JP6708305B2 - シリコンウェーハの研磨方法 - Google Patents
シリコンウェーハの研磨方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6708305B2 JP6708305B2 JP2019517872A JP2019517872A JP6708305B2 JP 6708305 B2 JP6708305 B2 JP 6708305B2 JP 2019517872 A JP2019517872 A JP 2019517872A JP 2019517872 A JP2019517872 A JP 2019517872A JP 6708305 B2 JP6708305 B2 JP 6708305B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- silicon wafer
- alkaline aqueous
- aqueous solution
- abrasive grains
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 287
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 80
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 80
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 80
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 51
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 123
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 95
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims description 53
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 47
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 36
- 239000012895 dilution Substances 0.000 claims description 34
- 238000010790 dilution Methods 0.000 claims description 34
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 claims description 23
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 claims description 19
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 12
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 11
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 10
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 10
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 claims description 6
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 claims description 5
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 claims description 5
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 claims description 4
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims description 4
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 claims description 4
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 claims description 4
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 7
- 238000007518 final polishing process Methods 0.000 description 7
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 5
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 4
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 4
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 2
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4-difluorophenoxy)pyridin-3-amine Chemical compound NC1=CC=CN=C1OC1=CC=C(F)C=C1F LCPVQAHEFVXVKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004438 BET method Methods 0.000 description 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229920005830 Polyurethane Foam Polymers 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 1
