JP6723505B2 - 可変レーザー及び可変レーザーの製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 27
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 80
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 73
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 73
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 70
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 68
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 41
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 37
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 30
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 6
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 5
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 18
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 16
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 3
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- KXNLCSXBJCPWGL-UHFFFAOYSA-N [Ga].[As].[In] Chemical compound [Ga].[As].[In] KXNLCSXBJCPWGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- AUCDRFABNLOFRE-UHFFFAOYSA-N alumane;indium Chemical compound [AlH3].[In] AUCDRFABNLOFRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000021715 photosynthesis, light harvesting Effects 0.000 description 1
- 230000008844 regulatory mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/0607—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature
- H01S5/0612—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature controlled by temperature
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
- H01S5/02461—Structure or details of the laser chip to manipulate the heat flow, e.g. passive layers in the chip with a low heat conductivity
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/204—Strongly index guided structures
- H01S5/2045—Strongly index guided structures employing free standing waveguides or air gap confinement
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2081—Methods of obtaining the confinement using special etching techniques
- H01S5/2086—Methods of obtaining the confinement using special etching techniques lateral etch control, e.g. mask induced
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/34326—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer based on InGa(Al)P, e.g. red laser
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- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/34346—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser characterised by the materials of the barrier layers
- H01S5/3438—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser characterised by the materials of the barrier layers based on In(Al)P
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- H01S5/06255—Controlling the frequency of the radiation
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- H01S5/125—Distributed Bragg reflector [DBR] lasers
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Description
