JP6723505B2 - 可変レーザー及び可変レーザーの製造方法 - Google Patents
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Description
輸送層の、リフレクタを含む一部が、底部支持構造によって支持された宙吊り構造を形成するように、フォトリソグラフィーを用いて第一バリア層上に図形領域を形成し、第三エッチャントを用いて第一バリア層上の図形領域をエッチングして支持層を露出するステップであって、第三エッチャントと輸送層若しくは支持層との間でエッチング反応が起こらない、又は、第三エッチャントと輸送層若しくは支持層との間でエッチング反応が起こるが、第三エッチャントと第一バリア層との間のエッチング反応の速度よりも反応速度が遅いステップと、を更に備える。
輸送層の、リフレクタを備える一部が、底部支持構造及び水平支持構造の両方によって支持された宙吊り構造を形成するように、フォトリソグラフィーを用いて第一バリア層上に図形領域を形成し、第三エッチャントを用いて第一バリア層上の図形領域をエッチングして支持層を露出するステップであって、第三エッチャントと輸送層若しくは支持層との間でエッチング反応が起こらない、又は、第三エッチャントと輸送層若しくは支持層との間でエッチング反応が起こるが、第三エッチャントと第一バリア層との間のエッチング反応の速度よりも反応速度が遅いステップと、を更に含む。
輸送層420の、リフレクタ430を含む一部が、底部支持構造442によって支持された宙吊り構造425を形成するように、フォトリソグラフィーを用いて第一バリア層426上に図形領域を形成し、第三エッチャントを用いて第一バリア層426上の図形領域をエッチングして支持層を露出するステップであって、第三エッチャントと輸送層420若しくは支持層440との間でエッチング反応が起こらない、又は、第三エッチャントと輸送層420若しくは支持層440との間でエッチング反応が起こるが、第三エッチャントと第一バリア層426との間のエッチング反応の速度よりも反応速度が遅いステップと、を更に備える。
輸送層420の、リフレクタ430を備える一部が、底部支持構造442及び水平支持構造の両方によって支持された宙吊り構造425を形成するように、フォトリソグラフィーを用いて第一バリア層426上に図形領域を形成し、第三エッチャントを用いて第一バリア層426上の図形領域をエッチングして支持層を露出するステップであって、第三エッチャントと輸送層若しくは支持層420との間でエッチング反応が起こらない、又は、第三エッチャントと輸送層若しくは支持層420との間でエッチング反応が起こるが、第三エッチャントと第一バリア層426との間のエッチング反応の速度よりも反応速度が遅いステップと、を更に備える。
120 ゲイン領域
130 位相調節領域
140 後方リフレクタ
Claims (22)
- 加熱層、輸送層、リフレクタ、支持層、及び基板層を備える、熱的調整を用いた波長可変レーザーであって、
前記加熱層は前記輸送層の上に位置しており、
前記輸送層は前記支持層の上に位置し、上から下に、上部クラッド層と、導波層と、下部クラッド層とを備え、
前記リフレクタは前記輸送層中に位置し、
前記支持層は前記輸送層と前記基板層との間に位置し、保護構造を有し、前記保護構造は前記輸送層及び前記基板層と共に中空構造を形成し、前記中空構造は支持構造を有し、
前記基板層は前記支持層の下に位置し、
前記上部クラッド層は、第一方向に延在する二つの溝を有し、
第二方向における前記二つの溝の間の距離は、前記第二方向における前記加熱層の幅以下であり、
前記第一方向は前記導波層における光の伝送方向であり、前記第二方向は前記導波層における光の伝送方向と垂直である、レーザー。 - 第一方向に、前記支持構造と前記保護構造との間に間隙が存在し、前記第一方向は前記導波層における光の伝送方向である、請求項1に記載のレーザー。
