JP6701950B2 - 給電制御装置、給電制御方法及びコンピュータプログラム - Google Patents

Description

本発明は、給電制御装置、給電制御方法及びコンピュータプログラムに関する。

車両には、バッテリから負荷への給電経路に設けられたスイッチをオン又はオフに切替えることによって、バッテリから負荷への給電を制御する給電制御装置（例えば、特許文献１を参照）が搭載されている。

特許文献１に記載の給電制御装置では、バッテリから負荷への給電経路に、半導体スイッチ及びリレー接点の並列回路が設けられている。負荷への給電を開始する場合、半導体スイッチをオンに切替えた後、リレー接点をオンに切替える。その後、半導体スイッチをオフに切替える。負荷への給電を停止する場合、半導体スイッチをオンに切替えた後、リレー接点をオフに切替える。その後、半導体スイッチをオフに切替える。

特許第５６６９０８６号公報

特許文献１に記載の給電制御装置では、負荷に給電する場合にリレー接点をオフからオンに切替え、負荷への給電を停止する場合にリレー接点をオンからオフに切替える。このため、リレー接点では、オン又はオフへの切替えが頻繁に行われる。

リレー接点は、ＮＯ(Normally Open)端子と、ＣＯＭ(Common)端子と、ＣＯＭ端子に端部が接続されている棒状の導体とを有する。導体をＮＯ端子に接触させることによって、リレー接点をオフからオンに切替え、導体をＮＯ端子から離すことによって、リレー接点をオンからオフに切替える。このように、リレー接点では、導体を物理的に移動させることによってリレー接点をオン又はオフに切替えるので、オン又はオフへの切替え回数が制限される。従って、オン又はオフへの切替え回数が所定回数、例えば３万回を超えた場合、リレー接点を交換する必要がある。
特許文献１に記載の給電制御装置では、リレー接点がオン又はオフへ頻繁に切替えられるため、短い時間間隔でリレー接点を交換しなければならないという問題がある。

本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、リレー接点のオン又はオフへの切替え頻度が低い給電制御装置、給電制御方法及びコンピュータプログラムを提供することにある。

本発明の一態様に係る給電制御装置は、半導体スイッチを有するスイッチ回路と、該スイッチ回路に並列に接続されたリレー接点とを介した給電を制御する給電制御装置であって、前記半導体スイッチがオンであり、かつ、前記リレー接点がオフである場合にて前記スイッチ回路のスイッチ温度が第１閾値以上であるか否かを判定する第１判定部と、該第１判定部によって前記スイッチ温度が前記第１閾値以上であると判定された場合に、前記リレー接点をオンに切替えて前記半導体スイッチをオフに切替える第１切替え部と、前記半導体スイッチがオフであり、かつ、前記リレー接点がオンである場合にて前記スイッチ温度が、前記第１閾値以下である第２閾値未満であるか否かを判定する第２判定部と、該第２判定部によって前記スイッチ温度が前記第２閾値未満であると判定された場合に、前記半導体スイッチをオンに切替えて前記リレー接点をオフに切替える第２切替え部とを備える。

本発明の一態様に係る給電制御方法は、半導体スイッチを有するスイッチ回路と、該スイッチ回路に並列に接続されたリレー接点とを介した給電を制御する給電制御方法であって、前記半導体スイッチがオンであり、かつ、前記リレー接点がオフである場合にて前記スイッチ回路のスイッチ温度が第１閾値以上であるか否かを判定するステップと、前記スイッチ温度が前記第１閾値以上であると判定された場合に、前記リレー接点をオンに切替えて、前記半導体スイッチをオフに切替えるステップと、前記半導体スイッチがオフであり、かつ、前記リレー接点がオンである場合にて前記スイッチ温度が、前記第１閾値以下である第２閾値未満であるか否かを判定するステップと、前記スイッチ温度が前記第２閾値未満であると判定された場合に、前記半導体スイッチをオンに切替えて、前記リレー接点をオフに切替えるステップとを含む。

本発明の一態様に係るコンピュータプログラムは、半導体スイッチを有するスイッチ回路と、該スイッチ回路に並列に接続されたリレー接点とを介した給電をコンピュータに制御させるコンピュータプログラムであって、前記コンピュータに、前記半導体スイッチがオンであり、かつ、前記リレー接点がオフである場合にて前記スイッチ回路のスイッチ温度が第１閾値以上であるか否かを判定するステップと、前記スイッチ温度が前記第１閾値以上であると判定された場合に、前記リレー接点をオンに切替えて、前記半導体スイッチをオフに切替えるステップと、前記半導体スイッチがオフであり、かつ、前記リレー接点がオンである場合にて前記スイッチ温度が、前記第１閾値以下である第２閾値未満であるか否かを判定するステップと、前記スイッチ温度が前記第２閾値未満であると判定された場合に、前記半導体スイッチをオンに切替えて、前記リレー接点をオフに切替えるステップとを実行させる。

なお、本発明を、このような特徴的な処理部を備える給電制御装置として実現することができるだけでなく、かかる特徴的な処理をステップとする給電制御方法として実現したり、かかるステップをコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラムとして実現したりすることができる。また、本発明を、給電制御装置の一部又は全部を実現する半導体集積回路として実現したり、給電制御装置を含む給電制御システムとして実現したりすることができる。

上記の態様によれば、リレー接点のオン又はオフへの切替え頻度が低い。

実施形態１における電源システムの要部構成を示すブロック図である。 状態フラグを説明するための図表である。 負荷制御処理の手順を示すフローチャートである。 変更処理の手順を示すフローチャートである。 実施形態２における電源システムの要部構成を示すブロック図である。 温度更新処理の手順を示すフローチャートである。 変更処理の手順を示すフローチャートである。

［本発明の実施形態の説明］
最初に本発明の実施態様を列挙して説明する。以下に記載する実施形態の少なくとも一部を任意に組み合わせてもよい。

（１）本発明の一態様に係る給電制御装置は、半導体スイッチを有するスイッチ回路と、該スイッチ回路に並列に接続されたリレー接点とを介した給電を制御する給電制御装置であって、前記半導体スイッチがオンであり、かつ、前記リレー接点がオフである場合にて前記スイッチ回路のスイッチ温度が第１閾値以上であるか否かを判定する第１判定部と、該第１判定部によって前記スイッチ温度が前記第１閾値以上であると判定された場合に、前記リレー接点をオンに切替えて前記半導体スイッチをオフに切替える第１切替え部と、前記半導体スイッチがオフであり、かつ、前記リレー接点がオンである場合にて前記スイッチ温度が、前記第１閾値以下である第２閾値未満であるか否かを判定する第２判定部と、該第２判定部によって前記スイッチ温度が前記第２閾値未満であると判定された場合に、前記半導体スイッチをオンに切替えて前記リレー接点をオフに切替える第２切替え部とを備える。