輸送層の、リフレクタを含む一部が、底部支持構造によって支持された宙吊り構造を形成するように、フォトリソグラフィーを用いて第一バリア層上に図形領域を形成し、第三エッチャントを用いて第一バリア層上の図形領域をエッチングして支持層を露出するステップであって、第三エッチャントと輸送層若しくは支持層との間でエッチング反応が起こらない、又は、第三エッチャントと輸送層若しくは支持層との間でエッチング反応が起こるが、第三エッチャントと第一バリア層との間のエッチング反応の速度よりも反応速度が遅いステップと、を更に備える。
輸送層の、リフレクタを備える一部が、底部支持構造及び水平支持構造の両方によって支持された宙吊り構造を形成するように、フォトリソグラフィーを用いて第一バリア層上に図形領域を形成し、第三エッチャントを用いて第一バリア層上の図形領域をエッチングして支持層を露出するステップであって、第三エッチャントと輸送層若しくは支持層との間でエッチング反応が起こらない、又は、第三エッチャントと輸送層若しくは支持層との間でエッチング反応が起こるが、第三エッチャントと第一バリア層との間のエッチング反応の速度よりも反応速度が遅いステップと、を更に含む。
輸送層420の、リフレクタ430を含む一部が、底部支持構造442によって支持された宙吊り構造425を形成するように、フォトリソグラフィーを用いて第一バリア層426上に図形領域を形成し、第三エッチャントを用いて第一バリア層426上の図形領域をエッチングして支持層を露出するステップであって、第三エッチャントと輸送層420若しくは支持層440との間でエッチング反応が起こらない、又は、第三エッチャントと輸送層420若しくは支持層440との間でエッチング反応が起こるが、第三エッチャントと第一バリア層426との間のエッチング反応の速度よりも反応速度が遅いステップと、を更に備える。
輸送層420の、リフレクタ430を備える一部が、底部支持構造442及び水平支持構造の両方によって支持された宙吊り構造425を形成するように、フォトリソグラフィーを用いて第一バリア層426上に図形領域を形成し、第三エッチャントを用いて第一バリア層426上の図形領域をエッチングして支持層を露出するステップであって、第三エッチャントと輸送層若しくは支持層420との間でエッチング反応が起こらない、又は、第三エッチャントと輸送層若しくは支持層420との間でエッチング反応が起こるが、第三エッチャントと第一バリア層426との間のエッチング反応の速度よりも反応速度が遅いステップと、を更に備える。
120 ゲイン領域
130 位相調節領域
140 後方リフレクタ
Claims (22)
- 加熱層、輸送層、リフレクタ、支持層、及び基板層を備える、熱的調整を用いた波長可変レーザーであって、
前記加熱層は前記輸送層の上に位置しており、
前記輸送層は前記支持層の上に位置し、上から下に、上部クラッド層と、導波層と、下部クラッド層とを備え、
前記リフレクタは前記輸送層中に位置し、
前記支持層は前記輸送層と前記基板層との間に位置し、保護構造を有し、前記保護構造は前記輸送層及び前記基板層と共に中空構造を形成し、前記中空構造は支持構造を有し、
前記基板層は前記支持層の下に位置し、
前記上部クラッド層は、第一方向に延在する二つの溝を有し、
第二方向における前記二つの溝の間の距離は、前記第二方向における前記加熱層の幅以下であり、
前記第一方向は前記導波層における光の伝送方向であり、前記第二方向は前記導波層における光の伝送方向と垂直である、レーザー。 - 第一方向に、前記支持構造と前記保護構造との間に間隙が存在し、前記第一方向は前記導波層における光の伝送方向である、請求項1に記載のレーザー。
- 第二方向に、前記支持構造と前記保護構造との間に間隙が存在し、前記第二方向は前記導波層における光の伝送方向と垂直である、請求項1又は2に記載のレーザー。
- 一以上の支持構造が存在する、請求項3に記載のレーザー。
- 前記リフレクタが、前記輸送層の前記上部クラッド層の下部に位置する、又は、前記下部クラッド層の上部に位置する、又は、前記上部クラッド層及び前記導波層の両方に存在する、又は、前記下部クラッド層及び前記導波層の両方に存在する、請求項1に記載のレーザー。
- 前記輸送層が、
前記下部クラッド層の下に位置する第一バリア層を更に備える、請求項1に記載のレーザー。 - 前記基板層が、
基板材料層の上に位置する第二バリア層と、
前記第二バリア層の下に位置する前記基板材料層と、を更に備える、請求項1に記載のレーザー。 - 前記輸送層が、
前記上部クラッド層の上に位置する誘電層を更に備える、請求項1に記載のレーザー。 - 第一方向に、前記輸送層の、前記リフレクタを備える一部と前記輸送層の二側上の材料との間に間隙が存在して宙吊り構造を形成し;前記宙吊り構造が前記輸送層の二側上の材料と接続されないように、第一方向の前記リフレクタの長さの範囲内で、前記間隙は、前記輸送層の二側上の材料から前記宙吊り構造を完全に分離し;前記第一方向は前記導波層における光の伝送方向である、請求項1に記載のレーザー。
- 前記輸送層の、前記リフレクタを備える一部と前記輸送層の二側上の材料との間に間隙が存在して宙吊り構造を形成し;前記宙吊り構造と、前記輸送層の二側上の材料とが一以上の接続構造を有するように、第一方向の前記リフレクタの長さの範囲内で、前記間隙は、前記輸送層の二側上の材料から前記宙吊り構造を部分的に分離し;前記第一方向は前記導波層における光の伝送方向である、請求項1に記載のレーザー。
- 前記宙吊り構造が、前記第一方向に様々な幅を有する、請求項9又は10に記載のレーザー。
- 前記支持構造が前記宙吊り構造のより幅広い部分の下に配置され、前記支持構造は前記宙吊り構造のより狭い部分の下には配置されていない、請求項11に記載のレーザー。
- 大きな寸法の支持構造が前記宙吊り構造のより幅広い部分の下に配置され、小さな寸法の支持構造が前記宙吊り構造のより狭い部分の下に配置される、請求項11に記載のレーザー。
- 前記第一方向の前記宙吊り構造の幅が、前記第一方向の前記リフレクタの幅以上である、請求項11に記載のレーザー。
- 熱的調整を用いた波長可変レーザーの製造方法であって、
材料の複数の層を有する基板を成長させるステップであって、この複数層基板が輸送層と、支持層と、基板層とを備え、前記輸送層は前記支持層の上に位置し、上から下に、上部クラッド層と、導波層と、下部クラッド層とを備え;前記輸送層中にリフレクタが存在し;前記支持層は前記輸送層と前記基板層との間に位置し;前記基板層は前記支持層の下に位置する、ステップと、
前記輸送層の上に加熱層を堆積するステップと、
第一エッチャントを用いて前記支持層をエッチングして前記支持層の保護構造を形成するステップであって、前記保護構造は前記輸送層及び前記基板層と共に中空構造を形成し、前記中空構造は支持構造を有する、ステップと、を備え、