- 第二方向に、前記支持構造と前記保護構造との間に間隙が存在し、前記第二方向は前記導波層における光の伝送方向と垂直である、請求項1又は2に記載のレーザー。
- 一以上の支持構造が存在する、請求項3に記載のレーザー。
- 前記リフレクタが、前記輸送層の前記上部クラッド層の下部に位置する、又は、前記下部クラッド層の上部に位置する、又は、前記上部クラッド層及び前記導波層の両方に存在する、又は、前記下部クラッド層及び前記導波層の両方に存在する、請求項1に記載のレーザー。
- 前記輸送層が、
前記下部クラッド層の下に位置する第一バリア層を更に備える、請求項1に記載のレーザー。 - 前記基板層が、
基板材料層の上に位置する第二バリア層と、
前記第二バリア層の下に位置する前記基板材料層と、を更に備える、請求項1に記載のレーザー。 - 前記輸送層が、
前記上部クラッド層の上に位置する誘電層を更に備える、請求項1に記載のレーザー。 - 第一方向に、前記輸送層の、前記リフレクタを備える一部と前記輸送層の二側上の材料との間に間隙が存在して宙吊り構造を形成し;前記宙吊り構造が前記輸送層の二側上の材料と接続されないように、第一方向の前記リフレクタの長さの範囲内で、前記間隙は、前記輸送層の二側上の材料から前記宙吊り構造を完全に分離し;前記第一方向は前記導波層における光の伝送方向である、請求項1に記載のレーザー。
- 前記輸送層の、前記リフレクタを備える一部と前記輸送層の二側上の材料との間に間隙が存在して宙吊り構造を形成し;前記宙吊り構造と、前記輸送層の二側上の材料とが一以上の接続構造を有するように、第一方向の前記リフレクタの長さの範囲内で、前記間隙は、前記輸送層の二側上の材料から前記宙吊り構造を部分的に分離し;前記第一方向は前記導波層における光の伝送方向である、請求項1に記載のレーザー。
- 前記宙吊り構造が、前記第一方向に様々な幅を有する、請求項9又は10に記載のレーザー。
- 前記支持構造が前記宙吊り構造のより幅広い部分の下に配置され、前記支持構造は前記宙吊り構造のより狭い部分の下には配置されていない、請求項11に記載のレーザー。
- 大きな寸法の支持構造が前記宙吊り構造のより幅広い部分の下に配置され、小さな寸法の支持構造が前記宙吊り構造のより狭い部分の下に配置される、請求項11に記載のレーザー。
- 前記第一方向の前記宙吊り構造の幅が、前記第一方向の前記リフレクタの幅以上である、請求項11に記載のレーザー。
- 熱的調整を用いた波長可変レーザーの製造方法であって、
材料の複数の層を有する基板を成長させるステップであって、この複数層基板が輸送層と、支持層と、基板層とを備え、前記輸送層は前記支持層の上に位置し、上から下に、上部クラッド層と、導波層と、下部クラッド層とを備え;前記輸送層中にリフレクタが存在し;前記支持層は前記輸送層と前記基板層との間に位置し;前記基板層は前記支持層の下に位置する、ステップと、
前記輸送層の上に加熱層を堆積するステップと、
第一エッチャントを用いて前記支持層をエッチングして前記支持層の保護構造を形成するステップであって、前記保護構造は前記輸送層及び前記基板層と共に中空構造を形成し、前記中空構造は支持構造を有する、ステップと、を備え、
前記上部クラッド層は、第一方向に延在する二つの溝を有し、
第二方向における前記二つの溝の間の距離は、前記第二方向における前記加熱層の幅以下であり、
前記第一方向は前記導波層における光の伝送方向であり、前記第二方向は前記導波層における光の伝送方向と垂直である、製造方法。 - 前記リフレクタが前記輸送層中に存在し、
前記リフレクタが前記上部クラッド層の下部に存在する、又は、前記リフレクタが前記下部クラッド層の上部に存在する、又は、前記リフレクタが前記上部クラッド層及び前記導波層の両方に存在する、又は、前記リフレクタが前記下部クラッド層及び前記導波層の両方に存在することを特に備える、請求項15に記載の製造方法。 - 前記輸送層が第一バリア層を更に備え、
