JP6694605B2 - 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、及び、電子機器 - Google Patents
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Description
1.本技術が適用される固体撮像装置
2.第1の実施の形態
3.第2の実施の形態(電荷蓄積部の対向電極に印加する電圧を可変にした例1)
4.第3の実施の形態(第3転送ゲート部を削除した例)
5.第4の実施の形態(高感度データ信号の読み出し時の変換効率を可変にした例)
6.第5の実施の形態(高感度データ信号の読み出し時の変換効率を可変にし、第3転送ゲート部を削除した例)
7.第6の実施の形態(電荷蓄積部の対向電極に印加する電圧を可変にした例2)
8.ノイズ除去処理及び演算処理に関する説明
9.変形例
10.固体撮像装置の使用例
{1−1.基本的なシステム構成}
図1は、本技術が適用される固体撮像装置、例えばX−Yアドレス方式固体撮像装置の一種であるCMOSイメージセンサの構成の概略を示すシステム構成図である。ここで、CMOSイメージセンサとは、CMOSプロセスを応用して、または、部分的に使用して作成されたイメージセンサである。
本技術が適用されるCMOSイメージセンサ10としては、上述したシステム構成のものに限られるものではない。他のシステム構成として、以下のようなシステム構成のものを挙げることができる。
次に、図4乃至図7を参照して、本技術の第1の実施の形態について説明する。
図4は、図1乃至図3の画素アレイ部11に配置される単位画素100Aの構成例を示す回路図である。
次に、図5及び図6のタイミングチャートを参照して、単位画素100Aの動作について説明する。
まず、図5のタイミングチャートを参照して、単位画素100Aの露光開始時の動作について説明する。この処理は、例えば、画素アレイ部11の画素行毎、又は、複数の画素行毎に、所定の走査順で行われる。なお、図5には、水平同期信号XHS、駆動信号SEL、RST、TGS、FCG、TGLのタイミングチャートが示されている。
次に、図6のタイミングチャートを参照して、単位画素100Aの画素信号の読み出し時の動作について説明する。この処理は、例えば、画素アレイ部11の画素行毎、又は、複数の画素行毎に、図5の処理が行われてから所定の時間後に所定の走査順で行われる。なお、図6には、水平同期信号XHS、駆動信号SEL、RST、TGS、FCG、TGLのタイミングチャートが示されている。
図7は、図4の単位画素100Aの変形例である単位画素100Bの構成例を示す回路図である。なお、図中、図4と対応する部分には、同じ符号を付してあり、その説明は適宜省略する。
次に、図8乃至図10を参照して、本技術の第2の実施の形態について説明する。
図8は、図1乃至図3の画素アレイ部11に配置される単位画素100Cの構成例を示す回路図である。なお、図中、図4と対応する部分には、同じ符号を付してあり、その説明は適宜省略する。
次に、図9及び図10のタイミングチャートを参照して、単位画素100Cの動作について説明する。
まず、図9のタイミングチャートを参照して、単位画素100Cの露光開始時の動作について説明する。この処理は、例えば、画素アレイ部11の画素行毎、又は、複数の画素行毎に、所定の走査順で行われる。なお、図9には、水平同期信号XHS、駆動信号SEL、電源電圧VCB、駆動信号RST、TGS、FCG、TGLのタイミングチャートが示されている。
次に、図10のタイミングチャートを参照して、単位画素100Cの画素信号の読み出し時の動作について説明する。この処理は、例えば、画素アレイ部11の画素行毎、又は、複数の画素行毎に、図9の処理が行われてから所定の時間後に所定の走査順で行われる。なお、図10には、水平同期信号XHS、駆動信号SEL、電源電圧VCB、駆動信号RST、TGS、FCG、TGLのタイミングチャートが示されている。
次に、図11乃至図13を参照して、本技術の第3の実施の形態について説明する。
図11は、図1乃至図3の画素アレイ部11に配置される単位画素100Dの構成例を示す回路図である。なお、図中、図4と対応する部分には、同じ符号を付してあり、その説明は適宜省略する。
次に、図12及び図13のタイミングチャートを参照して、単位画素100Dの動作について説明する。
まず、図12のタイミングチャートを参照して、単位画素100Dの露光開始時の動作について説明する。この処理は、例えば、画素アレイ部11の画素行毎、又は、複数の画素行毎に、所定の走査順で行われる。なお、図12には、水平同期信号XHS、駆動信号SEL、RST、FCG、TRGのタイミングチャートが示されている。
次に、図13のタイミングチャートを参照して、単位画素100Dの画素信号の読み出し時の動作について説明する。この処理は、例えば、画素アレイ部11の画素行毎、又は、複数の画素行毎に、図12の処理が行われてから所定の時間後に所定の走査順で行われる。なお、図13には、水平同期信号XHS、駆動信号SEL、RST、FCG、TRGのタイミングチャートが示されている。
次に、図14乃至図16を参照して、本技術の第4の実施の形態について説明する。
図14は、図1乃至図3の画素アレイ部11に配置される単位画素100Eの構成例を示す回路図である。なお、図中、図4と対応する部分には、同じ符号を付してあり、その説明は適宜省略する。
次に、図15及び図16のタイミングチャートを参照して、単位画素100Eの動作について説明する。
まず、図15のタイミングチャートを参照して、単位画素100Eの露光開始時の動作について説明する。この処理は、例えば、画素アレイ部11の画素行毎、又は、複数の画素行毎に、所定の走査順で行われる。なお、図15には、水平同期信号XHS、駆動信号SEL、FDG、RST、TGS、FCG、TGLのタイミングチャートが示されている。
次に、図16のタイミングチャートを参照して、単位画素100Eの画素信号の読み出し時の動作について説明する。この処理は、例えば、画素アレイ部11の画素行毎、又は、複数の画素行毎に、図15の処理が行われてから所定の時間後に所定の走査順で行われる。なお、図16には、水平同期信号XHS、駆動信号SEL、FDG、RST、TGS、FCG、TGLのタイミングチャートが示されている。
次に、図17乃至図19を参照して、本技術の第5の実施の形態について説明する。
図17は、図1乃至図3の画素アレイ部11に配置される単位画素100Fの構成例を示す回路図である。なお、図中、図14と対応する部分には、同じ符号を付してあり、その説明は適宜省略する。
次に、図18及び図19のタイミングチャートを参照して、単位画素100Fの動作について説明する。
まず、図18のタイミングチャートを参照して、単位画素100Fの露光開始時の動作について説明する。この処理は、例えば、画素アレイ部11の画素行毎、又は、複数の画素行毎に、所定の走査順で行われる。なお、図18には、水平同期信号XHS、駆動信号SEL、FDG、RST、FCG、TRGのタイミングチャートが示されている。
次に、図19のタイミングチャートを参照して、単位画素100Fの画素信号の読み出し時の動作について説明する。この処理は、例えば、画素アレイ部11の画素行毎、又は、複数の画素行毎に、図18の処理が行われてから所定の時間後に所定の走査順で行われる。なお、図19には、水平同期信号XHS、駆動信号SEL、FDG、RST、FCG、TRGのタイミングチャートが示されている。
次に、図20乃至図25を参照して、本技術の第6の実施の形態について説明する。
図20は、図1乃至図3の画素アレイ部11に配置される単位画素100Gの構成例を示す回路図である。なお、図中、図14と対応する部分には、同じ符号を付してあり、その説明は適宜省略する。
図21及び図22は、可変電圧電源FCVDDの電圧FCHを生成する部分の構成例を示している。
次に、図23乃至図25のタイミングチャートを参照して、単位画素100Gの動作について説明する。
まず、図23のタイミングチャートを参照して、単位画素100Gの露光開始時の動作について説明する。この処理は、例えば、画素アレイ部11の画素行毎、又は、複数の画素行毎に、所定の走査順で行われる。なお、図23には、水平同期信号XHS、駆動信号SEL、FDG、RST、TGS、FCG、TGL、電源電圧FCVDDのタイミングチャートが示されている。
次に、図24のタイミングチャートを参照して、単位画素100Gの画素信号の読み出し時の動作について説明する。この処理は、例えば、画素アレイ部11の画素行毎、又は、複数の画素行毎に、図23の処理が行われてから所定の時間後に所定の走査順で行われる。なお、図24には、水平同期信号XHS、駆動信号SEL、FDG、RST、TGS、FCG、TGL、電源電圧FCVDDのタイミングチャートが示されている。
図25のタイミングチャートは、単位画素100Gの露光期間と可変電圧電源FCVDDの電源電圧FCVDDとの関係を模式的に示している。
上述した単位画素100A乃至100Fからは、低感度データ信号SL、低感度リセット信号NL、高感度リセット信号NH、及び、高感度データ信号SHの順に、垂直信号線17に対して信号が出力される。そして、後段の信号処理部、例えば、図1乃至図3に示すカラム処理部13や信号処理部18において、低感度データ信号SL、低感度リセット信号NL、高感度リセット信号NH、及び、高感度データ信号SHに対して所定のノイズ除去処理及び信号処理が行われる。以下、後段のカラム処理部13におけるノイズ除去処理及び信号処理部18における演算処理の例について説明する。
最初に、カラム処理部13によるノイズ除去処理について説明する。
まず、ノイズ除去処理の処理例1について説明する。
次に、ノイズ除去処理の処理例2について説明する。
次に、上述した第1乃至第3の実施の形態における信号処理部18の画素信号の演算処理について説明する。
まず、画素信号の演算処理の処理例1について説明する。
SNL’=G×SNL ・・・(2)
次に、画素信号の演算処理の処理例2について説明する。
Vt×0.90≦SNH<Vt×0.94の場合に、
SN=0.9×SNH+0.1×SNL’
Vt×0.94≦SNH<Vt×0.98の場合に、
SN=0.7×SNH+0.3×SNL’
Vt×0.98≦SNH<Vt×1.02の場合に、
SN=0.5×SNH+0.5×SNL’
Vt×1.02≦SNH<Vt×1.06の場合に、
SN=0.3×SNH+0.7×SNL’
Vt×1.06≦SNH<Vt×1.10の場合に、
SN=0.1×SNH+0.9×SNL’
Vt×1.10≦SNHの場合に、SN=SNL’
以上の説明では、1画素内に感度が異なる2つの光電変換部を設ける例を示したが、1画素内に3つ以上の光電変換部を設けることも可能である。この場合、感度が最も高い光電変換部に電荷蓄積部を設けずに、少なくとも感度が最も低い光電変換部に電荷蓄積部を設けるようにすればよい。また、この条件を満たしていれば、感度が同じ光電変換部を2つ以上設けることも可能である。
図29は、上述の固体撮像装置の使用例を示す図である。
・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置
・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、TVや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置
・内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置
・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置
・肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供され装置
・スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置
・畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置
図30は、本技術を適用した電子機器の一例である撮像装置(カメラ装置)400の構成例を示すブロック図である。
複数の単位画素が配置されている画素アレイ部と、
前記単位画素の動作を制御する駆動部と
を備え、
前記単位画素は、
第1の光電変換部と、
前記第1の光電変換部より感度が低い第2の光電変換部と、
対向電極が可変電圧電源に接続され、前記第2の光電変換部が生成した電荷を蓄積する電荷蓄積部と、
電荷電圧変換部と、
前記第1の光電変換部から前記電荷電圧変換部に電荷を転送する第1の転送ゲート部と、
前記電荷電圧変換部と前記電荷蓄積部のポテンシャルを結合する第2の転送ゲート部と
を含み、
前記駆動部は、前記第2の光電変換部が生成した電荷を前記電荷蓄積部に蓄積する期間の少なくとも一部において、前記電荷蓄積部に蓄積された電荷に基づく信号を読み出すときより、前記可変電圧電源の電圧を低くする
固体撮像装置。
(2)
前記可変電圧電源は、第1の電圧及び前記第1の電圧より低い第2の電圧に設定することができ、ローパスフィルタを介して前記第1の電圧を出力する
前記(1)に記載の固体撮像装置。
(3)
前記ローパスフィルタは、前記固体撮像装置が設けられているチップ内の抵抗、及び、前記チップの外に取り付けられた容量を備える
前記(2)に記載の固体撮像装置。
(4)
前記可変電圧電源は、第1の電圧及び前記第1の電圧より低い第2の電圧に設定することができ、サンプルホールド回路を介して前記第1の電圧を出力する
前記(1)に記載の固体撮像装置。
(5)
前記サンプルホールド回路は、前記固体撮像装置が設けられているチップ内のスイッチ、及び、前記チップの外に取り付けられた容量を備える
前記(4)に記載の固体撮像装置。
(6)
前記単位画素は、
前記第2の光電変換部から前記電荷蓄積部に電荷を転送する第3の転送ゲート部と、
前記第3の転送ゲート部のゲート電極の下部に形成され、前記第2の光電変換部から溢れた電荷を前記電荷蓄積部に転送するオーバーフローパスと
をさらに含む前記(1)乃至(5)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(7)
前記駆動部は、
前記第1の転送ゲート部のゲート信号、及び、前記第3の転送ゲート部のゲート信号を生成するとともに、いずれか一方を共通の第1の信号線に出力する信号生成部と、
前記第1の信号線を介して入力された前記第1の転送ゲート部のゲート信号を第2の信号線に出力し、前記第1の信号線を介して入力された前記第3の転送ゲート部のゲート信号を第3の信号線に出力する切り替え部と
を備える前記(6)に記載の固体撮像装置。
(8)
前記第2の光電変換部と前記電荷蓄積部とが転送ゲート部を介さずに接続されている
前記(1)乃至(5)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(9)
前記単位画素は、
前記第2の転送ゲート部と前記電荷電圧変換部との間に接続されている第4の転送ゲート部を
さらに含む前記(1)乃至(8)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(10)
前記駆動部は、
前記第2の転送ゲート部のゲート信号、及び、前記第4の転送ゲート部のゲート信号を生成するとともに、いずれか一方を共通の第4の信号線に出力する信号生成部と、
前記第4の信号線を介して入力された前記第2の転送ゲート部のゲート信号を第5の信号線に出力し、前記第4の信号線を介して入力された前記第4の転送ゲート部のゲート信号を第6の信号線に出力する切り替え部と
を備える前記(9)に記載の固体撮像装置。
(11)
前記駆動部は、前記第1の光電変換部が生成した電荷に基づく第1のデータ信号を読み出す場合、前記第2の転送ゲート部を非導通状態にし、前記第2の光電変換部が生成した電荷に基づく第2のデータ信号を読み出す場合、前記第2の転送ゲート部を導通状態にする
前記(1)乃至(10)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(12)
前記駆動部は、前記第1のデータ信号を読み出す場合、前記電荷電圧変換部をリセットした状態において第1のリセット信号を読み出した後、前記第1のデータ信号を読み出し、前記第2のデータ信号を読み出す場合、前記第2のデータ信号を読み出した後、前記電荷電圧変換部と前記電荷蓄積部のポテンシャルを結合した領域をリセットした状態において第2のリセット信号を読み出すように制御する
前記(11)に記載の固体撮像装置。
(13)
前記第1のデータ信号と前記第1のリセット信号との差分である第1の差分信号、及び、前記第2のデータ信号と前記第2のリセット信号との差分である第2の差分信号を生成し、前記第1の差分信号の値が所定の閾値以下の場合、前記第1の差分信号を前記単位画素の画素信号に用い、前記第1の差分信号の値が前記閾値を超える場合、前記第2の差分信号を前記単位画素の画素信号に用いる信号処理部を
さらに備える前記(12)に記載の固体撮像装置。
(14)
前記第1のデータ信号と前記第1のリセット信号との差分である第1の差分信号、及び、前記第2のデータ信号と前記第2のリセット信号との差分である第2の差分信号を生成し、前記第1の差分信号の値に基づいて設定した合成比率で前記第1の差分信号と前記第2の差分信号を合成することにより、前記単位画素の画素信号を生成する信号処理部を
さらに備える前記(12)に記載の固体撮像装置。
(15)
複数の単位画素が配置されている画素アレイ部を
備え、
前記単位画素は、
第1の光電変換部と、
前記第1の光電変換部より感度が低い第2の光電変換部と、
対向電極が可変電圧電源に接続され、前記第2の光電変換部が生成した電荷を蓄積する電荷蓄積部と、
電荷電圧変換部と、
前記第1の光電変換部から前記電荷電圧変換部に電荷を転送する第1の転送ゲート部と、
前記電荷電圧変換部と前記電荷蓄積部のポテンシャルを結合する第2の転送ゲート部と
を含む固体撮像装置が、
前記第2の光電変換部が生成した電荷を前記電荷蓄積部に蓄積する期間の少なくとも一部において、前記電荷蓄積部に蓄積された電荷に基づく信号を読み出すときより、前記可変電圧電源の電圧を低くする
固体撮像装置の駆動方法。
(16)
複数の単位画素が配置されている画素アレイ部と、
前記単位画素の動作を制御する駆動部と
を備え、
前記単位画素は、
第1の光電変換部と、
前記第1の光電変換部より感度が低い第2の光電変換部と、
対向電極が可変電圧電源に接続され、前記第2の光電変換部が生成した電荷を蓄積する電荷蓄積部と、
電荷電圧変換部と、
前記第1の光電変換部から前記電荷電圧変換部に電荷を転送する第1の転送ゲート部と、
前記電荷電圧変換部と前記電荷蓄積部のポテンシャルを結合する第2の転送ゲート部と
を含み、
前記駆動部は、前記第2の光電変換部が生成した電荷を前記電荷蓄積部に蓄積する期間の少なくとも一部において、前記電荷蓄積部に蓄積された電荷に基づく信号を読み出すときより、前記可変電圧電源の電圧を低くする固体撮像装置と、
前記固体撮像装置からの信号を処理する信号処理部と
を備える電子機器。
Claims (16)
- 複数の単位画素が配置されている画素アレイ部と、
前記単位画素の動作を制御する駆動部と
を備え、
前記単位画素は、
第1の光電変換部と、
前記第1の光電変換部より感度が低い第2の光電変換部と、
対向電極が可変電圧電源に接続され、前記第2の光電変換部が生成した電荷を蓄積する電荷蓄積部と、
電荷電圧変換部と、
前記第1の光電変換部から前記電荷電圧変換部に電荷を転送する第1の転送ゲート部と、
前記電荷電圧変換部と前記電荷蓄積部のポテンシャルを結合する第2の転送ゲート部と
を含み、
前記駆動部は、前記第2の光電変換部が生成した電荷を前記電荷蓄積部に蓄積する期間の少なくとも一部において、前記電荷蓄積部に蓄積された電荷に基づく信号を読み出すときより、前記可変電圧電源の電圧を低くする
固体撮像装置。 - 前記可変電圧電源は、第1の電圧及び前記第1の電圧より低い第2の電圧に設定することができ、ローパスフィルタを介して前記第1の電圧を出力する
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記ローパスフィルタは、前記固体撮像装置が設けられているチップ内の抵抗、及び、前記チップの外に取り付けられた容量を備える
請求項2に記載の固体撮像装置。 - 前記可変電圧電源は、第1の電圧及び前記第1の電圧より低い第2の電圧に設定することができ、サンプルホールド回路を介して前記第1の電圧を出力する
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記サンプルホールド回路は、前記固体撮像装置が設けられているチップ内のスイッチ、及び、前記チップの外に取り付けられた容量を備える
請求項4に記載の固体撮像装置。 - 前記単位画素は、
前記第2の光電変換部から前記電荷蓄積部に電荷を転送する第3の転送ゲート部と、
前記第3の転送ゲート部のゲート電極の下部に形成され、前記第2の光電変換部から溢れた電荷を前記電荷蓄積部に転送するオーバーフローパスと
をさらに含む請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記駆動部は、
前記第1の転送ゲート部のゲート信号、及び、前記第3の転送ゲート部のゲート信号を生成するとともに、いずれか一方を共通の第1の信号線に出力する信号生成部と、
前記第1の信号線を介して入力された前記第1の転送ゲート部のゲート信号を第2の信号線に出力し、前記第1の信号線を介して入力された前記第3の転送ゲート部のゲート信号を第3の信号線に出力する切り替え部と
を備える請求項6に記載の固体撮像装置。 - 前記第2の光電変換部と前記電荷蓄積部とが転送ゲート部を介さずに接続されている