- 238000009841 combustion method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011496 polyurethane foam Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L sodium persulfate Substances [Na+].[Na+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02024—Mirror polishing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/24—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
- B24B37/245—Pads with fixed abrasives
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B1/00—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
- B24B37/0056—Control means for lapping machines or devices taking regard of the pH-value of lapping agents
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
- B24B37/044—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor characterised by the composition of the lapping agent
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
- B24B37/10—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/34—Accessories
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
- B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
- B24B37/015—Temperature control
Description
(1)表面に第1研磨パッドを設けた第1定盤と、第1研磨ヘッドを含む前段研磨ユニットを用いて、前記第1研磨パッドに第1研磨液を供給しつつ、前記第1研磨ヘッドにより保持したシリコンウェーハを前記第1研磨パッドに接触させた状態で前記第1定盤および前記シリコンウェーハを回転させることで、前記シリコンウェーハの表面を研磨する前段研磨工程と、
その後、表面に第2研磨パッドを設けた第2定盤と、第2研磨ヘッドとを含む仕上げ研磨ユニットを用いて、前記第2研磨パッドに第2研磨液を供給しつつ、前記第2研磨ヘッドにより保持した前記シリコンウェーハを前記第2研磨パッドに接触させた状態で前記第2定盤および前記シリコンウェーハを回転させることで、前記シリコンウェーハの表面をさらに研磨する仕上げ研磨工程と、
を最終研磨工程として行うシリコンウェーハの研磨方法であって、
前記前段研磨工程では、前記第1の研磨液として、まずは、密度が1×1014個/cm3以上の砥粒を含む第1アルカリ水溶液を供給し、その後、水溶性高分子と、密度が5×1013個/cm3以下の砥粒とを含む第2アルカリ水溶液を供給することに切り替え、
前記前段研磨工程の後、前記シリコンウェーハを前記第1研磨ヘッドから取り外し、前記シリコンウェーハの表面に水を供給しつつ前記仕上げ研磨ユニットへ搬送し、前記第2の研磨ヘッドに取り付け、
前記仕上げ研磨工程では、前記第2の研磨液として、水溶性高分子と、密度が5×1013個/cm3以下の砥粒とを含む第3アルカリ水溶液を供給する
ことを特徴とするシリコンウェーハの研磨方法。
調製した前記第3アルカリ水溶液を前記希釈タンクと連通した配管設備で前記仕上げ研磨ユニットに供給し、
さらに、前記希釈タンク内の前記第3アルカリ水溶液がなくなる前に、新たに前記アルカリ原液と前記純水とを前記希釈タンクに投入して、新たな前記第3アルカリ水溶液を調製する、上記(1)〜(3)のいずれか一項に記載のシリコンウェーハの研磨方法。
前記第2および第3アルカリ水溶液はアンモニアを含有する、上記(1)〜(7)のいずれか一項に記載のシリコンウェーハの研磨方法。
(1)第2アルカリ水溶液は、第1アルカリ水溶液よりも砥粒が少ないため、前段研磨ユニットから仕上げ研磨ユニットへの水中搬送中に、ウェーハ表面に残存した砥粒の凝集が起きにくい。
(2)第2アルカリ水溶液に含まれている水溶性高分子が、水中搬送中のウェーハ表面を保護するため、水中搬送中にウェーハ表面に残存した砥粒の凝集が起きにくい。
(3)仕上げ研磨を開始する際に、ウェーハ表面に残存している液(第2アルカリ水溶液)の組成と、供給する第2研磨液(第3アルカリ水溶液と)の組成とが近いため、ウェーハ表面で第2研磨液のpHが変動しにくいため、砥粒の凝集が起きにくい。
(4)第2アルカリ水溶液には、第1アルカリ水溶液中よりも少ないとは言え、砥粒が含まれていることが肝要である。前段研磨で用いる第1アルカリ水溶液中の砥粒濃度は高いため、砥粒が凝集、ウェーハ付着し易い。ここで、仮に第2アルカリ水溶液が、特許文献2に記載の保護膜形成用液のように、砥粒を含まず、水溶性高分子のみを含むものであった場合、ウェーハ表面に水溶性高分子の保護膜が形成されるが、これだけではウェーハに付着した砥粒を十分に除去することができない。本実施形態では、第2アルカリ水溶液中の砥粒が、前段研磨中にウェーハ表面に凝集、付着した砥粒を除去するため、その後の搬送や、仕上げ研磨開始の段階でウェーハ表面に付着している砥粒が少なくなる。この観点からも、既述のように、第2アルカリ水溶液中の砥粒の密度は2×1013個/cm3以上とすることが好ましい。
定法に従って両面研磨後の洗浄まで行った直径300mmのシリコンウェーハ25枚を、以下の条件にて最終研磨工程に供した。前段研磨工程では、第1の研磨液として、水溶性高分子を含まず、アルカリとしてTMAHを含み、密度が2.5×1014個/cm3の砥粒(平均一次粒径35nmのSiO2粒子)を含む第1アルカリ水溶液を供給した。この第1アルカリ水溶液におけるシリコンに対する研磨レートは200nm/分である。研磨時間は300秒とした。
以下の点を除いて、上記比較例1と同じ条件でシリコンウェーハの研磨を行い、PIDおよび段差の低いスクラッチの評価を行った。すなわち、本発明例1では、前段研磨工程において、上記第1アルカリ水溶液を供した300秒の研磨を行った後、研磨液の供給を上記第3アルカリ水溶液と同じ仕様の第2アルカリ水溶液に切り替えて、さらに30秒の研磨を行った。
