィルム２０ｂとして、第１基材２０ａより光反射率の高い白レジスト等を用いると、第1基板の光反射性を向上させ、発光装置の明るさを向上させることができるので好ましい。この第１絶縁フィルム２０ｂは、長手方向の第１端部（短辺）付近であって、第２基板３と重なり合う接合端部２ｂ（図４Ｂ参照）において部品側導電部２０（の一部）が露出するように、部品実装面２ａを被覆している。

第１基板２において、接合端部２ｂでは、第１基材２０ａ及び部品側導電部２０を第１絶縁フィルム２０ｂから露出させ、半田付けを可能にしている。また、接合端部２ｂにおいて、部品側導電部２０の先端付近の幅を広くして第１通電ランド２１として第１配線パターンとすることもできる。 これにより、第１通電ランド２１における半田付けの面積を十分に確保することができ、その部分での接着強度を向上させることができる。なお、部品側導電部２０の先端の幅を特に変更せずとも半田付けの面積を十分に確保することができるような場合は、特にその先端の幅を変更せず、接合端部２ｂの部品側導電部２０を第１通電ランド２１として用いることもできる。また、第１基板２の部品実装面２ａにおいて、部品側導電部２０が長手方向の第１端部（短辺）まで設けられていることが好ましいが、接合端部２ｂの範囲まで設けられていれば良い。

なお、第１通電ランド２１の形状は本実施形態では矩形となるが、これに限定されない。 例えば、円形や楕円形など矩形と異なる形状の第１通電ランド２１であってもよい。

また、第１基板２の第１基材２０ａ上において接合端部２ｂには、第１通電ランド２１と電気的に絶縁された第１補強ランド２２が形成されている。 第１補強ランド２２は部品側導電部２０と電気的に絶縁される位置に設けられている。 一例として、第１補強ランド２２は、接合端部２ｂにおいて、第１基板２の第１端部（短辺）に連なる２つの長辺に沿って、それぞれ部品側導電部２０より外側に、部品側導電部２０から離間して設けられている。 なお、第１基板において、接合端部２ｂ以外の端部を本実施形態における第２端部２ｃとする。この第１補強ランド２２は半田付け可能な領域であり、例えば、部品側導電部２０と同様に銅箔などの導電部材で形成されている。 図２に示す一例では、１つの第１基板２に２つの第１補強ランド２２が形成されている。 １つの第１基板２に設けられる第１補強ランド２２の数は限定されない。 第１補強ランド２２は、第１基板２の端部まで設けられていることが好ましい。

なお、発光素子１は、第１基板２の部品実装面２ａに複数が所定間隔で整列して実装されている。 発光素子１は電極１ａを有する。 発光素子１の電極１ａは、例えば、異方性導電部材や、半田を介して部品側導電部２０に接続される。 発光素子１は、同じ色を発光するものを使用することも、また、互いに異なる色のものを使用することもでき、発光装置１０（図１Ａ参照）の目的に合せて実装される。

［第２基板（中継基板）の構成］
図３は第１実施形態に係る発光装置に用いる第２基板の平面図である。
図３に示すように、第２基板３は、複数の第１基板２を接続するための基板である。 この第２基板３は、図２に示す第１基板２と同様にして形成される可撓性基板であって、可撓性を有する基材である第２基材３０ａの一方の面上に、銅箔などの導電部材によって中継側導電部３０（第２配線パターン）が形成されている。 第１実施形態では、中継側導電部３０が形成される第２基材３０ａの一方の面を第２基板３の基板接合面３ａとしている。 第２基板３には、第１基板２の部品側導電部２０に対応して接続できる位置に中継側導電部３０が形成されている。そして、第２基板３には、第１基板２が対面して設置される接合領域３ｂが複数形成され、中継側導電部３０がその内部にまで延伸している。さらに、各々の接合領域３ｂには、第２補強ランド３２が形成されている。 なお、第２基板３では、一例として、複数の第１基板２が直列に接続される場合、中継側導電部３０が直列配線となるように形成される。