前記上部クラッド層は、第一方向に延在する二つの溝を有し、
第二方向における前記二つの溝の間の距離は、前記第二方向における前記加熱層の幅以下であり、
前記第一方向は前記導波層における光の伝送方向であり、前記第二方向は前記導波層における光の伝送方向と垂直である、製造方法。 - 前記リフレクタが前記輸送層中に存在し、
前記リフレクタが前記上部クラッド層の下部に存在する、又は、前記リフレクタが前記下部クラッド層の上部に存在する、又は、前記リフレクタが前記上部クラッド層及び前記導波層の両方に存在する、又は、前記リフレクタが前記下部クラッド層及び前記導波層の両方に存在することを特に備える、請求項15に記載の製造方法。 - 前記輸送層が第一バリア層を更に備え、
前記第一バリア層が前記輸送層の前記下部クラッド層の下に存在し、前記第一バリア層と前記第一エッチャントとの間でエッチング反応が起こらない、又は、前記第一バリア層と前記第一エッチャントとの間でエッチング反応が起こるが、前記支持層と前記第一エッチャントとの間のエッチング反応の速度よりも反応速度が遅いことを特に備える、請求項15に記載の製造方法。 - 前記基板層が第二バリア層と基板材料層とを更に備え、
前記第二バリア層が前記基板材料層の上に位置し、前記第二バリア層と前記第一エッチャントとの間でエッチング反応が起こらない、又は、前記第二バリア層と前記第一エッチャントとの間でエッチング反応が起こるが、前記支持層と前記第一エッチャントとの間のエッチング反応の速度よりも反応速度が遅いことを特に備える、請求項15に記載の製造方法。 - 前記輸送層の上に加熱層を堆積する前に、前記製造方法が、前記上部クラッド層の上に誘電層を成長させるステップであって、前記誘電層が絶縁材料を用いるステップを更に備える、請求項15に記載の製造方法。
- 第一エッチャントを用いて前記支持層をエッチングする前に、前記製造方法が、第二エッチャントを用いて前記輸送層の二側上の材料と前記リフレクタの第一方向の材料とを完全にエッチングして前記第一バリア層を露出するステップであって、前記第二エッチャントと前記第一バリア層との間でエッチング反応が起こらない、又は、前記第二エッチャントと前記第一バリア層との間でエッチング反応が起こるが、前記第二エッチャントと前記輸送層との間のエッチング反応の速度よりも速度が遅く;前記第一方向が前記導波層における光の伝送方向であるステップと、
前記輸送層の、前記リフレクタを備える一部が、底部支持構造によって支持された宙吊り構造を形成するように、フォトリソグラフィーを用いて前記第一バリア層上に図形領域を形成し、第三エッチャントを用いて前記第一バリア層上の図形領域をエッチングして前記支持層を露出するステップであって、前記第三エッチャントと前記輸送層若しくは前記支持層との間でエッチング反応が起こらない、又は、前記第三エッチャントと前記輸送層若しくは前記支持層との間でエッチング反応が起こるが、前記第三エッチャントと前記第一バリア層との間のエッチング反応の速度よりも速度が遅いステップと、を更に備える、請求項17に記載の製造方法。 - 第一エッチャントを用いて前記支持層をエッチングする前に、前記製造方法が、第二エッチャントを用いて前記輸送層の二側上の材料と前記リフレクタの第一方向の材料とを部分的にエッチングして前記第一バリア層を露出するステップであって、前記第二エッチャントと前記第一バリア層との間でエッチング反応が起こらない、又は、前記第二エッチャントと前記第一バリア層との間でエッチング反応が起こるが、前記第二エッチャントと前記輸送層との間のエッチング反応の速度よりも速度が遅く;前記第一方向が前記導波層における光の伝送方向であるステップと、
前記輸送層の、前記リフレクタを備える一部が、底部支持構造及び水平支持構造の両方によって支持された宙吊り構造を形成するように、フォトリソグラフィーを用いて前記第一バリア層上に図形領域を形成し、第三エッチャントを用いて前記第一バリア層上の図形領域をエッチングして前記支持層を露出するステップであって、前記第三エッチャントと前記輸送層若しくは前記支持層との間でエッチング反応が起こらない、又は、前記第三エッチャントと前記輸送層若しくは前記支持層との間でエッチング反応が起こるが、前記第三エッチャントと前記第一バリア層との間のエッチング反応の速度よりも速度が遅いステップと、を更に備える、請求項17に記載の製造方法。 - 前記図形領域が前記第一方向に様々な幅を有する、請求項20又は21に記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610169359.0 | 2016-03-23 | ||
CN201610169359.0A CN107230930A (zh) | 2016-03-23 | 2016-03-23 | 一种可调激光器及制备方法 |
PCT/CN2016/104052 WO2017161886A1 (zh) | 2016-03-23 | 2016-10-31 | 一种可调激光器及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019509642A JP2019509642A (ja) | 2019-04-04 |
JP6723505B2 true JP6723505B2 (ja) | 2020-07-15 |
Family
ID=59899177
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018549794A Active JP6723505B2 (ja) | 2016-03-23 | 2016-10-31 | 可変レーザー及び可変レーザーの製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10666014B2 (ja) |
EP (1) | EP3422498B1 (ja) |
JP (1) | JP6723505B2 (ja) |
CN (1) | CN107230930A (ja) |
WO (1) | WO2017161886A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108879309B (zh) * | 2017-05-09 | 2021-02-12 | 华为技术有限公司 | 用于可调激光器的反射镜结构和可调激光器 |
US11437778B2 (en) | 2017-11-28 | 2022-09-06 | OE Solutions Co., Ltd. | Wavelength tunable laser |