以下の点を除いて、上記発明例1と同じ条件でシリコンウェーハの研磨を行い、PIDおよび段差の低いスクラッチの評価を行った。すなわち、本比較例2では、第2アルカリ水溶液として、砥粒を含まない点以外は上記第3のアルカリ水溶液と同じ仕様のアルカリ水溶液を用いた。
以下の点を除いて、上記発明例1と同じ条件でシリコンウェーハの研磨を行い、PIDおよび段差の低いスクラッチの評価を行った。すなわち、本発明例2では、仕上げ研磨工程での第2の研磨液の供給方法としては、希釈タンク内の第3アルカリ水溶液がなくなる前(具体的には第3アルカリ水溶液が希釈タンクの容積の20%残っているタイミング)に、新たにアルカリ原液と純水を希釈タンク内に投入、混合して、新たな研磨液を調製した。
各ウェーハの表面を、レーザーパーティクルカウンタ(KLA Tencor社製、SP2)で測定し、サイズが35nm以上でLPD−Nに分類される欠陥をPIDと認定し、その個数をカウントした。25枚の平均で、比較例1は3個、比較例2は3個、発明例1は2個、発明例2は1個であった。このように、比較例1,2、発明例1,2全てでPIDの発生は十分に抑制できていた。
各ウェーハの表面を、レーザーパーティクルカウンタ(KLA Tencor社製、SP3)のNormalモードで測定し、サイズが36nm以上の欠陥として検出されるLPDにより、ウェーハ面内のマップを作成し、その際に、図3に見られるように検出される欠陥が連なり、長い線状に観察されているものを薄いスクラッチとして評価した。なお、図3(A)〜(D)は、25枚のウェーハのLPDマップを重ね合わせたものである。比較例1では、25枚中15枚でスクラッチが発生し、図3(A)から明らかなように、長いものでウェーハの半径に近い140mm程度の長さであった。比較例2でも、25枚中10枚でスクラッチが発生した。これに対し、発明例1では、25枚中10枚でスクラッチが発生し、比較例1,2に比べてスクラッチはかなり低減され、しかも、検出されたスクラッチの長さは比較例1,2と比べて非常に短かった。発明例2では、25枚中スクラッチが発生したものはなかった。
14 原液用配管
16 純水用配管
18 供給用配管
Claims (9)
- シリコンウェーハに粗研磨工程としての両面研磨工程を行い、その後、
表面に第1研磨パッドを設けた第1定盤と、第1研磨ヘッドとを含む前段研磨ユニットを用いて、前記第1研磨パッドに第1研磨液を供給しつつ、前記第1研磨ヘッドにより保持した前記シリコンウェーハを前記第1研磨パッドに接触させた状態で前記第1定盤および前記シリコンウェーハを回転させることで、前記シリコンウェーハの表面を研磨する前段研磨工程と、
その後、表面に第2研磨パッドを設けた第2定盤と、第2研磨ヘッドとを含む仕上げ研磨ユニットを用いて、前記第2研磨パッドに第2研磨液を供給しつつ、前記第2研磨ヘッドにより保持した前記シリコンウェーハを前記第2研磨パッドに接触させた状態で前記第2定盤および前記シリコンウェーハを回転させることで、前記シリコンウェーハの表面をさらに研磨する仕上げ研磨工程と、
を最終研磨工程として行うシリコンウェーハの研磨方法であって、
前記前段研磨工程では、前記第1研磨液として、まずは、密度が1×1014個/cm3以上の砥粒を含む第1アルカリ水溶液を供給して、研磨レートが100〜300nm/分の研磨を行い、その後、水溶性高分子と、密度が5×1013個/cm3以下の砥粒とを含む第2アルカリ水溶液を供給することに切り替えて、研磨レートが5〜20nm/分の研磨を行い、
前記前段研磨工程の後、前記シリコンウェーハを前記第1研磨ヘッドから取り外し、前記シリコンウェーハの表面に水を供給しつつ前記仕上げ研磨ユニットへ搬送し、前記第2研磨ヘッドに取り付け、
前記仕上げ研磨工程では、前記第2研磨液として、水溶性高分子と、密度が5×1013個/cm3以下の砥粒とを含む第3アルカリ水溶液を供給して、研磨レートが5〜20nm/分の研磨を行う
ことを特徴とするシリコンウェーハの研磨方法。 - 前記前段研磨工程では、当該工程での目標研磨量を達成する研磨時間を経過した後に、前記第1アルカリ水溶液から前記第2アルカリ水溶液に供給を切り替える、請求項1に記載のシリコンウェーハの研磨方法。
- 前記前段研磨工程において、前記第2アルカリ水溶液を供給する期間を10秒以上とする、請求項1または2に記載のシリコンウェーハの研磨方法。
- 前記仕上げ研磨工程では、希釈タンクにて、前記水溶性高分子と前記砥粒とを含むアルカリ原液と、純水とを混合して、前記第3アルカリ水溶液を調製し、
調製した前記第3アルカリ水溶液を前記希釈タンクと連通した配管設備で前記仕上げ研磨ユニットに供給し、
さらに、前記希釈タンク内の前記第3アルカリ水溶液がなくなる前に、新たに前記アルカリ原液と前記純水とを前記希釈タンクに投入して、新たな前記第3アルカリ水溶液を調製する、請求項1〜3のいずれか一項に記載のシリコンウェーハの研磨方法。 - 前記第3アルカリ水溶液が前記希釈タンクの容積の10%以上残っている時に、新たに前記アルカリ原液と前記純水とを前記希釈タンクに投入する、請求項4に記載のシリコンウェーハの研磨方法。
- 前記第1乃至第3アルカリ水溶液において、前記砥粒の平均一次粒径が10〜70nmの範囲である、請求項1〜5のいずれか一項に記載のシリコンウェーハの研磨方法。
- 前記第1乃至第3アルカリ水溶液において、前記砥粒がSiO2粒子を含む、請求項1〜6のいずれか一項に記載のシリコンウェーハの研磨方法。
- 前記第1アルカリ水溶液は、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化テトラメチルアンモニウム、および水酸化テトラエチルアンモニウムから選択される1種以上のアルカリを含有し、
前記第2および第3アルカリ水溶液はアンモニアを含有する、請求項1〜7のいずれか一項に記載のシリコンウェーハの研磨方法。 - 前記第2および第3アルカリ水溶液において、前記水溶性高分子は、ヒドロキシエチルセルロース、ポリエチレングリコール、およびポリプロピレングリコールから選択される1種以上である、請求項1〜8のいずれか一項に記載のシリコンウェーハの研磨方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2017/037596 WO2019077687A1 (ja) | 2017-10-17 | 2017-10-17 | シリコンウェーハの研磨方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019077687A1 JPWO2019077687A1 (ja) | 2019-11-14 |
