JP6710741B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
本実施形態の半導体装置は、第1の面と第2の面とを有する半導体層と、半導体層内に設けられた第1導電型の第1の半導体領域と、第1の半導体領域と第1の面との間の半導体層内に設けられた第2導電型の第2の半導体領域と、第2の半導体領域と第1の面との間の半導体層に設けられた第1導電型の第3の半導体領域と、第1のゲート電極と、第1のゲート電極との間に第2の半導体領域を挟んで設けられた第2のゲート電極と、第1のゲート電極と第2の半導体領域との間に設けられた第1のゲート絶縁膜と、第2のゲート電極と第2の半導体領域との間に設けられた第2のゲート絶縁膜と、第2の面と第1のゲート電極との間に設けられた第1のフィールドプレート電極と、第2の面と第2のゲート電極との間に設けられた第2のフィールドプレート電極と、少なくとも一部が第1のフィールドプレート電極と第1の半導体領域との間に設けられた第1の絶縁膜と、少なくとも一部が第2のフィールドプレート電極と第1の半導体領域との間に設けられた第2の絶縁膜と、第1の絶縁膜と第2の絶縁膜との間に挟まれた第1の半導体領域内に設けられ、第2の半導体領域との間に第1の半導体領域を挟む第2導電型の第4の半導体領域と、を備える。
本実施形態の半導体装置は、第1のゲート電極と第1のフィールドプレート電極、第2のゲート電極と第2のフィールドプレート電極とが接すること以外は、第1の実施形態と同様である。したがって、第1の実施形態と重複する内容については記述を省略する。
14 n−型のドリフト領域(第1の半導体領域)
16 p型のボディ領域(第2の半導体領域)
18 n+型のソース領域(第3の半導体領域)
21a p型の第1の中間領域(第4の半導体領域)
21b p型の第2の中間領域(第5の半導体領域)
21c p型の第3の中間領域(第6の半導体領域)
22 第1のゲート電極
23 第2のゲート電極
26 第1のフィールドプレート電極
27 第2のフィールドプレート電極
28 第1のフィールドプレート絶縁膜(第1の絶縁膜)
29 第2のフィールドプレート絶縁膜(第2の絶縁膜)
100 MOSFET
200 MOSFET
P1 第1の面
P2 第2の面
Claims (3)
- 第1の面と第2の面とを有する半導体層と、
前記半導体層内に設けられた第1導電型の第1の半導体領域と、
前記第1の半導体領域と前記第1の面との間の前記半導体層内に設けられた第2導電型の第2の半導体領域と、
前記第2の半導体領域と前記第1の面との間の前記半導体層に設けられた第1導電型の第3の半導体領域と、
第1のゲート電極と、
前記第1のゲート電極との間に前記第2の半導体領域を挟んで設けられた第2のゲート電極と、
前記第2の面と前記第1のゲート電極との間に設けられ、前記第1のゲート電極に接する第1のフィールドプレート電極と、
前記第2の面と前記第2のゲート電極との間に設けられ、前記第2のゲート電極と接する第2のフィールドプレート電極と、
少なくとも一部が前記第1のフィールドプレート電極と前記第1の半導体領域との間に設けられた第1の絶縁膜と、
少なくとも一部が前記第2のフィールドプレート電極と前記第1の半導体領域との間に設けられた第2の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜との間に位置する前記第1の半導体領域内に設けられ、前記第2の半導体領域との間に前記第1の半導体領域が位置するように設けられた第2導電型の第4の半導体領域と、
前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜との間に位置する前記第1の半導体領域内の前記第4の半導体領域と前記第2の面との間に設けられ、前記第4の半導体領域との間に前記第1の半導体領域が位置するように設けられた第2導電型の第5の半導体領域と、
前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜との間に位置する前記第1の半導体領域内の前記第5の半導体領域と前記第2の面との間に設けられ、前記第5の半導体領域との間に前記第1の半導体領域が位置するように設けられた第2導電型の第6の半導体領域と、
を備え、
前記第4の半導体領域、前記第5の半導体領域、及び、前記第6の半導体領域は、前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜の両方に接し、
前記第4の半導体領域、前記第5の半導体領域、及び、前記第6の半導体領域は、前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜の間で連続し、
前記第2の半導体領域の第2導電型の不純物の濃度は、1×10 16 cm −3 以上1×10 18 cm −3 以下であり、
前記第4の半導体領域、前記第5の半導体領域、及び、前記第6の半導体領域の第2導電型の不純物の濃度は、1×10 16 cm −3 以上1×10 18 cm −3 以下である半導体装置。 - 前記第4の半導体領域の前記第1の面に垂直な方向の幅が、前記第4の半導体領域と前記第2の半導体領域との距離よりも小さく、
前記第5の半導体領域の前記第1の面に垂直な方向の幅が、前記第5の半導体領域と前記第4の半導体領域との距離よりも小さく、
前記第6の半導体領域の前記第1の面に垂直な方向の幅が、前記第6の半導体領域と前記第5の半導体領域との距離よりも小さい請求項1記載の半導体装置。 - 前記第1のゲート電極と前記第2の半導体領域との間に設けられ、前記第1の絶縁膜よりも厚さが薄い第1のゲート絶縁膜と、
前記第2のゲート電極と前記第2の半導体領域との間に設けられ、前記第2の絶縁膜よりも厚さが薄い第2のゲート絶縁膜と、を更に備える請求項1又は請求項2記載の半導体装置。
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