JP6722253B2 - 超純水を提供するための方法およびシステム - Google Patents

Description

発明の背景
１．発明の背景
本発明は、超純水を提供するシステムおよび方法、特に、半導体デバイスまたは半導体
デバイスの構成要素の製造中に使用することができる超純水の汚染レベルを低下または維
持するシステムおよび方法に関する。

２．関連技術の説明
米国特許第４２７７４３８号明細書においてEjzakは、水溶液における炭素およびその
他の有機物の量を測定する方法および装置を開示している。紫外放射を利用する多段反応
器は、試験試料の酸化を促進するために使用される。酸素および過硫酸ナトリウムなどの
酸化剤は、照射の前に溶液に導入される。

米国特許第６９９１７３５号明細書においてMartinは、遊離基発生装置および水システ
ムを浄化する方法を開示している。

発明の概要
本発明の１つ以上の態様は、半導体製造ユニットに超純水を提供する方法に関する。発
明の幾つかの実施の形態では、方法は、約２５ｐｐｂ未満の全有機炭素（ＴＯＣ）値を有
する流入水を提供し、水に少なくとも１つの遊離基前駆物質化合物を導入し、該少なくと
も１つの遊離基前駆物質化合物を少なくとも１つの遊離基スカベンジング種に変換し、超
純水を製造するために水からあらゆる粒子の少なくとも一部を除去し、かつ超純水の少な
くとも一部を半導体製造ユニットに供給する行為のうちの１つ以上を含むことができる。

方法は、さらに、少なくとも部分的に流入水のＴＯＣ値に基づいて少なくとも１つの前
駆物質化合物の付加の割合を調節することを含むことができる。

本発明の１つ以上の態様は、半導体製造ユニットに超純水を提供するシステムに関する
。発明の幾つかの実施の形態において、システムは、約２５ｐｐｂ未満のＴＯＣ値を有す
る水の供給源と、水の供給源に流体接続されかつ水の供給源からの水を照射するように構
成された化学線反応器と、水の遊離基前駆物質化合物を導入するために配置された前駆物
質化合物の供給源と、化学線反応器の下流、および半導体製造ユニットに流体接続された
超純水分配システムの上流に流体接続された微粒子フィルタと、を含むことができる。

発明の１つ以上の態様は、水を処理するためのシステムに関する。発明の幾つかの実施
の形態によれば、システムは、少なくとも１５メグオームの抵抗率を有する水の供給源に
流体接続された遊離基スカベンジングシステムと、該遊離基スカベンジングシステムの下
流に流体接続されたパティキュレート除去システムと、該パティキュレート除去システム
の下流に流体接続された超純水供給システムと、超純水供給システムを遊離基スカベンジ
ングシステムに流体接続した水戻しシステムと、を含むことができる。

発明の１つ以上の態様は、コンピュータ読取可能媒体に関し、該コンピュータ読取可能
媒体は、該コンピュータ読取可能媒体に記憶されたコンピュータ読取可能信号を有し、該
コンピュータ読取可能信号は、命令を形成し、該命令は、少なくとも１つのプロセッサに
よって実行された結果、少なくとも１つのプロセッサに、約２５ｐｐｂ未満のＴＯＣ値を
有する流入水への少なくとも１つの遊離基前駆物質化合物の付加を調節する方法を実施す
るように命令する。実行される方法は、流入水のＴＯＣ値に少なくとも部分的に基づいて
１つ以上の駆動信号を発生し、該１つ以上の駆動信号を少なくとも１つの前駆物質化合物
の供給源に送信する行為を含むことができ、該少なくとも１つの供給源は、流入水に少な
くとも１つの遊離基前駆物質化合物を導入するために配置されている。

発明の１つ以上の態様は、水を処理するためのシステムに関することができる。発明の
幾つかの実施の形態において、システムは、化学線主反応器と、該化学線主反応器に少な
くとも１つの過硫酸塩前駆物質化合物を導入するために配置された過硫酸塩前駆物質化合
物の供給源とを含むことができる。システムは、化学線主反応器の上流に配置された全有
機炭素（ＴＯＣ）濃度センサと、化学線主反応器の下流に配置された過硫酸塩濃度センサ
とを含むこともできる。化学線主反応器の下流に少なくとも１つの還元剤を導入するため
に配置された還元剤の供給源、および少なくとも１つの還元剤の付加箇所の下流に配置さ
れた還元剤濃度センサを設けることもできる。システムは、ＴＯＣ濃度センサ、過硫酸塩
濃度センサおよび還元剤濃度センサのうちの少なくとも１つから少なくとも１つの入力信
号を受け取り、過硫酸塩前駆物質化合物が化学線主反応器に導入される速度、化学線主反
応器における化学線の強度、および還元剤がシステムに導入される速度のうちの１つを調
節する少なくとも１つの制御信号を発生するように作用的に接続された制御装置を含むこ
ともできる。

発明の幾つかの実施の形態において、水を処理するためのシステムは、さらに、化学線
主反応器の上流に配置された逆浸透ユニットを含むことができる。システムは、さらに、
化学線主反応器の下流に配置された化学線副反応器を含むこともできる。システムは、さ
らに、化学線主反応器の下流に配置された微粒子フィルタを含むこともできる。システム
は、さらに、化学線主反応器の下流に配置された限外ろ過装置を含むこともできる。熱交
換器、脱気装置、微粒子フィルタ、イオン浄化装置およびイオン交換塔から成るグループ
から選択された少なくとも１つのユニット操作部を、システムに設けることもできる。イ
オン交換塔を、ＴＯＣ濃度センサの上流に配置することができる。

システムは、逆浸透フィルタ、電気透析装置、電気消イオン装置、蒸留装置、イオン交
換塔およびそれらの組合せから成るグループから選択された１つ以上のユニット操作部を
含む化学線主反応器の上流に配置された、水の供給源を含むこともできる。幾つかの実施
の形態において、水の供給源からの水は、約２５ｐｐｂ未満のＴＯＣを含むことができる
。システムは、さらに、化学線主反応器の下流に配置されたＴＯＣ濃度センサを含むこと
もできる。還元剤は、二酸化硫黄であることができる。

発明の１つ以上の態様は、水を処理するための方法に関する。発明の幾つかの態様にお
いて、方法は、処理される水を提供し、該処理される水の全有機炭素（ＴＯＣ）値を測定
し、処理される水の測定されたＴＯＣ値の少なくとも１つの入力信号に少なくとも部分的
に基づいて、処理される水に過硫酸塩アニオンを導入し、過硫酸塩アニオンを含有する水
を主反応器に導入し、照射された水流を形成するために、水における過硫酸塩アニオンを
反応器において紫外光に曝し、処理される水のＴＯＣ値、反応器の下流の水の過硫酸塩値
、および過硫酸塩アニオンの付加の速度から成るグループから選択された入力信号のうち
の少なくとも１つに少なくとも部分的に基づいて紫外光の強度を調節し、還元剤を照射さ
れた水に導入することを含むことができる。

発明の幾つかの実施の形態において、方法は、さらに、主反応器の下流に配置された副
反応器において、照射された水を紫外光に曝すことを含むことができる。方法は、溶解さ
れた固体および溶解された気体を水から除去することを含むこともできる。方法は、処理
される水を反応器容器に提供する前に、処理される水を処理することを含むこともできる
。方法は、さらに、照射される水における還元剤濃度を測定することを含むことができる
。方法は、さらに、測定された還元剤濃度に基づいて、照射される水に還元剤を導入する
ことを含むこともできる。還元剤は、二酸化硫黄であることができる。

発明の１つ以上の態様は、液体流における化合物の濃度を測定するための方法に関する
。発明の幾つかの態様において、方法は、液体流の第１の導電率を測定し、液体流を照射
し、照射後の液体流の第２の導電率を測定し、第１の導電率測定および第２の導電率測定
に少なくとも部分的に基づいて化合物の濃度を計算することを含むことができる。測定さ
れる化合物は、過硫酸塩であることができる。液体流を照射することは、過硫酸塩を含む
化合物の少なくとも一部を硫酸イオンに変換することを含むことができる。測定される化
合物は、二酸化硫黄であることもできる。液体流を照射することは、二酸化硫黄を含む化
合物の少なくとも一部を硫酸イオンに変換することを含むことができる。方法は、液体流
の第１の導電率を測定するために第１の導電率セルに液体流を導入することを含むことが
できる。方法は、液体流の第２の導電率を測定するために第２の導電率セルに液体流を導
入することを含むことができる。方法は、第１の導電率を測定する前に化学線反応器にお
いて液体流を照射することを含むことができる。方法は、化学線反応器において液体流を
照射する前に液体流に過硫酸塩前駆物質化合物を導入することを含むことができる。

本発明の１つ以上の態様は、液体流への還元剤の導入を制御するためのシステムであっ
て、該システムは、液体流と流体接続した過硫酸塩濃度センサと、過硫酸塩濃度センサの
下流において液体流に二酸化硫黄を導入するために配置された二酸化硫黄の供給源と、二
酸化硫黄の付加箇所の下流に配置された、液体流と流体接続した二酸化硫黄濃度センサと
、過硫酸塩濃度センサおよび二酸化硫黄濃度センサのうちのいずれか一方からの少なくと
も１つの入力信号に基づいて、液体流に導入される二酸化硫黄の付加の速度および量のう
ちの少なくとも一方を調節する制御信号を発生するように構成された制御装置と、を含む
システムに関する。

発明の幾つかの実施の形態では、過硫酸塩濃度センサは、少なくとも１つの導電率セル
を含むことができる。過硫酸塩濃度センサは、紫外光の供給源を含むこともできる。二酸
化硫黄濃度センサは、導電率セルを含むことができる。二酸化硫黄濃度センサは、紫外光
の供給源を含むこともできる。システムは、二酸化硫黄濃度センサの上流に配置された化
学線反応器を含むことができる。システムは、化学線主反応器に少なくとも１つの過硫酸
塩前駆物質化合物を導入するために配置された過硫酸塩前駆物質化合物の供給源を含むこ
とができる。システムは、化学線反応器の上流に配置された全有機炭素濃度センサを含む
ことができる。システムは、化学線反応器の下流に配置された全有機炭素濃度センサを含
むことができる。

本発明の１つ以上の態様は、容器と、平行な管の第１のセットおよび平行な管の第２の
セットを含む容器における管の第１の配列とを含む、化学線反応器に関する。平行な管の
第２のセットの各管は、平行な管の第１のセットの各管のそれぞれの長手方向軸線に対し
て直角のそれぞれの長手方向軸線を有することができ、各管は、少なくとも１つの紫外線
ランプを含む。

幾つかの実施の形態では、化学線反応器は、さらに、平行な管の第３のセットおよび平
行な管の第４のセットを含む、管の第２の配列を含むことができる。平行な管の第４のセ
ットの各管は、平行な管の第３のセットの各管のそれぞれの長手方向軸線に対して直角の
それぞれの長手方向軸線を有することができる。各管は、少なくとも１つの紫外線ランプ
を含むことができる。幾つかの実施の形態では、第４のセットの各管は、平行な管の第２
のセットおよび平行な管の第１のセットのうちの一方の各管のそれぞれの長手方向軸線に
対して直交するそれぞれの長手方向軸線を有することができる。

管の第２の配列は、第１の配列によって規定された平面から所定の距離に位置決めする
ことができる平面を規定するように配置することができる。各管の各端部を、容器の壁部
に固定することができる。第１の配列および第２の配列のうちの少なくとも一方の管は、
容器の内部体積を横切って延びている。平行な管の第１のセットおよび平行な管の第２の
セットのうちの一方を、平行な管の第３のセットおよび平行な管の第４のセットのうちの
一方から所定の距離に位置決めすることができる。

本発明の１つ以上の態様は、容器において水を照射する方法に関する。方法は、第１の
照明ベクトルに対して平行な化学線を投射するようにそれぞれが配置された、容器におけ
る紫外線ランプの第１のセットを励起し、第１の照明ベクトルに対して実質的に垂直な第
２の照明ベクトルに対して平行な化学線を投射するようにそれぞれが配置された、容器に
おける紫外線ランプの第２のセットを励起することを含むことができる。

幾つかの実施の形態では、方法は、紫外線ランプの第１のセットの強度を調節すること
を含む。方法は、さらに、紫外線ランプの第２のセットの強度を調節することを含むこと
もできる。方法は、全有機炭素（ＴＯＣ）濃度、過硫酸塩濃度、および容器に導入される
液体の流量のうちの少なくとも１つの測定に基づいて、紫外線ランプの第１のセットおよ
び紫外線ランプの第２のセットの少なくとも１つのランプを励起することを含むことがで
きる。方法は、全有機炭素（ＴＯＣ）濃度、過硫酸塩濃度、および容器に導入される液体
の流量のうちの少なくとも１つの測定に基づいて、紫外線ランプの第１のセットおよび紫
外線ランプの第２のセットの少なくとも１つのランプを励起停止することを含むことがで
きる。

図面の簡単な説明
添付の図面は、実寸で描かれることは意図されていない。図面では、様々な図面に示さ
れたそれぞれの同じまたはほぼ同じ構成要素は、同じ符号で示されている。分かりやすく
するために、全ての図面における全ての構成要素に符号が付されているわけではない。

