JP6703249B2 - 記憶装置 - Google Patents
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Description
不揮発性記憶素子と、
前記不揮発性記憶素子に接続され、前記不揮発性記憶素子に記憶対象データを書き込む書き込み回路と、
前記不揮発性記憶素子毎に配置され、前記不揮発性記憶素子よりもデータ書き換え時間が短く、前記不揮発性記憶素子の記憶データに対応するデータを記憶して出力する出力回路と、
を備え、
前記不揮発性記憶素子は、抵抗変化型素子から構成され、
前記書き込み回路は、電流路が直列に接続され、記憶対象データに従って相補的に動作する第1のスイッチ素子と第2のスイッチ素子と、電流路が直列に接続され、前記出力回路の出力データに従って相補的に動作する第3のスイッチ素子と第4のスイッチ素子と、前記第1のスイッチ素子と前記第2のスイッチ素子との接続点の電圧に従って動作し、電流路の一端が前記第3のスイッチ素子と前記第4のスイッチ素子の接続点に接続された第5のスイッチ素子と、から構成され、
前記抵抗変化型素子の一端は、前記第1のスイッチ素子と前記第2のスイッチ素子の接続点に接続され、
前記抵抗変化型素子の他端は、前記第3のスイッチ素子と前記第4のスイッチ素子の接続点に接続されており、
前記出力回路は、前記抵抗変化型素子の他端の電圧に応じたデータを出力する。
各組の書き込み回路は、記憶対象データと他の組の出力回路の出力データとに基づいて、前記不揮発性記憶素子に記憶対象データを書き込む、ように構成してもよい。
前記複数の組みは互いに同一の構成を有してもよい。
例えば、前記書き込み回路は、前記不揮発性記憶素子への書き込みが終了すると、書き込み電流を停止する、構成でもよい。
また、例えば、前記書き込み回路が、前記不揮発性記憶素子にデータを書き込んでいる間、前記出力回路は従前の記憶データを維持する、構成でもよい。
例えば、前記書き込み回路が、前記不揮発性記憶素子へのデータの書き込みを終了すると、前記出力回路は、前記不揮発性記憶素子の新たな記憶データに対応するデータを記憶して出力する、構成でもよい。
例えば、前記出力回路は、インバータとトランジスタ回路とを備え、データを安定的に記憶して出力する記憶素子を有する、構成でもよい。
記憶装置は、単一の磁気抵抗効果素子から構成された不揮発性記憶素子と、前記不揮発性記憶素子に接続され、前記不揮発性記憶素子に記憶対象データを書き込む書き込み回路と、前記不揮発性記憶素子毎に配置され、前記不揮発性記憶素子よりもデータ書き換え時間が短く、前記不揮発性記憶素子の記憶データに対応するデータを記憶して出力し、前記不揮発正記憶素子の記憶データの変化に伴って記憶データが変化する出力回路と、を備える構成でもよい。
ここで、前記書き込み回路は、前記不揮発性記憶素子の一端と他端に接続され、前記不揮発性記憶素子に流す電流を制御することにより記憶対象データを書き込み、前記不揮発性記憶素子の他端は、前記出力回路の入力端に信号線を介して直接接続されていることが望ましい。
(実施の形態1)
本実施の形態に係る記憶装置を、C素子を例に説明する。
このC素子11は、2つの入力端子AとBと1つの出力端子とを有し、図2の真理値表に示す入出力特性を有する。
このMTJ素子M1とM2の高抵抗状態と低抵抗状態との一方にビットデータの「1」を、他方に「0」を割り当てることにより、MTJ素子M1、M2にビットデータを記憶させることができる。
そして、インバータIV12とIV22は、それぞれ、MTJ素子M1とM2の高抵抗状態と低抵抗状態に対応するビットデータを記憶・保持し、出力する揮発性の記憶回路として機能する。
Vd・(RN13+Rap)/(RN13+Rap+RP15)>Vth12 ・・・(1)
