JP6699537B2 - 電子装置 - Google Patents

Description

この明細書における開示は、めっき膜が積層されてなる積層めっき膜構造のランドを有する基板を備えた電子装置に関する。

特許文献１には、積層めっき膜構造のランドを有する基板が開示されている。基板表面のランドは、たとえば導体パターン（銅箔）上に、Ｎｉめっき膜及びＡｕめっき膜が積層されてなる。上記ランドには、電子部品が電気的に接続される。

特開２０１４−１７３３５号公報

基板が、該基板の表面に形成され、電子部品が電気的に接続されるランド（以下、第１ランドと示す）とは別に、プレスフィット端子などのばね端子により押圧されるランド（以下、第２ランド）を有する構成も考えられる。製造工程の簡素化などを考慮すると、第２ランドは、第１ランドと同じ積層めっき膜構造となる。

しかしながら、本発明者が鋭意検討したところ、ばね端子により押圧される第２ランドを、第１ランド同様、Ｎｉめっき膜上にＡｕめっき膜が積層されてなる構成とした場合、Ｎｉめっき膜にクラックが生じる場合があることが明らかとなった。

本開示はこのような課題に鑑みてなされたものであり、第２ランドが第１ランドと同様にＮｉめっき膜を有しつつ、ばね端子の押圧により第２ランドのＮｉめっき膜にクラックが生じるのを抑制できる電子装置を提供することを目的とする。

本開示は、上記目的を達成するために以下の技術的手段を採用する。なお、括弧内の符号は、ひとつの態様として後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであって、技術的範囲を限定するものではない。

本開示のひとつである電子装置は、Ｐを含むＮｉめっき膜（２１０ｃ，２１２ｂ）上にＡｕめっき膜（２１０ｄ，２１２ｃ）が積層されてなるランドとして、両表面の少なくとも一方に形成された第１ランド（２１０，２１１）と、第１ランドと同じ積層めっき膜構造の第２ランド（２１２，２１３）と、を有する基板（２０）と、
第１ランドと電気的に接続された電子部品（３０）と、
第２ランドに接触して第２ランドを押圧するばね端子（４２，４５）を有する電気部品（４０，４３）と、を備え、
各ランドのＮｉめっき膜中のＰ含有量が、８ｗｔ％以上１６ｗｔ％以下とされ、
第２ランドのＮｉめっき膜の膜厚が、第１ランドのＮｉめっき膜の膜厚よりも薄くされている。

この電子装置では、第２ランドが、第１ランドと同じ積層めっき膜構造をなしている。すなわち、第２ランドも、第１ランド同様、Ｐを含むＮｉめっき膜と、Ｎｉめっき膜上に積層されたＡｕめっき膜を有している。したがって、製造工程の簡素化を図ることができる。

また、各ランドのＮｉめっき膜中のＰ含有量が８ｗｔ％以上１６ｗｔ％以下とされ、これによりＮｉめっき膜の内部応力が小さくなっている。したがって、ばね端子によって第２ランドが押圧されても、第２ランドのＮｉめっき膜にクラックが生じるのを抑制することができる。

第１実施形態に係る電子装置の概略構成を示す断面図である。 図１の領域IIを拡大した図である。 図１の領域IIIを拡大した図である。 図２の領域Vに対応する参考図である。 図２の領域Vを拡大した図である。 Ｐの含有量と内部応力との関係を示す図である。 Ｎｉめっき膜の膜厚と保持力との関係を示す図である。 第２実施形態に係る電子装置の概略構成を示す部分断面図である。 第３実施形態に係る電子装置において、ランド構造を示す断面図であり、図６に対応している。 第１変形例を示す断面図であり、図１に対応している。