JP6708305B2 true JP6708305B2 (ja) | 2020-06-10 |
Family
ID=66173587
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019517872A Active JP6708305B2 (ja) | 2017-10-17 | 2017-10-17 | シリコンウェーハの研磨方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11890719B2 (ja) |
JP (1) | JP6708305B2 (ja) |
KR (1) | KR102332264B1 (ja) |
CN (1) | CN110800085B (ja) |
DE (1) | DE112017007930T5 (ja) |
SG (1) | SG11201908968QA (ja) |
TW (1) | TWI742304B (ja) |
WO (1) | WO2019077687A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6635088B2 (ja) * | 2017-04-24 | 2020-01-22 | 信越半導体株式会社 | シリコンウエーハの研磨方法 |
CN111300167B (zh) * | 2020-03-09 | 2021-04-20 | 大连理工大学 | 一种薄壁复杂结构单晶金刚石惯导器件的超精密加工方法 |
JP7040591B1 (ja) * | 2020-12-16 | 2022-03-23 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの研磨方法及びシリコンウェーハの製造方法 |
JPWO2022209758A1 (ja) * | 2021-03-30 | 2022-10-06 | ||
JP2023167038A (ja) * | 2022-05-11 | 2023-11-24 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨方法 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09102475A (ja) * | 1995-10-03 | 1997-04-15 | Hitachi Ltd | 研磨装置 |
JPH11140427A (ja) * | 1997-11-13 | 1999-05-25 | Kobe Steel Ltd | 研磨液および研磨方法 |
DE102007037964A1 (de) * | 2007-08-11 | 2009-02-12 | Peter Wolters Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren einer Oberfläche eines Werkstücks, insbesondere eines Halbleiterwafers |
JP5444596B2 (ja) * | 2007-08-31 | 2014-03-19 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP5297695B2 (ja) * | 2008-05-30 | 2013-09-25 | Sumco Techxiv株式会社 | スラリー供給装置及び同装置を用いる半導体ウェーハの研磨方法 |
WO2010140671A1 (ja) | 2009-06-05 | 2010-12-09 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの研磨方法及びシリコンウェーハ |
JP5493956B2 (ja) | 2010-02-10 | 2014-05-14 | 株式会社Sumco | 半導体ウェーハの製造方法 |
DE112011102297B4 (de) * | 2010-07-08 | 2020-10-08 | Sumco Corporation | Verfahren zum Polieren von Siliziumwafern |
JP5930196B2 (ja) | 2012-06-25 | 2016-06-08 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
JP5888280B2 (ja) * | 2013-04-18 | 2016-03-16 | 信越半導体株式会社 | シリコンウエーハの研磨方法およびエピタキシャルウエーハの製造方法 |
JP6160579B2 (ja) * | 2014-08-05 | 2017-07-12 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハの仕上げ研磨方法 |
JP6206360B2 (ja) * | 2014-08-29 | 2017-10-04 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの研磨方法 |
CN112091809B (zh) * | 2014-10-03 | 2022-11-29 | 株式会社荏原制作所 | 处理组件及处理方法 |
EP3258483A4 (en) * | 2015-02-12 | 2018-02-28 | Fujimi Incorporated | Method for polishing silicon wafer and surface treatment composition |
US10864612B2 (en) * | 2016-12-14 | 2020-12-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Polishing pad and method of using |
WO2019043895A1 (ja) * | 2017-08-31 | 2019-03-07 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの両面研磨方法 |
US11244834B2 (en) * | 2018-07-31 | 2022-02-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Slurry recycling for chemical mechanical polishing system |