発明の１つ以上の実施の形態によるシステムを示す概略図である。 発明の１つ以上の実施の形態によるシステムを示す概略図である。 発明の１つ以上の実施の形態による容器を示す概略図である。 発明の１つ以上の実施の形態による容器を示す概略図である。 発明の１つ以上の実施の形態による容器を示す概略図である。 発明の１つ以上の実施の形態によるセンサおよび制御装置システムを示す概略図である。 発明の１つ以上の実施の形態が実施されてよいプロセッサまたは制御システムを示す概略図である。 発明の幾つかの実施の形態による、超純水製品の水品質を示すグラフである。 発明の１つ以上の実施の形態による、全有機炭素（ＴＯＣ）濃度と時間との関係を示すグラフである。 発明の１つ以上の実施の形態による、全有機炭素（ＴＯＣ）濃度と時間との関係を示すグラフである。 発明の１つ以上の実施の形態による、全有機炭素（ＴＯＣ）濃度と時間との関係を示すグラフである。 発明の１つ以上の実施の形態による、全有機炭素（ＴＯＣ）濃度と時間との関係を示すグラフである。 発明の１つ以上の実施の形態による、残留過硫酸塩と時間との関係を示すグラフである。 発明の１つ以上の実施の形態による、二酸化硫黄濃度と導電率の変化との関係を示すグラフである。

詳細な説明
発明の１つ以上の態様は、水処理または浄化システムおよび技術に向けられていること
ができる。発明の様々なシステムおよび技術は、通常、プロセス流体または流れから望ま
しくない種を除去する１つ以上のユニット操作部を利用するまたは有する。プロセス流に
おける、通常は望ましくないまたは好ましくない様々な目標種または化合物の濃度または
レベルの非選択的または選択的な除去または減少を促進するために、直列で、または並列
な流れ配列において、または直列および並列の流れ配列の組合せにおいて利用されてよい
。さらに、発明のシステムおよび技術は、システムのユニット操作部から発生した種また
は副産物種の濃度の調節を促進するために１つ以上のユニット操作部を利用してよい。発
明の幾つかの態様は、幾つかの場合に低レベルの不純物または汚染物を有することを特徴
とすることができる水を処理または浄化する技術およびシステムまたはシステムの構成要
素に向けられていることができる。発明の幾つかの有利な態様は、超純水を提供するシス
テムおよび技術に向けられていることができる。発明の特に有利な態様は、半導体プロセ
シングまたは製造操作において使用するための超純水を提供するシステムおよび技術に向
けられていることができる。幾つかの場合、発明は、水または超純水を含有する水回路の
水または超純水特性を維持する形式で、循環する水または超純水システムにおいて補給水
を提供するシステムおよび技術を提供する。発明のシステムおよび技術は、幾つかの場合
、補給水または流入水または超純水を、処理された水または超純水と混合してよい。発明
のさらに別の態様は、水処理または浄化システムとの使用に適した制御システムおよび技
術に向けられていることができる。発明のさらに別の態様は、超純水を提供することによ
って半導体製造操作を促進する制御システムおよび技術に向けられていることができる。
実際、発明の幾つかの態様は、フィードフォワードまたはフィードバックアプローチまた
はそれら両方を利用することによって水または超純水処理または浄化を促進する制御シス
テムおよび技術に向けられていてもよい。発明のさらに別の態様は、水または超純水また
は液体流における目標種または化合物のレベルまたは濃度を測定するための技術に向けら
れていることができる。測定技術は、超純水を提供することを促進する制御システムおよ
び技術を利用してよい。

発明の少なくとも１つの態様によれば、発明の幾つかの実施の形態は、水を処理するた
めのシステムを含むことができる。発明のシステムおよび技術は、上流プロセスの副産物
の濃度を除去または少なくとも低減するユニット操作部を備えた１つ以上の補助的なプロ
セストレーンとともに遊離基スカベンジングに有利な条件を生ぜしめるために超純水を利
用することに依存する第１のプロセストレーンを含むことができる。水を処理するための
システムは、１つ以上の上流プロセスからの副産物を含むことができる水の少なくとも１
つの供給源に流体接続された少なくとも１つの遊離基スカベンジングシステムを含むこと
ができる。発明のある態様では、水の少なくとも１つの供給源は、純水、または超純水、
および好適には少なくとも１５メグオーム・センチメートルの抵抗率を有する水であるこ
とができる。水を処理するためのシステムは、少なくとも１つの遊離基スカベンジングシ
ステムの下流に流体接続された少なくとも１つの微粒子除去システムと、少なくとも１つ
の微粒子除去システムの下流に流体接続された少なくとも１つの超純水供給システムとを
含むこともできるまたはこれらに流体接続されていることもできる。さらに、水を処理す
るためのシステムは、少なくとも１つの超純水供給システムを遊離基スカベンジングシス
テムのうちの少なくとも１つの流体接続する少なくとも１つの水戻しシステムをも含む。
遊離基スカベンジングシステムは、ある場合には、少なくとも１つの前駆物質化合物の少
なくとも１つの供給源から実質的に成る、または好適にはそれを含むことができる。通常
、少なくとも１つの前駆物質化合物の少なくとも１つの供給源は、少なくとも１つの遊離
基前駆物質化合物を少なくとも１つの水の供給源からの水の少なくとも一部に導入するよ
うに配置または構成されかつ配置されている。遊離基スカベンジングシステムは、さらに
、少なくとも１つの前駆物質化合物を水における少なくとも１つの遊離基スカベンジング
種に開始または変換することもできる少なくとも１つの別の択一的な装置を備えたまたは
備えない、化学線の少なくとも１つの供給源から実質的に成るまたは含むことができる。
さらに別の場合、微粒子除去システムは、少なくとも１つの限外ろ過装置を含むことがで
きる。通常、少なくとも１つの限外ろ過装置は、化学線の少なくとも１つの供給源または
少なくとも１つの遊離基開始装置の下流、および好適には少なくとも１つの超純水供給シ
ステムの上流に流体接続されている。

発明の少なくとも１つの別の態様によれば、発明の幾つかの実施の形態は、半導体製造
ユニットに超純水を提供するためのシステムを含むことができる。システムは、少なくと
も１つの化学線反応器に流体接続された水の１つ以上の供給源を含むことができる。少な
くとも１つの反応器は、好適には、水の供給源からの水を照射するように構成されている
。システムは、さらに、前駆物質化合物の１つ以上の供給源を含むことができる。前駆物
質化合物の１つ以上の供給源は、１つ以上の水供給源からの水に１つ以上の遊離基前駆物
質化合物を導入するように配置することができる。システムは、１つ以上の化学線反応器
のうちの少なくとも１つの下流、および好適には超純水分配システムの上流に流体接続さ
れた少なくとも１つの微粒子フィルタを含むこともできる。超純水分配システムは、発明
の幾つかの有利な実施の形態では、半導体製造ユニットに流体接続されている。水供給源
は、通常、約２５ｐｐｂ未満の全有機炭素（ＴＯＣ）値を有する水を提供する。超純水を
提供するためのシステムは、さらに、超純水分配システム、通常はその出口部分を、水供
給源、化学線反応器および微粒子フィルタのうちの少なくとも１つに流体接続するリサイ
クルラインを含むことができる。

幾つかの態様によれば、発明の幾つかの実施の形態は、半導体製造ユニットに超純水を
提供する方法を含むことができる。方法は、約２５ｐｐｂ未満のＴＯＣ値を有する流入水
を提供し、少なくとも１つの遊離基前駆物質化合物を水に導入し、少なくとも１つの遊離
基前駆物質化合物を少なくとも１つの遊離基スカベンジング種に変換する、１つ以上の行
為を含むことができる。方法は、さらに、超純水を製造するために水からあらゆる微粒子
の少なくとも一部を除去し、超純水の少なくとも一部を半導体製造ユニットに供給する、
１つ以上の行為を含むことができる。

別の態様によれば、発明の幾つかの実施の形態は、命令を形成するコンピュータ読取可
能信号が記憶されたコンピュータ読取可能媒体を含むことができ、前記命令は、少なくと
も１つのプロセッサによって実行された結果、少なくとも１つのプロセッサに命令して、
流入水への少なくとも１つの遊離基前駆物質化合物の付加を調節する方法を実行する。流
入水は、幾つかの場合、純水または超純水であることができるが、好適には、約２５ｐｐ
ｂ未満のＴＯＣ値を有する。少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な方法は、流
入水のＴＯＣ値に少なくとも部分的に基づいて１つ以上の駆動信号を発生し、１つ以上の
駆動信号を少なくとも１つの前駆物質化合物の少なくとも１つの供給源に送信する、１つ
以上の行為を含むことができ、前記少なくとも１つの供給源は、少なくとも１つの前駆物
質化合物を流入水に導入するように配置されている。

発明の別の態様によれば、発明の幾つかの実施の形態は、水を処理するためのシステム
を含むことができる。システムは、化学線主反応器を含むことができる。システムは、さ
らに、少なくとも１つの過硫酸塩前駆物質化合物を化学線主反応器へ導入するために配置
された過硫酸塩前駆物質化合物の供給源を含むことができる。システムは、さらに、化学
線主反応器の上流に配置された、全有機炭素（ＴＯＣ）濃度センサなどの１つ以上のセン
サを含むことができる。システムは、さらに、化学線主反応器の下流に配置された過硫酸
塩濃度センサを含むことができる。システムは、さらに、還元剤の供給源を含むことがで
きる。還元剤は、化学線主反応器の下流に少なくとも１つの還元剤を導入するように配置
することができる。還元剤濃度センサを提供することもできる。還元剤濃度センサを、少
なくとも１つの還元剤の付加箇所の下流に配置することができる。制御装置を設けること
もできる。制御装置は、ＴＯＣ濃度センサ、過硫酸塩濃度センサ、および還元剤濃度セン
サのうちの少なくとも１つから少なくとも１つの入力信号を受け取るように作用的に接続
されていることができる。制御装置は、過硫酸塩前駆物質化合物が化学線主反応器に導入
される速度、化学線主反応器における化学線の強度、および還元剤がシステムに導入され
る速度のうちの少なくとも１つを調節することができる。

発明のさらに別の態様によれば、水を処理する方法が提供される。方法は、処理される
水を提供することを含むことができる。方法は、処理される水のＴＯＣ値を測定し、処理
される水の測定されたＴＯＣ値の少なくとも１つの入力信号に少なくとも部分的に基づい
て、処理される水に過硫酸塩アニオンを導入することも含むことができる。方法は、主反
応器に過硫酸塩アニオンを含有する水を導入し、照射された水流を製造するために、水に
おける過硫酸塩アニオンを反応器において紫外光に曝すことを含むこともできる。方法は
、さらに、処理される水のＴＯＣ値、反応器の下流の水の過硫酸塩値、および過硫酸塩ア
ニオンの付加の速度から成るグループから選択された入力信号のうちの少なくとも１つに
少なくとも部分的に基づいて紫外光の強度を調節することを含むことができる。還元剤を
、照射された水に導入することができる。

発明のさらに別の態様によれば、液体流における化合物の濃度を測定するための方法が
提供される。方法は、液体流における第１の導電率を測定し、液体流の少なくとも一部を
照射することを含むことができる。方法は、さらに、照射後の液体流の第２の導電率を測
定し、第１の導電率測定および第２の導電率測定に少なくとも部分的に基づいて化合物の
濃度を計算することを含むことができる。発明のある実施の形態では、化合物は、過硫酸
塩または二酸化硫黄であることができる。

発明のさらに別の態様によれば、液体流への二酸化硫黄の導入を制御するための方法が
提供される。システムは、液体流と流体接続した過硫酸塩濃度センサを含むことができる
。システムは、さらに、二酸化硫黄の供給源を含むことができる。二酸化硫黄は、過硫酸
塩濃度センサの下流の液体流に二酸化硫黄を導入するように配置することができる。シス
テムは、さらに、液体流と流体接続しておりかつ二酸化硫黄の供給源の下流に配置された
二酸化硫黄濃度センサを含むことができる。システムは、さらに、制御装置を含むことが
できる。制御装置は、過硫酸塩濃度センサおよび二酸化硫黄流のうちのいずれか一方から
の少なくとも１つの入力信号に基づいて、液体流に導入される二酸化硫黄の付加の速度お
よび量のうちの少なくとも一方を調節する制御信号を発生するように構成することができ
る。

発明のさらに別の態様によれば、化学線反応器が提供される。化学線反応器は、容器と
、容器における管の第１の配列とを含むことができる。管の第１の配列は、平行な管の第
１のセットと、平行な管の第２のセットとを含むことができる。各管は、少なくとも１つ
の紫外線ランプを含むことができ、第１のセットの平行な管のそれぞれは、第２のセット
の管の長手方向軸線に対して直交する長手方向軸線を有するように配置されている。

そのうちのいずれかが発明の１つ以上の態様に関連していてよい１つ以上の実施の形態
において、ここに開示されたシステムおよび技術は、システムの少なくとも１つのユニッ
ト操作部または構成要素の少なくとも１つの操作パラメータ、状態または条件、またはプ
ロセス流の１つ以上の特性または物理的特性を調節または調整する１つ以上のサブシステ
ムを利用してよい。このような調節および調整特徴を容易にするために、発明の１つ以上
の実施の形態は、１つ以上の構成要素またはプロセスの現状、状態または条件を提供する
制御装置および表示装置を利用してよい。たとえば、少なくとも１つのセンサが、たとえ
ば供給源からの水、遊離基スカベンジングシステムに入るまたは遊離基スカベンジングシ
ステムから出る水、微粒子除去システムに入るまたは微粒子除去システムから出る水、化
学線放射反応器または１つ以上のその他の下流のプロセスに入るまたは化学線放射反応器
または１つ以上のその他の下流のプロセスから出る水、の強度特性または広範囲な特性の
表示を提供するために利用されてよい。すなわち、特に有利な実施の形態によれば、発明
のシステムおよび技術は、システムのユニット操作部のうちのいずれかに入るまたはシス
テムのユニットの操作部のうちのいずれかから出る水の状態、条件、特性または品質の表
示をたとえば提供する、組成分析器、または導電率セルなどの、１つ以上のセンサまたは
その他の表示装置を含んでよい。