CN110277731B (zh) * | 2018-03-15 | 2020-09-25 | 山东大学 | 一种iii-v族硅基低折射率缝隙结构dbr激光器及集成方法 |
EP3565068B1 (en) * | 2018-04-30 | 2021-02-24 | FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Thermally tunable laser and method for fabricating such laser |
CN109066291A (zh) * | 2018-08-30 | 2018-12-21 | 武汉光迅科技股份有限公司 | 一种半导体芯片及其制作方法 |
CN114128061B (zh) * | 2019-08-06 | 2024-07-30 | 华为技术有限公司 | 一种波导结构、集成光芯片及实现电学隔离的方法 |
KR102687553B1 (ko) | 2020-07-23 | 2024-07-24 | 한국전자통신연구원 | 광 도파로 소자 및 그를 포함하는 레이저 장치 |
CN112180504B (zh) * | 2020-09-29 | 2023-11-14 | 中国科学院物理研究所 | 一种悬浮波导结构及其制备方法 |
CN112563878B (zh) * | 2020-12-10 | 2023-11-07 | 武汉光迅科技股份有限公司 | 一种热调谐半导体芯片及其制备方法 |
CN114597763B (zh) * | 2022-05-07 | 2022-09-20 | 武汉光迅科技股份有限公司 | 一种新型结构的热调谐激光器芯片及其制作方法 |
US20240210785A1 (en) * | 2022-12-27 | 2024-06-27 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Thermal laser with dynamic beam steering |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4078898B2 (ja) * | 2002-06-28 | 2008-04-23 | 日本電気株式会社 | 熱光学位相シフタ及びその製造方法 |
US6920159B2 (en) * | 2002-11-29 | 2005-07-19 | Optitune Plc | Tunable optical source |
US20050249256A1 (en) * | 2004-05-10 | 2005-11-10 | Lightip Technologies Inc. | Wavelength switchable semiconductor laser |
JP2007294914A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-11-08 | Eudyna Devices Inc | 光半導体装置 |
US7778295B2 (en) * | 2007-05-14 | 2010-08-17 | Finisar Corporation | DBR laser with improved thermal tuning efficiency |
US8989230B2 (en) * | 2009-02-20 | 2015-03-24 | Vixar | Method and apparatus including movable-mirror mems-tuned surface-emitting lasers |
US7848599B2 (en) | 2009-03-31 | 2010-12-07 | Oracle America, Inc. | Optical device with large thermal impedance |
KR101295896B1 (ko) * | 2009-12-17 | 2013-08-12 | 한국전자통신연구원 | 레이저 소자 |
JP2012174938A (ja) * | 2011-02-22 | 2012-09-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光半導体素子およびその製造方法 |
US8861556B2 (en) * | 2012-07-05 | 2014-10-14 | Jds Uniphase Corporation | Tunable Bragg grating and a tunable laser diode using same |
CN105409071B (zh) * | 2013-04-30 | 2020-04-21 | 华为技术有限公司 | 具有高热波长调谐效率的可调激光器 |
JP2015170750A (ja) * | 2014-03-07 | 2015-09-28 | 住友電気工業株式会社 | 光半導体素子及び光半導体素子の製造方法 |
-
2016
- 2016-03-23 CN CN201610169359.0A patent/CN107230930A/zh active Pending
- 2016-10-31 WO PCT/CN2016/104052 patent/WO2017161886A1/zh active Application Filing
- 2016-10-31 EP EP16895232.3A patent/EP3422498B1/en active Active
- 2016-10-31 JP JP2018549794A patent/JP6723505B2/ja active Active
-
2018
- 2018-09-21 US US16/138,648 patent/US10666014B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107230930A (zh) | 2017-10-03 |
WO2017161886A1 (zh) | 2017-09-28 |
US10666014B2 (en) | 2020-05-26 |
EP3422498B1 (en) | 2021-09-22 |
US20190027896A1 (en) | 2019-01-24 |
EP3422498A1 (en) | 2019-01-02 |
JP2019509642A (ja) | 2019-04-04 |
EP3422498A4 (en) | 2019-03-27 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200604 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |