JP6700857B2 - 中空糸膜モジュール及びこれを備えた水処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、中空糸膜モジュール及びこれを備えた水処理装置に関するものである。

原水を精製する方法の１つに、中空糸膜を用いた濾過がある。中空糸膜を用いて所定期間濾過を行うと、原水中の固形分が表面に付着するので、中空糸膜の洗浄が行われる。洗浄法の一つとして、濾過方向とは逆方向に空気等の気体を流す逆洗や、固形分が付着した中空糸膜表面に向けて気泡を供給するバブリング洗浄といったガス洗浄が行われる。

一方、中空糸膜の一端を多数束ねた中空糸膜エレメントをハウジング内に複数設置した中空糸膜モジュールが知られている。このような中空糸膜モジュールは、ハウジング内を仕切り部材により上下に分割し、仕切り部材の下方に中空糸膜エレメントを吊り下げて設置する。このような構成とされた中空糸膜モジュールの場合、上述した逆洗やバブリング洗浄といったガス洗浄を行うと、仕切り部材の下方にガス層（例えば空気層）が形成され、中空糸膜エレメントの上部が空気中に露出してしまい効果的に洗浄できないおそれがある。

これに対して、下記特許文献１では、洗浄時に空気排出口から空気とともに排出された液体を滞留させる滞留器を設け、滞留器を中空糸膜の上端よりも上方に設けることにより、中空糸膜の上部が水に接触するようにしている。

特開平１１−１９４８１号公報

しかし、特許文献１に記載の発明では、滞留器を新たに設ける必要があり、設置面積やコストの点で問題がある。したがって、より簡便な方法で中空糸膜の全体を効果的にガス洗浄できることが望まれている。

また、本発明者等が鋭意検討したところ、ガス洗浄時に形成される上述したガス層を減じるために、ガス洗浄時にガスを排出するガス排出口を、仕切り部材の下端近傍に位置させることが好ましいが、工作上の制約から仕切り部材の下端から所定距離だけ離れた位置にガス排出口を形成せざるを得ない。このため、不可避的にガス層が形成されることになり、水に接触していない部分の中空糸膜の洗浄が不十分となる可能性を排除することができない。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、簡便な構成によって中空糸膜の全体をガス洗浄することができる中空糸膜モジュール及びこれを備えた水処理装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明の中空糸膜モジュール及びこれを備えた水処理装置は以下の手段を採用する。
本発明の一態様に係る中空糸膜モジュールは、原水を受け入れるハウジングと、該ハウジング内を、前記原水を受け入れる下方空間と、該原水を処理した後の処理水を受け入れる上方空間とに仕切る仕切り部材と、洗浄時にガスを供給する洗浄ガス供給口と、前記仕切り部材の下方近傍に設けられ、前記下方空間から前記ガスを排出する洗浄ガス排出口と、前記仕切り部材の下方に設けられ、前記下方空間から前記ガスを排出する洗浄ガス排出口と、該仕切り部材に形成された挿入穴に挿入され、下方が前記下方空間に位置するように上端部が固定された中空糸膜エレメントと、前記挿入穴に挿入されるとともに、前記中空糸膜エレメントの前記上端部を前記仕切り部材よりも下方に位置させて固定するアダプタと、備え、前記アダプタの外径は、前記挿入穴の径よりも小さく、前記中空糸膜エレメントの外径は、前記アダプタの外径よりも小さい。

中空糸膜エレメントの上端部をアダプタによって固定し、仕切り部材よりも下方に位置させて固定することとした。これにより、洗浄ガス供給口からガスを供給して中空糸膜エレメントをガス洗浄する際に、仕切り部材の下方に形成されるガス層が中空糸膜エレメントの上部を覆うことを可及的に回避することができる。したがって、ガス洗浄時においても中空糸膜エレメントの上部を液体に浸した状態を保つことができ、洗浄効果を高めることができる。
また、前記アダプタを前記仕切り部材に対して固定するアダプタ押さえを備え、前記中空糸膜エレメントは、中空糸膜の一端を束ねて支持するシース部を備え、前記シース部には、半径方向外方に突出する鍔部が設けられ、前記アダプタは、前記鍔部を係止することによって前記中空糸膜エレメントを保持し、前記アダプタ押さえの内周面と前記シース部との間に設けられたＯリングによって、前記シース部の外周面を液密にシールする。