前記第一バリア層が前記輸送層の前記下部クラッド層の下に存在し、前記第一バリア層と前記第一エッチャントとの間でエッチング反応が起こらない、又は、前記第一バリア層と前記第一エッチャントとの間でエッチング反応が起こるが、前記支持層と前記第一エッチャントとの間のエッチング反応の速度よりも反応速度が遅いことを特に備える、請求項15に記載の製造方法。 - 前記基板層が第二バリア層と基板材料層とを更に備え、
前記第二バリア層が前記基板材料層の上に位置し、前記第二バリア層と前記第一エッチャントとの間でエッチング反応が起こらない、又は、前記第二バリア層と前記第一エッチャントとの間でエッチング反応が起こるが、前記支持層と前記第一エッチャントとの間のエッチング反応の速度よりも反応速度が遅いことを特に備える、請求項15に記載の製造方法。 - 前記輸送層の上に加熱層を堆積する前に、前記製造方法が、前記上部クラッド層の上に誘電層を成長させるステップであって、前記誘電層が絶縁材料を用いるステップを更に備える、請求項15に記載の製造方法。
- 第一エッチャントを用いて前記支持層をエッチングする前に、前記製造方法が、第二エッチャントを用いて前記輸送層の二側上の材料と前記リフレクタの第一方向の材料とを完全にエッチングして前記第一バリア層を露出するステップであって、前記第二エッチャントと前記第一バリア層との間でエッチング反応が起こらない、又は、前記第二エッチャントと前記第一バリア層との間でエッチング反応が起こるが、前記第二エッチャントと前記輸送層との間のエッチング反応の速度よりも速度が遅く;前記第一方向が前記導波層における光の伝送方向であるステップと、
前記輸送層の、前記リフレクタを備える一部が、底部支持構造によって支持された宙吊り構造を形成するように、フォトリソグラフィーを用いて前記第一バリア層上に図形領域を形成し、第三エッチャントを用いて前記第一バリア層上の図形領域をエッチングして前記支持層を露出するステップであって、前記第三エッチャントと前記輸送層若しくは前記支持層との間でエッチング反応が起こらない、又は、前記第三エッチャントと前記輸送層若しくは前記支持層との間でエッチング反応が起こるが、前記第三エッチャントと前記第一バリア層との間のエッチング反応の速度よりも速度が遅いステップと、を更に備える、請求項17に記載の製造方法。 - 第一エッチャントを用いて前記支持層をエッチングする前に、前記製造方法が、第二エッチャントを用いて前記輸送層の二側上の材料と前記リフレクタの第一方向の材料とを部分的にエッチングして前記第一バリア層を露出するステップであって、前記第二エッチャントと前記第一バリア層との間でエッチング反応が起こらない、又は、前記第二エッチャントと前記第一バリア層との間でエッチング反応が起こるが、前記第二エッチャントと前記輸送層との間のエッチング反応の速度よりも速度が遅く;前記第一方向が前記導波層における光の伝送方向であるステップと、
前記輸送層の、前記リフレクタを備える一部が、底部支持構造及び水平支持構造の両方によって支持された宙吊り構造を形成するように、フォトリソグラフィーを用いて前記第一バリア層上に図形領域を形成し、第三エッチャントを用いて前記第一バリア層上の図形領域をエッチングして前記支持層を露出するステップであって、前記第三エッチャントと前記輸送層若しくは前記支持層との間でエッチング反応が起こらない、又は、前記第三エッチャントと前記輸送層若しくは前記支持層との間でエッチング反応が起こるが、前記第三エッチャントと前記第一バリア層との間のエッチング反応の速度よりも速度が遅いステップと、を更に備える、請求項17に記載の製造方法。 - 前記図形領域が前記第一方向に様々な幅を有する、請求項20又は21に記載の製造方法。
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