図１は、発明の１つ以上の態様によるシステム１００を概略的に具体化したものである
。システム１００は、超純水であると考えることができる水を含む水を提供する水処理ま
たは浄化システムの代表例であることができる。発明の幾つかの特に有利な実施の形態で
は、システム１００は、半導体製造設備において使用するのに適した超純水を提供するか
または超純水品質を少なくとも維持する浄化システムに関するものであることができるま
たはその代表例であることができる。発明のさらに別の態様は、１つ以上の半導体製造ユ
ニット（図示せず）に、処理された超純水を提供するために、超純水を利用する際に考慮
することができるシステムを含む。つまり、発明の幾つかの態様によれば、システム１０
０は、１つ以上の水源１１０からの補給水または入口水に存在することがある１つ以上の
不純物または汚染物の濃度、含有率またはレベルを低減し、処理された水を、超純水を利
用するシステムに提供する、水処理システムであることができる。

例示的に示したように、システム１００は、１つ以上の第２のもしくは副処理トレーン
もしくはシステム１０２に結合された１つ以上の第１のもしくは主の処理トレーンまたは
システム１０１を含むことができる。システム１００は、少なくとも１つの副処理システ
ムに、かつ幾つかのさらに有利な構成においては少なくとも１つの主処理システムに流体
接続された、少なくとも１つの水分配システム１０３をさらに含んでよい。別の有利な実
施の形態は、主処理システム、副処理システムおよび水分配システムのうちの少なくとも
１つにおいて少なくとも１つの流れ方向制御装置を含む構成を有することができる。方向
流れ制御装置の非制限的な例は、逆止め弁および堰を含む。

好適には、水源１１０は、低レベルの不純物から成る、低レベルの不純物から実質的に
成るまたは低レベルの不純物を含む水を提供する。より好適には、水源１１０からの水は
、尿素として、約２５ｐｐｂ未満またはさらには約２０ｐｐｂ未満の全有機炭素レベルも
しくは値と、少なくとも約１５メグオーム・センチメートルまたはさらには少なくとも約
１８メグオーム・センチメートルの抵抗とから成るグループから選択された少なくとも１
つの特性を有する、超純水から成る、超純水から実質的に成るまたは超純水を含む。第１
のもしくは主処理システム１０１は、さらに、反応器１２０に流体接続された、少なくと
も１つの前駆物質処理化合物源１２２を含むことができる。

水源１１０からシステム１００に導入される水は、通常、または好適には、低レベルの
不純物を有することによって特徴付けられることができる。たとえば、発明の幾つかの実
施の形態は、逆浸透、電気透析、電気脱イオン、蒸留、イオン交換、またはこのような操
作の組合せを利用する処理トレーンのような１つ以上の処理トレーン（図示せず）によっ
て前もって処理または浄化された純水、超純水またはそれらの組合せを利用する。前述の
ように、発明の有利な実施の形態は、通常、少なくとも約１５メグオーム・センチメート
ル、好適には少なくとも約１８メグオーム・センチメートルの低い導電率または高い抵抗
、および／またはたとえば、通常は尿素またはその他の炭素化合物または代理としての、
約５０ｐｐｂ未満、好適には約２５ｐｐｂ未満の低い全有機炭素レベルとを有する、水源
１１０からの流入超純水を含む。幾つかの実施の形態では、入口水は、１ｐｐｂ程度に低
くてよい。別の実施の形態では、流入水は、０．５ｐｐｂ程度に低くてよい。さらに別の
実施の形態において、流入水の抵抗は、約１メグオーム・センチメートルであってよい。

発明の幾つかの特定の実施の形態において、第１の処理システム１０１は、少なくとも
１つの遊離基スカベンジングシステムを特徴とするまたは含むことができる。遊離基スカ
ベンジングシステム１００は、少なくとも１つの水源１１０に流体接続された、照射反応
器などの、少なくとも１つの遊離基スカベンジャ反応器１２０を含むことができる。反応
器１２０は、栓流反応器または連続的に撹拌されるタンク反応器、またはそれらの組合せ
であることができる。幾つかの実施の形態では、栓流反応器は、反応器内のランプによる
照明の、短絡などのより低い照射強度のブラインディッドまたは領域の可能性を防止する
ために使用することができる。栓流反応器は、平行な、乱流でない流路を有する、反応器
を通る流体の層流経路を促進する条件化で作動する反応器として形成することができる。
反応器１２０は、通常、反応器において流れる水における遊離基種が、不純物、通常は有
機炭素ベース不純物のうちの少なくとも１つを、不活性化合物、水から除去されてよい１
つ以上の化合物、または少なくとも１つの不純物に対してより容易に除去されることがで
きるものに除去、劣化またはその他の形式で変換することができるように十分な滞在時間
を提供するように寸法決めされている。

加えて、反応器は、反応器における十分なまたは望ましい滞在時間を提供するために、
システムの予測される流量に基づいて寸法決めすることができる。幾つかの実施の形態に
おいて、システムを通る水の流量は、システムの下流における処理された水の需要、また
はシステムの上流において利用されている水の流量、またはそれら両方に基づくことがで
きる。特定の例において、流量は、約４００ｇｐｍ〜約１３００ｇｐｍであることができ
る。別の特定の例において、流量は、約４００ｇｐｍ〜約１９００ｇｐｍであることがで
きる。反応器、およびポンプおよび流れ弁などのシステムのその他のユニット操作部およ
び機器は、約４００ｇｐｍ〜約１９００ｇｐｍの流量の変動もしくは変化を許容するよう
に選択および寸法決めされることができる。

遊離基スカベンジングシステムにおいて、水における有機化合物は、１つ以上の遊離基
種によって二酸化炭素に酸化させることができ、この二酸化炭素は、１つ以上の下流のユ
ニット操作部において除去することができる。反応器１２０は、１つ以上の前駆物質を、
１つ以上の遊離基スカベンジング種に変換する少なくとも１つの遊離基活性化装置を有す
ることができる。たとえば、反応器１２０は、水に化学線放射を照射またはその他の形式
で提供し、前駆物質化合物を、１つ以上の遊離基種に分割するために、１つ以上の反応質
において１つ以上のランプを有することができる。

反応器は、チャンバの間の１つ以上のバッフルによって２つのチャンバに分割すること
ができる。バッフルは、チャンバなどにおいて、反応器に混合または乱流を提供するか、
混合を防止するか、反応器の内部を通る層状の平行な流路を促進するために使用すること
ができる。幾つかの実施の形態において、反応器入口は、第１のチャンバと流体接続して
おり、反応器出口は、第２のチャンバと流体接続している。

幾つかの実施の形態において、約１８５ｎｍ、２２０ｎｍおよび／または２５４ｎｍの
光、または約１８５ｎｍ〜約２５４ｎｍの範囲の光によって、様々なパワーレベルで、そ
れぞれのチャンバ内の水を照射するように配置された少なくとも１つの紫外線（ＵＶ）ラ
ンプを有する少なくとも３つの反応器チャンバは、反応器１２０において直列に配置され
ている。直列に配置された反応器のセットを、並列に配置することができる。たとえば、
直列における反応器の第１のセットは、直列における反応器の第２のセットに対して並列
に配置されてよく、それぞれのセットは、全部で６つの反応器のために、３つの反応器を
有する。それぞれのセットにおける反応器のうちのいずれか１つ以上は、いかなる時も作
動していてよい。幾つかの実施の形態では、全ての反応器が作動していてよく、別の実施
の形態では、反応器の１つのセットのみが作動している。

遊離基スカベンジングシステムの構成要素としての化学線照射システムの市販されてい
るものは、たとえば、AQUAFINE ^(R) UVシステムのような、イリノイ州ナパービルのQuant
rol社からのもの、およびケンタッキー州アーランガーのAquionics Incorporatedからの
ものを含む。

上述のように、発明は、１つの前駆物質化合物に限定されず、複数の前駆物質化合物を
利用してよい。幾つかの実施の形態では、前駆物質化合物は、望ましくない種を劣化させ
るために使用されてよい。別の実施の形態では、前駆物質化合物は、望ましくない化合物
を、イオン化された種、または弱く帯電された種などの、除去可能な構成要素に変換する
ために使用されてよい。複数の前記物質化合物は、複数の遊離基種を発生するために利用
されてよい。この補足的な配列は、第１の遊離基スカベンジング種が選択的に第１のタイ
プの望ましくない化合物を劣化させ、第２の遊離基種が選択的にその他の望ましくない化
合物を劣化させるような条件において有利であろう。これに代えて、第１の変換された種
または第１の遊離基種に容易に変換させることができる第１の前駆物質化合物が利用され
てよい。次いで、第１の遊離基種は、第２の前駆物質化合物を、第２の変換された種また
は第２の遊離基種に変換することができる。この反応の連続するセットは、第１の遊離基
種が第１のタイプの望ましくない化合物を劣化または変換し、かつ第２の遊離基種が選択
的にその他の望ましくない化合物を劣化または変換させるような条件において、または第
２の遊離基種への第２の前駆物質化合物の変換または活性化が、望ましくないことに高い
エネルギレベルを要求するような場合にも、有利であろう。複数のスカベンジング種を提
供するために複数の化合物が使用されてよい。

１つ以上の前駆物質化合物は、遊離基スカベンジング種に変換させることができるまた
は遊離基スカベンジング種の変換を促進するあらゆる化合物であることができる。非制限
的な例は、アルカリおよびアルカリ金属過硫酸塩および過硫酸アンモニウムまたは過硫酸
アンモニウム、過酸化水素、アルカリおよびアルカリ金属過酸化物などの過酸化物塩、ア
ルカリおよびアルカリ金属過ホウ酸塩などの過ホウ酸塩、アルカリおよびアルカリ金属ペ
ルオキシジスルフェートおよびペルオキソ二硫酸アンモニウムなどのペルオキソ二硫酸塩
、ペルオキソ二硫酸、ペルオキソ一硫酸またはカロー酸などの酸、オゾン、およびピラニ
ア溶液などのそれらの組合せを含む。１つ以上の前駆物質化合物の量は、汚染物のタイプ
に応じて変化することができる。前駆物質化合物は、半導体製造作業において有利であろ
う過硫酸アンモニウムから成るまたは実質的に過硫酸アンモニウムから成ることができる
。なぜならば、過硫酸アンモニウムは、このような作業の汚染物であると考えられない副
産物を提供する傾向がある、または過硫酸アンモニウムは、容易に除去可能ではないナト
リウム種を生成する恐れがあるおよび／または望ましくないことに半導体デバイスを汚染
する恐れがある過硫酸ナトリウムを含有する前駆物質化合物とは対照的に、たとえばイオ
ン交換システムによって容易に除去することができるからである。

幾つかの場合、システム１００は、少なくとも１つの脱気装置１６０と、選択的に、反
応器１２０の下流における少なくとも１つの粒子フィルタとを有することができる。ある
場合には、システム１００は、さらに、水から、あらゆるイオン種または帯電種の少なく
とも一部分を除去する少なくとも１つの装置を有することができる。たとえば、スカベン
ジングシステム１０１または粒子除去システム１０２の一方または両方におけるシステム
１００は、イオン交換媒体のベッド、または電気透析装置または電気脱イオン装置などの
、電気的に駆動されるイオン浄化装置を有することができる。発明の特に有利な構成にお
いて、システム１００は、システム１００を通る水の流路に沿って互いに対してそれぞれ
直列に配置された、イオン交換樹脂ベッドを有する第１の、主のまたは先行するイオン交
換カラム１４０Ｌと、やはりイオン交換樹脂ベッドを有する、第２の、ラギングまたはポ
リシングイオン交換カラム１４０Ｐとを有することができる。イオン交換カラムは、アニ
オン交換媒体およびカチオン交換媒体の混合されたベッドを有してよい。しかしながら、
その他の構成が利用されてよい。たとえば、先行するイオン交換カラム１４０Ｌは、直列
に配置された層もしくはカラムを含んでよい。つまり、第１の層もしくはカラムは、主に
、アニオン交換媒体を有することができ、第２のカラムは、主に、カチオン交換媒体を有
することができる。同様に、ポリッシュカラム１４０Ｐは、アニオン交換媒体およびカチ
オン交換媒体の混合されたベッドを有することができ、ポリッシュカラム１４０Ｐは、１
つのタイプの交換媒体のカラムの直列に配置された層を有してよい。つまり、第１のカラ
ムは、主に、アニオン交換媒体を有することができ、第２のカラムは、主にカチオン交換
媒体を有することができる。第１および第２の層又はカラムのうちのいずれかは、１４０
Ｌまたは１４０Ｐを含む１つの容器内に配置され、カラム内に含まれた媒体の層状のベッ
ドとして実施されてよい。イオン交換カラム１４０Ｌおよび１４０Ｐにおけるイオン交換
媒体は、水源１１０からの水における硫酸塩種、二酸化炭素、およびアンモニアまたはア
ンモニウムおよびあらゆるその他の望ましくない種または汚染物を除去する樹脂を含む、
または遊離基スカベンジングプロセスの副産物としての、あらゆる適切な樹脂であってよ
い。イオン交換カラムは、アニオン樹脂およびカチオン樹脂を含む、混合ベッドイオン交
換カラムであることができる。

利用されてよい市販の媒体またはイオン交換樹脂は、ペンシルベニア州ウォーレンデー
ルのSiemens Water Technologies Corp.からのNR30 MEG PPQ、USF ^TM MEG PPQおよびUSF
^TM NANO樹脂、およびミシガン州ミッドランドのThe Dow Chemical CompanyからのDOWEX ^(
R)を含むが、これらに限定されない。

発明の幾つかの別の実施の形態では、第２の処理システム１０２は、特定の除去システ
ムを含むことができるまたは特定の除去システムとして特徴付けられることができる。た
とえば、システム１００は、さらに、少なくとも１つの粒子フィルタ１５０を有すること
ができる。フィルタ１５０は、通常、少なくとも目標サイズの粒子を除去もしくは捕捉す
るフィルタリング膜を有する。たとえば、フィルタ１５０は、分配システム１０３に関連
した使用箇所の保守要求に応じて、少なくとも約１０ミクロン、幾つかの場合、少なくと
も約１ミクロン、さらに別の場合、少なくとも約０．０５ミクロン、さらに別の場合、少
なくとも約０．０２ミクロンの平均直径を有する粒子の全てまたは少なくとも大部分を捕
捉するフィルタリング媒体または１つ以上の膜を備えた構成することができる。フィルタ
１５０は、約０．０１ミクロンよりも大きな粒子を保持する膜を備えたカートリッジフィ
ルタを有することができる。

粒子フィルタ（図示せず）は、選択的に、供給源１２２からの１つ以上の前駆物質化合
物とともに導入された粒子を除去するために利用されてよい。フィルタ１５０のようなこ
のフィルタは、０．０２ミクロンよりも大きな粒子を除去してもよい。

幾つかの場合、粒子除去システム１０２は、１つ以上の限外ろ過装置１７２および１７
４を有することができ、それぞれの限外ろ過装置は、望ましくないサイズ特性を有する粒
子が製品水とともに水分配システムに流入することを防止する膜を有する。好適には、少
なくとも２つの限外ろ過装置は、たとえば約０．１ミクロンより大きい、幾つかの場合に
は０．０５ミクロンより大きい、さらに他の場合には０．０２ミクロンよりも大きな粒子
を除去することを容易にするように直列に配置されている。たとえば、限外ろ過装置１７
２および１７４は、０．０５ミクロンよりも大きな粒子の目標濃度もしくは所望の濃度を
、使用時に製品水の１リットル当たり約１００個未満のレベルに減じるもしくは提供する
膜を有してよい。限外ろ過装置１７２および１７４の構成および配列は、目標粒子濃度と
、超純水製品における粒子のサイズとに依存する。発明の幾つかの実施の形態では、フィ
ルタ１７２は、少なくとも、目標サイズの粒子の大部分を除去し、フィルタ１７４は、水
分配システム１０３への粒子の濃度が、目標もしくは所望の粒子濃度よりも低いまたはそ
れに等しいレベルであることを保証するために、ポリッシュとして機能する。このような
構成において、フィルタ１７２からの凝縮水流は、通常、捕捉された粒子の大部分を含み
、排出または排気または他のプロセスにおいて使用することができる。しかしながら、好
適には、凝縮水流の少なくとも一部分は、粒子の少なくとも一部分を捕捉する膜または媒
体を有する粒子フィルタ１８０に導入される。そこからの透過流から粒子の実質的な部分
が除去されるが、その透過流は、分配システム１０３からの戻るもしくは循環する未使用
の超純水製品、遊離基スカベンジングシステム１０１に導入される、水源１１０からの流
入水、反応器１２０、フィルタ１５０、脱気装置１６０、先行イオン交換カラム１４０Ｌ
またはポリッシュイオン交換カラム１４０Ｐからの少なくとも部分的に処理された水、ま
たはそれらの組合せのような、しかしながらそれらに限定されない、システム１００の上
流ユニット操作部へ方向付けられかつこの上流ユニット操作部と混合することができる。
フィルタ１５０のように、フィルタ１８０は、あるサイズの粒子材料のレベルを特定のも
しくは目標レベルに除去もしくは低減するように構成することもできる。

脱気装置１６０は、水に溶解されたあらゆるガス、または前駆物質化合物のその他の機
体副産物の濃度を低減する、膜コンタクタもいくはあらゆるユニット操作部を有すること
ができる。好適には、脱気装置は、水における、溶解された酸素含有量、溶解された窒素
含有量、および溶解された二酸化炭素含有量のいずれも低減する。通常、脱気装置１６０
は、水からの溶解されたガスの除去を促進する、接触膜および真空源１６２を利用する。
ここで利用されてよい脱気装置の非制限的な例は、ノースカロライナ州シャーロットのMe
mbrana社からのLIQUI-CEL ^(R)として市販されているものを含む。

その他の補助的なユニット操作部は、使用時点に提供される水の少なくとも１つの集中
的なまたは広範な特性を調節するために利用されてよく、半導体製造ユニットであること
ができる。たとえば、チラー１３０などの熱交換器が、少なくとも１つの半導体製造ユニ
ットに供給可能な超純水の少なくとも一部の温度を低下させるために超純水分配システム
１０３の上流に配置されていてよい。例示したように、チラー１３０は、反応器１２０の
下流で、かつ脱気装置１６０の上流に配置されている。しかしながら、発明は、典型的な
示された配列に限定されず、１つ以上の熱交換器がたとえば、粒子除去システム１０２の
下流でかつ水分配システム１０３の上流において超純水製品と熱伝達していてよい。実際
には、複数の熱交換器が利用されてよい。たとえば、ヒータなどの第１の熱交換器は、前
駆物質化合物を１つ以上の遊離基スカベンジング種に開始または変換するのを助けるため
に、少なくとも１つの遊離基前駆物質化合物を有する水を加熱してよく、チラーなどの第
２の熱交換器は、水分配システムを通じて供給する前に、処理された超純水を冷却してよ
い。

さらに別の補助的なシステムは、たとえば、水をシステム１００に循環させるための動
力を提供する１つ以上のポンプ１６６を有する。ポンプ１６６は、容量形ポンプまたは遠
心ポンプであってよい。好適には、ポンプ１６６は、製品水の汚染特性に不都合に寄与し
ない構成部材を有する。

水分配システム１０３は、入口ポートと、１つ以上の半導体製造ユニットなどの、１つ
以上の使用箇所（図示せず）に流体接続されておりかつ１つ以上の使用箇所に超純水製品
を提供する少なくとも１つの出口ポートと、を有する。

幾つかの場合、たとえば、水分配システムは、遊離基スカベンジングシステム１０１、
粒子除去システム１０２またはそれら両方に流体接続された入口ポートと、少なくとも１
つの使用箇所に流体接続された少なくとも１つの製品出口と、未使用製品水を遊離基スカ
ベンジングシステムおよび粒子除去システムのうちの一方または両方へまたはシステム１
００内のいずれかの箇所へリサイクルするために１つ以上の循環システム１７８および１
７９に流体接続された少なくとも１つの戻し出口ポートと、を有するマニホルド１９０を
備える。

図２は、発明の１つ以上の態様によるシステム２００を概略的に具体化している。シス
テム２００は、超純水であると考えることができる水を含む水を提供する水処理または浄
化システムの代表例であることができる。発明の幾つかの特に有利な実施の形態において
、システム２００は、半導体製造設備に適した超純水を提供するまたは少なくとも超純水
品質を維持する浄化システムに関するまたはその代表例であることができる。発明のさら
に別の態様は、１つ以上の半導体製造ユニット（図示せず）に処理された超純水を提供す
るために、超純水を利用するものとして考えることができるシステム２００を含む。発明
のさらに別の態様において、システム２００は、図１のシステム１００によって処理する
のに適して超純水を提供する浄化システム、または超純水を提供することができるシステ
ムの少なくとも一部に関するまたはその代表例であることができる。つまり、発明の幾つ
かの態様によれば、システム２００は、１つ以上の水源２１０からの補給水または流入水
に存在することがある１つ以上の不純物または汚染物の濃度、含有量もしくはレベルを低
減し、かつ超純水を利用するシステムに処理された水を提供する水処理システムであるこ
とができる。

システム１００のように、処理システム２００は、脱気システム、粒子除去システム、
イオン捕捉、捕集または交換システムなどの、しかしながらこれらの限定されないあらゆ
る１つ以上の分離ユニット操作部において除去することができる種に、１つ以上の目標種
の少なくとも一部を変換するもしくは成すサブシステムまたは構成部材を含むことができ
る。

例示的に示したように、システム２００は、一連のユニット操作部２１２，２１４およ
び２１６を有することができる。水源２１０から処理される水は、選択的に、水流から粒
子を除去するために逆浸透ユニットに導入することができる。前記物質化合物の供給源２
１６からの前駆物質化合物を、逆浸透ユニット２１２からろ液２１４に導入することがで
きる。前駆物質化合物が加えられたろ液流を、遊離基スカベンジングシステム２１８に導
入することができる。遊離基スカベンジングシステム２１８は、少なくとも１つの水源２
１０に流体接続された少なくとも１つの遊離基スカベンジャ反応器もしくは化学線放射反
応器を有することができる。

遊離基スカベンジングシステム２１８は、１つ以上の反応器もしくは容器を有すること
ができ、反応器もしくは容器のそれぞれは、直列にまたは並列に配置することができる。
ある実施の形態では、直列に配置された反応器の複数のセットを並列に配置することがで
きる。たとえば、直列の反応器の第１のセットもしくはトレーンは、反応器の別のセット
もしくはトレーンと並列に配置されても、直列に配置されてもよく、各セットは、遊離基
スカベンジングシステム２１８における全部で６つの反応器の場合に、３つの反応器を有
する。各セットにおける反応器のいずれか１つ以上は、あらゆる時点で作動していてよい
。ある実施の形態では、全ての反応器が作動していてよいのに対し、別の実施の形態では
、反応器の１つのセットのみが作動している。遊離基スカベンジングシステム２１８は、
化学線主反応器であると考えることもできる。

反応器は、栓流反応器または連続的に撹拌されるタンク反応器、またはそれらの組合せ
であることができる。ある実施の形態では、栓流反応器は、反応器内のランプによる照明
の、短絡などのより低い放射強度のブラインデッドまたは領域の可能性を防止または低減
するために使用することができる。反応器は、不純物、通常は有機炭素ベースの不純物の
うちの少なくとも１つの少なくとも一部を、不活性のまたはイオン化された化合物、水か
ら除去される１つ以上の化合物、または少なくとも１つの不純物に対して容易に除去する
ことができる少なくとも１つ、にスカベンジ、劣化またはその他の形式で変換するために
、反応器において流れる水における遊離基種を発生および／または許容するのに十分な滞
在時間を提供するようにサイズ決めされている。加えて、反応器は、反応器における十分
な滞在時間を提供するために、システムの予測される流量に基づいてサイズ決めすること
ができる。反応器は、システムを通る水の流量に基づいてサイズ決めすることもできる。
ある実施の形態では、システムを通る水の流量は、システムの下流における処理された水
の需要、またはシステムの上流において利用されている水の流量に基づくことができる。
ある例では、流量は、約１ガロン毎分（ｇｐｍ）〜２０００ｇｐｍであることができる。
特定の例において、流量は、約５００ｇｐｍ〜約１３００ｇｐｍであることができる。他
の特定の例では、流量は、約１３００ｇｐｍ〜約１９００ｇｐｍであることができる。

遊離基スカベンジングシステムにおいて、水における有機化合物は、１つ以上の遊離基
種によって二酸化炭素に酸化させることができ、この二酸化炭素は、１つ以上の下流ユニ
ット操作部において除去することができる。反応器は、さらに、少なくとも１つの遊離基
活性化装置を有することができ、この遊離基活性化装置は、１つ以上の前駆物質化合物を
、１つ以上の遊離基スカベンジング種に変換する。たとえば、反応器は、１つ以上の反応
チャンバにおいて１つ以上のランプを有することができ、ランプは、水に化学線を放射す
るまたはその他の形式で提供し、化学線は、１つ以上の前駆物質化合物を、１つ以上の遊
離基種に変換または分割する。

つまり、反応器は、不純物、通常は有機炭素ベースの不純物のうちの少なくとも１つを
、不活性の、イオン化されたまたはその他の除去可能な化合物、水から除去される１つ以
上の化合物、または少なくとも１つの不純物に対してより容易に除去することができる少
なくとも１つに、スカベンジ、劣化またはその他の形式で変換するために要求される紫外
線ランプの数に基づいてサイズ決めすることができる。必要なランプの数は、ランプ強度
、およびランプによって放射される紫外光のスペクトル波長を含むランプ性能特性に少な
くとも部分的に基づくことができる。必要なランプの数は、流入水流における予測される
ＴＯＣ濃度もしくは量および供給流または反応器に加えられる過硫酸塩の量のうちの少な
くとも１つに少なくとも部分的に基づくことができる。

放射された水流２２０は、遊離基スカベンジングシステム２１８から出ることができ、
選択的に、１つ以上の化学線反応器２２１を含むことができる副照射システムに導入され
ることができる。化学線副反応器２２１は、それぞれが１つ以上の紫外線ランプを含む１
つ以上の容器を有することができる。システム２１８のように、各容器は、直列または並
列に配置することができる。ある実施の形態では、直列に配置された副反応器の複数のセ
ットを、並列に配置することができる。たとえば、直列に配置された副反応器の２つ以上
のセットが並列に配置されてよく、直列に配置された副反応器の各セットは、２つ以上の
反応器を有する。各セットにおける副反応器のいずれか１つ以上は、あらゆる時点におい
て作動していてよい。ある実施の形態では、全ての副反応器が作動していてよく、他の実
施の形態では、副反応器のうちの１つのセットのみが作動していてよい。ある実施の形態
では、紫外線ランプは、約１８５ｎｍ〜約２５４ｎｍの範囲の波長の紫外光を放射してよ
い。