JP2022148020A (ja) * | 2021-03-24 | 2022-10-06 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物、研磨方法および半導体基板の製造方法 |
-
2017
- 2017-10-17 DE DE112017007930.6T patent/DE112017007930T5/de active Pending
- 2017-10-17 KR KR1020197024136A patent/KR102332264B1/ko active IP Right Grant
- 2017-10-17 WO PCT/JP2017/037596 patent/WO2019077687A1/ja active Application Filing
- 2017-10-17 SG SG11201908968Q patent/SG11201908968QA/en unknown
- 2017-10-17 CN CN201780090843.7A patent/CN110800085B/zh active Active
- 2017-10-17 US US16/607,941 patent/US11890719B2/en active Active
- 2017-10-17 JP JP2019517872A patent/JP6708305B2/ja active Active
-
2018
- 2018-08-28 TW TW107129937A patent/TWI742304B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20200306922A1 (en) | 2020-10-01 |
US11890719B2 (en) | 2024-02-06 |
TW201916975A (zh) | 2019-05-01 |
JPWO2019077687A1 (ja) | 2019-11-14 |
KR102332264B1 (ko) | 2021-11-26 |
CN110800085A (zh) | 2020-02-14 |
WO2019077687A1 (ja) | 2019-04-25 |
DE112017007930T5 (de) | 2020-05-28 |
KR20190103422A (ko) | 2019-09-04 |
TWI742304B (zh) | 2021-10-11 |
CN110800085B (zh) | 2023-08-15 |
SG11201908968QA (en) | 2019-10-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6708305B2 (ja) | シリコンウェーハの研磨方法 | |
EP2444996B1 (en) | Polishing liquid composition for silicon wafers | |
KR101277342B1 (ko) | 반도체 기판용 연마액 및 반도체 기판의 연마 방법 | |
TW201629183A (zh) | 研磨用組成物 | |
JP5493956B2 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
KR20130014588A (ko) | 실리콘 웨이퍼의 연마 방법 | |
JP2009231486A (ja) | シリコンウエハ用研磨液組成物 | |
TWI758249B (zh) | 研磨方法及組成調整劑 | |
WO2017126268A1 (ja) | 研磨用組成物及びシリコン基板の研磨方法 | |
TW201710462A (zh) | 研磨用組成物 | |
TW201708492A (zh) | 研磨用組成物及矽基板之研磨方法 | |
JP2023065426A (ja) | 基板の研磨方法および研磨用組成物セット | |
JP2017183359A (ja) | シリコン基板の研磨方法および研磨用組成物セット | |
US11170988B2 (en) | Method of double-side polishing silicon wafer | |
JP5736681B2 (ja) | 研磨液及び磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 | |
JP3668647B2 (ja) | 半導体ウエハ基板の再生法および半導体ウエハ基板再生用研磨液 | |
TW201737334A (zh) | 矽基板之研磨方法及研磨用組成物套組 | |
TW201742138A (zh) | 研磨用組成物套組、前研磨用組成物及矽晶圓之研磨方法 | |
JPWO2019043890A1 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JP2017183478A (ja) | シリコンウェーハの研磨方法及び研磨用組成物セット | |
TW202116965A (zh) | 研磨用組成物 | |
CN114450376B (zh) | 研磨用组合物 | |
JP2013110253A (ja) | 半導体基板用研磨液及び半導体基板の研磨方法 | |
US20240025008A1 (en) | Method of polishing silicon wafer and method of producing silicon wafer | |
JP2016207875A (ja) | 研磨方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190401 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191217 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200217 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200421 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200504 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6708305 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |