JP6722466B2 - 成膜装置及び基板判別方法 - Google Patents
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- ターゲットを有する真空チャンバと、真空チャンバ内で処理すべき基板を保持する保持手段と、真空チャンバ内に希ガスを導入するガス導入手段と、ターゲットに電力投入する電源と、成膜処理時の基板温度を測定する測定手段として基板の他方の面側に配置される放射温度計とを備える成膜装置であって、基板の一方の面に、成膜処理に際して発生する所定範囲の波長を持つ放射光の透過率が基板より小さい薄膜を成膜するものにおいて、
温度測定手段の測定値を基に単位時間当たりの基板の温度変化量を検出し、この検出した温度変化量から、基板自体の材質の異常状態と、成膜処理前に基板の表面及び裏面の少なくとも一方に予め存する膜の異常状態とのうちの少なくとも1つを判別する判別手段を設けることを特徴とする成膜装置。 - 真空チャンバを真空雰囲気とした後、成膜源を作動させて保持手段で保持された基板の表面に成膜処理を施す成膜工程であって、当該成膜処理に際して発生する所定範囲の波長を持つ放射光の透過率が基板より小さい薄膜を成膜する成膜工程と、
成膜工程にて基板温度を測定し、基板温度の測定値を基に単位時間当たりの基板の温度変化量を検出する検出工程と、
検出した温度変化量から、基板自体の材質の異常状態と、成膜処理前に基板の表面及び裏面の少なくとも一方に予め存する膜の異常状態とのうちの少なくとも1つを判別する判別工程とを含むことを特徴とする基板判別方法。 - 前記成膜工程で成膜される薄膜の膜厚を取得する膜厚取得工程を更に含み、
前記判別工程にて、前記検出した単位時間当たりの基板の温度変化量と、取得した薄膜の膜厚との関係から、前記基板自体の材質の異常状態を判別することを特徴とする請求項2記載の基板判別方法。 - 前記単位時間当たりの基板の温度変化量を、成膜処理前に基板の表面に所定厚さの膜が予め存する基板と、成膜処理前に基板の表面に膜が存しない基板との夫々について予め取得する工程を更に含み、
前記判別工程にて、前記予め取得した単位時間当たりの基板の温度変化量と、前記検出工程で検出した単位時間当たりの基板の温度変化量とを比較して、前記成膜処理前に基板の表面に予め存する膜の異常状態を判別することを特徴とする請求項2記載の基板判別方法。 - 請求項2〜4のいずれか1項記載の基板判別方法において、前記基板としてシリコン基板を用い、前記検出工程で検知する放射光の波長は1.2μm〜15μmの範囲に設定することを特徴とする基板判別方法。
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