（２）本発明の一態様に係る給電制御装置では、前記半導体スイッチはＦＥＴであり、前記スイッチ温度は該半導体スイッチのドレインの温度である。

（３）本発明の一態様に係る給電制御装置では、前記スイッチ回路が有する前記半導体スイッチの数は２であり、一方の前記半導体スイッチのソースは、他方の前記半導体スイッチのソースに接続され、前記リレー接点は、２つの前記半導体スイッチのドレイン間に接続され、前記スイッチ温度は、前記２つの半導体スイッチのドレインの温度の中で高い方の温度である。

（４）本発明の一態様に係る給電制御装置は、前記スイッチ回路を介して流れる電流値を検出する電流検出部と、該電流検出部が検出した電流値に基づいて前記スイッチ温度を算出する温度算出部とを備える。

（５）本発明の一態様に係る給電制御装置は、前記スイッチ回路の周囲温度を検出する温度検出部を備え、前記温度算出部は、前記スイッチ回路の周囲温度及び前記スイッチ温度の温度差を時系列的に算出する温度差算出部を有し、該温度差算出部は、前記電流検出部が検出した電流値と、先行して算出した先行温度差とに基づいて前記温度差を算出し、前記スイッチ温度は、前記温度検出部が検出した周囲温度に、前記温度差算出部が算出した温度差を加算することによって算出される。

（６）本発明の一態様に係る給電制御方法は、半導体スイッチを有するスイッチ回路と、該スイッチ回路に並列に接続されたリレー接点とを介した給電を制御する給電制御方法であって、前記半導体スイッチがオンであり、かつ、前記リレー接点がオフである場合にて前記スイッチ回路のスイッチ温度が第１閾値以上であるか否かを判定するステップと、前記スイッチ温度が前記第１閾値以上であると判定された場合に、前記リレー接点をオンに切替えて、前記半導体スイッチをオフに切替えるステップと、前記半導体スイッチがオフであり、かつ、前記リレー接点がオンである場合にて前記スイッチ温度が、前記第１閾値以下である第２閾値未満であるか否かを判定するステップと、前記スイッチ温度が前記第２閾値未満であると判定された場合に、前記半導体スイッチをオンに切替えて、前記リレー接点をオフに切替えるステップとを含む。

（７）本発明の一態様に係るコンピュータプログラムは、半導体スイッチを有するスイッチ回路と、該スイッチ回路に並列に接続されたリレー接点とを介した給電をコンピュータに制御させるコンピュータプログラムであって、前記コンピュータに、前記半導体スイッチがオンであり、かつ、前記リレー接点がオフである場合にて前記スイッチ回路のスイッチ温度が第１閾値以上であるか否かを判定するステップと、前記スイッチ温度が前記第１閾値以上であると判定された場合に、前記リレー接点をオンに切替えて、前記半導体スイッチをオフに切替えるステップと、前記半導体スイッチがオフであり、かつ、前記リレー接点がオンである場合にて前記スイッチ温度が、前記第１閾値以下である第２閾値未満であるか否かを判定するステップと、前記スイッチ温度が前記第２閾値未満であると判定された場合に、前記半導体スイッチをオンに切替えて、前記リレー接点をオフに切替えるステップとを実行させる。

本発明の一態様に係る給電制御装置、給電制御方法及びコンピュータプログラムにあっては、半導体スイッチがオンであり、かつ、リレー接点がオフである場合において、スイッチ回路のスイッチ温度が第１閾値以上であるか否かを判定する。スイッチ温度が第１閾値以上である場合、リレー接点をオンに切替えて、半導体スイッチをオフに切替える。また、半導体スイッチがオフであり、かつ、リレー接点がオンである場合において、スイッチ回路のスイッチ温度が第２閾値未満であるか否かを判定する。スイッチ温度が第２閾値未満である場合、半導体スイッチをオンに切替えて、リレー接点をオフに切替える。第２閾値は第１閾値以下である。

半導体スイッチに電流が流れた場合、半導体スイッチのオン抵抗で電力が消費され、半導体スイッチの温度が上昇する。半導体スイッチの温度が上昇した場合、スイッチ回路のスイッチ温度が上昇する。スイッチ温度が第１閾値以上である場合、リレー接点がオンに切替わり、半導体スイッチがオフに切替わる。このため、スイッチ温度が第１閾値を超えることはなく、半導体スイッチが高温となることが防止される。更に、スイッチ温度が第１閾値以上となるか、又は、スイッチ温度が第２閾値未満となった場合にのみ、リレー接点がオン又はオフに切替わる。このため、リレー接点がオン又はオフに切替わる頻度は低い。

本発明の一態様に係る給電制御装置にあっては、半導体スイッチはＦＥＴであり、スイッチ温度は半導体スイッチのドレインの温度である。半導体スイッチでは、ドレインの温度は、他の部分の温度よりも高い。このため、半導体スイッチの全ての部分において、温度が第１閾値を超えることはない。

本発明の一態様に係る給電制御装置にあっては、スイッチ回路は２つの半導体スイッチを有し、一方の半導体スイッチのソースが他方の半導体スイッチのソースに接続されている。半導体スイッチはＦＥＴであるため、半導体スイッチのドレイン及びソース間に寄生ダイオードが形成されている。例えば、２つの半導体スイッチのタイプが同じである場合、一方の半導体スイッチに係る寄生ダイオードのカソード（又はアノード）が他方の半導体スイッチに係る寄生ダイオードのカソード（又はアノード）に接続される。従って、２つの半導体スイッチがオフである限り、たとえ、２つの半導体スイッチのドレイン間において電圧が誤った方向に印加された場合であっても、２つの半導体スイッチ夫々のドレイン間を電流が流れることはない。

また、スイッチ温度は、２つの半導体スイッチのドレインの温度の中で高い方の温度であるので、２つの半導体スイッチのドレインの温度が第１閾値を超えることはない。

本発明の一態様に係る給電制御装置にあっては、スイッチ回路を介して流れる電流値を検出し、検出した電流値に基づいてスイッチ温度を算出する。算出したスイッチ温度に基づいて、スイッチ回路が有する半導体スイッチと、リレー接点とがオン又はオフに切替えられる。

本発明の一態様に係る給電制御装置にあっては、スイッチ回路の周囲温度と、スイッチ温度との温度差を時系列的に算出する。ここで、先行して算出した先行温度差と、スイッチ回路を介して流れる電流値とに基づいて温度差が正確に算出され、この温度差を、スイッチ回路の周囲温度に加算することによって、正確なスイッチ温度が算出される。