さらに、本発明の一態様に係る中空糸膜モジュールでは、前記仕切り部材との間に隙間を残して前記洗浄ガス排出口を取り囲むように覆う樋部材を備え、前記シース部は、前記中空糸膜の上端を束ねて保持し、前記アダプタにより、前記シース部の下端は、前記樋部材の上端よりも下方に位置されている。

樋部材が仕切り部材との間に隙間を残して洗浄ガス排出口を取り囲むように覆っているので、洗浄ガス排出口に導かれる流体は、仕切り部材との間の隙間を通るため樋部材の上端を乗り越えて流入する。したがって、ガス洗浄時に形成されるガス層は、樋部材の上端から上方の空間に形成されることになる。そこで、アダプタにより、中空糸膜を束ねるシース部の下端を、樋部材の上端よりも下方に位置させることで、シース部の下端よりも下方すなわち中空糸膜の全体を液体に浸すことができる。

また、本発明の一態様に係る水処理装置は、上記のいずれかに記載された前記中空糸膜モジュールと、前記中空糸膜モジュールに原水を供給する原水供給手段と、前記中空糸膜モジュールから処理後の処理水を排出する処理水排出手段と、洗浄時に、前記洗浄ガス供給口へガスを供給する洗浄ガス供給手段と、洗浄時に、前記洗浄ガス排出口からガスを排出する洗浄ガス排出手段とを備えている。

中空糸膜エレメントの上端部をアダプタによって固定し、仕切り部材よりも下方に位置させて固定することとしたので、簡便な構成によって中空糸膜の全体をガス洗浄することができる。

本発明の一実施形態に係る水処理装置を示した概略構成図である。 図１の中空糸膜モジュールを示した部分断面正面図である。 図１の中空糸膜モジュールの仕切り部材を上方から見た平面図である。 図１の中空糸膜エレメントの取り付け状態を示した部分拡大断面図である。 図１の仕切り部材を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は切断線Ｖ−Ｖにおける断面図である。 図４のアダプタ押えを示した縦断面図である。 図４のアダプタを示した縦断面図である。 参考例の中空糸膜モジュールを示した部分断面正面図である。

以下に、本発明の一実施形態について、図面を参照して説明する。
図１には、一実施形態に係る水処理装置の概略構成図が示されている。
水処理装置１は、薬液を添加することで被処理水のｐＨを調整できるｐＨ調整槽２と、ｐＨ調整された被処理水を受けて膜濾過する中空糸膜モジュール３と、中空糸膜モジュール３で膜濾過されて後の処理水を受ける処理水槽４とを備えている。さらに、水処理装置１は、中空糸膜モジュール３に接続される逆洗部５および酸洗部６を備えている。

ｐＨ調整槽２、中空糸膜モジュール３、および処理水槽４は、順次配管１１，１２で接続されている。ｐＨ調整槽２と中空糸膜モジュール３を接続する配管１１の途中には、ｐＨ調整された被処理水を中空糸膜モジュール３へと送水する膜濾過送水ポンプ１３および開閉弁Ｖ_１が設けられている。中空糸膜モジュール３と処理水槽４とを接続する配管１２には開閉弁Ｖ_２が設けられている。開閉弁Ｖ_１，Ｖ_２は、図示しない制御部によって制御される自動弁等である。

中空糸膜モジュール３は、中空糸膜エレメント１４と、中空糸膜エレメント１４を一次側（Ｆ）と二次側（Ｓ）に仕切る仕切り部材１５と、中空糸膜エレメント１４および仕切り部材１５を収容するハウジング１６とを備えている。仕切り部材１５は、ハウジング１６内の空間を一次側と二次側に分離するように配置されている。

一次側は、中空糸膜エレメント１４を透過する前の被処理水（原水）が供給される側である。二次側は、中空糸膜を透過した処理水が排出される側である。中空糸膜エレメント１４は、ハウジング１６内に複数設けられている。
ハウジング１６には、一次側および二次側の圧力をそれぞれ計測できるよう圧力計ＰＩＣ_１，ＰＩＣ_２が接続されている。