図面を参照しながら、複数の実施形態を説明する。複数の実施形態において、機能的に及び／又は構造的に対応する部分には同一の参照符号を付与する。以下において、基板に対するプレスフィット端子の挿入方向、換言すれば基板の板厚方向をＺ方向と示す。Ｚ方向に直交する一方向であって、プレスフィット端子の幅方向をＸ方向と示す。また、Ｚ方向及びＸ方向の両方向に直交する方向をＹ方向と示す。特に断りのない限り、Ｚ方向から平面視したときの形状（ＸＹ平面に沿う形状）を平面形状とする。

（第１実施形態）
先ず、図１及び図２に基づき、電子装置の概略構成について説明する。図２では、スルーホールランドを簡略化して図示している。

図１に示す電子装置１０は、車両を制御する電子制御装置として構成されている。電子装置１０は、たとえば車両に搭載されたエンジンを制御するエンジンＥＣＵ（Electronic Control Unit）として構成されている。電子装置１０は、基板２０、電子部品３０，３１、コネクタ４０、及び筐体５０を備えている。

基板２０は、所謂プリント基板である。基板２０は、樹脂などの電気絶縁材料を用いて形成された絶縁基材に、配線が配置されてなる。基板２０は、たとえば平面略矩形状をなしている。基板２０は、ねじ締結、接着など周知の固定方法により、筐体５０に固定されている。

基板２０は、配線の一部分としてランド２１を有している。図１では、配線のうち、ランド２１のみを図示している。また、基板２０は、該基板２０をその板厚方向であるＺ方向に貫通するスルーホール２２を有している。スルーホール２２は、基板２０の一面２０ａ及び一面２０ａと反対の裏面２０ｂにそれぞれ開口している。一面２０ａ及び裏面２０ｂが両表面に相当する。

基板２０は、ランド２１として、一面２０ａ及び裏面２０ｂの少なくとも一方に形成された表面ランド２１０，２１１、及び、スルーホール２２の壁面に形成されたスルーホールランド２１２を有している。表面ランド２１０，２１１が第１ランドに相当し、スルーホールランドが第２ランドに相当する。

本実施形態において、表面ランド２１０，２１１は、いずれも一面２０ａに形成されている。表面ランド２１０，２１１は、導体パターン上にめっき膜が形成されてなる。表面ランド２１０，２１１は、互いに同じ構造をなしている。スルーホールランド２１２は、スルーホール２２の壁面とスルーホール２２の開口周囲に、一体的に形成されている。スルーホールランド２１２は、スルーホールめっきとも称される。ランド２１の構造の詳細については後述する。

電子部品３０，３１は、基板２０に形成された配線とともに、回路を構成する。電子部品３０，３１が実装された基板２０は、回路基板とも称される。電子部品３０，３１は、表面実装型の部品であり、第１ランドである表面ランド２１０，２１１と電気的に接続されている。

電子部品３０は、基板２０の一面２０ａに載置されている。電子部品３０は、一面２０ａとの対向面の裏面に、外部接続用の電極３００を有している。この電極３００が、ボンディングワイヤ３２を介して、表面ランド２１０に接続されている。ボンディングワイヤ３２として、たとえばＡｕワイヤを用いることができる。電子部品３１は、略直方体状をなしており、両端に電極３１０を有している。そして、電極３１０が、はんだ３３を介して、表面ランド２１１に接続されている。

コネクタ４０は、基板２０の配線及び電子部品３０，３１により形成される回路と外部機器とを電気的に中継する。コネクタ４０は、ハウジング４１及び複数のプレスフィット端子４２を有している。ハウジング４１は、樹脂材料を用いて形成されている。複数のプレスフィット端子４２は、ハウジング４１に保持されている。コネクタ４０が、電気部品に相当し、プレスフィット端子がばね端子に相当する。コネクタ４０は、基板２０に対して、Ｘ方向の一端側に配置されている。コネクタ４０の一部は筐体５０の開口部５０ａを介して外部に露出され、残りの部分は筐体５０の内部空間に収容されている。

プレスフィット端子４２は、たとえば圧入固定やインサート成形により、ハウジング４１に保持されている。図示を省略するが、複数のプレスフィット端子４２は、ハウジング４１の幅方向であるＹ方向に沿って配列されている。本実施形態では、端子数が多いため、プレスフィット端子４２がＺ方向に多段に配置されている。各プレスフィット端子４２は、ＺＸ平面において略Ｌ字状をなしている。

プレスフィット端子４２は、基板２０のスルーホール２２に圧入保持されている。プレスフィット端子４２は、スルーホールランド２１２に接触してスルーホールランド２１２を押圧している。図２に示すように、プレスフィット端子４２は、金属材料を用いて形成された基材４２ａ、及び、基材４２ａを被覆するめっき膜４２ｂを有している。基材４２ａは、たとえば銅又はリン青銅などの銅合金を構成材料として形成されている。基材４２ａは、銅又は銅合金の金属板を打ち抜いて形成されている。基材４２ａは、母材とも称される。基材４２ａの板厚方向が、Ｙ方向に沿っている。めっき膜４２ｂとしては、周知のものを採用することができる。めっき膜４２ｂは、基材４２ａの外表面のうち、スルーホールランド２１２と接触する部分の少なくとも一部を被覆している。

プレスフィット端子４２は、弾性部４２０、先端部４２１、及び後端部４２２を有している。弾性部４２０は、スルーホール２２への挿入方向（すなわちＺ方向）と直交する方向に弾性を有する。弾性部４２０は、少なくとも一部がスルーホール２２内に配置され、弾性変形による反力（すなわち、ばね反力）をスルーホール２２の壁面に作用させる。先端部４２１は弾性部４２０に対して挿入先端側に連なっており、後端部４２２は弾性部４２０に対して後端側（すなわちハウジング４１側）に連なっている。

本実施形態のプレスフィット端子４２は、所謂ニードルアイ形状をなしている。プレスフィット端子４２は、スルーホール２２内に保持される部分を含んで形成された開口部４２３をさらに有している。開口部４２３は、板厚方向であるＹ方向に貫通している。開口部４２３は、貫通孔である。開口部４２３は、Ｚ方向、すなわちプレスフィット端子４２の長手方向に延設されている。

プレスフィット端子４２（基材４２ａ）は、開口部４２３によって一対の梁に分岐されている。Ｚ方向に直交する方向において、一対の梁の外表面間のうち、最も長い部分の長さは、スルーホール２２へ挿入される前の状態で、スルーホール２２の内径よりも長くなっている。一対の梁は、後端部４２２側から先端部４２１側に向けて、Ｘ方向に沿う外表面間の長さが徐々に長くなり、その途中から先端部４２１に近づくほどＸ方向に沿う外表面間の長さが徐々に狭くなっている。弾性部４２０は、一対の梁を含んで構成されている。弾性部４２０は、開口部４２３の周囲部分であり、スルーホール２２に挿入した際に、弾性変形可能な部分である。

筐体５０は、基板２０及び電子部品３０，３１を内部に収容し、基板２０及び電子部品３０，３１を保護する。たとえば電子部品３０，３１の生じた熱に対する放熱性を向上するために、筐体５０は、アルミニウムなどの金属材料を用いて形成される。たとえば電子装置１０の軽量化を図るために、筐体５０は、樹脂材料を用いて形成される。

本実施形態において、筐体５０は、Ｚ方向に分割された２つの部材、具体的にはケース５１及びカバー５２を有している。ケース５１は樹脂材料を用いて形成され、カバー５２はアルミニウム系材料を用いて形成されている。筐体５０は、Ｚ方向においてケース５１とカバー５２を組み付けることで形成される。ケース５１とカバー５２の組み付け方法は特に限定されない。ねじ締結など周知の組み付け方法を採用することができる。

ケース５１は、一面が開口する箱状をなしている。平面略矩形状をなす基板２０に対応して、ケース５１の底面部も略矩形状となっている。ケース５１において、４つの側面部のひとつが開口しており、側面の開口は、上記した一面の開口につながっている。

カバー５２は、ケース５１とともに筐体５０の内部空間を形成する。ケース５１とカバー５２を組み付けることで、カバー５２によりケース５１における一面の開口が閉塞され、上記した開口部５０ａが形成される。開口部５０ａは、カバー５２により一面の開口が閉塞されることで、側面の開口が区画されてなる。

次に、図３に基づき、ランド２１について詳細に説明する。

ボンディングワイヤ３２（たとえばＡｕワイヤ）を介して、電子部品３０が接続される表面ランド２１０は、図３に示すように、導体パターン２１０ａ、Ｃｕめっき膜２１０ｂ、Ｎｉめっき膜２１０ｃ、及びＡｕめっき膜２１０ｄを有している。導体パターン２１０ａは、金属箔（たとえば銅箔）をパターニングしてなる。

Ｃｕめっき膜２１０ｂは、導体パターン２１０ａ上に形成されている。本実施形態では、Ｃｕめっき膜２１０ｂが、無電解めっき、若しくは、無電解めっき後、電気めっきを施すことで形成されている。導体パターン２１０ａ（銅箔）上にＣｕめっき膜２１０ｂを施すことで、たとえばＣｕの厚膜化を図ることができる。Ｃｕめっき膜２１０ｂの膜厚は、たとえば２０μｍ程度となっている。

Ｎｉめっき膜２１０ｃは、Ｃｕめっき膜２１０ｂ上に形成されている。Ｎｉめっき膜２１０ｃは、たとえばＣｕがＡｕ中に拡散するのを抑制する。めっき浴中にＰ（リン）系の還元剤を含むため、Ｎｉめっき膜２１０ｃはＰを含む。すなわち、Ｎｉめっき膜２１０ｃは、ＮｉとＰの合金膜となっている。本実施形態では、Ｐの含有量が８ｗｔ％以上１６ｗｔ％以下となるように、Ｎｉめっき膜２１０ｃが形成されている。このような含有量では、Ｎｉめっき膜２１０ｃが非晶質となる。

好ましくは、Ｐの含有量を、９ｗｔ％以上１１ｗｔ％以下にするとよい。Ｎｉめっき膜２１０ｃは、無電解めっき後、電気めっきを施すことで形成されている。Ｎｉめっき膜２１０ｃの膜厚は、５〜６μｍ程度となっている。

Ａｕめっき膜２１０ｄは、Ｎｉめっき膜２１０ｃ上に形成されている。Ａｕめっき膜２１０ｄは、たとえば酸化を抑制する。Ａｕめっき膜は、たとえば無電解めっきにより形成されている。Ａｕめっき膜２１０ｄの膜厚は、Ｎｉめっき膜２１０ｃよりも十分に薄い厚み、例えば０．１μｍ程度となっている。

このように、表面ランド２１０は、Ｃｕ（導体パターン２１０ａ及びＣｕめっき膜２１０ｂ）上に、Ｐを含むＮｉめっき膜２１０ｃ及びＡｕめっき膜２１０ｄが積層されてなる。なお、表面ランド２１１も、表面ランド２１０と同じ構成となっている。図示しないが、表面ランド２１１も、導体パターン（銅箔）、Ｃｕめっき膜、Ｎｉめっき膜、及びＡｕめっき膜を有している。また、Ｎｉめっき膜中のＰの含有量が８ｗｔ％以上１６ｗｔ％以下となっている。

プレスフィット端子４２により押圧されるスルーホールランド２１２は、Ｃｕめっき膜２１２ａ、Ｎｉめっき膜２１２ｂ、及びＡｕめっき膜２１２ｃを有している。このように、スルーホールランド２１２は、Ｃｕめっき膜２１２ａ、Ｎｉめっき膜２１２ｂ及びＡｕめっき膜２１２ｃが順に積層された構造、すなわち表面ランド２１０と同じ積層めっき膜構造を有している。

Ｎｉめっき膜２１２ｂもＰを含んでおり、Ｎｉめっき膜２１２ｂ中のＰの含有量は、Ｎｉめっき膜２１０ｃと同じとなっている。すなわち、８ｗｔ％以上１６ｗｔ％以下となっている。また、Ｎｉめっき膜２１２ｂの膜厚は、たとえば１〜２μｍ程度となっている。Ｎｉめっき膜２１２ｂは、無電解めっきにより形成されている。無電解めっき後に電気めっきを施す際、たとえばスルーホール２２にマスクが施される。これにより、Ｎｉめっき膜２１２ｂの膜厚は、Ｎｉめっき膜２１０ｃの膜厚よりも薄くなる。

次に、図４〜図７に基づき、電子装置１０の効果について説明する。

上記したように、本実施形態では、スルーホールランド２１２が、表面ランド２１０，２１１と同じ積層めっき膜構造を有している。したがって、製造工程を簡素することができる。

図４は、参考例を示している。図４は、図５に対応している。参考例では、本実施形態の関連する要素の符号に対して、先頭に１を付記している。たとえばスルーホールランド２１２の場合、参考例では１２１２としている。図４の白抜き矢印は、プレスフィット端子１４２がランド１２１２を押圧する力（垂直抗力）を示している。

参考例では、スルーホールランド１２１２のＮｉめっき膜１２１２ｂ中におけるＰ含有量を５〜６ｗｔ％程度とした。本発明者が確認したところ、このような膜構成では、プレスフィット端子１４２の圧入時に、Ｎｉめっき膜１２１２ｂにクラック１００が生じることが明らかとなった。このようにクラック１００が生じると、たとえばＮｉめっき膜１２１２ｂとＣｕめっき膜１２１２ａとの界面に酸化物層が形成され、接触抵抗が増大する虞がある。

これに対し、本実施形態では、Ｐを含むＮｉめっき膜２１０ｃ，２１２ｂのＰの含有量が、８ｗｔ％以上１６ｗｔ％以下となっている。このような膜構成について本発明者が確認したところ、図５に示すように、プレスフィット端子４２の圧入時に、Ｎｉめっき膜２１２ｂにクラックが生じることはなかった。

このように本実施形態の電子装置１０によれば、製造工程を簡素化しつつ、プレスフィット端子４２によって押圧されるスルーホールランド２１２のＮｉめっき膜２１２ｂにクラックが生じるのを抑制することができる。

なお、図６は、無電解Ｎｉめっき膜のＰの含有量と内部応力（残留応力）との関係を示している。図６に示す関係は、たとえば表面技術Ｖｏｌ．４３（１９９２），Ｎｏ．７，ｐ６５６−６６６に記載されている。図６より、Ｎｉめっき膜のＰ含有量を８ｗｔ％以上１６ｗｔ％以下にすると、Ｎｉめっき膜の内部応力を低減できることが分かる。本実施形態では、Ｎｉめっき膜２１２ｂのＰ含有量を８ｗｔ％以上１６ｗｔ％以下にすることで、Ｎｉめっき膜２１２ｂの内部応力が小さくなり、プレスフィット端子４２によって押圧されても、クラックが生じないものと推定される。

好ましくは、Ｎｉめっき膜２１０ｃ，２１２ｂ中のＰ含有量を、９ｗｔ％以上１１ｗｔ％以下にするとよい。これによれば、図６からも明らかなように、Ｎｉめっき膜２１２ｂの内部応力をより小さくすることができる。したがって、クラックをより生じにくくすることができる。