［本発明の実施形態の詳細］
本発明の実施形態に係る給電制御装置の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
（実施形態１）
図１は、実施形態１における電源システム１の要部構成を示すブロック図である。電源システム１は、好適に車両に搭載されており、給電制御装置１０、バッテリ１１及び負荷１２を備える。給電制御装置１０は、バッテリ１１の正極と、負荷１２の一端とに接続されている。バッテリ１１の負極と、負荷１２の他端とは接地されている。

バッテリ１１は、給電制御装置１０を介して負荷１２に給電する。負荷１２は車両に搭載された電気機器である。負荷１２は、バッテリ１１から負荷１２に給電された場合に作動し、バッテリ１１から負荷１２への給電が停止した場合に動作を停止する。給電制御装置１０には、負荷１２について、作動、又は、動作の停止を指示する制御信号が入力される。給電制御装置１０は、入力された制御信号が指示する内容に従って、バッテリ１１から負荷１２への給電を制御する。

給電制御装置１０は、スイッチ回路２、リレー３、駆動回路４、スイッチ温度センサ５ａ，５ｂ及びマイクロコンピュータ（以下、マイコンという）６を有する。スイッチ回路２は２つの半導体スイッチ２０ａ，２０ｂを有する。半導体スイッチ２０ａ，２０ｂ夫々はＮチャネル型のＦＥＴ(Field Effect Transistor)である。リレー３はリレー接点３０及びリレーコイル３１を有する。リレー接点３０は、ＮＯ端子３０ａ、ＣＯＭ端子３０ｂ及び棒状の導体３０ｃを有する。導体３０ｃの端部はＣＯＭ端子３０ｂに接続されている。駆動回路４は入力端及び出力端を有する。

給電制御装置１０では、スイッチ回路２の半導体スイッチ２０ａのドレインがバッテリ１１の正極に接続されている。スイッチ回路２では、半導体スイッチ２０ａのソースが半導体スイッチ２０ｂのソースに接続されている。半導体スイッチ２０ｂのドレインは負荷１２の一端に接続されている。リレー接点３０は、スイッチ回路２に並列に接続されている。具体的には、リレー接点３０のＮＯ端子３０ａが半導体スイッチ２０ａのドレインに接続され、リレー接点３０のＣＯＭ端子３０ｂが半導体スイッチ２０ｂのドレインに接続されている。
ここで、「並列」は厳密な意味での並列を示していない。リレー接点３０は、実質的に、スイッチ回路２に並列に接続されていればよい。例えば、スイッチ回路２及び抵抗の直列回路にリレー接点３０が並列に接続されていてもよい。

半導体スイッチ２０ａのドレインには、更に、リレーコイル３１の一端が接続されている。リレーコイル３１の他端はマイコン６に接続されている。半導体スイッチ２０ａ，２０ｂ夫々のゲートは、駆動回路４の出力端に接続されている。駆動回路４の入力端はマイコン６に接続されている。マイコン６には、更に、２つのスイッチ温度センサ５ａ，５ｂが各別に接続されている。

半導体スイッチ２０ａ，２０ｂ夫々について、ゲートの電圧値が一定値以上である場合、ドレイン及びソース間に電流が流れることが可能となる。このとき、半導体スイッチ２０ａ，２０ｂはオンである。また、半導体スイッチ２０ａ，２０ｂ夫々について、ゲートの電圧値が一定値未満である場合、ドレイン及びソース間に電流が流れることはない。このとき、半導体スイッチ２０ａ，２０ｂはオフである。

駆動回路４は、半導体スイッチ２０ａ，２０ｂのゲートの電圧値を調整することによって、半導体スイッチ２０ａ，２０ｂを略同時にオン又はオフに切替える。駆動回路４には、半導体スイッチ２０ａ，２０ｂのオン又はオフへの切替えを指示する切替え信号が入力される。駆動回路４は、入力された切替え信号が指示する内容に従って、半導体スイッチ２０ａ，２０ｂをオン又はオフに切替える。

スイッチ温度センサ５ａは、半導体スイッチ２０ａのドレインの温度を検出する。スイッチ温度センサ５ａは、検出した温度を示すアナログのスイッチ温度情報をマイコン６に出力する。
同様に、スイッチ温度センサ５ｂは、半導体スイッチ２０ｂのドレインの温度を検出する。スイッチ温度センサ５ｂは、検出した検出温度を示すアナログのスイッチ温度情報をマイコン６に出力する。

リレー３のリレーコイル３１の他端では、開放又は接地が行われる。リレーコイル３１の他端が開放されている場合、リレーコイル３１に電流は流れない。このとき、リレー接点３０では、導体３０ｃはＮＯ端子３０ａから離れる。導体３０ｃがＮＯ端子３０ａから離れている場合、ＮＯ端子３０ａ及びＣＯＭ端子３０ｂ間に電流が流れることはなく、リレー接点３０はオフである。

リレーコイル３１の他端が接地された場合、バッテリ１１からリレーコイル３１に電流が流れ、リレーコイル３１周辺に磁場が発生する。これにより、リレー接点３０の導体３０ｃはＮＯ端子３０ａに引付けられ、導体３０ｃはＮＯ端子３０ａに接触する。このとき、リレー接点３０のＮＯ端子３０ａ及びＣＯＭ端子３０ｂ間に電流が流れることが可能であり、リレー接点３０はオンである。
マイコン６は、リレーコイル３１の他端を開放することによってリレー接点３０をオフに切替え、リレーコイル３１の他端を接地することによってリレー接点３０をオンに切替える。

マイコン６には、制御信号が入力される。マイコン６は、入力された制御信号が指示する内容と、スイッチ温度センサ５ａ，５ｂから入力されたスイッチ温度情報が示す検出温度とに基づいて、駆動回路４に２つの半導体スイッチ２０ａ，２０ｂをオン又はオフに切替えさせると共にリレー接点３０をオン又はオフに切替える。

マイコン６は、Ａ(Analog)／Ｄ(Digital)変換部６０ａ，６０ｂ、出力部６１、電流供給部６２、入力部６３，６４ａ，６４ｂ、記憶部６５及び制御部６６を有する。Ａ／Ｄ変換部６０ａ，６０ｂ、出力部６１、電流供給部６２、入力部６３、記憶部６５及び制御部６６はバス６７に接続されている。Ａ／Ｄ変換部６０ａ，６０ｂ夫々は、バス６７の他に、入力部６４ａ，６４ｂに接続されている。入力部６４ａ，６４ｂ夫々は、更に、スイッチ温度センサ５ａ，５ｂに接続されている。電流供給部６２は、バス６７の他に、リレー３のリレーコイル３１の他端に接続されている。また、電流供給部６２は接地されている。

入力部６４ａ，６４ｂ夫々には、スイッチ温度センサ５ａ，５ｂからアナログのスイッチ温度情報が入力される。入力部６４ａ，６４ｂ夫々は、スイッチ温度センサ５ａ，５ｂから入力されたアナログのスイッチ温度情報をＡ／Ｄ変換部６０ａ，６０ｂに出力する。