逆洗部５は、中空糸膜モジュール３の二次側にガスを供給するガス供給源（洗浄ガス供給手段）１７と、中空糸膜モジュール３の一次側から出た排泥を受ける排泥受槽１８とを備えている。ガス供給源１７は、中空糸膜モジュール３の二次側にガスを供給できるように中空糸膜モジュール３の上部に接続されている。ガス供給源１７からは、例えば、空気が供給される。中空糸膜モジュール３とガス供給源１７とを接続するガス供給配管（洗浄ガス供給手段）１９、および中空糸膜モジュールと排泥受槽とを接続する配管２０には、各配管を開閉する開閉弁Ｖ_３，Ｖ_４が設けられている。開閉弁Ｖ_３，Ｖ_４は、図示しない制御部によって制御される自動弁等である。
ガス供給配管１９からはバブリング用配管１９ａが分岐している。バブリング用配管１９ａには、開閉弁Ｖ_３ａが設けられている。開閉弁Ｖ_３ａは、図示しない制御部によって制御される自動弁等である。バブリング用配管１９ａは、ハウジング１６の底部に接続されており、中空糸膜モジュール３のバブリング洗浄を行うようになっている。また、バブリング用配管１９ａは、１次側（Ｆ）にガス圧をかけて中空糸膜の破損チェックのためのガス供給としても用いることができる。

酸洗部６は、中空糸膜モジュール洗浄用の硫酸を収容するタンク２１と、中空糸膜モジュール３の一次側とタンク２１とを接続する注入配管２２と、硫酸を中空糸膜モジュール３の一次側に注入する注入ポンプ２３と、中空糸膜モジュール３の一次側とタンク２１とを接続して硫酸をタンクへと戻す返送配管２４と、を備えている。注入配管２２および返送配管２４には、各配管を開閉する開閉弁Ｖ_５，Ｖ_６が設けられている。開閉弁Ｖ_５，Ｖ_６は、図示しない制御部によって制御される自動弁等である。

タンク２１は、１〜５ｗｔ％の硫酸を収容している。タンク２１は、１〜５ｗｔ％の硫酸の収容に耐え得る材質からなる。タンク２１は、内部に収容された硫酸を撹拌する撹拌手段２５を備えていることが好ましい。撹拌手段２５は、モータで駆動する撹拌子などである。

注入配管２２は、ハウジング１６の下部側面（または外周側底面）に接続されている。返送配管２４は、注入配管２２の接続部分と対向する側面部の上部に接続されている。本実施形態において上下は、重力方向を基準とする。

返送配管２４の途中位置には、分岐配管２６が設けられている。分岐配管２６は、開閉弁Ｖ_７を介して排泥受槽１８へと接続されている。開閉弁Ｖ_７は、図示しない制御部によって制御される自動弁等である。分岐配管２６は、逆洗やバブリング洗浄といったガス洗浄時に供給されるガスを外部に排出するガスブロー管として用いられる。

中空糸膜モジュール３の二次側には、バイパス経路３２が設けられている。バイパス経路３２は、中空糸膜モジュール３の二次側にある処理水を、一次側を経由させずに中空糸膜モジュール３の外へとバイパスさせる経路である。バイパス経路３２は、ガスの供給によって二次側にある処理水が中空糸膜モジュール３の外へと押し出される位置で中空糸膜モジュール３に接続される。処理水が中空糸膜モジュール３の外へと押し出される位置は、例えば、二次側の下部側面である。

バイパス経路３２は、処理水の流路を開閉する開閉弁Ｖ_８を備えている。開閉弁Ｖ_８は、図示しない制御部によって制御される自動弁等である。

開閉弁Ｖ_１〜Ｖ_８は、上述のように図示しない制御部により開閉を制御される。制御部は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体等から構成されている。そして、各種機能を実現するための一連の処理は、一例として、プログラムの形式で記憶媒体等に記憶されており、このプログラムをＣＰＵがＲＡＭ等に読み出して、情報の加工・演算処理を実行することにより、各種機能が実現される。なお、プログラムは、ＲＯＭやその他の記憶媒体に予めインストールしておく形態や、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体に記憶された状態で提供される形態、有線又は無線による通信手段を介して配信される形態等が適用されてもよい。コンピュータ読み取り可能な記憶媒体とは、磁気ディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭ、半導体メモリ等である。

次に、水処理装置１の運転方法について説明する。本実施形態における処理対象の排水（被処理水）は、メッキ排水である。本実施形態に係る水処理装置の運転方法は、濾過工程、逆洗工程、および酸洗浄工程を備えている。

まず、原水槽から被処理水をくみ上げ、ｐＨ調整槽２に収容する。ｐＨ調整槽２にｐＨ調整用の薬液を添加・撹拌して、被処理水のｐＨを９．５〜１０．５に調整する。ｐＨ調整用の薬液は、被処理水の種類に応じて適宜選択すればよい。例えば、ｐＨ調整用の薬液は、水酸化ナトリウム水溶液等である。被処理水のｐＨを調整することで、被処理水に含まれる金属分が水酸化物となり、沈殿物が析出する。

（濾過工程）
濾過工程では、開閉弁Ｖ_１，Ｖ_２を開放し、開閉弁Ｖ_３〜Ｖ_８を閉じる。
ｐＨ調整後の被処理水を中空糸膜モジュール３の一次側底部に送水し、中空糸膜モジュール３内（一次側および二次側）を被処理水で満たす（充水）。

被処理水の供給を継続し、中空糸膜モジュール３の一次側から二次側に向けてｐＨ調整後の被処理水を通水させる（通水）。被処理水は、中空糸膜の細孔を透過することで濾過される。濾過された被処理水（処理水）は、二次側へと送られる。二次側に溜まった処理水が許容量を超えると、処理水が二次側からあふれ出て処理水槽４へと送られる。

処理水槽４に送られた処理水に、ｐＨ調整用の薬液を添加して中和する。ここで用いられる薬液は、硫酸等である。

（逆洗工程）
所定時間通水させた後、被処理水の送給を停止する。逆洗工程では、開閉弁Ｖ_１，Ｖ_２を閉じ、開閉弁Ｖ_３を開放する。また、逆洗時に供給したガスを放出するため開閉弁Ｖ_７を開放する。このとき開閉弁Ｖ_６は閉とされる。

中空糸膜モジュール３の二次側に所定時間ガスを供給して逆洗する。ガスは、空気等である。ガスの供給は、連続で行うことが好ましい。中空糸膜モジュール３の二次側に供給されたガスは、二次側に溜まった処理水を徐々に一次側に押し戻しながら一次側へと移動する。その際、中空糸膜に付着した成分（付着物）をバブリングにより物理的に中空糸膜から剥離させる。濾液ではなくガスを用いて逆洗することで、処理水により排泥を希釈することはない。

また、上述の逆洗と同時に又は別の時間帯に、開閉弁Ｖ_３ａを開放してハウジング１６の下方から気泡を噴射してバブリング洗浄を行っても良い。

ガスの供給を停止した後、適宜静置時間を設ける（静置）。静置している間、剥離した付着物等の固形分が中空糸膜モジュール３の底部に沈殿する。

次に、開閉弁Ｖ_４を開放して排泥（含付着物および被処理水等）を排泥受槽１８へと送る（抜水）。これにより、中空糸膜モジュール３の一次側を空にする。

（酸洗浄工程）
逆洗工程の後、酸洗浄工程を行う。酸洗浄工程では、開閉弁Ｖ_４を閉じ、開閉弁Ｖ_５及び開閉弁Ｖ_６を開放する。注入ポンプ２３により１ｗｔ％以上５ｗｔ％以下の硫酸を中空糸膜モジュール３の一次側に注入した後に、硫酸をタンク２１へと戻す。この状態で注入ポンプ２３の稼働を継続し、中空糸膜モジュール３とタンク２１との間で硫酸を循環させる。循環時間は１５分以上とする。

酸洗浄工程は、逆洗工程を複数回実施する毎に実施する。水処理サイクルを繰り返し実施すると、逆洗直後の一次側と二次側との差圧が徐々に上昇する。水処理サイクル（逆洗工程）を複数回実施した後に、酸洗浄工程を実施することで、逆洗では剥離しきれなかった付着物を中空糸膜表面から取り除くことができる。それにより、上昇してしまった一次側と二次側の差圧を、元のレベルまで下げることができる。

［中空糸膜モジュール］
次に、中空糸膜モジュール３の構成についてさらに詳細に説明する。
図２には、中空糸膜モジュール３の正面図が示されている。中空糸膜モジュール３のハウジング１６は、設置面Ｂ上に複数の脚部４１を介して所定高さに設置されている。

ハウジング１６は、本体部１６ａと、本体部１６ａを上方から覆う蓋部１６ｂとを備えている。蓋部１６ｂは、本体部１６ａに対してヒンジ１６ｃ回りに回動可能となっている。
蓋部１６ｂの中央上部には、処理水を処理水槽４に導く配管１２（図１参照）の上流端が接続される処理水出口部４３が設けられている。処理水出口部４３は、逆洗時に、ガス供給源１７（図１参照）からガスが供給されるガス供給部としても用いられる。

本体部１６ａの側部（図２において右側部）には、バイパス経路３２（図１参照）の上流端が接続されるとともに圧力計ＰＩＣ_２が接続されるバイパス出口部４５と、圧力計ＰＩＣ_１が接続される圧力計接続部４７が設けられている。本体部１６ａのさらに他方の側部（図２において左側部）には、酸洗浄時には返送配管２４（図１参照）を介して硫酸が返送され、逆洗時には分岐配管２６（図１参照）を介してガスが排出される排出部４９が設けられている。本体部１６ａの中央下部には、ｐＨ調整層２から原水を供給する配管１１（図１参照）の下流端が接続される原水供給部５１が設けられている。原水供給部５１は、バブリング洗浄時にバブリング用配管１９ａ（図１参照）を介してガスをハウジング１６内に供給する洗浄ガス供給口としても用いられ、また、洗浄後に配管２０（図１参照）を介して排水を排泥受槽１８へ送る排水出口としても用いられる。さらに、本体部１６ａの下部には、酸洗浄の際に硫酸を注入する注入配管２２（図１参照）の下流端が接続される酸入口部４８が設けられている。

ハウジング１６内には、内部を下方空間と上方空間とを仕切る仕切り部材１５が設けられている。仕切り部材１５は、図５に示すように、円板形状とされており、円形とされた複数の挿入穴１５ａが概略千鳥状に形成されている。各挿入穴１５ａは、図５（ｂ）に示すように、下方が上方よりも径が小さい２段階の穴形状となっている。このような径違いの穴形状とすることにより、後述するアダプタ５２（図４参照）が係止されるようになっている。

図２に示すように、各中空糸膜エレメント１４は、仕切り部材１５の挿通孔１５ａ（図５参照）に挿通された状態で、アダプタ５２を介して固定されている。このように中空糸膜エレメント１４の上端を固定して吊り下げることで、中空糸膜エレメント１４の中空糸膜１４ｂの長手方向（上下方向）全体が一次側（Ｆ）の空間内に配置される。

逆洗やバブリング洗浄といったガス洗浄時にガスを抜く排出部４９は、図２に示されているように、仕切り部材１５の直近下方に設けられている。ただし、仕切り部材１５の周囲を係止して支持するための支持突起部５５を設ける等の工作上の制約によって、仕切り部材１５の下面から所定距離離れた位置に、排出部４９の上流端である排出口（洗浄ガス排出口）４９ａが形成されている。

排出口４９ａのハウジング１６内側の周囲には、排出口４９ａを取り囲むように覆う樋部材５７が設けられている。樋部材５７は、底部と、半円状断面を有する側壁（図３参照）とを有する容器形状とされている。樋部材５７は、近傍の中空糸膜エレメント１４から導かれたガスが優先的に排出口４９ａに導かれてしまうことを防止するために設けられている。
樋部材５７の上端は、図２に示すように、仕切り部材１５の下面との間に隙間を有するように位置されている。すなわち、仕切り部材１５の下面の高さＨ１と樋部材５７の上端の高さＨ２との間が隙間となる。このように隙間を形成することで、洗浄時に、樋部材５７の上端から液体が乗り越えて排出口４９ａへと流れ込むようになっており、これに伴い、ガス層が樋部材５７の上端と仕切り部材１５の下面との間（高さＨ１とＨ２の間）に形成されるようになる。樋部材５７の上端は、排出口４９ａの上端よりも高い位置に設定されており、また、中空糸膜エレメント１４のシース部１４ａの下端の高さＨ３よりも高い位置に設定されている。

図４に示すように、中空糸膜エレメント１４は、中空糸膜１４ｂと、中空糸膜１４ｂの上端（一端）を束ねて支持するシース部１４ａとが一体化された構成となっている。中空糸膜１４ｂは、中空の糸状に成形した膜であり、その壁面には細孔が形成されている。中空糸膜の材質は、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）コートフッ化ビニリデン、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）等である。細孔の孔径は、分離する対象物により適宜設定される。

シース部１４ａは、円筒形状とされており、接着剤を介して中空糸膜の一端側を束ねて支持する。シース部の材質は、ポリスルホン（ＰＳＦ）、ポリプロピレン等である。接着剤は、ウレタン系、エポキシ系等である。

シース部１４ａの外周には、半径方向外方に突出する鍔部１４ａ１が設けられており、この鍔部１４ａ１がアダプタ５２に対して係止されるようになっている。シース部１４ａの上方外周には、溝部が形成されており、溝部内にはＯリング５９が配置されている。Ｏリング５９によって、アダプタ押え５３の内周面との間で液密性が確保されている。

シース部１４ａを支持するアダプタ５２は、円筒形状とされており、図７に示すように、下端にはシース部１４ａの鍔部１４ａ１を係止する下方係止部５２ａを有している。下方係止部５２ａは、内方へ突出する突出部とされている。また、アダプタ５２の上端には、仕切り部材１５の挿入穴１５ａ（図５参照）に対して係止される上方係止部５２ｂが設けられている。上方係止部５２ｂは、外方へ突出する突出部とされている。上方係止部５２ｂの下面には、溝部５２ｂ１が形成されている。溝部５２ｂ１内には、図４に示すように、Ｏリング６１が設けられ、仕切り部材１５との間で液密性が確保されている。

図４に示されているように、アダプタ５２の内部には、アダプタ押え５３の先端（下端）が挿入されるようになっている。アダプタ押え５３の下端は、シース部１４ａの鍔部１４ａ１の上面に対向するように配置されている。
アダプタ押え５３は、円筒形状とされており、図６に示すように、上端には、外方へ突出する押え部５３ａを有している。押え部５３ａは、下面がアダプタ５２の上方係止部５２ｂの上面に当接してアダプタ５２を固定するようになっている。押え部５３ａの下面には、溝部５３ａ１が形成されている。溝部５３ａ１内には、図４に示すように、Ｏリング６２が設けられ、アダプタ５２との間で液密性が確保されている。押え部５３ａの外周には、図６に示すように、雄ネジ部５３ａ２が形成されている。この雄ネジ部５３ａ２を仕切り部材１５の挿入穴１５ａ（図５参照）に形成された雌ネジ部に螺合させることで、アダプタ５２を固定するようになっている。

本実施形態によれば、以下の作用効果を奏する。
上述のように、逆洗やバブリング洗浄といったガス洗浄を行うと、ガスが樋部材５７の上端を通過して排出口４９ａから排出されるので、ガス層が樋部材５７の上端と仕切り部材１５の下面との間（図２における高さＨ１とＨ２との間）に形成される。
本実施形態では、図４に示したように、アダプタ５２を介して中空糸膜エレメント１４を仕切り部材１５に対して固定することとした。これにより、仕切り部材１５の下面の高さＨ１からさらに下方に位置させて中空糸膜エレメント１４を固定することができる。したがって、中空糸膜エレメント１４を逆洗やバブリング洗浄する際に、仕切り部材１５の下方に形成されるガス層が中空糸膜エレメント１４の上部を覆うことを可及的に回避することができる。よって、ガス洗浄時においても中空糸膜エレメント１４の上部を液体に浸した状態を保つことができ、洗浄効果を高めることができる。

また、アダプタ５２により、中空糸膜１４ｂを束ねるシース部１４ａの下端の高さＨ３を、樋部材５７の上端の高さＨ２すなわち樋部材５７の上方に形成されるガス層よりも下方に位置させることとしたので、中空糸膜１４ｂの全体を液体に浸すことができる。
図８には、参考例として、アダプタ５２を用いずに中空糸膜エレメント１４を仕切り部材１５に固定した状態が示されている。同図に示されているように、シース部１４ａの下端の高さＨ３’は仕切り部材１５の下面の高さＨ１よりも上方に位置することになり、樋部材５７の上方に形成されるガス層に中空糸膜１４ｂが曝されることになる。これでは、中空糸膜１４ｂの上部における洗浄が効果的に行うことができない。