Vd・(RN13+Rp)/(RN13+Rp+RP15)<Vth12 ・・・(2)
Vd・RN13/(RN13+Rap+RP15)<Vth11 ・・・(3)
IMTJ=Vd/(RN13+Rap+RP15)>Iap→p ・・・(4)
Vd・(RN14+Rp)/(RN14+Rp+RP13)<Vth11 ・・・(5)
Vd・(RN14+Rap)/(RN14+Rap+RP13)>Vth11 ・・・(6)
Vd・RN14/(RN14+Rp+RP13)>Vth12 ・・・(7)
Vd・RN14/(RN14+RP14)<Vth12 ・・・(8)
Vd/(RP13+Rp+RN14)>|Ip→ap| ・・・(9)
MTJ素子M1とM2は、不揮発性記憶素子の一態様である。PトランジスタP13、P14、P15、P23、P24、P25、NトランジスタN13、N14、インバータIV11、N23、N24、インバータIV21は、不揮発性記憶素子M1とM2に記憶対象データを書き込む書き込み回路として機能する。また、インバータIV12、PトランジスタP15、NトランジスタN14、インバータIV22、PトランジスタP25、NトランジスタN24は、不揮発性記憶素子M1、M2よりもデータ書き換え時間が短く、不揮発性記憶素子M1、M2の記憶データに対応するデータを記憶して出力する出力回路として機能する。
前提として、インバータIV12の出力信号OUT1とインバータIV22の出力信号OUT2が共にLレベル、MTJ素子M1とM2が高抵抗状態で、その抵抗値がRapであるとする。なお、出力信号OUT1とOUT2がLレベルであるため、PトランジスタP15とP25はオン、NトランジスタN14とN24はオフしている。
一方、出力信号IN0=IN1がHレベルとなることにより、PトランジスタP13がオフし、NトランジスタN13がオンする。このため、PトランジスタP13とNトランジスタN13とMTJ素子M1の接続ノードLMU1の電圧VLMU1は、(3)式の左辺に示す値となる。(3)式が成立しているため、図4(c)に示すように、ノードLMU1の電圧VLMU1は、インバータIV11の閾値電圧Vth11より低くなる。従って、インバータIV11の出力はHレベルとなり、PトランジスタP14はオフを維持する。
従って、図4(f)に示すように、書き換え電流+IMTJは遮断され、電流は流れなくなる。換言すると、MTJ素子M1の記憶データの書き換えが完了すると、書き換え電流+IMTJは自動的に流れなくなる。
これにより、インバータIV12とPトランジスタP15とNトランジスタN14とは、共同して、MTJ素子M1の記憶データを安定的に記憶し、出力する。
このとき、ノアゲート211の出力IN0とナンドゲート212の出力IN1は、図4(b)に示すように、共にLレベルとなる。この場合、PトランジスタP12はオフ、NトランジスタN12はオンとなる。出力信号OUT2がLレベルのため、PトランジスタP11はオン、NトランジスタN12はオフである。このため、第1の状態維持回路22は、ノードN1を電気的に絶縁する状態となる。
これにより、ノードLMU1とRMU1の電圧が同電位となり、PトランジスタP14がオフし、回路は安定する。
この状態では、ノアゲート211の出力IN0はLレベル、ナンドゲート212の出力IN1はHレベルである。従って、PトランジスタP11とP12とP13はオフ、NトランジスタN12とN12はオン、N13はオフである。ノードLMU1はLレベルとなる。NトランジスタN14がインバータIV12の出力OUT1によりオンしているため、ノードRMU1もLレベルである。
出力OUT2は、第1の状態維持回路22のPトランジスタP11とNトランジスタN12に伝わる。PトランジスタP11とP12がオンし、NトランジスタN12がオフした状態に変化する。