Ａ／Ｄ変換部６０ａ，６０ｂ夫々は、入力部６４ａ，６４ｂから入力されたアナログのスイッチ温度情報をデジタルのスイッチ温度情報に変換する。制御部６６は、Ａ／Ｄ変換部６０ａ，６０ｂ夫々からデジタルのスイッチ温度情報を取得する。制御部６６がＡ／Ｄ変換部６０ａから取得したスイッチ温度情報が示す検出温度は、取得時点において、スイッチ温度センサ５ａが検出した検出温度と略一致する。同様に、制御部６６がＡ／Ｄ変換部６０ｂから取得したスイッチ温度情報が示す検出温度は、取得時点において、スイッチ温度センサ５ｂが検出した検出温度と略一致する。

出力部６１は、制御部６６の指示に従って、駆動回路４に切替え信号を出力する。
電流供給部６２は、制御部６６の指示に従って、リレーコイル３１の他端の開放及び接地を行う。前述したように、リレーコイル３１の他端が開放された場合、リレー接点３０はオフに切替わり、リレーコイル３１の他端が接地された場合、リレー接点３０はオンに切替わる。
入力部６３には制御信号が入力される。入力部６３は、入力された制御信号が指示する内容を制御部６６に通知する。

記憶部６５は不揮発性メモリである。記憶部６５には制御プログラムＰ１が記憶されている。
制御部６６は図示しないＣＰＵ(Central Processing Unit)を有する。制御部６６のＣＰＵは、記憶部６５に記憶されている制御プログラムＰ１を実行することによって、負荷１２の動作を制御する負荷制御処理と、バッテリ１１及び負荷１２間を接続するスイッチを半導体スイッチ２０ａ，２０ｂ又はリレー接点３０に変更する変更処理とを実行する。制御プログラムＰ１は、制御部６６に負荷制御処理及び変更処理を実行させるためのコンピュータプログラムである。

なお、制御プログラムＰ１は、コンピュータが読み取り可能に、記憶媒体Ａ１に記憶されていてもよい。この場合、図示しない読み出し装置によって記憶媒体Ａ１から読み出された制御プログラムＰ１が記憶部６５に記憶される。記憶媒体Ａ１は、光ディスク、フレキシブルディスク、磁気ディスク、磁気光ディスク又は半導体メモリ等である。光ディスクは、ＣＤ（Compact Disc）−ＲＯＭ(Read Only Memory)、ＤＶＤ（Digital Versatile Disc）−ＲＯＭ、又は、ＢＤ（Blu-ray(登録商標) Disc）等である。磁気ディスクは、例えばハードディスクである。また、図示しない通信網に接続されている図示しない外部装置から制御プログラムＰ１をダウンロードし、ダウンロードした制御プログラムＰ１を記憶部６５に記憶してもよい。

記憶部６５には状態フラグの値が記憶されている。状態フラグの値は、半導体スイッチ２０ａ，２０ｂ及びリレー接点３０のスイッチ状態を示す。

図２は状態フラグを説明するための図表である。図２に示すように、状態フラグの値がゼロであることは、半導体スイッチ２０ａ，２０ｂがオフであり、かつ、リレー接点３０がオフであることを意味する。状態フラグの値が１であることは、半導体スイッチ２０ａ，２０ｂがオンであり、かつ、リレー接点３０がオフであることを意味する。状態フラグの値が２であることは、半導体スイッチ２０ａ，２０ｂがオフであり、かつ、リレー接点３０がオンであることを意味する。状態フラグの値は、半導体スイッチ２０ａ，２０ｂ及びリレー接点３０のスイッチ状態に応じて、制御部６６によって変更される。

図３は負荷制御処理の手順を示すフローチャートである。制御部６６は、制御信号が入力部６３に入力される都度、負荷制御処理を実行する。負荷１２の作動を示す制御信号は、半導体スイッチ２０ａ，２０ｂ及びリレー接点３０がオフである状態で入力部６３に入力される。負荷１２の動作の停止を示す制御信号は、半導体スイッチ２０ａ，２０ｂがオンであるか、又は、リレー接点３０がオンである状態で入力部６３に入力される。

まず、制御部６６は、入力部６３に入力された制御信号が負荷１２の作動を指示しているか否かを判定する（ステップＳ１）。制御部６６は、制御信号が作動を指示していると判定した場合（Ｓ１：ＹＥＳ）、駆動回路４に、半導体スイッチ２０ａ，２０ｂをオフからオンに切替えさせる（ステップＳ２）。具体的には、制御部６６は、出力部６１に指示して、半導体スイッチ２０ａ，２０ｂのオンへの切替えを指示する切替え信号を駆動回路４に出力させる。これにより、駆動回路４は半導体スイッチ２０ａ，２０ｂをオンに切替える。

前述したように、負荷１２の作動を示す制御信号は、半導体スイッチ２０ａ，２０ｂ及びリレー接点３０がオフである状態で入力部６３に入力されるので、ステップＳ２は、半導体スイッチ２０ａ，２０ｂ及びリレー接点３０がオフである状態で実行される。ステップＳ２の実行により、リレー接点３０がオフに維持されている状態で半導体スイッチ２０ａ，２０ｂがオンに切替わり、スイッチ回路２を介してバッテリ１１から負荷１２に給電される。

制御部６６は、ステップＳ２を実行した後、状態フラグの値を１に変更する（ステップＳ３）。制御部６６は、ステップＳ３を実行した後、負荷制御処理を終了する。

制御部６６は、入力部６３に入力された制御信号が負荷１２の作動を指示していない、即ち、入力部６３に入力された制御信号が負荷１２の動作の停止を指示していると判定した場合（Ｓ１：ＮＯ）、駆動回路４に、半導体スイッチ２０ａ，２０ｂをオフに切替えさせる（ステップＳ４）。具体的には、制御部６６は、出力部６１に指示して、半導体スイッチ２０ａ，２０ｂのオフへの切替えを指示する切替え信号を駆動回路４に出力させる。これにより、駆動回路４は半導体スイッチ２０ａ，２０ｂをオフに切替える。

制御部６６は、ステップＳ４を実行した後、電流供給部６２に、リレー接点３０をオフに切替えさせる（ステップＳ５）。具体的には、制御部６６は、電流供給部６２に指示して、リレーコイル３１の他端を開放させる。これにより、導体３０ｃはＮＯ端子３０ａから離れ、リレー接点３０はオフに切替わる。制御部６６がステップＳ４，Ｓ５を実行することによって、バッテリ１１から負荷１２への給電が停止される。
制御部６６は、ステップＳ５を実行した後、状態フラグの値をゼロに変更する（ステップＳ６）。制御部６６は、ステップＳ６を実行した後、負荷制御処理を終了する。

