JP6700082B2 - 半導体装置、電池監視システム、及びデータ読み出し方法 - Google Patents
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Description
本実施の形態は、例えば電圧監視システムなど各種システムにおいて、動作条件設定値や内部基準電圧などの調整用トリミング値を、予め格納したメモリからダウンロードする場合に、その値が正しくダウンロードされたかを確認する方式に関するものである。
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る電池監視システム10を示す回路図である。第1の実施の形態に係る電池監視システム10は、図1に示されるように、電池セル群12と、電池セル群12の各電池セルの電圧を測定し、監視する半導体回路14と、制御回路16とを備えている。
次に、第2の実施の形態について説明する。なお、第2の実施の形態に係る読み出し回路の構成は、第1の実施の形態と同様の構成となるため、同一符号を付して説明を省略する。
次に、第3の実施の形態について説明する。なお、第3の実施の形態に係る読み出し回路の構成は、第1の実施の形態と同様の構成となるため、同一符号を付して説明を省略する。
次に、第4の実施の形態について説明する。なお、第1〜第3の実施の形態に係る読み出し回路と同一の構成については、同一符号を付して、詳細な説明を省略する。
12 電池セル群
14 半導体回路
16 制御回路
18 メモリ
19 記憶部
20,420 読み出し回路
21,421 Flash制御部
22 フラッシュメモリ
24 第1セクタ
26 第2セクタ
28 格納レジスタ
30 比較レジスタ
32,432 比較回路
34 監視回路
A,B,C,D 領域
VREF 内部基準電圧
Vout 出力電圧
Claims (8)
- 第1のアドレスに特定データを記憶する第1セクタと、前記第1のアドレスを反転させたアドレスである第2のアドレスに前記特定データを記憶する第2セクタとを備えるメモリと、
前記メモリの前記第1セクタから読み出された読み出しデータを格納する第1のレジスタと、
前記メモリの前記第2セクタから読み出された読み出しデータを格納する第2のレジスタと、
受け付けた選択信号の指示に応じて、読み出しデータ又はアドレスの比較を行う比較回路と、
を備え、
前記比較回路は、
前記選択信号がデータの比較を指示している場合、前記第1のレジスタに格納されかつ前記第1のアドレスから読み出された読み出しデータと、前記第2のレジスタに格納されかつ前記第2のアドレスから読み出された読み出しデータとを比較し、前記第1のアドレスから読み出された読み出しデータと前記第2のアドレスから読み出された読み出しデータとが異なる場合には、エラーを出力し、
前記選択信号がアドレスの比較を指示している場合、前記第1のレジスタに格納される読み出しデータの前記第1のアドレスと、前記第2のレジスタに格納される読み出しデータの前記第2のアドレスとを比較し、前記第2のレジスタに格納される読み出しデータの前記第2のアドレスが、前記第1のレジスタに格納される読み出しデータの前記第1のアドレスを反転させたアドレスでない場合に、エラーを出力する、
半導体装置。 - 第1のアドレスに特定データを記憶する第1セクタと、前記第1のアドレスを反転させたアドレスである第2のアドレスに前記特定データを反転させたデータを記憶する第2セクタとを備えるメモリと、
前記メモリの前記第1セクタから読み出された読み出しデータを格納する第1のレジスタと、
前記メモリの前記第2セクタから読み出された読み出しデータを格納する第2のレジスタと、
受け付けた選択信号の指示に応じて、読み出しデータ又はアドレスの比較を行う比較回路と、
を備え、
前記比較回路は、
前記選択信号がデータの比較を指示している場合、前記第1のレジスタに格納されかつ前記第1のアドレスから読み出された読み出しデータと、前記第2のレジスタに格納されかつ前記第2のアドレスから読み出された読み出しデータとを比較し、前記第2のアドレスから読み出された読み出しデータが、前記第1のアドレスから読み出された読み出しデータを反転させたデータでない場合には、エラーを出力し、
前記選択信号がアドレスの比較を指示している場合、前記第1のレジスタに格納される読み出しデータの前記第1のアドレスと、前記第2のレジスタに格納される読み出しデータの前記第2のアドレスとを比較し、前記第2のレジスタに格納される読み出しデータの前記第2のアドレスが、前記第1のレジスタに格納される読み出しデータの前記第1のアドレスを反転させたアドレスでない場合に、エラーを出力する、
半導体装置。 - 前記メモリの前記第1セクタは、前記第1のアドレスに特定データを記憶する第1の領域と、第3のアドレスに特定データを記憶する第2の領域とを備え、
前記メモリの前記第2セクタは、前記第1のアドレスを反転させたアドレスである前記第2のアドレスに前記特定データを記憶する第3の領域と、前記第3のアドレスを反転させたアドレスである第4のアドレスに、前記第3のアドレスの前記特定データを反転させたデータを記憶する第4の領域とを備え、
前記比較回路は、
前記第1のレジスタに格納されかつ前記第1のアドレスから読み出された読み出しデータと、前記第2のレジスタに格納されかつ前記第2のアドレスから読み出された読み出しデータとを比較し、前記第1のアドレスから読み出された読み出しデータと前記第2のアドレスから読み出された読み出しデータとが異なる場合に、エラーを出力し、
前記第1のレジスタに格納されかつ前記第3のアドレスから読み出された読み出しデータと、前記第2のレジスタに格納されかつ前記第4のアドレスから読み出された読み出しデータを反転させたデータとが異なる場合に、エラーを出力する
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記選択信号として読み出しデータの比較又はアドレスの比較を指定する信号を前記比較回路へ出力する制御部を更に含む
請求項1〜3の何れか1項に記載の半導体装置。 - 前記制御部は、更に、前記第1セクタの前記第1のアドレスに記憶された前記特定データを書き換える際に、前記第2セクタの前記第1のアドレスを反転させた前記第2のアドレスに記憶されたデータを書き換えるように制御する
請求項4に記載の半導体装置。 - 前記第1のレジスタ又は前記第2のレジスタに格納された前記読み出しデータに基づいて、所定の電圧を監視する監視回路を更に含む
請求項1〜請求項5の何れか1項に記載の半導体装置。 - 電池と、
請求項1〜請求項6の何れか1項に記載の半導体装置と、
前記電池から得られる所定の電圧を監視するように前記半導体装置を制御する制御回路と、
を備える電池監視システム。 - 第1のアドレスに特定データを記憶する第1セクタと、前記第1のアドレスを反転させたアドレスである第2のアドレスに前記特定データを記憶する第2セクタとを備えるメモリの前記第1セクタから読み出された読み出しデータを第1のレジスタに格納する工程と、
前記メモリの前記第2セクタから読み出された読み出しデータを第2のレジスタに格納する工程と、
受け付けた選択信号の指示に応じて、読み出しデータ又はアドレスの比較を行う工程と、
を備え、
前記比較を行う工程は、
前記選択信号がデータの比較を指示している場合、前記第1のレジスタに格納されかつ前記第1のアドレスから読み出された読み出しデータと、前記第2のレジスタに格納されかつ前記第2のアドレスから読み出された読み出しデータとを比較し、前記第1のアドレスから読み出された読み出しデータと前記第2のアドレスから読み出された読み出しデータとが異なる場合には、エラーを出力し、
前記選択信号がアドレスの比較を指示している場合、前記第1のレジスタに格納される読み出しデータの前記第1のアドレスと、前記第2のレジスタに格納される読み出しデータの前記第2のアドレスとを比較し、前記第2のレジスタに格納される読み出しデータの前記第2のアドレスが、前記第1のレジスタに格納される読み出しデータの前記第1のアドレスを反転させたアドレスでない場合に、エラーを出力する、
データ読み出し方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2016066754A JP6700082B2 (ja) | 2016-03-29 | 2016-03-29 | 半導体装置、電池監視システム、及びデータ読み出し方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2016066754A JP6700082B2 (ja) | 2016-03-29 | 2016-03-29 | 半導体装置、電池監視システム、及びデータ読み出し方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2017182345A JP2017182345A (ja) | 2017-10-05 |
JP6700082B2 true JP6700082B2 (ja) | 2020-05-27 |
Family
ID=60007443
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2016066754A Active JP6700082B2 (ja) | 2016-03-29 | 2016-03-29 | 半導体装置、電池監視システム、及びデータ読み出し方法 |
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