ため、PトランジスタP11がオフし、NトランジスタN12がオンし、MTJ素子M1への書き換え電流の供給は停止する。
前提として、OUT1=OUT2=Hレベルとし、入力A=1,B=0と仮定する。この状態では、RMTJ=Rpである。
ここで、図5(b)に示すように、入力Bに粒子衝突による電圧の変化が発生したと仮定する。
この状態では、本来、ノアゲート211の出力IN0はLレベル、ナンドゲート212の出力IN1はHレベルであるが、粒子衝突による電圧の変化により、IN0=IN1=Hレベルに変化する。
前提として、OUT1=OUT2=Hレベルとし、入力A=1,B=0と仮定する。この状態では、RMTJ=Rpである。
ここで、第2の記憶回路25の出力OUT2がローレベルに変化したとする。
しかし、入力の変化に応答して、第1の状態維持回路22と第1の記憶回路24は、MTJ素子M1の記憶データを書き換えるように書き換え電流を流す。しかし、データの書き換えには書き込み時間TW2がかかるため、その間に、粒子衝突により発生した電荷が拡散し、OUT2=Lレベルに復帰してしまう。このため、MTJ素子M1とM2への書き込みは中断する。このため、インバータIV12の出力OUT1とインバータIV22の出力OUT2に小さな変化が起きるのみで、最終出力OUTは変動しない。
複数組の状態維持回路と記憶回路の構成は互いに同一である必要ない。回路動作が互いに同一となるならば、回路構成や特性は互いに異なってもよい。
ここでは、注入された電荷による電流は台形波形状とし、継続時間100ps、上昇期間10ps、下降期間は80psと仮定した。
また、最終出力OUTは「1」、入力AとBは異なると値であると仮定する。
21 論理回路
22 第1の状態維持回路
23 第2の状態維持回路
24 第1の記憶回路
25 第2の記憶回路
26 決定回路
Claims (14)
- 不揮発性記憶素子と、
前記不揮発性記憶素子に接続され、前記不揮発性記憶素子に記憶対象データを書き込む書き込み回路と、
前記不揮発性記憶素子毎に配置され、前記不揮発性記憶素子よりもデータ書き換え時間が短く、前記不揮発性記憶素子の記憶データに対応するデータを記憶して出力する出力回路と、
を備え、
前記不揮発性記憶素子は、抵抗変化型素子から構成され、
前記書き込み回路は、
電流路が直列に接続され、記憶対象データに従って相補的に動作する第1のスイッチ素子と第2のスイッチ素子と、
電流路が直列に接続され、前記出力回路の出力データに従って相補的に動作する第3のスイッチ素子と第4のスイッチ素子と、
前記第1のスイッチ素子と前記第2のスイッチ素子との接続点の電圧に従って動作し、電流路の一端が前記第3のスイッチ素子と前記第4のスイッチ素子の接続点に接続された第5のスイッチ素子と、から構成され、
前記抵抗変化型素子の一端は、前記第1のスイッチ素子と前記第2のスイッチ素子の接続点に接続され、
前記抵抗変化型素子の他端は、前記第3のスイッチ素子と前記第4のスイッチ素子の接続点に接続されており、
前記出力回路は、前記抵抗変化型素子の他端の電圧に応じたデータを出力する、
記憶装置。 - 記憶対象データが第1のデータのとき、前記第2のスイッチ素子と前記第3のスイッチ素子とがオンして、前記抵抗変化型素子の記憶データを書き換えるために第1の方向に書き換え電流を流し、該抵抗変化型素子の抵抗状態の変化に伴う電圧の変動に応答して、前記出力回路の出力データが変化することにより、前記第3のスイッチ素子をオフすることにより、前記書き換え電流を遮断し、
記憶対象データが第2のデータのとき、前記第1のスイッチ素子と前記第4のスイッチ素子とがオンして、前記抵抗変化型素子の記憶データを書き換えるために第2の方向に書き換え電流を流し、該抵抗変化型素子の抵抗状態の変化に伴う電圧の変動に応答して、前記第5のスイッチ素子がオンして、前記書き換え電流を遮断する、