図４は変更処理の手順を示すフローチャートである。制御部６６は変更処理を周期的に実行する。まず、制御部６６は、状態フラグの値がゼロであるか否かを判定する（ステップＳ１１）。制御部６６は、状態フラグの値がゼロであると判定した場合（Ｓ１１：ＹＥＳ）、変更処理を終了する。

制御部６６は、状態フラグの値がゼロではないと判定した場合（Ｓ１１：ＮＯ）、Ａ／Ｄ変換部６０ａ，６０ｂ夫々からデジタルのスイッチ温度情報を取得する（ステップＳ１２）。制御部６６は、ステップＳ１２で取得した２つのスイッチ温度情報が示す２つの検出温度の中で高い方の検出温度を、スイッチ回路２のスイッチ温度として扱う。

制御部６６は、ステップＳ１２を実行した後、状態フラグの値が１であるか否かを判定する（ステップＳ１３）。制御部６６は、状態フラグの値が１であると判定した場合（Ｓ１３：ＹＥＳ）、スイッチ温度がリレーオン閾値以上であるか否かを判定する（ステップＳ１４）。リレーオン閾値は、一定であり、記憶部６５に予め記憶されている。制御部６６は、スイッチ温度がリレーオン閾値未満であると判定した場合（Ｓ１４：ＮＯ）、変更処理を終了する。リレーオン閾値は第１閾値に該当し、制御部６６は第１判定部として機能する。

制御部６６は、スイッチ温度がリレーオン閾値以上であると判定した場合（Ｓ１４：ＹＥＳ）、電流供給部６２に、リレー接点３０をオンに切替えさせる（ステップＳ１５）。具体的には、制御部６６は、電流供給部６２に指示して、リレーコイル３１の他端を接地させる。これにより、リレー接点３０はオンに切替わる。

制御部６６は、ステップＳ１５を実行した後、駆動回路４に半導体スイッチ２０ａ，２０ｂをオフに切替えさせる（ステップＳ１６）。制御部６６は、負荷制御処理のステップＳ４と同様にステップＳ１６を実行する。制御部６６がステップＳ１５，Ｓ１６を実行することによって、リレー接点３０を介してバッテリ１１から負荷１２に給電される。駆動回路４及び電流供給部６２は第１切替え部として機能する。
制御部６６は、ステップＳ１６を実行した後、状態フラグの値を２に変更し（ステップＳ１７）、変更処理を終了する。

制御部６６は、状態フラグの値が１ではない、即ち、状態フラグの値が２であると判定した場合（Ｓ１３：ＮＯ）、スイッチ温度がリレーオフ閾値未満であるか否かを判定する（ステップＳ１８）。リレーオフ閾値は、一定であり、予め記憶部６５に記憶されている。リレーオフ閾値は、リレーオン閾値よりも低い。制御部６６は、スイッチ温度がリレーオフ閾値以上であると判定した場合（Ｓ１８：ＮＯ）、変更処理を終了する。リレーオフ閾値は第２閾値に該当し、制御部６６は第２判定部としても機能する。

制御部６６は、スイッチ温度がリレーオフ閾値未満であると判定した場合（Ｓ１８：ＹＥＳ）、駆動回路４に半導体スイッチ２０ａ，２０ｂをオンに切替えさせ（ステップＳ１９）、電流供給部６２に、リレー接点３０をオフに切替えさせる（ステップＳ２０）。制御部６６は、負荷制御処理のステップＳ２と同様にステップＳ１９を実行し、負荷制御処理のステップＳ５と同様にステップＳ２０を実行する。制御部６６がステップＳ１９，Ｓ２０を実行することによって、半導体スイッチ２０ａ，２０ｂを介してバッテリ１１から負荷１２に給電される。駆動回路４及び電流供給部６２は第２切替え部としても機能する。
制御部６６は、ステップＳ２０を実行した後、状態フラグの値を１に変更し（ステップＳ２１）、変更処理を終了する。

以上のように、負荷制御処理及び変更処理では、制御部６６は、駆動回路４及び電流供給部６２に、半導体スイッチ２０ａ，２０ｂ及びリレー接点３０をオン又はオフに切替えさせることによって、スイッチ回路２及びリレー接点３０を介した給電を制御する。

給電制御装置１０では、半導体スイッチ２０ａ，２０ｂに電流が流れた場合、半導体スイッチ２０ａ，２０ｂ夫々のオン抵抗で電力が消費され、半導体スイッチ２０ａ，２０ｂの温度が上昇する。変更処理では、スイッチ温度、即ち、半導体スイッチ２０ａ，２０ｂのドレインの温度の中で高い方の温度がリレーオン閾値以上である場合、リレー接点３０はオンに切替わり、半導体スイッチ２０ａ，２０ｂはオフに切替わる。このため、半導体スイッチ２０ａ，２０ｂのドレインの温度がリレーオン閾値を超えることはなく、半導体スイッチ２０ａ，２０ｂが高温になることが防止される。
半導体スイッチ２０ａ，２０ｂ夫々において、ドレインの温度は他の部分の温度よりも高い。このため、半導体スイッチ２０ａ，２０ｂの全ての部分において、温度がリレーオン閾値を超えることはない。

また、リレー接点３０のオン又はオフへの切替えは、状態フラグの値が１である状態でスイッチ温度がリレーオン閾値以上となるか、又は、状態フラグの値が２である状態でスイッチ温度がリレーオフ閾値未満となった場合にのみ行われる。従って、リレー接点３０がオン又はオフに切替わる頻度は低い。

更に、半導体スイッチ２０ａ，２０ｂ夫々のドレイン及びソース間には、図示しない寄生ダイオードが形成されている。Ｎチャネル型のＦＥＴでは、寄生ダイオードのカソード及びアノード夫々はドレイン及びソースに接続される。給電制御装置１０では、半導体スイッチ２０ａのソースが半導体スイッチ２０ｂのソースに接続されている。このため、２つの半導体スイッチ２０ａ，２０ｂがオフである限り、たとえ、２つの半導体スイッチ２０ａ，２０ｂのドレイン間において電圧が誤った方向に印加された場合であっても、２つの半導体スイッチ２０ａ，２０ｂ夫々のドレイン間を電流が流れることはない。例えば、バッテリ１１の正極が接地され、かつ、バッテリ１１の負極が半導体スイッチ２０ａのドレインに接続された場合、２つの半導体スイッチ２０ａ，２０ｂのドレイン間において電圧が誤った方向に印加される。

前述したように、リレーオフ閾値はリレーオン閾値よりも低い。このため、スイッチ温度が、リレーオン閾値又はリレーオフ閾値を含む狭い温度範囲で変動している場合であっても、この温度範囲にリレーオン閾値及びリレーオフ閾値が共に含まれていない限り、リレー接点３０がオン又はオフに頻繁に切替えられることはない。