システム２００は、還元剤源２２４を有することができ、この還元剤源２２４は、二酸
化硫黄などの１つ以上の中和剤または還元剤を、たとえば付加箇所２３０において、別の
照射された水流２２２に導入することができる。中和剤または還元剤は、照射された水流
２２２における残留前駆物質化合物またはその誘導体のいずれかを、所望のレベルに還元
または中和することができるあらゆる化合物または種であることができる。

流れ２２６を、１つ以上の下流のプロセス２２８に導入することができるか、または半
導体製造プロセスにおけるような所要の用途における超純水として利用することができる
。

ある有利な実施の形態では、システム２００は、さらに、微粒子フィルタのような、あ
らゆる溶解されていない材料をさらに除去する１つ以上のユニット操作部を含むことがで
きる。限外ろ過装置などの微粒子フィルタが、化学線主反応器２１８の下流に配置されて
いてよい。

別の有利な実施の形態は、システムにおける少なくとも１つの流れ方向制御装置を含む
構成を含むことができる。方向流れ制御装置の非制限的な例は、逆止め弁および堰を含む
。

いずれの供給源１１０および２１０も、低レベルの不純物から成る、低レベルの不純物
から実質的に成る、または低レベルの不純物を含む水を提供することができる。より好適
には、供給源１１０または２１０からの水は、尿素として、約２５ｐｐｂ未満またはさら
には約２０ｐｐｂ未満の全有機炭素レベルまたは値と、少なくとも約１５メグオーム・セ
ンチメートルまたはさらには少なくとも約１８メグオーム・センチメートルの抵抗率とか
ら成るグループから選択された少なくとも１つの特性を有する超純水から成る、実質的に
成る、または、を含む。遊離基スカベンジングシステム１０１は、さらに、反応器１２０
に流体接続された少なくとも１つの前駆物質化合物源１２２を有することができる。

供給源１１０および供給源２１０からシステム１００および／またはシステム２００に
導入される水は、通常、またはさらには好適には、低レベルの不純物を有するものとして
特徴付けることができる。たとえば、発明の幾つかの実施の形態は、逆浸透、電気透析、
電気イオン消失、蒸留、イオン交換、またはこのような操作の組合せを利用するものなど
の１つ以上の処理トレーン（図示せず）によって前もって処理または浄化された純水また
は超純水またはその混合物を利用する。前述のように、発明の有利な実施の形態は、たと
えば供給源１１０および／または供給源２１０からの流入超純水を利用し、この流入超純
水は、少なくとも約１５メグオーム・センチメートル、好適には少なくとも約１８メグオ
ーム・センチメートルの低い導電率もしくは高い比抵抗を有する、および／またはたとえ
ば、通常尿素として、約５０ｐｐｂ未満、好適には約２５ｐｐｂ未満の低い全有機炭素レ
ベルまたはその他の炭素化合物またはその代理物のような、低レベルの汚染物を有する。

反応器に収容された流体を照明もしくは照射するために、反応器において１つ以上のラ
ンプを利用することができる。発明の特定の実施の形態は、複数のランプを有する反応器
を用いることができ、各ランプは、有利には、１つまたは複数の照明時間の間、１つ以上
の照明強度で流体を照射するように配置もしくは位置決めされている。発明の別の態様は
、複数の同時照明強度を提供または促進する構成において反応器のうちのいずれかにおい
て１つ以上のランプを利用することができる。

所望のように水に化学線を照射またはその他の形式で提供するために、有利には、紫外
線ランプを、遊離基スカベンジングシステムの１つ以上の反応器内に位置決めもしくは分
配することができる。ある実施の形態では、反応器において化学線を均一に分配するため
に、ランプを１つ以上の反応器内に分配することが望ましい。反応２１８および２２１の
いずれにおいても、遊離基スカベンジングシステムの紫外線ランプは、様々な強度または
様々なパワーレベルで照明を提供するように調節することができる。たとえば、暗いモー
ド、定格モードおよび増強モード、たとえば低いモード、中間モードまたは高いモードな
どの、複数の照明モードで作動するように調節することができる紫外線ランプを使用する
ことができる。

反応器内の１つ以上のスリーブもしくは管内に配置されることによって１つ以上の化学
線反応器内に１つ以上のランプを位置決めすることができる。管は、ランプを所定の位置
に保持することができ、ランプを反応器内の水から保護することができる。管は、放射が
材料を透過できるようにしつつ、反応器内の化学線および水または水の構成要素によって
実質的に劣化させられないあらゆる材料から形成することができる。管は、円形の横断面
領域を有することができる。ある実施の形態では、管は、円筒状であることができ、管の
構成材料は石英であることができる。各管は、１つ以上の他の管と同じまたは異なる形状
またはサイズであることができる。管は、様々な構成で反応器内に配置することができ、
たとえば、スリーブは、反応器の全長または幅またはその一部にわたって延びていてよい
。管は、反応器の内部体積にわたって延びていることもできる。

市販の紫外線ランプおよび／または石英スリーブは、ニュージャージー州フェアフィー
ルドのHanovia Specialty Lighting、ウィスコンシン州ビーバーダムのEngineered Treat
ment Systems, LLC、およびドイツ国ハナウのHeraeus Noblelight GmbHから入手されよう
。選択された石英材料は、少なくとも部分的に、特定の波長、またはプロセスにおいて使
用される波長に基づくことができる。石英材料は、１つ以上の波長における紫外線ランプ
のエネルギ要求を最小限にするように選択されてよい。石英の組成は、反応器における水
への紫外光の所望のまたは適切な透過率を提供するようにおよび／または水への紫外光の
透過率の所望のまたは十分なレベルを維持するように選択することができる。ある実施の
形態では、透過率は、所定の時間の間、少なくとも約５０％であることができる。たとえ
ば、透過率は、所定の時間の間、約８０％以上であることができる。ある実施の形態では
、透過率は、約６ヶ月から約１年の間、約８０％〜９０％の範囲であることができる。あ
る実施の形態において、透過率は、約２年までの間、約８０％〜９０％の範囲であること
ができる。

反応器の内容物がスリーブもしくは管に入り込まないよう、管を各端部において封止す
ることができる。反応器の使用中ずっと管が所定の位置にとどまるように管を反応器内に
固定することができる。ある実施の形態では、管は反応器の壁部に固定されている。適切
な機械的技術、または対象物を互いに固定するためのその他の慣用の技術の使用により管
を壁部に固定することができる。管の固定において用いられる材料は好適には不活性であ
り、反応器の作動を妨害しないもしくは水の純度に不利な影響を与えない、または汚染物
を水へ解放しない。

互いに平行になるように反応器内にランプを配置することができる。互いに様々な角度
で反応器内にランプを配置することもできる。たとえば、ある実施の形態では、互いにほ
ぼ直交するまたは垂直となるように約９０°の角度を形成した経路もしくは有効領域を照
明するように、ランプを配置することができる。ランプは、鉛直軸線または水平軸線、ま
たはこれらの間のあらゆる軸線において約９０°の角度を形成するように、このような形
式で配置することができる。

ある実施の形態では、反応器は、平行な管の第１のセットおよび平行な管の第２のセッ
トを有する反応器もしくは容器において管の配列を有することができる。各管は、少なく
とも１つの紫外線ランプを有してよく、第１のセットの平行な管のそれぞれは、平行な管
の第２のセットに対して所望の角度を成すように配置することができる。角度は、ある実
施の形態において約９０°であってよい。第１の配列および第２の配列のうちのいずれ一
方または両方の管は、反応器の内部体積を横切って延びていてよい。第１のセットおよび
第２のセットの管を、反応器内のほぼ同じ高さに配置することができる。

別の構成は、反応器におけるそれぞれの占有領域もしくは有効領域における均一なレベ
ルの強度を提供するように配置された管および／またはランプを有することができる。別
の構成は、内部に１つ以上のランプを備えた、等間隔で配置された管を有することができ
る。

反応器は、反応器もしくは容器内に配置された１つ以上の管配列を有してよい。管の第
２の配列は、平行な管の第３のセットと、平行な管の第３のセットに対して直交する、平
行な管の第４のセットとを有することができ、各管は、少なくとも１つの紫外線ランプを
有する。平行な管の第４のセットは、平行な管の第２のセットおよび平行な管の第１のセ
ットのうちの少なくとも一方に対して直交していることもできる。

ある実施の形態では、反応器もしくは容器内の各配列を、反応器内の別の配列から所定
の距離もしくは高さに位置決めすることができる。２つのアレイのセットの間の所定の距
離は、同じであっても、異なっていてもよい。

図３は、システム１００またはシステム２００またはそれら両方において使用すること
ができる反応器容器３００の断面図を示す。反応器容器３００は、通常、入口３１０と、
出口３２０と、反応器容器３００を上側チャンバ３２５と下側チャンバ３３０とに分割す
るバッフル３１５とを有する。反応器容器３００は、入口３１０を通じて導入された水を
容器全体に分配するように構成することができるマニホルド３０５を有することもできる
。ある実施の形態では、マニホルド３０５は、水を容器全体に均一に分配するように構成
することができる。たとえば、マニホルド３０５は、反応器が栓流反応器として作動する
ように、水を容器全体に均一に分配するように構成することができる。

ある実施の形態では、反応器容器は、反応器容器を３つ以上のチャンバに分割するよう
に、２つ以上のバッフル３１５を有してよい。バッフル３１５は、反応器に混合もしくは
乱流を提供するために用いることができる。ある実施の形態では、図３に示したように、
反応器入口３１０は下側チャンバ３３０と流体接続しており、反応器出口３２０は上側チ
ャンバ３２５と流体接続している。

ある実施の形態では、反応器１２０において少なくとも３つの反応器チャンバが直列に
配置されており、各反応器チャンバは、所望のもしくは様々なパワーレベルで、約１８５
ｎｍ〜約２５４ｎｍの範囲、および／または２５４ｎｍの光によってそれぞれのチャンバ
内の水を照射するように配置された少なくとも１つの紫外線（ＵＶ）ランプを有する。

反応器容器は、管、たとえば管３３５ａ〜３３５ｃおよび３４０ａ〜３４０ｃ内に位置
決めされた複数の紫外線ランプを有することもできる。発明の１つの実施の形態では、図
３に示したように、反応器容器３００は、平行な管の第１のセットと、管３３５ａ〜３３
５ｃと、平行な管の第２のセット（図示せず）とを有する。第１のセットの平行な管の各
セットは、第２のセットに対してほぼ直交しており、第１の配列３４５を形成している。
管３３５ａ〜３３５ｃと、平行な管の第２のセットとは、互いに反応器容器３００内のほ
ぼ同じ高さに配置されている。

さらに、反応器容器は、平行な管の第３のセットおよび平行な管の第４のセットを有す
ることができる。第１のセットの平行な管の各セットは、第２のセットに対してほぼ直交
しており、たとえば第２の配列３５０を形成している。例示的に示したように、管３４０
ａ〜３４０ｃと、平行な管の第２のセットとは、互いに反応器容器３００内のほぼ同じ高
さに配置されている。図３に示したように、第１の配列３４５は、第２の配列３５０から
所定の距離に位置決めすることができる。加えて、容器３００は、第３の配列３３５およ
び第４の配列３６０を有することができ、各配列は、選択的に、第１の配列３４０および
第２の配列３４５と同様の構成を有する。

別の実施の形態では、第１の配列を形成するために第１の管３３５ｂを第２の管３４０
ｂに対して直角に配置することができる。加えて、第２の配列を形成するために管のセッ
ト、管３６５ａおよび管３６５ｂを、管の別のセット、管３７０ａおよび管３７０ｂに対
して直角に配置することができる。ランプ４１４，４２０，４２２および４２４を含む第
２のアレイのランプの位置が図４Ａに示されている。第１の配列のランプ４２６および４
２８と第２の配列のランプ４１４，４２０，４２２および４２４とを含む、第１の配列お
よび第２の配列におけるランプの位置が図４Ｂに示されている。

ランプは、寸法、強度、およびランプに提供されるパワーを含むランプの様々な特性に
応じて、パターンを形成することができる。ランプによって形成される光パターンは、ラ
ンプが光を放射するスペースの全体の体積である。ある実施の形態では、光パターンもし
くは照明体積は、ランプが化学線を照射またはその他の形式で提供することができかつ１
つ以上の遊離基種への前駆物質化合物の分割もしくは変換を許容する空間の、面積または
体積として定義される。

反応器４００の典型的な断面図を示す図４Ａおよび図４Ｂに示したように、管の第１の
セット４１０ａ〜４１０ｃは互いに平行に配置されており、管の第２のセット４１２ａ〜
４１２ｃは互いに平行に配置されている。図示したように、管の第１のセット４１０ａ〜
４１０ｃは、管４１２ａ〜４１２ｃの第２のセットに対して直角に配置されている。ラン
プ４１４などのランプは、管４１０ａ〜４１０ｃおよび４１２ａ〜４１２ｃ内に分散され
ており、照明された場合、光パターン４１６を生じることができる。

１つ以上の紫外線ランプ、もしくはランプのセットは、照明ベクトルに対して平行な化
学線を投射することを特徴とすることができる。照明ベクトルは、１つ以上のランプが化
学線を放射する方向として規定することができる。典型的な実施の形態では、図４Ａに示
したように、ランプ４２０および４２２を含むランプの第１のセットは、照明ベクトル４
１８に対して平行な化学線を投射するように配置されている。

それぞれが、第１の照明ベクトルに平行な化学線を投射するように配置されている紫外
線ランプの第１のセットを、励起させることができる。それぞれが、第２の照明ベクトル
に平行な化学線を投射するように配置されている紫外線ランプの第２のセットも、励起さ
せることができる。照明の方向と、紫外線ランプの第１のセットおよび紫外線ランプの第
２のセットのうちの少なくとも一方の強度とのうちの少なくとも一方を調節することがで
きる。紫外線ランプの各セットは、１つ以上の紫外線ランプを含むことができる。

利用されるまたは励起されるランプの数および使用されるランプの構成は、システムの
特定の作動条件または要求に基づいて選択することができる。たとえば、特定のプロセス
のために使用されるランプの数は、システムの特性または測定されたまたは計算されたパ
ラメータに基づいて選択および制御することができる。たとえば、流入水または処理され
た水の測定されたパラメータは、ＴＯＣ濃度、温度および流量のうちのいずれ１つ以上を
含むことができる。励起されるランプの数は、システムに加えられる過硫酸塩の濃度また
は量に基づいて選択および制御することもできる。たとえば、処理される水の流量が、あ
るしきい値、たとえば１３００ｇｐｍなどの公称または設計流量以下である場合に、特定
の構成の１２個のランプを使用することができるのに対し、処理される水の流量がしきい
値よりも高くなった場合には、より多くのランプを使用することができる。たとえば、流
量が１３００ｇｐｍから選択されたより高いしきい値に増大すると、追加のランプを励起
することができる。たとえば、処理される水の流量が１９００ｇｐｍに達した場合に、２
４個のランプが使用されてよい。つまり、水の流量は、各反応器におけるどのランプが使
用されるかおよび／または励起されるランプの数を決定する。

ある実施の形態では、紫外線ランプを１つ以上の照明強度レベルで作動させることがで
きる。たとえば、使用される１つ以上のランプは、暗いモード、定格モードおよび増強モ
ードのような複数の照明モード、たとえば低いモード、中間モードまたは高いモードで作
動するように調節することができる。１つ以上のランプの照明強度は、ＴＯＣ濃度、温度
および流量を含む、流入水または処理された水の測定されたパラメータのような、システ
ムの特性または測定されたまたは計算されたパラメータに基づいて調節および制御するこ
とができる。１つ以上のランプの照明強度は、システムに加えられる過硫酸塩の濃度また
は量に基づいて調節および制御することもできる。たとえば、１つ以上のランプは、第１
のＴＯＣ濃度のようなシステムの測定されたパラメータの所定のしきい値まで、暗いモー
ドで使用することができる。測定されたまたは計算されたＴＯＣ濃度が、しきい値より高
い第２のＴＯＣ濃度に達するかもしくはそれよりも高くなると、１つ以上のランプを定格
モードに調節することができる。測定されたまたは計算されたＴＯＣ濃度が第２のしきい
値に達するかまたはそれよりも高くなると、１つ以上のランプをさらに増強モードに調節
することができる。

ランプおよびランプの照明強度を、調節のためのしきい値として同じまたは異なる測定
されたパラメータおよび値を使用して、一緒にまたは別個に制御することができる。

ある実施の形態では、反応器は、第１のランプ構成および第１のランプ強度を意味する
第１のモードで作動することができる。反応器は、特定の範囲にわたってまたはシステム
の１つ以上のパラメータの選択されたまたは所望の値まで第１のモードで作動することが
できる。たとえば、反応器は、ＴＯＣ濃度、過硫酸塩の付加の量および／または割合、流
入水の流量もしくは反応器を通過する水の流量のうちの１つ以上の、特定の範囲にわたっ
てまたは第１のしきい値のような選択されたまたは所望の値まで、第１のモードで作動す
ることができる。パラメータのうちの１つ以上の選択されたまたは所望の値、もしくは第
１のしきい値以上では、反応器は、第２のランプ構成および第２のランプ強度のうちの少
なくとも１つを意味する第２のモードで作動することができる。第２のしきい値以上では
、反応器は、第３のランプおよび第３のランプ強度のうちの少なくとも１つを意味する第
３のモードで作動することができる。

システムは、１つ以上の選択されたまたは所望のしきい値に基づいて、第３のモードか
ら第２のモードへの、または第２のモードから第１のモードへの調節を可能にするように
作動させることができる。システムは、１つ以上のしきい値レベルが選択されるまたはシ
ステムに入力されるように作動させられることができ、システムは、１つ以上の作動モー
ドで作動させることができる。

ある特定の実施の形態では、たとえば、第１のモードは、システムの設計流量能力の３
０％未満、または流入水の目標ＴＯＣ濃度の３０％未満、または反応器に加えることがで
きる過硫酸塩の付加の最大量もしくは割合の３０％未満で作動するシステムを意味してよ
い。第２のモードは、システムの設計流量能力の３０％〜１００％、または流入水の目標
ＴＯＣ濃度の３０％〜１００％、または反応器に加えることができる過硫酸塩の付加の最
大量もしくは割合の３０％〜１００％で作動するシステムを意味してよい。第３のモード
は、システムの設計流量能力の１００％超、または流入水の目標ＴＯＣ濃度の１００％超
、または反応器に加えることができる過硫酸塩の付加の最大量または割合の１００％超で
作動するシステムを意味してよい。

ＴＯＣ測定は、システム、たとえばシステム１００またはシステム２００を通る水の流
路に沿った１つ以上の箇所において行うことができる。ＴＯＣ測定は、化学線反応器また
は水流に前駆物質化合物を加える前に行うことができる。ある実施の形態において、ＴＯ
Ｃ測定は、ＴＯＣ測定を妨げる恐れがある水サンプルからイオン性化合物を除去するため
に、混床式イオン交換塔を通じて処理された水試料において行われる。混床式イオン交換
塔は、水から樹脂へのイオン種の転移を許容し、これにより、水からこれらの種の少なく
とも一部を除去する、アニオン樹脂およびカチオン樹脂を有することができる。水からイ
オン種を除去することにより、ＴＯＣ測定をより正確に行うことができる。特定の例にお
いて、混床式イオン交換塔は、逆浸透ユニットの下流かつ化学線反応器の上流に配置され
ていてよい。混床式イオン交換塔は、ペンシルベニア州ウォーレンデールのSiemens Wate
r Technologies Corp.から市販されているUSF ^TM NANO樹脂を利用してよい。

ＴＯＣ測定は、化学線主反応器２１８の下流または化学線副反応器２２１の下流におい
て行うこともできる。

発明のある態様では、処理されるまたは処理されている水における化合物の測定を行う
ことができる。これは、水の特定を測定することを含むことができる。測定は、水におけ
る第１の種を目標種に変換すること、または水の特性を変化させること、および水の特性
を再測定することを含むこともできる。ある例では、目標種は硫酸イオンであることがで
きる。化合物の測定は、たとえば１ｐｐｍのレベルまで行うことができる。幾つかの例に
おいて、化合物の測定は、たとえば１００ｐｐｂ未満、１ｐｐｂ未満または０．５ｐｐｂ
未満のレベルまで行うことができる。

ある実施の形態では、水における化合物の測定は、水または液体流の第１の導電率を測
定すること、水または液体流の少なくとも一部を照射すること、照射後の水または液体流
の第２の導電率を測定すること、および第１の導電率測定および第２の導電率測定に少な
くとも部分的に基づいて化合物の濃度を計算することを含むことができる。測定された化
合物は、過硫酸塩であることができる。水または液体流を照射することは、過硫酸塩を含
む化合物の少なくとも一部を硫酸イオンに変換することを含むことができる。測定される
化合物は、二酸化硫黄などの還元剤であることもできる。水または液体流を照射すること
は、二酸化硫黄を含む化合物の少なくとも一部を硫酸イオンに変換することを含むことが
できる。水における化合物の測定は、たとえばシステム１００またはシステム２００にお
いて、処理される水流に行うことができるか、またはシステム１００またはシステム２０
０において処理されている水の副流において行うことができる。

図２に示したように、センサ２０７を使用して、水または液体流における化合物の量の
測定を、たとえば濃度または導電率測定によって提供することができる。発明のある実施
の形態では、容器２００の水流出口の第１の導電率を測定することができる。この水流は
、紫外光によって照射されることができ、水流の第２の導電率を測定することができる。
第１の導電率測定と第２の導電率測定とを比較することにより、水流における過硫酸塩の
濃度または量を決定することができる。幾つかの実施の形態において、紫外光を利用する
代わりに触媒が使用されてよい。

同様に、センサ２０８を使用して、水または液体流における還元剤の量の測定を提供す
ることができる。還元剤源２２４からの還元剤の付加箇所２３０より下流における水流の
第１の導電率を、センサ２０８を使用して測定することができる。この水流は、紫外光に
よって照射されることができ、次いで、水流の第２の導電率を特定することができる。第
１の導電率測定と第２の導電率測定とを比較することによって、水流における還元剤の濃
度もしくは量を決定することができる。ある実施の形態では、紫外光を利用する代わりに
触媒が使用されてよい。

センサ２０７およびセンサ２０８を利用する発明の１つの実施の形態が、図５に示され
ている。化学線主反応器または副放射反応器からの出力であってよい水流５２０は、セン
サ５０７によって測定されてよい。センサ５０７は、水流５２０の第１の導電率を測定す
ることができる。次いで、この水流は、紫外光によって照射されることができ、水流５２
０の第２の導電率を測定することができる。制御装置５３２を使用して、水流における過
硫酸塩の濃度または量を、第１の導電率測定と第２の導電率測定とを比較することによっ
て決定することができる。

同様に、センサ５０８を使用して、水または液体流５２６における二酸化硫黄などの還
元剤の量の測定を提供することができる。還元剤の付加箇所５３０の下流における水流５
２６の第１の導電率を、センサ５０８を使用して測定することができる。センサは、紫外
光で水流５２６を照射することができ、次いで、水流５２６の第２の導電率を測定するこ
とができる。制御装置５３２を使用して、水流における還元剤の濃度または量を、第１の
導電率測定と第２の導電率測定とを比較することによって決定することができる。次いで
、センサ５０８の出力水流５２８は、システムを通過し続けてよい。

水流５２０および水流５２６における、過硫酸塩の計算された濃度もしくは量および還
元剤の計算された濃度もしくは量の少なくとも一方を、水流５２２に加えられる還元剤の
割合または量を制御するために制御装置５３２によって利用することができる。発明の１
つの実施の形態において、センサ５０７を使用して測定された過硫酸塩の計算された濃度
に基づいて還元剤の最小限の量を提供するために、還元剤の割合または量が制御される。
センサ５０８を使用して測定された還元剤の計算された濃度に基づいて還元剤の最小限の
量を提供するために、還元剤の割合または量を制御することもできる。

ある実施の形態において、たとえば流れ２２２または５２２における過硫酸塩（Ｓ₂Ｏ₈
）濃度は、以下の式に基づいて計算することができる：
Ｓ₂Ｏ₈（ｐｐｂ）＝［導電率セル２（μＳ）−導電率セル１（μＳ）］×γ
ここで、γは、たとえば硫酸塩の伝導度および過硫酸塩の伝導度に基づいて決定される
定数である。

図５は、２つの導電率セル（電気伝導率セル）を有するセンサ５０７および５０８のそ
れぞれを備えて示されているが、各センサ５０７および５０８は、水試料の第１の伝導度
が測定され、水試料の照射が行われ、かつ水試料の第２の伝導度が測定される１つの導電
率セルを有することができる。上記の式を、過硫酸塩濃度を決定するために使用すること
ができ、この場合、「導電率セル２」は、水の第２の測定された伝導度を表し、「導電率
セル１」は、水の第１の測定された伝導度を表す。

ある実施の形態において、化学線反応器から出る照射された水における残留過硫酸塩を
目標レベルに還元もしくは中和することが望ましい。これは、化学線主反応器の下流にお
ける付加的な紫外線ランプまたは化学線ランプを有することによって達せられてよく、こ
れは、残留過硫酸塩を還元しかつＴＯＣを還元することを助けることができる。たとえば
、図２は、残留過硫酸塩を還元しかつ水におけるＴＯＣを還元することを助けるために加
えることができる化学線副反応器２２０を有する。

触媒または還元剤を利用するなどの技術は、水流における残留過硫酸塩を還元または中
和するために使用することができる。還元剤は、重亜硫酸塩および二酸化硫黄を含んでよ
い。還元剤は、過硫酸塩および還元剤の測定、またはシステムのその他の特徴または特性
に基づいて水流に加えることができる。付加の割合は、システム変化の必要に応じてプロ
セス中に調節することができる。

システム１００および２００は、さらに、１つ以上の制御システムまたは制御装置１０
５および２３２を有することができる。制御システム１０５および２３２は、通常、処理
システム１００および２００のプロセス流、構成要素またはサブシステムのうちの少なく
とも１つの、少なくとも１つの特性、特徴、状態または条件を示すまたは表すように構成
および配置された１つ以上のセンサまたは入力装置に接続されている。たとえば、制御シ
ステム１０５は、供給源１１０およびセンサ１０６，１０７および１０８のうちのいずれ
か１つ以上からの入力信号を受け取るように作用的に接続することができる。制御システ
ム２３２は、供給源２１０およびセンサ２０６，２０７，２０８および２０９のうちのい
ずれか１つ以上からの入力信号を受け取るように作用的に接続することができる。入力信
号は、供給源１１０からの水またはシステムにおける水流のあらゆる示強性またはあらゆ
る示量性を表すことができる。たとえば、入力信号は、図１のイオン交換塔１４０Ｌおよ
びイオン交換塔１４０Ｐからの処理された超純水のあらゆる示強性またはあらゆる示量性
を表すことができる。入力信号は、逆浸透ユニット２１２からの、化学線副反応器２２０
からの、または還元剤の付加箇所２３０の後の、処理された超純水のあらゆる示強性また
はあらゆる示量性を表すこともできる。たとえば、供給源１１０または供給源２１０から
の１つ以上の入力信号は、流入水または補給水の、抵抗率または導電率、流量、ＴＯＣ値
、温度、圧力、金属の濃度、細菌のレベルまたは量、溶存酸素含有率および／または溶存
窒素含有率を示すことができる。入力装置またはセンサ１０６，１０７および１０８、な
らびに２０６，２０７，２０８および２０９は、同様に、入力装置またはセンサ１０６，
１０７および１０８、ならびに２０６，２０７，２０８および２０９は同様に、システム
１００またはシステム２００を通る少なくとも部分的に処理された水のあらゆる１つ以上
のこのような表示を提供してよい。特に、センサのうちのいずれか１つは、少なくとも部
分的に処理された水または超純水における温度、導電率、または特定の化合物または種の
濃度を示すことができる。センサ１０６，１０７および１０８ならびに２０６，２０７，
２０８および２０９のみが特に示されているが、たとえばセンサ１００および２００にお
ける１つ以上の温度センサ、導電率センサまたは抵抗センサを含む付加的なセンサが利用
されてよい。

制御システム１０５および２３２は、あらゆる１つ以上の入力信号を受け取り、処理シ
ステム１００および２００のあらゆる１つ以上のユニット操作部またはサブシステムへの
１つ以上の駆動信号、出力信号および制御信号を生成するように構成することができる。
例示したように、制御システム１０５および２３２は、たとえば、供給源１１０および／
または２１０からのまたはシステムの別の位置からの水の流量、ＴＯＣレベル、またはそ
れら両方の表示を受け取ることができる。次いで、制御システム１０５および２３２は、
必要であれば、反応器１２０または反応器２１８に進入する水流に導入される前駆物質化
合物の付加の割合を調節するために、駆動信号を発生し、この駆動信号を前駆物質化合物
の供給源１２２または供給源２１６に送信することができる。１つの実施の形態では、制
御システム２３２は、たとえば、センサ２０７およびセンサ２０８からの水における特定
の化合物もしくは種の濃度の指示を受け取ることができる。次いで、制御システム２３２
は、必要であれば、付加箇所２３０において水流に導入された還元剤の付加の割合を調節
するために、駆動信号を発生し、この駆動信号を還元剤の供給源２２４に送信することが
できる。駆動信号は、通常、１つ以上の入力信号、および目標のまたは所定の値または設
定値に基づく。たとえば、供給源１１０または供給源２１０からの流入水のＴＯＣ値の指
示を提供する入力信号が、目標ＴＯＣまたは許容ＴＯＣ値の範囲、すなわち公差範囲より
も高い場合、供給源１２２または供給源２１６からの前駆物質化合物の付加の量または割
合を増大するために、駆動信号を生成することができる。特定の目標値は、通常は、フィ
ールド選択され、設備ごとに異なる場合があり、下流の使用箇所要求に依存する。この構
成は、本発明によれば、汚染物の除去を事前に行うことによって、望ましくない特性を有
する水を提供することを回避し、また、システムの滞留時間または遅れ応答時間を保証す
ることを回避し、これは、システムを流過する水および／または分析のために必要な時間
の結果であることができる。

ある実施の形態では、制御システム１０５および２３２は、たとえば、流量、ＴＯＣ濃
度またはレベル、および／または過硫酸塩量または付加の割合の指示を受け取ることがで
き、駆動信号を発生し、この駆動信号を反応器１２０または反応器２１８または２２０、
またはより特に、反応器のランプへ送信し、これにより、作動中の１つ以上のランプのう
ちの少なくとも１つおよびランプの強度を調節または変更する。駆動信号は、１つ以上の
入力信号および目標のまたは所定の値または設定値、またはしきい値に基づくことができ
る。たとえば、供給源１１０または供給源２１０からの流入水のＴＯＣ値の指示を提供す
る入力信号が、目標ＴＯＣ値またはしきい値、または許容可能なＴＯＣ値の範囲、すなわ
ち公差範囲よりも高い場合、駆動信号は、ランプ構成およびランプ強度のうちの少なくと
も１つを調節することによって反応器の作動モードを調節するために駆動信号を生成する
ことができる。

制御システム１０５および２３２は、さらに、付加的な信号を発生し、この付加的な信
号を、たとえば、反応器１２０，２１８または２２０における少なくとも１つの放射源に
よって放射される出力放射の強度またはパワーを励起または調節するために、送信してよ
い。つまり、前駆物質化合物の付加の量または割合、または反応器に進入する水流におけ
るＴＯＣのレベルに依存して、制御信号は、適切に、増分的にまたは比例的に増減されて
よい。この特徴は、１つ以上の放射源の寿命を延長させ、エネルギ消費を減じるように機
能する。

制御システム１０５および２３２は、フィードバック配列において構成されてもよく、
１つ以上の制御信号を生成し、この制御信号を、前駆物質化合物源１２２および２１３、
および反応器１２０，２１８、および２２０、および還元剤源２２４のうちのあらゆる１
つまたは両方に送信する。たとえば、分配システム１０３における超純水製品の、または
センサ１０７および１０８からの、ＴＯＣ値または抵抗率またはそれら両方は、供給源１
２２および反応器１２０のいずれかに制御信号を生成するように利用されてよい。

高い初期ＴＯＣ変動の間、フィードフォワード制御を、機器遅れを補償するために利用
することができる。この先取アプローチは、通常は汚染物の量に関する余剰において、前
駆物質化合物を噴射する。安定ＴＯＣレベルの間、フィードバックアプローチが、フィー
ドフォワード制御と共にまたはフィードフォワード制御なしで利用されてよい。

制御システム１０５は、さらに、たとえばセンサ１０７または１０８、またはそれら両
方からの入力信号に基づいてチラー１３０における熱伝達の大きさを調節する制御信号を
生成し、送信してよい。制御信号は、所望のまたは所定の温度で分配システム１０３に処
理された水を提供するために、チラー１３０に導入される冷却水の流量および／または温
度を増減してよい。

制御システム１０５は、さらに、ポンプ１６６を励起する制御信号を生成しかつ送信す
るか、またはポンプを流過する少なくとも部分的に処理された水の流量を調節する。ポン
プが可変周波数ドライブを利用している場合、制御信号を生成することができ、これによ
り、ポンプモータ作動レベルを適切に調節して、目標流量値を達成する。これに代えて、
作動信号は弁を作動させてよく、この弁は、ポンプ１６６からの少なくとも部分的に処理
された流れの流量を調節する。

本発明の制御システム１０５および２３２は、図６に概略的に示された１つ以上のプロ
セッサを用いて構成されていてよい。制御システム１０５は、たとえば、インテルPENTIU
M^(R) タイププロセッサ、モトローラPowerPC^(R)プロセッサ、サンウルトラSPARC^(R) プロ
セッサ、ヒューレットパッカードPA-RISC^(R) プロセッサ、またはあらゆるその他のタイ
プのプロセッサまたはそれらの組合せなどの汎用コンピュータであってよい。これに代え
て、制御システムは、特別にプログラムされた特殊用途ハードウェア、たとえば、特定用
途集積回路（ＡＳＩＣ）または分析システム用の制御装置を含んでよい。

制御システム１０５および２３２は、通常１つ以上のメモリデバイス６５０に接続され
た１つ以上のプロセッサ６０５を有することができ、メモリデバイス６５０は、たとえば
、ディスクドライブメモリ、フラッシュメモリデバイス、ＲＡＭメモリデバイス、または
データを記憶するためのそのたのデバイスのうちのいずれか１つ以上を含むことができる
。メモリデバイス６５０は、通常、システム１００および２００および／または制御シス
テム１０５および２３２の作動中にプログラムおよびデータ記憶するために使用される。
たとえば、メモリデバイス６５０は、ある時間にわたるパラメータに関する履歴データ、
およびオペレーティングデータを記憶するために使用されてよい。発明の実施の形態を実
行するプログラミングコードを含むソフトウェアは、コンピュータ読取可能および／また
は書込可能な不揮発性記録媒体に記憶することができ、次いで、通常、メモリデバイス６
５０に複製され、このメモリデバイスにおいてプロセッサ６０５によって実行することが
できる。このようなプログラミングコードは、複数のプログラミング言語、たとえばJava
、Visual Basic、C、C#、またはC++、Fortran、Pascal、Eiffel、Basic、COBAL、または
様々なそれらの組合せのいずれかで書かれていてよい。

制御システム１０５および２３２の構成部材は、たとえば同じデバイス内に集積された
構成要素の間の１つ以上のバス、および／またはたとえば別個のデバイスに存在する構成
要素の間のネットワークを含んでよい、相互接続機構６１０によって接続されていてよい
。相互接続機構は、通常、システムの構成要素の間で通信、たとえばデータ、命令が交換
されることを可能にする。

制御システム１０５および２３２は、たとえばキーボード、マウス、トラックボール、
マイクロフォン、タッチスクリーンからの１つ以上の入力信号i₁,i₂,i₃,...,i_nを受け取
る１つ以上の入力デバイス６２０、およびたとえば印刷デバイス、ディスプレイスクリー
ンまたはスピーカーへ１つ以上の出力、駆動または制御信号s₁,s₂,s₃,...,s_nを生成およ
び送信する１つ以上の出力デバイス６３０をも有することができる。加えて、制御システ
ム１０５および２３２は、１つ以上のインタフェース６６０を有してよく、このインタフ
ェース６６０は、制御システム１０５または２３２を、システムの構成要素のうちの１つ
以上によって形成されるネットワークに加えてまたはその代わりに、通信ネットワーク（
図示せず）に接続することができる。

発明の１つ以上の実施の形態によれば、１つ以上の入力デバイス６２０は、システム１
００および２００の１つ以上の構成要素またはプロセス流の１つ以上の条件、パラメータ
または特性の測定、指示または表示を通常提供する、弁、ポンプおよびセンサ１０６，１
０７および１０８ならびに２０６，２０７，２０８および２０９のような、しかしながら
これらに限定されない構成部材を含んでよい。これに代えて、センサ、調量弁および／ま
たはポンプ、または全てのこれらの構成部材は、制御システム１０５および２３２に作用
的に接続された通信ネットワークに接続されていてよい。たとえば、センサ１０６，１０
７および１０８ならびに２０６，２０７，２０８および２０９は、制御システム１０５お
よび２３２に直接に接続された入力装置として構成されていてよく、サブシステム１２２
および１２４の調量弁および／またはポンプは、制御システム１０５に接続された出力装
置として構成されていてよく、上記のうちの１つ以上のいずれも、通信網において制御シ
ステム１０５および２３２と通信するために、コンピュータシステムまたは自動化された
システムに接続されていてよい。このような構成は、依然としてそれらの間にデータを提
供しながら、１つのセンサが別のセンサから有意な距離に配置されるか、またはあらゆる
センサがあらゆるサブシステムおよび／または制御装置から有意な距離に配置されること
を可能にする。

制御システム１０５および２３２は、コンピュータ読取可能および／または書込可能な
不揮発性記録媒体などの１つ以上の記憶媒体を有することができ、この記憶媒体に、たと
えば１つ以上のプロセッサ６０５によって実行されるプログラムまたはその部分を形成す
る信号を記憶することができる。１つ以上の記憶媒体は、たとえば、ディスクドライブま
たはフラッシュメモリであってよいまたはディスクドライブまたはフラッシュメモリを含
んでよい。典型的な作動において、プロセッサ６０５が、本発明の１つ以上の実施の形態
を実施するコードなどのデータを、１つ以上の記憶媒体から、たとえばメモリデバイス６
４０に読み込ませることができ、このメモリデバイス６４０は、１つ以上の媒体よりも、
１つ以上のプロセッサによる情報へのより迅速なアクセスを可能にする。メモリデバイス
６４０は、通常、ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）またはスタティック
メモリ（ＳＲＡＭ）またはプロセッサ６０５へのおよびプロセッサ６０５からの情報伝達
を容易にするその他の適切なデバイスのような、揮発性ランダムアクセスメモリである。

制御システム１０５および２３２は、発明の様々な態様が実施されてよいコンピュータ
システムの１つのタイプを例として示されているが、発明は、ソフトウェアにおいて、ま
たは例示的に示されたコンピュータシステムにおいて実施されることに限定されないこと
が認められるべきである。実際、たとえば汎用コンピュータシステムにおいて実施される
以外に、制御システム、またはその構成要素またはサブシステムは、専用のシステムまた
はプログラマブルロジックコントローラ（ＰＬＣ）としてまたは分散制御系において実施
されてよい。さらに、発明の１つ以上の特徴または態様は、ソフトウェア、ハードウェア
またはファームウェア、またはそれらのあらゆる組合せにおいて実施されてよいことが認
められるべきである。たとえば、プロセッサ６０５によって実行可能なアルゴリズムのう
ちの１つ以上のセグメントを、別個のコンピュータにおいて実行することができ、それら
のコンピュータのそれぞれは１つ以上のネットワークを通じて通信することができる。

システム１００は、さらに、ろ過装置１７２および１７４の膜の表面に保持されたあら
ゆる残留物、粒子またはその他の材料を浄化および／または除去するためのサブシステム
１７６を有することができる。サブシステム１７６は、装置１７２および１７４の膜の温
度サイクルを可能にする１つ以上の熱交換器およびポンプを有することができる。温度サ
イクルは、装置１７２および１７４のいずれかに高温水および低温水を交互に提供するこ
とによって制御システム１０５によって制御することができ、これにより、装置の構成部
材の膨張および収縮を生ぜしめ、あらゆる保持された材料の除去を促進する。例示されて
いないが、サブシステム１７６はシステム１００のあらゆるユニット操作部に接続されて
もよく、このようなユニット操作部のクリーニングおよび高温水浄化をも促進する。

発明のこれらの実施の形態およびその他の実施の形態の機能および利点は、以下の実施
例からさらに理解することができ、この実施例は、発明の１つ以上のシステムおよび技術
の利益および／または利点を例示するが、発明の全範囲を例示するものではない。

実施例１ この実施例は、図１の概略的な例示において実質的に示されたような発明の
技術を利用するシステムを説明する。

システム１００は、流入水源１１０に流体接続されており、表１に列挙されたそれぞれ
の品質および特徴を有する半導体製造ユニットに超純水を提供するように設計されている
。

前駆物質化合物源１２２は、過硫酸アンモニウムを提供するためにポンプを利用する。

反応器１２０は、約２５４ｎｍでＵＶ放射を提供する、３つの直列に接続されたＵＶラ
ンプ（ＳＣＤ−１２０）を有する。

チラー１３０は、水温を３℃低下させるように設計されたプレートおよびフレーム型熱
交換器である。

先行イオン交換塔１４０Ｌは、USF ^(TM) MEG PPQイオン交換樹脂の平行床を有する。

微粒子フィルタ１５０は、０．０５ミクロンより大きな粒子を保持するように定格され
ている。

脱気装置１６０は、３０ｍｍＨｇで真空源１６２に並列に接続された２つの膜コンタク
タを有する。

ポンプ１６６は、１００ｐｓｉｇで３５ｇｐｍを提供するように定格された変速ドライ
ブを利用する。

ポリッシュイオン交換塔１４０Ｐは、USF^(TM) MEG PPQイオン交換樹脂の直列に接続さ
れた床を有する。

限外ろ過装置は、Asahi Chemical Companyから市販されているOLT-5026G限外ろ過膜を
利用する。

利用されるオンラインセンサは、表２に列挙されている。

超純水製品の品質を示す図７は、所望の特性を有する水は、本発明のシステムおよび技
術（「LUPW」で示されている）によって処理され、既存の給水システム（「polish」で示
されている）および代替的な装置（「Entegris」）で示されている）と比較されることが
できることを示している。図７に示したように、本発明のシステムは、流入水品質の変動
の間にさえも、低いＴＯＣレベルを維持することができる。

実施例２
この実施例は、図２の概略図に実質的に示された発明の技術を利用するシステムを説明
する。この実施例では、化学線副反応器は利用されず、還元剤源２２４は利用されなかっ
た。

システム２００は、流入水源２１０に流体接続可能であり、半導体製造ユニットに超純
水を提供するように設計されている。

前駆物質化合物源２１６は、水流２１４に過硫酸アンモニウムを提供する。

主反応器２１８は、３つの直列に接続された化学線反応器の第１のセットを有し、これ
らの化学線反応器は、３つの直列に接続された化学線反応器の第２のセットと並列に位置
決めされている。各反応器は、約１８５ｎｍ〜約２５４ｎｍの範囲のＵＶ放射を提供する
。

図８は、時間に対する全有機炭素（ＴＯＣ）濃度のプロットを示しており、図８におい
て、反応器２１８の上流の流入水品質は、符号◆によって表されており、処理された水の
品質は、符号＊によって表されたデータポイントによって示されている。図８は、全有機
炭素（ＴＯＣ）レベルを約１ｐｐｂ以下に減じることができることを示している。

図８に示された流入水ＴＯＣにおいて観察されたノイズにより、超純水樹脂（ペンシル
ベニア州ウォーレンデールのSiemens Water Technologies Corp.のUSF^(TM)NANO樹脂）を
含んでいた混合床塔が、不規則な測定の原因となる場合があったイオン成分を除去するた
めに、流入水ＴＯＣ濃度センサの上流かつ逆浸透膜の下流に付加された。

時間に対する全有機炭素（ＴＯＣ）濃度のプロットを示す図９は、流入水ＴＯＣ測定を
、ＴＯＣ濃度センサの上流における混合床塔の使用により安定化させることができること
を示している。図９に示したように、ＴＯＣレベルは、発明のシステムおよび技術を利用
することによって約１ｐｐｂ以下に減じることができ、流入水品質の変動の間も低いＴＯ
Ｃレベルを維持することができる。再び、反応器２１８の上流の流入水品質は、符号◆に
よって表されたデータポイントによって示されており、反応器２１８の下流の処理された
水の品質は、符号＊によって表されたデータポイントによって示されている。図９は、高
レベルの制御を、流入ＴＯＣの高い変動の場合にも達成することができることを実証して
いる。たとえば、処理された水の品質は、第１日の約２０時１０分〜２１時３５分、およ
び第２日の約５時２４分〜８時００分のＴＯＣの大きな変動の間、１ｐｐｂのＴＯＣ以下
にとどまっていた。

実施例３
この実施例は、図２の概略図に実質的に示され、かつ実施例２において説明された発明
の技術を利用するシステムを説明する。

時間に対する全有機炭素（ＴＯＣ）濃度のプロットを示す図１０および図１１は、流入
水ＴＯＣレベルを、本発明のシステムおよび技術を利用することにより、約３ｐｐｂ以下
、ほとんど全ての例において１ｐｐｂ未満に減じることができることを示している。図１
０は、尿素を含有する流入水に関するデータを示しており、図１１は、イソプロピルアル
コールを含有する流入水に関するデータを示している。図１０において、ＴＯＣ濃度は、
示された時間を通じて変動している。本発明のシステムおよび技術は、尿素を含有する水
を処理することができ、一貫して、処理された水を低いＴＯＣ濃度で提供することができ
ることが明らかである。図１１において、ＴＯＣ濃度は、第３日に著しく急増している。
本発明のシステムおよび技術は、低いＴＯＣ濃度で水を提供するために、イソプロピルア
ルコールを含有する水を処理することができ、処理された水におけるＴＯＣ濃度を３ｐｐ
ｂ以下に維持するために、ＴＯＣ濃度急増を管理する能力を有する。この特定の実施例に
おいて、システムの変更によって、たとえば過硫酸塩ポンプのポンピング能力を増大させ
ることによって、処理された水のより低いＴＯＣ濃度、たとえば１ｐｐｂ未満を達成する
ことが可能である。

実施例４
この実施例は、図２の概略図に実質的に示され、かつ実施例２および３において説明さ
れた発明の技術を利用するシステムを説明する。

過硫酸塩濃度測定が、水流の第１の導電率を測定し、水流に紫外光を提供し、かつ水流
の第２の導電率を測定するセンサ２０７を用いて行われた。過硫酸塩濃度は、以下の式に
基づいて計算された。
Ｓ₂Ｏ₈（ｐｐｂ）＝［導電率セル２（μＳ）−導電率セル１（μＳ）］×γ
ここで、γは、硫酸塩の導電率および過硫酸塩の導電率に基づいて計算された定数である
。

図１２は、時間に対する残留過硫酸塩のプロットを示している。図１２に示したように
、測定可能な量の過硫酸塩が、処理された水において検出された。処理された水流におけ
る残留過硫酸塩の量を減じ、かつ付加的なＴＯＣ還元を可能にするために、化学線主反応
器の下流に化学線副反応器が付加された。副反応器２２１は、２つの直列に接続された化
学線反応器の第１のセットを有し、これらの化学線反応器は、２つの直列に接続された化
学線反応器の３つの付加的なセットと並列に位置決めされている。各反応器は、約１８５
ｎｍ〜約２５４ｎｍのＵＶ放射を提供する。

加えて、処理された水流における残留過硫酸塩を還元または中和するために、二酸化硫
黄が水流に加えられた。図５に示したように、システムに加えられる二酸化硫黄の量を測
定および制御するために、二酸化硫黄濃度センサもシステムに加えられた。二酸化硫黄測
定は、図１３に示されたプロットを利用して計算することができ、第１の導電率測定と第
２の導電率測定との間の導電率の変化に対する二酸化硫黄濃度を、水流における二酸化硫
黄の量を決定するために利用することができる。

ここでは発明の幾つかの実施の形態を説明してきたが、前記のことは単に例示的であっ
て、限定するものではなく、例としてのみ示されていることは当業者に明白であるべきで
ある。多くの変更およびその他の実施の形態は、当業者の考える範囲のものであり、発明
の範囲に含まれると考えられる。特に、ここに示された実施例の多くは、方法行為および
システム要素の特定の組合せを含むが、それらの行為およびそれらの要素は、同じ目的を
達成するためにそのたの形式で組み合わされてよいことが理解されるべきである。

ここに説明されたパラメータおよび構成は例示的であり、実際のパラメータおよび／ま
たは構成は、発明のシステムおよび技術が使用される特定の用途に依存するということを
当業者は認めるべきである。当業者は、日常的な実験の範囲で、発明の特定の実施の形態
の均等物をも認識するまたは確認することができるべきである。したがって、ここに説明
された実施の形態は、例としてのみ示されており、添付の請求の範囲およびその均等物の
範囲で、発明は、具体的に説明されたもの以外の形式で実施されてよいことが理解される
であろう。

さらに、発明は、ここに説明された各特徴、システム、サブシステムまたは技術、およ
び２つ以上の特徴、システム、サブシステムまたは技術のあらゆる組合せに向けられてお
り、２つ以上の特徴、システム、サブシステムおよび／または方法のあらゆる組合せは、
このような特徴、システム、サブシステムおよび技術が相互に矛盾していないならば、請
求項において具体化されているような発明の範囲に含まれると考えられることも認められ
るべきである。さらに、１つの実施の形態だけに関連して説明された行為、要素および特
徴は、他の実施の形態における同様の役割から排除されることが意図されていない。

ここで使用される場合、「複数」とは、２つ以上のアイテムもしくは構成要素をいう。
「含む」や「有する」などの用語は、記載された説明におけるものであるか、請求の範囲
および同様のものにおけるものであるかに拘わらず、範囲の決まっていない用語である、
すなわち、「含むが、それに限定されない」という意味である。つまり、このような用語
の使用は、以後に挙げるアイテムおよびその均等物、ならびに付加的なアイテムを包含す
ることを意味する。「から成る」および「から実質的に成る」という接続語句のみが、請
求項に関して、それぞれ、範囲を限定したまたは範囲を限定したことに準ずる語句である
。請求項の要素を修正するための、請求項における「第１」、「第２」、「第３」などの
順序づける用語の使用は、それ自体、別の請求項要素に対するある１つの請求項要素のい
かなる優先度、先行または順序、または方法の行為が行われる一時的な順序を意味するも
のではなく、請求項要素を区別するために、単に、ある名称を持つ１つの請求項要素を、
同じ名称を持つ別の要素と区別するための（しかし順序を示す用語の使用のために）ラベ
ルとして使用されている。

Claims (9)

1. 超純水流における過硫酸塩および二酸化硫黄の濃度を測定する方法であって、
   全有機炭素（ＴＯＣ）濃度が２５ｐｐｂ未満である超純水流（１）に過硫酸塩を導入して、超純水流（２）を供給し、
   前記超純水流（２）からサンプル（Ａ）を採取して、過硫酸塩濃度センサの第１の導電率セルにおいて、前記サンプル（Ａ）の第１の導電率を測定し、
   前記サンプル（Ａ）を紫外光照射して照射後のサンプル（Ａ）を取得し、
   過硫酸塩濃度センサの第２の導電率セルにおいて、前記照射後のサンプル（Ａ）の第２の導電率を測定し、過硫酸塩濃度センサにおける第１の導電率測定および第２の導電率測定に部分的に基づいて前記超純水流（２）における過硫酸塩の濃度を計算し、
   前記超純水流（２）に二酸化硫黄を導入して、超純水流（３）を供給し、
   前記超純水流（３）からサンプル（Ｂ）を採取して、二酸化硫黄濃度センサの第１の導電率セルにおいて、前記サンプル（Ｂ）の第１の導電率を測定し、
   前記サンプル（Ｂ）を紫外光照射して、照射後のサンプル（Ｂ）を取得し、
   二酸化硫黄濃度センサの第２の導電率セルにおいて、前記照射後のサンプル（Ｂ）の第２の導電率を測定し、
   二酸化硫黄濃度センサにおける第１の導電率測定および第２の導電率測定に部分的に基づいて前記超純水流（３）における二酸化硫黄の濃度を計算することを含むことを特徴とする、超純水流における過硫酸塩および二酸化硫黄の濃度を測定する方法。
2. 前記サンプル（Ａ）を紫外光照射することは、過硫酸塩を含む化合物の少なくとも一部分を硫酸イオンに変換することを含む、請求項１記載の方法。
3. 前記サンプル（Ｂ）を紫外光照射することは、二酸化硫黄を含む化合物の少なくとも一部分を硫酸イオンに変換することを含む、請求項１記載の方法。
4. 前記超純水流（１）に過硫酸塩を導入して、前記超純水流（２）を供給した後、前記超純水流（２）からサンプル（Ａ）を採取する前に化学線反応器において前記超純水流（２）を照射することをさらに含む、請求項１記載の方法。
5. 前記超純水流（１）に過硫酸塩を導入する前に、前記超純水流（１）の全有機炭素（ＴＯＣ）濃度を測定することをさらに含む、請求項４記載の方法。
6. 過硫酸塩が導入される速度、化学線反応器における化学線の強度、および二酸化硫黄が導入される速度のうちの少なくとも１つを調節することをさらに含む、請求項４に記載の方法。
7. 前記超純水流（３）を半導体製造プロセスに供給することをさらに含む、請求項４記載の方法。
8. 前記超純水流（２）における過硫酸塩の濃度および前記超純水流（３）における二酸化硫黄の濃度の少なくとも一方に基づいて、前記超純水流（２）に導入される二酸化硫黄の量を調節することをさらに含む、請求項１記載の方法。
9. 前記超純水流（２）における過硫酸塩の濃度に基づいて、還元剤の最小限の量を提供するために、二酸化硫黄の量が制御されることをさらに含む、請求項８記載の方法。