また、第２基板３は、基板接合面３ａの一部が絶縁材料からなる第２絶縁フィルム３０ｂで被覆されている。第２絶縁フィルム３０ｂとして、第２基材３０ａより光反射率の高い白レジスト等を用いると、第２基板の光反射性を向上させ、発光装置の明るさを向上させることができるので好ましい。接合領域３ｂでは、中継側導電部３０及び第２補強ランド３２を第２絶縁フィルム３０ｂから露出させ半田付けを可能にしている。また、接合領域３ｂ内において、中継側導電部３０の先端付近は、中継側導電部３０の先端付近を略矩形状に広げて第２通電ランド３１とし、第２配線パターンとすることもできる。これにより、第２通電ランド３１における半田付けの面積を十分に確保することができ、その部分での接着強度を向上させることができる。なお、中継側導電部３０の先端の幅を特に変更せずとも半田付けの面積を十分に確保することができるような場合は、特にその先端の幅を変更せず、接合領域３ｂ内の中継側導電部３０を第２通電ランド３１として用いることもできる。接合領域３ｂは、ここでは、第１基板２が重なり得る略矩形の領域とする。

第２通電ランド３１は、接合領域３ｂにおいて、第１基板２の接合端部２ｂにある第１通電ランドと半田付けして接続することが可能な位置に形成されている。 第１実施形態において、第２基板３には複数の第２通電ランド３１が形成され、それらは直線方向に所定の間隔を空けて配置されている。また、第２通電ランド３１は、それぞれ隣り合う接合領域３ｂ間で、中継側導電部３０によって電気的に接続されている。 さらに、直線方向の両端に位置する第２通電ランド３１には、電源５（図１Ａ参照）から連通する中継側導電部３０が連続するように形成されている。

また、第２通電ランド３１は、第１基板２の接合端部２ｂに形成されている第１通電ランド２１（図２参照）の面積よりも広くなるように形成されている。 そして、第２通電ランド３１は、第２基板３に接合される第１基板２（図２参照）の第１通電ランドの数に対応した数が形成されている。 例えば、それぞれ２つの第１通電ランド２１を有する５つの第１基板２が第２基板３に接合される場合、第２基板３には第１基板２に形成される第１通電ランド２１と同数（１０個（２×５））の第２通電ランド３１が形成されている。

また、第２基板３には、それぞれの接合領域３ｂ内において、第１基板２の接合端部にある第１補強ランドと半田付けして接続することが可能な位置に第２補強ランド３２が形成されている。 第２補強ランド３２は、第２基板３において、同一直線上に離間して配置され、接合領域３ｂを横切る位置に設けられている。 そして、第２補強ランド３２は、第２基材３０ａ上において、第２通電ランド３１及び中継側導電部３０から離間して電気的に絶縁されている。 この第２補強ランド３２は半田付け可能な領域であり、第１実施形態における一例として、Ｔ字形状に形成されている。なお、隣り合う接合領域３ｂ間においては隣り合う第２補強ランドがつながっていても良い。 第２補強ランド３２は、中継側導電部３０と同様に銅箔などの導電部材で形成される。

そして、第２補強ランド３２は、第１基板２（図２参照）が重なったときに、その一部が第１基板２の外側となる位置に露出するように形成されている。 第１実施形態では、第２補強ランド３２は、中継側導電部３０と平行な直線部分が、第１基板２と重なったときに第１基板２の外側に露出する部分として形成されている。

［基板接合構造の構成］
図４Ａは第１実施形態に係る発光装置に含まれる基板接合構造の斜視図、図４Ｂは図４ＡにおけるＸ−Ｘでの断面図、図４Ｃは第１通電ランドと第２通電ランドを接合する半田の形状を示す図である。
図４Ａ及び図４Ｂに示すように、第１実施形態に係る発光装置に含まれる基板接合構造は、接合部材を介して第１基板２と第２基板３とを接合する構造である。 この基板接合構造は、第１基板２の接合端部２ｂが、第２基板３の基板接合面３ａにおいて接合領域３ｂに重なり合うように配置される。 そして、第１基板２は、裏面２ａ１（部品実装面２ａの裏面）が接合領域３ｂと対面して第２基板３に重なり合った状態で、第１通電ランド２１と第２通電ランド３１とが導電性の接合部材（例えば半田Ｈｄ）で接合されることで、第２基板３と接合する。

基板接合構造では、第１通電ランド２１（第１配線パターン）と、第２通電ランド３１（第２配線パターン）とにまたがって例えば半田Ｈｄが付されて、接合端部２ｂの一部を覆うように半田Ｈｄが備わり、第１通電ランド２１と第２通電ランド３１とが半田付けされる。

なお、第１通電ランド２１が第１端部まで設けられず、第１通電ランド２１が第１端部の近傍に設けられる場合、第１通電ランド２１は、第１端部の一部を覆うことが可能な半田Ｈｄを備えられる位置に設けられている。 また、第１補強ランド２２が第１基板２の端部まで設けられず、第１補強ランド２２が当該端部の近傍に設けられる場合、第１補強ランド２２は、当該端部の一部を覆うことが可能な半田Ｈｄを備えられる位置に設けられている。