なお、スイッチ温度センサ５ａ，５ｂが検出する温度は、半導体スイッチ２０ａ，２０ｂ夫々のドレインの温度に限定されず、例えば、半導体スイッチ２０ａ，２０ｂ夫々の周囲温度であってもよい。この場合、スイッチ温度は、半導体スイッチ２０ａ，２０ｂの周囲温度中の高い方の周囲温度である。
このように構成された給電制御装置１０は、前述した効果の中で、スイッチ温度が半導体スイッチ２０ａ，２０ｂのドレインの温度中の高い方の温度であることによって得られる効果を除く他の効果を奏する。

（実施形態２）
実施形態１では、スイッチ温度はスイッチ温度センサ５ａ，５ｂが検出した温度の１つである。しかしながら、スイッチ温度を検出する代わりに、スイッチ温度を算出してもよい。
以下では、実施形態２について、実施形態１と異なる点を説明する。後述する構成を除く他の構成については、実施形態１と共通しているため、実施形態１と共通する構成部には実施形態１と同一の参照符号を付してその説明を省略する。

図５は、実施形態２における電源システム１の要部構成を示すブロック図である。実施形態２における給電制御装置１０は、実施形態１と同様に、スイッチ回路２、リレー３、駆動回路４及びマイコン６を有する。これらは、実施形態１と同様に接続されている。実施形態２における給電制御装置１０は、更に、周囲温度センサ７０及び電流センサ７１を有する。周囲温度センサ７０及び電流センサ７１はマイコン６に各別に接続されている。電流センサ７１は、負荷１２の一端と、半導体スイッチ２０ｂのドレインとを接続する導線を囲繞している。電流センサ７１は、リレー接点３０のＣＯＭ端子３０ｂと、半導体スイッチ２０ｂのドレインとの接続点よりも半導体スイッチ２０ｂ側に位置している。

周囲温度センサ７０は、スイッチ回路２の周囲温度を検出し、検出した周囲温度を示すアナログの周囲温度情報をマイコン６に出力する。周囲温度センサ７０は温度検出部として機能する。
電流センサ７１は、スイッチ回路２を介して、バッテリ１１から負荷１２に流れる電流値を検出し、検出した電流値を示すアナログの電流情報をマイコン６に出力する。電流センサ７１は電流検出部として機能する。

マイコン６は、周囲温度センサ７０から入力された周囲温度情報が示す周囲温度と、電流センサ７１から入力された電流情報が示す電流値とに基づいて、スイッチ回路２のスイッチ温度を算出する。マイコン６は、入力された制御信号が示す内容と、算出したスイッチ温度とに基づいて、駆動回路４に２つの半導体スイッチ２０ａ，２０ｂをオン又はオフに切替えさせると共に、リレー接点３０をオン又はオフに切替える。

実施形態２では、マイコン６は、実施形態１と同様に、出力部６１、電流供給部６２、入力部６３、記憶部６５及び制御部６６を有する。これらは、実施形態１と同様に接続されている。実施形態２におけるマイコン６は、更に、Ａ／Ｄ変換部８０，８１及び入力部８２，８３を有する。Ａ／Ｄ変換部８０，８１は、出力部６１、電流供給部６２、入力部６３、記憶部６５及び制御部６６と同様に、バス６７に接続されている。Ａ／Ｄ変換部８０，８１夫々は、更に、入力部８２，８３に接続されている。入力部８２は、更に周囲温度センサ７０に接続され、入力部８３は、更に電流センサ７１に接続されている。

入力部８２には、周囲温度センサ７０からアナログの周囲温度情報が入力される。入力部８２は、周囲温度センサ７０から入力されたアナログの周囲温度情報をＡ／Ｄ変換部８０に出力する。
Ａ／Ｄ変換部８０は、入力部８２から入力されたアナログの周囲温度情報をデジタルの周囲温度情報に変換する。制御部６６は、Ａ／Ｄ変換部８０からデジタルの周囲温度情報を取得する。制御部６６がＡ／Ｄ変換部８０から取得した周囲温度情報が示す周囲温度は、取得時点において、周囲温度センサ７０が検出した周囲温度と略一致する。

入力部８３には、電流センサ７１からアナログの電流情報が入力される。入力部８３は、電流センサ７１から入力されたアナログの電流情報をＡ／Ｄ変換部８１に出力する。
Ａ／Ｄ変換部８１は、入力部８３から入力されたアナログの電流情報をデジタルの電流情報に変換する。制御部６６は、Ａ／Ｄ変換部８１からデジタルの電流情報を取得する。制御部６６がＡ／Ｄ変換部８１から取得した電流情報が示す電流値は、取得時点において、電流センサ７１が検出した電流値と略一致する。

制御部６６は、制御プログラムＰ１を実行することによって、負荷１２の動作を制御する負荷制御処理と、バッテリ１１及び負荷１２間を接続するスイッチを半導体スイッチ２０ａ，２０ｂ又はリレー接点３０に変更する変更処理と、スイッチ温度を更新する温度更新処理とを実行する。
実施形態２における負荷制御処理は、実施形態１における負荷制御処理と同様である。

制御部６６は、温度更新処理を周期的に実行し、温度更新処理ではスイッチ回路２のスイッチ温度及び周囲温度の温度差ΔＴｓを算出する。具体的には、制御部６６は、Ａ／Ｄ変換部８０から取得した周囲温度情報が示す周囲温度Ｔａと、Ａ／Ｄ変換部８１から取得した電流情報が示す電流値Ｉｓと、前回算出した先行温度差ΔＴｐを下記の演算式（１），（２）に代入することによって温度差ΔＴｓを算出する。
ΔＴｓ＝ΔＴｐ×ｅｘｐ（−Δｔ／τ）＋Ｒｔｈ×Ｒｓ
×Ｉｓ² ×（１−ｅｘｐ（−Δｔ／τ））・・・（１）
Ｒｓ＝Ｒｏ×（１＋κ×（Ｔａ＋ΔＴｐ−Ｔｏ））・・・（２）

演算式（１），（２）で用いられる変数及び定数を説明する。変数及び定数の説明では、変数又は定数の単位も併せて示している。ΔＴｓ、ΔＴｐ、Ｔａ及びＩｓ夫々は、前述したように、算出する温度差（℃）、先行温度差（℃）、スイッチ回路２の周囲温度（℃）、及び、スイッチ回路２を介して流れる電流値（Ａ）である。Δｔは、温度差ΔＴｓを算出する時間間隔（ｓ）である。τはスイッチ回路２の放熱時定数（ｓ）である。

Ｒｔｈはスイッチ回路２の熱抵抗（℃／Ｗ）であり、Ｒｓはスイッチ回路２の抵抗値（Ω）、即ち、半導体スイッチ２０ａ，２０ｂのオン抵抗値の和である。Ｔｏは所定の温度（℃）であり、Ｒｏは温度Ｔｏにおけるスイッチ回路２の抵抗値（Ω）である。κはスイッチ回路２の抵抗温度係数（／℃）である。ΔＴｓ、ΔＴｐ、Ｉｗ及びＴａは変数であり、Δｔ、τ、Ｒｔｈ、Ｒｏ、κ及びＴｏは、予め設定されている定数である。

演算式（１）の第１項の値は、時間間隔Δｔが長い程、低下するので、演算式（１）の第１項はスイッチ回路２の放熱を表す。また、演算式（１）の第２項の値は、時間間隔Δｔが長い程、上昇するので、演算式（１）の第２項はスイッチ回路２の発熱を表す。
当然のことながら、半導体スイッチ２０ａ，２０ｂがオフである場合、電流値ＩｓはゼロＡである。この場合、演算式（１）は、放熱を表す第１項のみによって構成されるので、算出される温度差ΔＴｓは低下する。

記憶部６５には先行温度差ΔＴｐが記憶されている。温度更新処理では、制御部６６は、記憶部６５に記憶されている先行温度差ΔＴｐを、算出した温度差ΔＴｓに更新する。
記憶部６５にはスイッチ回路２のスイッチ温度も記憶されている。温度更新処理では、制御部６６は、算出した温度差ΔＴｓを、Ａ／Ｄ変換部８０から取得した周囲温度情報が示す周囲温度Ｔａに加算することによってスイッチ温度を算出し、記憶部６５に記憶されているスイッチ温度を、算出したスイッチ温度に更新する。

図６は温度更新処理の手順を示すフローチャートである。前述したように、制御部６６は、温度更新処理を周期的に実行し、スイッチ回路２のスイッチ温度及び周囲温度の温度差を周期的に算出する。まず、制御部６６は、Ａ／Ｄ変換部８１から電流情報を取得し（ステップＳ３１）、記憶部６５に記憶されている先行温度差を読み出し（ステップＳ３２）、Ａ／Ｄ変換部８０から周囲温度情報を取得する（ステップＳ３３）。次に、制御部６６は、ステップＳ３１で取得した電流情報が示す電流値Ｉｓと、ステップＳ３２で読み出した先行温度差ΔＴｐと、ステップＳ３３で取得した周囲温度情報が示す周囲温度Ｔａとを演算式（１），（２）に代入することによって、スイッチ回路２のスイッチ温度及び周囲温度の温度差ΔＴｓを算出する（ステップＳ３４）。制御部６６は、温度差算出部としても機能する。

制御部６６は、記憶部６５に記憶されている先行温度差ΔＴｐを、ステップＳ３４で算出した温度差ΔＴｓに更新する（ステップＳ３５）。次に、制御部６６は、ステップＳ３３で取得した周囲温度情報が示す周囲温度Ｔａに、ステップＳ３４で算出した温度差ΔＴｓを加算することによって、スイッチ回路２のスイッチ温度を算出する（ステップＳ３６）。制御部６６は、温度算出部としても機能する。
制御部６６は、ステップＳ３６を実行した後、記憶部６５に記憶されているスイッチ温度を、ステップＳ３６で算出したスイッチ温度に更新し（ステップＳ３７）、温度更新処理を終了する。

図７は変更処理の手順を示すフローチャートである。制御部６６は、実施形態１と同様に、変更処理を周期的に実行する。温度更新処理及び変更処理に係る周期は略同一である。温度更新処理は変更処理の直前に実行されることが好ましい。
実施形態２における変更処理のステップＳ４１，Ｓ４３〜Ｓ５１夫々は、実施形態１における変更処理のステップＳ１１，Ｓ１３〜Ｓ２１と同様である。このため、ステップＳ４１，Ｓ４３〜Ｓ５１の詳細な説明を省略する。

制御部６６は、状態フラグの値がゼロではないと判定した場合（Ｓ４１：ＮＯ）、記憶部６５に記憶されているスイッチ温度を読み出す（ステップＳ４２）。その後、制御部６６はステップＳ４３を実行する。
ステップＳ４４では、制御部６６は、ステップＳ４２で読み出したスイッチ温度がリレーオン閾値以上であるか否かを判定する。ステップＳ４８では、制御部６６は、ステップＳ４２で読み出したスイッチ温度がリレーオフ閾値未満であるか否かを判定する。

実施形態２における給電制御装置１０の温度更新処理では、前回算出した先行温度差と、スイッチ回路２を介して流れる電流値と、スイッチ回路２の周囲温度とに基づいて、スイッチ回路２のスイッチ温度及び周囲温度の温度差が正確に算出される。そして、この温度差を、スイッチ回路２の周囲温度に加算することによって、正確なスイッチ温度が算出される。

実施形態２における給電制御装置１０は、実施形態１における給電制御装置１０が奏する効果の中で、スイッチ温度が半導体スイッチ２０ａ，２０ｂのドレインの温度中の高い方の温度であることによって得られる効果を除く他の効果を同様に奏する。

なお、実施形態２において、制御部６６は、温度更新処理、即ち、スイッチ温度の演算を周期的に実行しなくてもよい。制御部６６は、温度更新処理を時系列的に実行していればよい。この場合、マイコン６は、温度更新処理が実行される時間間隔を計測するタイマを有する。温度更新処理のステップＳ３４では、制御部６６は、タイマが計測した時間間隔を、時間間隔τとして、演算式（１），（２）に代入する。
また、先行温度差として用いる温度は、前回の温度更新処理で算出した温度差に限定されず、例えば、前々回の温度更新処理で算出した温度差であってもよい。

更に、スイッチ回路２を介して流れる電流値を検出する構成は、電流センサ７１を用いた構成に限定されない。実施形態２における給電制御装置１０は、電流センサ７１の代わりに、スイッチ回路２に直列に接続される抵抗と、該抵抗の両端間の電圧値、及び、所定数の積を、電流情報として、入力部８３に出力する差動増幅器とを有してもよい。この場合、抵抗及び差動増幅器は電流検出部として機能する。更に、前述した抵抗の代わりに、半導体スイッチ２０ａ，２０ｂのオン抵抗の両方又は一方を用いてもよい。

なお、実施形態１，２において、リレーオフ閾値は、リレーオン閾値未満に限定されず、リレーオン閾値以下であればよい。また、リレー接点３０において、ＮＯ端子３０ａ及びＣＯＭ端子３０ｂ夫々が接続する対象を交換してもよい。