さらに、本発明者は、Ｐを含むＮｉめっき膜の膜厚と保持力との関係について試験を行った。図７は、その試験結果を示している。試験の際、ニードルアイ形状のプレスフィット端子を引っ張り、基板のスルーホールから外れる直前の力（最大引張力）をロードセルで検出し、保持力とした。また、Ｎｉめっき膜を有さないときの保持力を１００とした。また、スルーホールの直径が１．５ｍｍの基板を用いた。

図７に示すように、Ｎｉめっき膜の膜厚が厚くなるほど、保持力が低下することが明らかとなった。特に膜厚を３μｍよりも厚くすると、保持力が低い値となった。Ｎｉ皮膜は高硬度である（たとえばＣｕやＡｕに較べてビッカース硬度ＨＶが高い）ため、Ｎｉめっき膜が厚膜になるほど、ランドに占めるＮｉの割合が低下し、ランド全体の見かけ上の硬度が高くなる。これにより、動摩擦係数が大きくなり、保持力が低下するものと推定される。なお、膜厚を０．５μｍよりも薄くすると、ＡｕへＣｕが拡散するのを抑制する効果が低下した。

本実施形態では、スルーホールランド２１２のＮｉめっき膜２１２ｂの膜厚が、表面ランド２１０のＮｉめっき膜２１０ｃの膜厚よりも薄くなっている。したがって、Ｎｉめっき膜２１２ｂの膜厚がＮｉめっき膜２１０ｃの膜厚とほぼ同じ構成に較べて、スルーホールランド２１２の動摩擦係数を小さくし、ひいては高い保持力を確保することができる。特に本実施形態では、Ｎｉめっき膜２１２ｂの膜厚が、０．５μｍ以上２．５μｍ以下となっている。これにより、図７からも明らかなように、ＡｕへＣｕが拡散するのを抑制しつつ、より高い保持力を確保できることができる。一方、表面ランド２１０，２１１については、Ｎｉめっき厚が２．５μｍよりも厚くなっているため、はんだ付け性を確保することができる。

（第２実施形態）
本実施形態は、先行実施形態を参照できる。このため、先行実施形態に示した電子装置１０と共通する部分についての説明は省略する。

本実施形態では、図８に示すように、電気部品としてカードエッジコネクタ４３を採用している。カードエッジコネクタ４３は、樹脂製のハウジング４４に保持されたばね端子４５を有している。このばね端子４５が、第２ランドである表面ランド２１３に接触して表面ランド２１３を押圧する。

表面ランド２１３は、基板２０の一面２０ａ及び裏面２０ｂの両方に設けられている。カードエッジコネクタ４３は、一対のばね端子４５を有している。対をなすばね端子４５の一方は一面２０ａ側の表面ランド２１３に接触し、ばね端子４５の他方が裏面２０ｂ側の表面ランド２１３に接触する。基板２０は、一面２０ａ及び裏面２０ｂの両方からばね端子４５の弾性変形による反力を受け、ばね端子４５間に保持される。

表面ランド２１３は、第１実施形態に示した表面ランド２１０，２１１と同じ積層めっき膜構造を有している。表面ランド２１３は、導体パターン２１３ａ、Ｃｕめっき膜２１３ｂ、Ｎｉめっき膜２１３ｃ、及びＡｕめっき膜２１３ｄを有している。そして、Ｎｉめっき膜２１３ｃが、Ｎｉめっき膜２１０ｃ，２１２ｂ同様、Ｐ含有量が８ｗｔ％以上１６ｗｔ％以下となっている。したがって、製造工程を簡素化しつつ、ばね端子４５によって押圧される表面ランド２１３のＮｉめっき膜２１３ｃにクラックが生じるのを抑制することができる。

また、Ｎｉめっき膜２１３ｃの膜厚が、０．５μｍ以上２．５μｍ以下になっている。したがって、ＡｕへＣｕが拡散するのを抑制しつつ、高い保持力を確保できる。

なお、カードエッジコネクタ４３の構造は上記例に限定されない。本実施形態では、便宜上、簡素化している。

また、本実施形態では、基板２０の一面２０ａ及び裏面２０ｂの両方に表面ランド２１３（第２ランド）が設けられ、各表面ランド２１３をばね端子４５が押圧する例を示した。しかしながら、一面２０ａ及び裏面２０ｂの一方のみに表面ランド２１３（第２ランド）が設けられ、この表面ランド２１３がばね端子４５により押圧される構成にも適用することができる。この場合、表面ランド２１３が設けられる面と反対の面が、たとえば筐体５０によって支持されればよい。

（第３実施形態）
本実施形態は、先行実施形態を参照できる。このため、先行実施形態に示した電子装置１０と共通する部分についての説明は省略する。

本実施形態では、図９に示すように、スルーホールランド２１２（第２ランド）が、Ｎｉめっき膜２１２ｂとＡｕめっき膜２１２ｃの間に形成されたＰｄめっき膜２１２ｄを有している。なお、表面ランド２１０，２１１（第１ランド）も、同様に、Ｐｄめっき膜を有している。

Ｐｄめっき膜２１２ｄは、たとえば無電解めっきにより形成されている。Ｐｄは、たとえば優れた耐食性を有している。スルーホールランド２１２（第２ランド）におけるＮｉめっき膜２１２ｂにクラックが生じるのを抑制すべく、Ｎｉめっき膜２１２ｂ中のＰ含有量を増加させると耐食性が低下するが、Ｐｄめっき膜２１２ｄを設けることで、耐食性を確保することができる。また、Ｐ含有量が増加するとはんだ濡れ性が低下するが、Ｐｄめっき膜を設けることで、表面ランド２１１のはんだ濡れ性を確保することもできる。

Ｐｄめっき膜は、第２実施形態に示した表面ランド２１３（第２ランド）にも適用することができる。

この明細書の開示は、例示された実施形態に制限されない。開示は、例示された実施形態と、それらに基づく当業者による変形態様を包含する。たとえば、開示は、実施形態において示された要素の組み合わせに限定されない。開示は、多様な組み合わせによって実施可能である。開示される技術的範囲は、実施形態の記載に限定されない。開示されるいくつかの技術的範囲は、特許請求の範囲の記載によって示され、さらに特許請求の範囲の記載と均等の意味及び範囲内でのすべての変更を含むものと解されるべきである。

ばね端子を有する電気部品として、コネクタ４０及びカードエッジコネクタ４３の例を示したが、これに限定されない。

プレスフィット端子４２は、ニードルアイ形状に限定されない。

電子装置１０の構成は、上記例に限定されない。たとえば図１０に示す第１変形例では、一面２０ａ及び裏面２０ｂの両方に、電子部品３１が実装されている。電子部品３１は、上記したように、はんだ３３を介して対応する表面ランド２１１に接続される部品である。そして、裏面２０ｂ側の電子部品３１が、封止樹脂体６０によって裏面２０ｂごと封止されている。

このような構成では、封止樹脂体６０の成形時の熱により、一面２０ａ側の表面ランド２１１が酸化しやすい。表面ランド２１１が酸化すると、はんだ３３の濡れ性が低下する。このため、図１０に示す電子装置１０でも、表面ランド２１１が、Ｐを含むＮｉめっき膜上にＡｕめっき膜が積層された構造をなしている。よって、製造工程を簡素化しようとすると、たとえばスルーホールランド２１２も、表面ランド２１１と同じ積層めっき膜構造をなすこととなる。したがって、本実施形態に示した構成を適用することで、製造工程を簡素化しつつ、スルーホールランド２１２のＮｉめっき膜２１２ｂにクラックが生じるのを抑制することができる。

電子装置１０が筐体５０を備える例を示したがこれに限定されない。

１０…電子装置、２０…基板、２０ａ…一面、２０ｂ…裏面、２１…ランド、２１０，２１１…表面ランド、２１０ａ…導体パターン、２１０ｂ…Ｃｕめっき膜、２１０ｃ…Ｎｉめっき膜、２１０ｄ…Ａｕめっき膜、２１２…スルーホールランド、２１２ａ…Ｃｕめっき膜、２１２ｂ…Ｎｉめっき膜、２１２ｃ…Ａｕめっき膜、２１２ｄ…Ｐｄめっき膜、２１３…表面ランド、２１３ａ…Ｃｕめっき膜、２１３ｂ…Ｎｉめっき膜、２１３ｃ…Ａｕめっき膜、２２…スルーホール、３０，３１…電子部品、３００，３１０…電極、３２…ボンディングワイヤ、３３…はんだ、４０…コネクタ、４１…ハウジング、４２…プレスフィット端子、４２ａ…基材、４２ｂ…めっき膜、４２０…弾性部、４２１…先端部、４２２…後端部、４２３…貫通孔、４３…カードエッジコネクタ、４４…ハウジング、４５…ばね端子、５０…筐体、５０ａ…開口部、５１…ケース、５２…カバー、５２ａ…凸部、６０…封止樹脂体、１００…クラック

Claims (7)

1. Ｐを含むＮｉめっき膜（２１０ｃ，２１２ｂ）上にＡｕめっき膜（２１０ｄ，２１２ｃ）が積層されてなるランドとして、両表面の少なくとも一方に形成された第１ランド（２１０，２１１）と、前記第１ランドと同じ積層めっき膜構造の第２ランド（２１２，２１３）と、を有する基板（２０）と、
   前記第１ランドと電気的に接続された電子部品（３０）と、
   前記第２ランドに接触して前記第２ランドを押圧するばね端子（４２，４５）を有する電気部品（４０，４３）と、を備え、
   各ランドのＮｉめっき膜中のＰ含有量が、８ｗｔ％以上１６ｗｔ％以下とされ、
   前記第２ランドのＮｉめっき膜の膜厚が、前記第１ランドのＮｉめっき膜の膜厚よりも薄くされている電子装置。
2. 前記第２ランドのＮｉめっき膜の膜厚が、０．５μｍ以上２．５μｍ以下とされている請求項１に記載の電子装置。
3. Ｐを含むＮｉめっき膜（２１０ｃ，２１２ｂ）上にＡｕめっき膜（２１０ｄ，２１２ｃ）が積層されてなるランドとして、両表面の少なくとも一方に形成された第１ランド（２１０，２１１）と、前記第１ランドと同じ積層めっき膜構造の第２ランド（２１２，２１３）と、を有する基板（２０）と、
   前記第１ランドと電気的に接続された電子部品（３０）と、
   前記第２ランドに接触して前記第２ランドを押圧するばね端子（４２，４５）を有する電気部品（４０，４３）と、を備え、
   各ランドのＮｉめっき膜中のＰ含有量が、８ｗｔ％以上１６ｗｔ％以下とされ、
   前記第２ランドのＮｉめっき膜の膜厚が、０．５μｍ以上２．５μｍ以下とされている電子装置。
4. 前記基板は、両表面にわたって該基板を貫通するスルーホール（２２）を有し、
   前記ばね端子は、前記スルーホールに圧入されるプレスフィット端子であり、
   前記第２ランド（２１２）は、前記スルーホールの壁面に形成されている請求項１〜３いずれか１項に記載の電子装置。
5. 前記第２ランド（２１３）は、前記基板の両表面の少なくとも一方に形成されている請求項３に記載の電子装置。
6. 各ランドのＮｉめっき膜中のＰ含有量が、９ｗｔ％以上１１ｗｔ％以下とされている請求項１〜５いずれか１項に記載の電子装置。
7. 各ランドは、前記Ｎｉめっき膜と前記Ａｕめっき膜の間に形成されたＰｄめっき膜（２１２ｄ）を有する請求項１〜６いずれか１項に記載の電子装置。

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