また、１つの第１基板２に備わる２つの第１通電ランド２１は、それぞれが発光素子１の電極の極性（正極と負極）に対応して、第２基板３の第２通電ランド３１の極性（正極と負極）と一致するように、第１通電ランド２１と第２通電ランド３１とが半田Ｈｄにより接合されている。 なお、１つの第１基板２に備わる２つの第１通電ランド２１が短絡しない範囲において、第１通電ランド２１と第２通電ランド３１が半田付けされる。 例えば、１つの第１基板２に備わる２つの第１通電ランド２１の間に半田ブリッジが形成されないように第１通電ランド２１と第２通電ランド３１が半田付けされる。

さらに、基板接合構造では、第１基板２の部品実装面２ａ上の第１補強ランド２２と、第２基板３の接合領域３ｂ上の第２補強ランド３２とにまたがって第１基板２の補強用の接合部材（第１実施形態では半田Ｈｄ）が盛られて、第１補強ランド２２と第２補強ランド３２とが接合される。 第２基板３の第２通電ランド３１及び第２補強ランド３２は、第１基板２が対面して重なったときに、第１基板２の外側に位置する部分があるため、半田Ｈｄでの接合が確実なものになる。

図９Ａは、第１実施形態の変形例２に係る発光装置に用いる第１基板の第１端部を示す平面図である。図９Ｂは、第１実施形態の変形例２に係る発光装置に含まれる基板接合構造を示す図であり、導電性の接合部材が接合端部の全面を覆う状態を示す平面図である。
図９Ａに示すように、第１基板の第１端部は平面視において中央が凹んだ形状であってもよい。つまり、第１基板の第１端部側に２つの延伸部２５を有していてもよい。１つの第１基板２に備わる２つの第１通電ランド２１は、２つの延伸部２５にそれぞれ形成されるので、２つの第１通電ランド２１は離間する。この場合、図９Ｂに示すように、第１基板の２つの延伸部２５が、第２基板３と重なり合うことで接合端部２ｂが２つできる。これにより、導電性の接合部材が２つの接合端部２ｂのそれぞれの全面を覆う場合でも、１つの第１基板２に備わる２つの第１通電ランド２１が短絡しない。

なお、本実施形態において、第１基板２は、第１基材２０ａの厚みが３μｍから４５０μｍの範囲にあり、部品側導電部２０、第１通電ランド２１及び第１補強ランド２２などの銅箔の厚みが１５μｍから４０μｍの範囲にあることが好ましい。 また、可撓性基板である第１基板２は、２０μｍ以上、５００μｍ以下の厚みであることが好ましい。

例えば、２００μｍの厚みを有する第１基材２０ａの両面に、３５μｍの厚みで部品側導電部２０等の銅箔が形成される第１基板２であれば厚みが２７０μｍとなり、このような第１基板２（可撓性基板）を標準とすることができる。
また、５μｍの厚みを有する第１基材２０ａに、１８μｍの厚みで部品側導電部２０等の銅箔が形成される第１基板２であれば厚みが２３μｍとなり、このような第１基板２（可撓性基板）を、厚みが下限（最薄）の基板とすることができる。 一方、４００μｍの厚みを有する第１基材２０ａの両面に、３５μｍの厚みで部品側導電部２０等の銅箔が形成される第１基板２であれば厚みが４７０μｍとなり、このような第１基板２（可撓性基板）を、厚みが上限（最厚）の基板とすることができる。

このような厚みの第１基板２であれば、半田Ｈｄが割れることなく、第１通電ランド２１と第２通電ランド３１、及び第１補強ランド２２と第２補強ランド３２が、それぞれ効果的に半田付けされる。

また、半田Ｈｄは、図４Ｃに示すような形状で第１通電ランド２１と第２通電ランド３１を接合することが好ましい。 図４Ｃに示すように、半田Ｈｄは、縦長部１００と横長部１０１とを有する。 縦長部１００は第１通電ランド２１に接合して第１基板２の延伸方向に延びた部分である。 横長部１０１は第２通電ランド３１に接合して第２基板３の延伸方向に伸びた部分である。
半田Ｈｄの形状において、便宜上、第１基板２の延伸方向を縦方向Ｈｙとし、第２基板３の延伸方向を横方向Ｈｘとする。