更に、スイッチ回路２は、半導体スイッチ２０ａのソースが半導体スイッチ２０ｂのソースに接続される回路に限定されない。スイッチ回路２は、例えば、半導体スイッチ２０ａのドレインが半導体スイッチ２０ｂのドレインに接続される回路であってもよい。この場合、半導体スイッチ２０ａ，２０ｂ夫々において、ドレイン及びソース夫々が接続する対象が交換される。半導体スイッチ２０ａのドレインが半導体スイッチ２０ｂのドレインに接続されている場合、実施形態１における給電制御装置１０が有するスイッチ温度センサの数は１であってもよい。この場合、実施形態１における給電制御装置１０はスイッチ温度センサ５ａ，５ｂの一方を有していればよい。

また、実施形態１，２において、半導体スイッチ２０ａ，２０ｂ夫々はＮチャネル型のＦＥＴに限定されず、半導体スイッチ２０ａ，２０ｂのタイプが同一であれば、Ｐチャネル型のＦＥＴであってもよい。
更に、スイッチ回路２が有する半導体スイッチの数は１であってもよい。この場合、半導体スイッチを、該半導体スイッチのドレイン及びソース間に接続される寄生ダイオードの順方向が負荷１２からバッテリ１１に向かう方向に一致するように配置する。
また、スイッチ回路２が有する半導体スイッチは、ＦＥＴに限定されず、例えば、バイポーラトランジスタであってもよい。

以上のように構成された実施形態１，２における給電制御装置１０であっても、半導体スイッチが高温となることが防止され、リレー接点３０がオン又はオフに切替わる頻度が低い。

開示された実施形態１，２はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上述した意味ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

１ 電源システム
１０ 給電制御装置
１１ バッテリ
１２ 負荷
２ スイッチ回路
２０ａ，２０ｂ 半導体スイッチ
３ リレー
３０ リレー接点
３０ａ ＮＯ端子
３０ｂ ＣＯＭ端子
３０ｃ 導体
３１ リレーコイル
４ 駆動回路（第１切替え部の一部、第２切替え部の一部）
５ａ，５ｂ スイッチ温度センサ
６ マイコン
６０ａ，６０ｂ，８０，８１ Ａ／Ｄ変換部
６１ 出力部
６２ 電流供給部（第１切替え部の一部、第２切替え部の一部）
６３，６４ａ，６４ｂ，８２，８３ 入力部
６５ 記憶部
６６ 制御部（第１判定部、第２判定部、温度算出部、温度差算出部）
６７ バス
７０ 周囲温度センサ（温度検出部）
７１ 電流センサ（電流検出部）
Ａ１ 記憶媒体
Ｐ１ 制御プログラム（コンピュータプログラム）

Claims (7)

1. 半導体スイッチを有するスイッチ回路と、該スイッチ回路に並列に接続されたリレー接点とを介した給電を制御する給電制御装置であって、
   前記半導体スイッチがオンであり、かつ、前記リレー接点がオフである場合にて前記スイッチ回路のスイッチ温度が第１閾値以上であるか否かを判定する第１判定部と、
   該第１判定部によって前記スイッチ温度が前記第１閾値以上であると判定された場合に、前記リレー接点をオンに切替えて前記半導体スイッチをオフに切替える第１切替え部と、
   前記半導体スイッチがオフであり、かつ、前記リレー接点がオンである場合にて前記スイッチ温度が、前記第１閾値以下である第２閾値未満であるか否かを判定する第２判定部と、
   該第２判定部によって前記スイッチ温度が前記第２閾値未満であると判定された場合に、前記半導体スイッチをオンに切替えて前記リレー接点をオフに切替える第２切替え部と
   を備える給電制御装置。
2. 前記半導体スイッチはＦＥＴであり、
   前記スイッチ温度は該半導体スイッチのドレインの温度である
   請求項１に記載の給電制御装置。
3. 前記スイッチ回路が有する前記半導体スイッチの数は２であり、
   一方の前記半導体スイッチのソースは、他方の前記半導体スイッチのソースに接続され、
   前記リレー接点は、２つの前記半導体スイッチのドレイン間に接続され、
   前記スイッチ温度は、前記２つの半導体スイッチのドレインの温度の中で高い方の温度である
   請求項２に記載の給電制御装置。
4. 前記スイッチ回路を介して流れる電流値を検出する電流検出部と、
   該電流検出部が検出した電流値に基づいて前記スイッチ温度を算出する温度算出部と
   を備える請求項１から請求項３のいずれか１つに記載の給電制御装置。
5. 前記スイッチ回路の周囲温度を検出する温度検出部を備え、
   前記温度算出部は、前記スイッチ回路の周囲温度及び前記スイッチ温度の温度差を時系列的に算出する温度差算出部を有し、
   該温度差算出部は、前記電流検出部が検出した電流値と、先行して算出した先行温度差とに基づいて前記温度差を算出し、
   前記スイッチ温度は、前記温度検出部が検出した周囲温度に、前記温度差算出部が算出した温度差を加算することによって算出される
   請求項４に記載の給電制御装置。
6. 半導体スイッチを有するスイッチ回路と、該スイッチ回路に並列に接続されたリレー接点とを介した給電を制御する給電制御方法であって、
   前記半導体スイッチがオンであり、かつ、前記リレー接点がオフである場合にて前記スイッチ回路のスイッチ温度が第１閾値以上であるか否かを判定するステップと、
   前記スイッチ温度が前記第１閾値以上であると判定された場合に、前記リレー接点をオンに切替えて、前記半導体スイッチをオフに切替えるステップと、
   前記半導体スイッチがオフであり、かつ、前記リレー接点がオンである場合にて前記スイッチ温度が、前記第１閾値以下である第２閾値未満であるか否かを判定するステップと、
   前記スイッチ温度が前記第２閾値未満であると判定された場合に、前記半導体スイッチをオンに切替えて、前記リレー接点をオフに切替えるステップと
   を含む給電制御方法。
7. 半導体スイッチを有するスイッチ回路と、該スイッチ回路に並列に接続されたリレー接点とを介した給電をコンピュータに制御させるコンピュータプログラムであって、
   前記コンピュータに、
   前記半導体スイッチがオンであり、かつ、前記リレー接点がオフである場合にて前記スイッチ回路のスイッチ温度が第１閾値以上であるか否かを判定するステップと、
   前記スイッチ温度が前記第１閾値以上であると判定された場合に、前記リレー接点をオンに切替えて、前記半導体スイッチをオフに切替えるステップと、
   前記半導体スイッチがオフであり、かつ、前記リレー接点がオンである場合にて前記スイッチ温度が、前記第１閾値以下である第２閾値未満であるか否かを判定するステップと、
   前記スイッチ温度が前記第２閾値未満であると判定された場合に、前記半導体スイッチをオンに切替えて、前記リレー接点をオフに切替えるステップと
   を実行させるためのコンピュータプログラム。

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