また、アダプタ５２は着脱可能とされているので、アダプタ５２を取り替えることで、中空糸膜エレメント１４の取り付け高さ位置を任意に変更することができ、種々の条件に対して柔軟に対応することができる。

なお、本実施形態では、樋部材５７を設けて、樋部材５７の上端よりも下方にシース部１４ａの下端を位置させることとしたが、樋部材５７がない場合には、排出口４９ａの上端よりも下方にシース部１４ａの下端を位置させるようにする。これにより、排出口４９ａの上方に形成されるガス層よりも下方に中空糸膜１４ｂの全体を位置させることができる。

１ 水処理装置
２ ｐＨ調整槽
３ 中空糸膜モジュール
４ 処理水槽
５ 逆洗部
６ 酸洗部
１１，１２，２０ 配管
１３ 膜濾過送水ポンプ
１４ 中空糸膜エレメント
１４ａ シース部
１４ｂ 中空糸膜
１５ 仕切り部材
１６ ハウジング
１７ ガス供給源（洗浄ガス供給手段）
１８ 排泥受槽
１９ ガス供給配管（洗浄ガス供給手段）
２１ タンク
２２ 注入配管
２３ 注入ポンプ
２４ 返送配管
２５ 撹拌手段
２６ 分岐配管
３２ バイパス経路
４１ 脚部
４３ 処理水出口部（洗浄ガス供給口）
４５ バイパス出口部
４７ 圧力計接続部
４８ 酸入口部
４９ 排出部
５１ 原水供給部（洗浄ガス供給口）
５２ アダプタ
５２ａ 下方係止部
５２ｂ 上方係止部
５３ アダプタ押え
５３ａ 押え部
５３ａ１ 溝部
５５ 支持突起部
５７ 樋部材
５９，６１，６２ Ｏリング

Claims (3)

1. 原水を受け入れるハウジングと、
   該ハウジング内を、前記原水を受け入れる下方空間と、該原水を処理した後の処理水を受け入れる上方空間とに仕切る仕切り部材と、
   洗浄時にガスを供給する洗浄ガス供給口と、
   前記仕切り部材の下方に設けられ、前記下方空間から前記ガスを排出する洗浄ガス排出口と、
   該仕切り部材に形成された挿入穴に挿入され、下方が前記下方空間に位置するように上端部が固定された中空糸膜エレメントと、
   前記挿入穴に挿入されるとともに、前記中空糸膜エレメントの前記上端部を前記仕切り部材よりも下方に位置させて固定するアダプタと、
   を備え、
   前記アダプタの外径は、前記挿入穴の径よりも小さく、
   前記中空糸膜エレメントの外径は、前記アダプタの外径よりも小さくされ、
   前記アダプタを前記仕切り部材に対して固定するアダプタ押さえを備え、
   前記中空糸膜エレメントは、中空糸膜の一端を束ねて支持するシース部を備え、
   前記シース部には、半径方向外方に突出する鍔部が設けられ、
   前記アダプタは、前記鍔部を係止することによって前記中空糸膜エレメントを保持し、
   前記アダプタ押さえの内周面と前記シース部との間に設けられたＯリングによって、前記シース部の外周面を液密にシールする中空糸膜モジュール。
2. 前記仕切り部材との間に隙間を残して前記洗浄ガス排出口を取り囲むように覆う樋部材を備え、
   前記シース部は、前記中空糸膜の上端を束ねて保持し、
   前記アダプタにより、前記シース部の下端は、前記樋部材の上端よりも下方に位置されている請求項１に記載の中空糸膜モジュール。
3. 請求項１又は２に記載された中空糸膜モジュールと、
   前記中空糸膜モジュールに原水を供給する原水供給手段と、
   前記中空糸膜モジュールから処理後の処理水を排出する処理水排出手段と、
   洗浄時に、前記洗浄ガス供給口へガスを供給する洗浄ガス供給手段と、
   洗浄時に、前記洗浄ガス排出口からガスを排出する洗浄ガス排出手段と、
   を備えている水処理装置。

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