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記単位画素は、
前記第2の転送ゲート部と前記電荷電圧変換部との間に接続されている第4の転送ゲート部を
さらに含む請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記駆動部は、
前記第2の転送ゲート部のゲート信号、及び、前記第4の転送ゲート部のゲート信号を生成するとともに、いずれか一方を共通の第4の信号線に出力する信号生成部と、
前記第4の信号線を介して入力された前記第2の転送ゲート部のゲート信号を第5の信号線に出力し、前記第4の信号線を介して入力された前記第4の転送ゲート部のゲート信号を第6の信号線に出力する切り替え部と
を備える請求項9に記載の固体撮像装置。 - 前記駆動部は、前記第1の光電変換部が生成した電荷に基づく第1のデータ信号を読み出す場合、前記第2の転送ゲート部を非導通状態にし、前記第2の光電変換部が生成した電荷に基づく第2のデータ信号を読み出す場合、前記第2の転送ゲート部を導通状態にする
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記駆動部は、前記第1のデータ信号を読み出す場合、前記電荷電圧変換部をリセットした状態において第1のリセット信号を読み出した後、前記第1のデータ信号を読み出し、前記第2のデータ信号を読み出す場合、前記第2のデータ信号を読み出した後、前記電荷電圧変換部と前記電荷蓄積部のポテンシャルを結合した領域をリセットした状態において第2のリセット信号を読み出すように制御する
請求項11に記載の固体撮像装置。 - 前記第1のデータ信号と前記第1のリセット信号との差分である第1の差分信号、及び、前記第2のデータ信号と前記第2のリセット信号との差分である第2の差分信号を生成し、前記第1の差分信号の値が所定の閾値以下の場合、前記第1の差分信号を前記単位画素の画素信号に用い、前記第1の差分信号の値が前記閾値を超える場合、前記第2の差分信号を前記単位画素の画素信号に用いる信号処理部を
さらに備える請求項12に記載の固体撮像装置。 - 前記第1のデータ信号と前記第1のリセット信号との差分である第1の差分信号、及び、前記第2のデータ信号と前記第2のリセット信号との差分である第2の差分信号を生成し、前記第1の差分信号の値に基づいて設定した合成比率で前記第1の差分信号と前記第2の差分信号を合成することにより、前記単位画素の画素信号を生成する信号処理部を
さらに備える請求項12に記載の固体撮像装置。 - 複数の単位画素が配置されている画素アレイ部を
備え、
前記単位画素は、
第1の光電変換部と、
前記第1の光電変換部より感度が低い第2の光電変換部と、
対向電極が可変電圧電源に接続され、前記第2の光電変換部が生成した電荷を蓄積する電荷蓄積部と、
電荷電圧変換部と、
前記第1の光電変換部から前記電荷電圧変換部に電荷を転送する第1の転送ゲート部と、
前記電荷電圧変換部と前記電荷蓄積部のポテンシャルを結合する第2の転送ゲート部と
を含む固体撮像装置が、
前記第2の光電変換部が生成した電荷を前記電荷蓄積部に蓄積する期間の少なくとも一部において、前記電荷蓄積部に蓄積された電荷に基づく信号を読み出すときより、前記可変電圧電源の電圧を低くする
固体撮像装置の駆動方法。 - 複数の単位画素が配置されている画素アレイ部と、
前記単位画素の動作を制御する駆動部と
を備え、
前記単位画素は、
第1の光電変換部と、
前記第1の光電変換部より感度が低い第2の光電変換部と、
対向電極が可変電圧電源に接続され、前記第2の光電変換部が生成した電荷を蓄積する電荷蓄積部と、
電荷電圧変換部と、
前記第1の光電変換部から前記電荷電圧変換部に電荷を転送する第1の転送ゲート部と、
前記電荷電圧変換部と前記電荷蓄積部のポテンシャルを結合する第2の転送ゲート部と
を含み、
前記駆動部は、前記第2の光電変換部が生成した電荷を前記電荷蓄積部に蓄積する期間の少なくとも一部において、前記電荷蓄積部に蓄積された電荷に基づく信号を読み出すときより、前記可変電圧電源の電圧を低くする固体撮像装置と、
前記固体撮像装置からの信号を処理する信号処理部と
を備える電子機器。
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