この場合、半田Ｈｄにおける縦長部１００の横方向長さｈｘ１は０．５ｍｍから３．０ｍｍの範囲であり、横長部１０１の横方向長さｈｘ２は０．５ｍｍから５．０ｍｍの範囲であることが好ましい。
また、縦長部１００の縦方向長さｈｙ１は０．５ｍｍから５．０ｍｍの範囲であり、横長部１０１の縦方向長さｈｙ２は０．５ｍｍから５．０ｍｍの範囲であることが好ましい。

半田Ｈｄに係る縦長部１００及び横長部１０１の寸法（縦方向長さ、横方向長さ）が前記した値より大きい場合には半田Ｈｄにクラックが生じやすくなる。 また、半田Ｈｄに係る縦長部１００及び横長部１０１の寸法（縦方向長さ、横方向長さ）が前記した値より小さい場合にはハンドリング性が低下する。
半田Ｈｄにクラックが発生しにくく、かつ、ハンドリング性を低下させないためには、半田Ｈｄに係る縦長部１００及び横長部１０１の寸法（縦方向長さ、横方向長さ）が前記した値であることが好ましい。

基板接合構造において、第１基板２の部品実装面２ａに設けられている部品側導電部２０と、第２基板３の基板接合面３ａに設けられている中継側導電部３０と、の間には第１基材２０ａが介在する。 また、基板接合構造において、部品側導電部２０と中継側導電部３０が対面して接続しないように、第１基板２の接合端部２ｂが第２基板３の接合領域３ｂに重なって接合されている。 なお、ここでは、接合端部２ｂ以外の全ての部分が第２基板３と重ならないように配置されている。

基板接合構造では、第１基板２の第１基材２０ａと第２基板３の第２基材３０ａとの間に第２絶縁フィルム３０ｂが介在するが、第２絶縁フィルム３０ｂなどの他の部材が介在することなく、第１基板２と第２基板３（第２基材３０ａ）が接触（面接触）する構成でもよい。 つまり、第２基板３において第１基板２が重なる部分（接合領域３ｂ）に第２絶縁フィルム３０ｂが備わらない構成であってもよい。 この構成の場合、第１基板２と第２基板３との接合部分における厚みを薄くすることが可能になる。

なお、第１補強ランド２２と第２補強ランド３２を接合する補強用の接合部材を半田Ｈｄとすれば、第１通電ランド２１と第２通電ランド３１を半田Ｈｄで接合する工程と同一の工程で第１補強ランド２２と第２補強ランド３２を接合することができ、第１基板２と第２基板３を接合する作業効率が向上する。 また、補強用の接合部材は半田Ｈｄに限定されない。 例えば、第１補強ランド２２と第２補強ランド３２との接合に導電接着剤が使用される構成であってもよい。また、第１補強ランド２２と第２補強ランド３２を接合する補強用の接合部材は導電性を有していなくても構わない。

このように、第１実施形態によれば、コネクタ等の接合部品を使用することなく第１基板２と第２基板３とを接合することが可能になる。 つまり、第１実施形態に係る発光装置に含まれる基板接合構造は、コネクタ等の接合部品を使用して第１基板２と第２基板３を接合する構造と同等の機能を有するもののコネクタ等の接合部品が不要であり、コネクタ等の接合部品に要するコストが削減できる。 また、コネクタ等の接合部品を配置するスペースが不要になるので、第１基板２や第２基板３の配置（基板レイアウト）の自由度が向上する。

また、第１実施形態に係る発光装置に含まれる基板接合構造では、第１基板２の部品実装面２ａ上の第１補強ランド２２と、第２基板３の基板接合面３ａ上の第２補強ランド３２とが補強用の接合部材で接合される。 したがって、第１実施形態に係る発光装置に含まれる基板接合構造では第１基板２と第２基板３が強固に接合され、第１基板２と第２基板３の接合強度が高められる。

また、第１実施形態に係る発光装置に含まれる基板接合構造では、第１基板２の第１基材２０ａに設けられている部品側導電部２０と、第２基板３の第２基材３０ａに設けられている中継側導電部３０と、が対面しないように第１基板２と第２基板３が重ね合わされている。 したがって、図４Ａに示すように、第１通電ランド２１と第２通電ランド３１とが同じ方向を向いて配置される。 このため、第１通電ランド２１と第２通電ランド３１とにまたがって半田Ｈｄを盛る作業が容易になる。 同様に、第１補強ランド２２と第２補強ランド３２とが同じ方向を向いて配置されるので、第１補強ランド２２と第２補強ランド３２とにまたがって半田Ｈｄを盛る作業が容易になる。

なお、第１実施形態に係る発光装置に含まれる基板接合構造では、第１基板２に第１補強ランド２２が形成され、第２基板３に第２補強ランド３２が形成されている。 しかしながら、第１補強ランド２２及び第２補強ランド３２が形成されない基板接合構造であってもよい。 この場合、第１基板２と第２基板３は、第１通電ランド２１と第２通電ランド３１とで接合される。

≪第２実施形態≫
図５は第２実施形態に係る発光装置に含まれる基板接合構造を示す図であり、第１基板が粘着部材を介して第２基板に接着された状態を示す断面図である。
なお、第２実施形態の説明において、第１実施形態に係る発光装置に含まれる基板接合構造と同じ構成要素には同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。

第１実施形態においては、図４Ｂに示すように、第１基板２の接合端部２ｂが第２基板３の基板接合面３ａに重なり合うように配置される。このとき、第１基板２の裏面２ａ１が基板接合面３ａと重なり合って第１基板２と第２基板３とが重なり合う。 そこで、第２実施形態に含まれる基板接合構造として、図５に示すように、第１基板２が両面テープなどの粘着部材６を介して第２基板３（基板接合面３ａ）に重なり合う構造であってもよい。 つまり、第１基板２の第１基材２０ａの裏面２ａ１が両面テープ等の粘着部材６を介して第２基板３の第２基材３０ａの基板接合面３ａに重なり合い、第１基板２と第２基板３が粘着部材６によって接着される構成の基板接合構造であってもよい。
この場合、第１基板２と第２基板３は、半田付けに加えて粘着部材６でも固定されるので第１基板２と第２基板３とがより強固に接合され、第１基板２と第２基板３の接合強度が高められる。
なお、粘着部材６は両面テープに限定されない。 粘着部材６として接着剤を使用する構成であってもよい。

また、第１基板２と第２基板３が重なり合う部分において、第２基板３の端部に沿って接着剤が塗布される構成であってもよい。 つまり、第１基板２の裏面２ａ１と、第２基板３の端部と、が接着剤で固着されて補強される構成であってもよい。
また、第１基板２と第２基板３が重なり合う部分において、第２基板３の端部から第１基板２の裏面２ａ１にまたがってカバーテープが貼り付けられる構成であってもよい。 つまり、第１基板２の裏面２ａ１と、第２基板３の端部と、がカバーテープで固着されて補強される構成であってもよい。

また、第２実施形態に係る発光装置に含まれる基板接合構造において、第１補強ランド２２及び第２補強ランド３２が備わらない構成であってもよい。 この構成であっても、粘着部材６によって第１基板２と第２基板３とが強固に固定される。

≪第３実施形態≫
図６は第３実施形態に係る発光装置に含まれる基板接合構造を示す図であり、第１基板が継ぎ足されて長尺とするときに用いられる基板接合構造の状態を示す斜視図である。
なお、第３実施形態の説明において、第１実施形態に係る基板接合構造と同じ構成要素には同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
図６に示すように、第３実施形態として、基板接合構造で第１基板２同士を接合することも可能である。 つまり、第３実施形態に係る発光装置に含まれる基板接合構造を利用して第１基板２を継ぎ足すことも可能である。
この場合、第１基板２（部品実装基板）と、他の第１基板２（部品実装基板）と、が接合される。 接続された２つの第１基板２の接続されていないいずれかの端部に、新たに接合端部２ｂ、第１通電ランド２１及び第１補強ランド２２を設けて、第２基板３と接続することもできる。そして図６に示すように、第１基板２は、長手方向の両方の端部が接合端部２ｂになって、部品実装面２ａにおいて接合端部２ｂの近傍に第１通電ランド２１が形成される。 そして、一方の第１基板２の接合端部２ｂが他方の第１基板２の接合端部２ｂに重なるように配置され、一方の第１基板２の第１通電ランド２１と他方の第１基板２の第１通電ランド２１とが半田付けされる。
なお、第１基板２に第１補強ランド２２が形成されている場合、第１基板２の第１補強ランド２２同士を半田付けすることで、第１基板２を継ぎ足す場合の接合強度が高められる。

≪第４実施形態≫
図７は第４実施形態に係る発光装置を示す図である。
第４実施形態に係る発光装置１０ａは、例えば、熱による反りを抑制する構成が備わっている。図７に示すように、第４実施形態に係る発光装置１０ａの反射板４にはミシン目状の切り込み４ａが形成され、この切り込み４ａによって熱による反りが抑制される。なお、第４実施形態の発光装置１０ａは、反射板４にミシン目状の切り込み４ａが形成されている点のみが第１実施形態〜第３実施形態に係る発光装置１０（図１Ａ参照）と異なり、その他の点は、図１Ａに示す発光装置１０と同等に構成される。 よって、切り込み４ａ以外についての詳細な説明は省略する。

反射板４に形成される１つの切り込み４ａは、第１基板２の長手方向に対して垂直な方向にミシン目状に（断続的に）並んで開口する複数の小孔で形成される。切り込み４ａを形成する複数の小孔は、それぞれが反射板４を貫通している。 また、１つの切り込み４ａは、反射板４の一端から、対向する他端まで形成される。
切り込み４ａは、第１基板２に実装された発光素子１からずれた位置（発光素子１と発光素子１の間）に形成されている。 切り込み４ａは、第１基板２上で互いに隣接する２つの発光素子１の中間位置に形成されているのが好ましい。これにより、発光素子１が切り込み４ａの上部に実装されない。また、第１基板２上で隣接する２つの発光素子１の間に複数の切り込み４ａが形成されているのが好ましい。 これにより、切り込みによる熱的な分離の効果が高まると考えられる。
また、第４実施形態において複数の切り込み４ａは互いに平行に形成されるのが好ましい。 これにより、反射板４に実装された発光素子１から切込みまでの位置関係を均等にしやすくなる。
また、切り込み４ａは、反射板４の各辺に対して平行及び垂直に形成されているのが好ましい。これにより、反射板４に実装された発光素子１から切込みもしくは各辺までの位置関係を均等にしやすくなる。例えば、反射板４の各辺に対して所定角度（例えば、４５°）で傾斜する方向に延びる切り込み４ａであってもよい。 また、ハニカム状に配置された切り込み４ａであってもよい。 つまり、切り込み４ａで複数の隣接する六角形が描画されている反射板４であってもよい。 また、直線状の切り込み４ａに限定されず、円形や円弧形状など曲線状の切り込み４ａや、直線と曲線が組み合わさった形状の切り込み４ａであってもよい。

なお、切り込み４ａは、第１基板に実装された発光素子１にかからならい位置、すなわち、発光素子１が配置される位置を通らないように切り込み４ａが設けられていることが好ましい。

切り込み４ａにおいて、隣接する小孔の間隔や、１つの小孔の長さ及び幅は特に限定されず、発光装置１０（反射板４）に必要な強度に応じ、また、第１基板２の絶縁性を確保できる範囲で適宜選択することができる。 切り込み４ａを形成する小孔の個数は、特に限定されない。
また、切り込み４ａを形成する小孔のサイズは、各切り込み４ａに共通でもよいし、異なっていてもよい。 また、複数の切り込み４ａが形成される場合、切り込み４ａ同士の間隔は共通でもよいし異なっていてもよい。

例えばＰＥＴからなる反射板４と、ポリイミドを基材とする第１基板２と、がそれぞれ用いられる場合、反射板４は第１基板２よりも熱膨張率が高くなる。 したがって、反射板４に切り込み４ａが形成されていない、第１実施形態の発光装置１０（図１Ａ参照）が、図示しない駆動回路等の発熱によって加熱されると、反射板４と第１基板２との間で異なる寸法変化が生じ、結果として発光装置１０に反りが発生する。
図７に示すように、反射板４に切り込み４ａが形成されていると、加熱された反射板４は切り込み４ａを広げるように膨張して反射板４の全体的な寸法変化が軽減され、ひいては、発光装置１０ａの反りが抑制される。 また、切り込み４ａを設けない構成では、反射板４の多数の発光素子１を設置した側の温度が、その反対側の温度よりも高くなるため、反射板４が、全体的に、その発光素子１を設置した側を凸状にして反る傾向がある。これに対して、切り込み４ａを設けることで、反射板４は熱的に小さく分割され、全体としてみた時の反りが抑制されると考えられる。これらのことから、反射板４の切り込み４ａ部はそれ以外の部分より発光装置の点灯と消灯を繰り返すことによる伸縮や反りが大きい傾向がある。したがって、第１基板に実装された発光素子１が配置される位置を通らないように切り込み４を設けることで、発光素子１が部品側導電部２０から剥離するという問題を軽減できる。
第４実施形態に係る発光装置１０ａによれば、高温多湿の場所に置かれた場合や、加熱されたり、乾燥されたりした場合でも、反りが効果的に抑制される。

≪第５実施形態≫
図８Ａは反射板の平面に形成される貫通孔を示す図である。 図８Ｂは反射板の平面に形成される貫通孔の別の形状を示す図である。 図８Ｃは反射板の平面に形成される貫通孔のさらに別の形状を示す図である。
図１に示すように反射板４に第１基板２と第２基板３が配置される発光装置１０において、第１通電ランド２１（図４Ａ参照）と第２通電ランド３１（図４Ａ参照）とが半田Ｈｄ（図４Ａ参照）で接合される場合、接合時にはこの部分が非常に高温になる。
また、第１補強ランド２２（図４Ａ参照）と第２補強ランド３２（図４Ａ参照）とが半田Ｈｄ（図４Ａ参照）で接合される場合、接合時にはこの部分も非常に高温になる。

反射板４はＰＥＴなどの樹脂製の場合には高熱で溶けやすい。 そして反射板４が高熱で溶けると樹脂破片が生じ、この樹脂破片が、図８Ａに示す反射板４の平面４ｆに付着する場合がある。 反射板４の平面４ｆは、発光素子１（図４Ａ参照）の発光を反射する反射面になるので平面４ｆに樹脂破片が付着すると、発光装置１０としての発光特性が低下する。

図８Ａに示すように、反射板４において半田Ｈｄに対面する位置（図４Ａに示す、第１通電ランド２１と第２通電ランド３１の位置、及び、第１補強ランド２２と第２補強ランド３２の位置）に、第２基板３の全体が対面する位置からずらして貫通孔４ｈが開口していると、高温になる半田Ｈｄと反射板４との接触が回避されるので反射板４が溶けず、樹脂破片も発生しない。 したがって、反射板４に第１基板２と第２基板３が配置される構造の発光装置１０であっても、発光特性を低下させることなく、第１基板２と第２基板３とを半田Ｈｄで接合できる。

なお、反射板４に開口する貫通孔４ｈの形状は矩形として示しているが、その形状は限定されず、かつ、大きさも限定されない。
例えば、図８Ａに示すように、全ての半田Ｈｄと干渉しないように、１つの大きな貫通孔４ｈが開口している構成であってもよい。 また、図８Ｂに示すように、１つの第１基板２に対して１つの貫通孔４ｈが開口し、１つの第１基板２に備わる半田Ｈｄに対して１つの貫通孔４ｈが形成されるように複数の貫通孔４ｈとする構成であってもよい。 また、図８Ｃに示すように、１つの半田Ｈｄに対して１つの貫通孔４ｈが開口している構成であってもよい。 例えば、４つの半田Ｈｄが備わる１つの第１基板２に対して、４つの貫通孔４ｈが形成される構成であってもよい。 つまり、半田Ｈｄに対面する位置を貫通孔４ｈで開口することや、半田Ｈｄの周囲まで併せて貫通孔４ｈで開口することなど、反射板４が熱の影響を受けにくく、かつ、半田Ｈｄに干渉しないように貫通孔４ｈが開口していることが好ましい。

なお、第１実施形態〜第５実施形態に係る発光装置に含まれる基板接合構造は適宜設計変更が可能である。
例えば、第１実施形態は、図１Ａに示すように、第２基板３に接合される第１基板２が長尺（帯状）を呈している。 しかしながら、第２基板３に接合される第１基板２の形状は限定されない。第１実施形態に含まれる基板接合構造や第２実施形態に含まれる基板接合構造によって、矩形（正方形を含む）や円形（楕円形を含む）など、様々な形状の第１基板（図示せず）を第２基板３に接合することができる。

また、第１実施形態に含まれる基板接合構造や第２実施形態に含まれる基板接合構造を、可撓性基板とリジッド基板（剛性の高い基材からなる基板）の接合に適用することも可能である。 この場合、リジッド基板に可撓性基板を重ね合わせ、可撓性基板の側から半田付けすることで可撓性基板をリジッド基板に接合して連結できる。

また、第１基板２が多層基板（第１基材２０ａの内部において部品側導電部２０が層状に積層されて形成された基板）であってもよいし、第２基板３が多層基板（第２基材３０ａの内部において中継側導電部３０が層状に積層されて形成された基板）であってもよい。 第１基板２が多層基板の場合、第１通電ランド２１や第１補強ランド２２が部品実装面２ａに露出して形成されていればよい。 また、第２基板３が多層基板の場合、第２通電ランド３１や第２補強ランド３２が基板接合面３ａに露出して形成されていればよい。