請求項1に記載の記憶装置。 - 前記第1と第3のスイッチ素子は、PチャネルMOSトランジスタから構成され、
前記第2と第4のスイッチ素子は、NチャネルMOSトランジスタから構成され、
前記第5のスイッチ素子は、入力端が前記第1と第2のスイッチ素子の接続点に接続された第1のインバータ回路と、ゲートが前記第1のインバータ回路の出力端に接続されたPチャネルMOSトランジスタから構成され、
前記出力回路は、入力端が前記第3と第4のスイッチ素子の接続点に接続され、出力端が前記第3と第4のスイッチ素子を構成するMOSトランジスタのゲートに接続されたインバータ回路から構成される、
請求項1又は2に記載の記憶装置。 - 抵抗変化型素子から構成された不揮発性記憶素子と、前記不揮発性記憶素子に接続され、前記不揮発性記憶素子に記憶対象データを書き込む書き込み回路と、前記不揮発性記憶素子毎に配置され、前記不揮発性記憶素子よりもデータ書き換え時間が短く、前記不揮発性記憶素子の記憶データに対応するデータを記憶して出力する出力回路と、を備える組を複数組備え、
各組の書き込み回路は、記憶対象データと他の組の出力回路の出力データとに基づいて、前記不揮発性記憶素子に記憶対象データを書き込む、
記憶装置。 - 前記複数の組みは互いに同一の構成を有する、
請求項4に記載の記憶装置。 - 前記複数組の出力回路の出力データから、最終出力データを決定して出力する決定回路をさらに備える、
請求項4又は5に記載の記憶装置。 - 前記書き込み回路は、複数ビットの入力データと他の組の出力回路の出力データとを受け、入力データの組み合わせに基づいて、入力データを前記不揮発性記憶素子に書き込む状態と、前記不揮発性記憶素子の記憶データを維持させる状態とを切り替える、
請求項4、5又は6に記載の記憶装置。 - 前記書き込み回路は、
2ビットのデータを入力し、2ビットのデータが互いに等しいときには、その等しいデータに対応するデータを前記不揮発性記憶素子に書き込み、
2ビットのデータが互いに異なるときには、前記不揮発性記憶素子への書き込みを行わず、従前の記憶データを維持させる、
請求項1ないし7の何れか1項に記載の記憶装置。 - 前記書き込み回路は、前記不揮発性記憶素子への書き込みが終了すると、書き込み電流を停止する、
請求項1ないし8の何れか1項に記載の記憶装置。 - 前記書き込み回路が、前記不揮発性記憶素子にデータを書き込んでいる間、前記出力回路は従前の記憶データを維持する、
請求項1ないし9の何れか1項に記載の記憶装置。 - 前記書き込み回路が、前記不揮発性記憶素子へのデータの書き込みを終了すると、前記出力回路は、前記不揮発性記憶素子の新たな記憶データに対応するデータを記憶して出力する、
請求項1ないし10の何れか1項に記載の記憶装置。 - 前記出力回路は、インバータとトランジスタ回路とを備え、データを安定的に記憶して出力する記憶素子を有する、
請求項1ないし11の何れか1項に記載の記憶装置。 - 単一の磁気抵抗効果素子から構成された不揮発性記憶素子と、
前記不揮発性記憶素子に接続され、前記不揮発性記憶素子に記憶対象データを書き込む書き込み回路と、
前記不揮発性記憶素子毎に配置され、前記不揮発性記憶素子よりもデータ書き換え時間が短く、前記不揮発性記憶素子の記憶データに対応するデータを記憶して出力し、前記不揮発性記憶素子の記憶データの変化に伴って記憶データが変化する出力回路と、
を備える記憶装置。 - 前記書き込み回路は、前記不揮発性記憶素子の一端と他端に接続され、前記不揮発性記憶素子に流す電流を制御することにより記憶対象データを書き込み、
前記不揮発性記憶素子の他端は、前記出力回路の入力端に信号線を介して直接接続されている、
請求項13に記載の記憶装置。
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