また、導電性の接合部材は半田Ｈｄに限定されない。 例えば、導電性の接着剤で第１通電ランド２１と第２通電ランド３１が接合（接着）される構成であってもよい。

また、第１基板２（図１Ａ参照）に実装される電子部品は発光素子１（図１Ａ参照）に限定されない。 例えば、実装される電子部品として、トランジスタ、抵抗、コンデンサ、ツェナーダイオード、ブリッジダイオード、ヒューズなど、他の電子部品が更に発光素子１に併せてあってもよく、他の電子部品単独であっても構わない。

また、各実施形態において、基板接合構造では、第１補強ランド２２（図４Ａ参照）及び第２補強ランド３２（図４Ａ参照）が備わらない構成であってもよい。

２ 第１基板
２ｂ 接合端部
２ｃ 第２端部
３ 第２基板
４ 反射板
４ｆ 平面
４ｈ 貫通孔
６ 粘着部材
２０ 部品側導電部（第１配線パターン）
２０ａ 第１基材
２２ 第１補強ランド
３０ 中継側導電部（第２配線パターン）
３０ａ 第２基材（第２基板の基材）
３２ 第２補強ランド
Ｈｄ 半田（導電性の接合部材，補強用の接合部材）

Claims (16)

1. 可撓性を有する第１基材上に設けられる第１配線パターンを備える第１基板と、
   第２基材上に設けられる第２配線パターンを備える第２基板と、
   前記第１配線パターン上に実装された発光素子と、を有し、
   前記第１配線パターンと前記第２配線パターンが対面しないように前記第１基板の接合端部が前記第２基板に重なるとともに前記第１基板の第２端部が前記第２基板と重ならず、
   前記第１基板の前記第１配線パターンを有する面と反対側の面である裏面が前記第２基板の前記第２配線パターンを有する面と対面し、
   前記第１配線パターンの先端付近に設けた第１通電ランドと前記第２配線パターンの先端付近に設けた第２通電ランドとにまたがり、前記第１基板の前記接合端部の一部を覆う導電性の接合部材を有し、
   前記第２通電ランドは前記第１通電ランドよりも面積が広く、且つ前記第１基板の短手方向において前記第２通電ランドの長さが前記第１通電ランドの長さよりも長い発光装置。
2. 前記第１配線パターンが前記第１基板の第１端部まで設けられている請求項１に記載の発光装置。
3. 前記接合端部が前記第２配線パターンと重なる請求項１又は請求項２に記載の発光装置。
4. 前記第１基材上に、それよりも光反射率の高い第１絶縁フィルムが設けられている請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載の発光装置。
5. 前記第１基材上に前記第１配線パターンと電気的に絶縁された第１補強ランドが形成され、
   前記第２基材上に前記第２配線パターンと電気的に絶縁された第２補強ランドが形成され、
   前記第１補強ランドと前記第２補強ランドにまたがり、前記第１基板の前記接合端部の一部を覆う補強用の接合部材を有する請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載の発光装置。
6. 前記第１基材と前記第２基材が粘着部材によって接着されている請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載の発光装置。
7. 前記第２基板が可撓性基板である請求項１から請求項６までのいずれか１項に記載の発光装置。
8. 前記導電性の接合部材が半田である請求項１から請求項７までのいずれか１項に記載の発光装置。
9. 前記補強用の接合部材が半田である請求項５に記載の発光装置。
10. 前記第１基板の厚みが２０μｍから５００μｍの間にある請求項１から請求項９までのいずれか１項に記載の発光装置。
11. 前記第１基板と、前記第２基板とが、反射板に取り付けられている請求項１から請求項１０までのいずれか１項に記載の発光装置。
12. 前記反射板は、前記第１基板の第１配線パターンの側に取り付けられており、前記導電性の接合部材に対面する位置に貫通孔が開口している請求項１１に記載の発光装置。
13. 前記第１基板の第１配線パターンの側に取り付けられた反射板を有し、前記反射板は補強用の接合部材に対面する位置に貫通孔が開口している請求項５又は請求項８に記載の発光装置。
14. 前記第１基板の第１配線パターンの側に取り付けられた反射板を有し、前記反射板は前記導電性の接合部材及び補強用の接合部材に対面する位置に貫通孔が開口している請求項５又は請求項８に記載の発光装置。
15. 前記反射板にミシン目状の切込みが形成されている請求項１１から請求項１４までのいずれか１項に記載の発光装置。
16. 前記ミシン目状の切込みが、第１基板に実装された発光素子にかからない位置に設けられている請求項１５に記載の発光装置。

Images