JP6692427B2 - 過電圧保護デバイス - Google Patents
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Description
Claims (20)
- 過電圧保護デバイスであって、
第1面および第2面を有する金属酸化物バリスタ(MOV)、
第1外側面および第2外側面を有し、互いに電気的に直列に配置された複数の半導体層を含んで成る半導体クローバー・デバイスを有して成り、金属酸化物バリスタの第1側に設けられた半導体基板、
MOVの前記第2面と半導体基板の前記第1外側面との間に設けられた伝導領域、
MOVの前記第1面に設けられた第1電気コンタクト、
半導体基板の前記第2外側面に設けられた第2電気コンタクト、
第1電気コンタクトに設けられた第1電気リード、ならびに
第2電気コンタクトに設けられた第2電気リード
を有して成り、
第1電気リードおよび第2電気リードが同一方向に伸びていて、
隣接する各部材がそれぞれ互いにフラットに接している、
過電圧保護デバイス。 - 金属酸化物バリスタおよび半導体クローバー・デバイスが、第1電気コンタクトと第2電気コンタクトとの間で電気的に直列になっている、請求項1に記載の過電圧保護デバイス。
- 金属酸化物バリスタが、第1スタンドオフ電圧を含んで成り、半導体クローバー・デバイスが、第2スタンドオフ電圧を含んで成り、ならびに過電圧保護デバイスが、該第1スタンドオフ電圧および該第2スタンドオフ電圧の合計に等しい総スタンドオフ電圧を含んで成る、請求項1に記載の過電圧保護デバイス。
- 金属酸化物バリスタが、スタンドアローン・デバイスとして第1応答時間を含んで成り、および過電圧保護デバイスが、該第1応答時間より短い第2応答時間を含んで成る、請求項1に記載の過電圧保護デバイス。
- 金属酸化物バリスタが、スタンドアローン・デバイスとして第1電圧での第1リーク電流を含んで成り、および過電圧保護デバイスが、該第1リーク電流よりも小さい第1電圧での第2リーク電流を含んで成る、請求項1に記載の過電圧保護デバイス。
- 半導体クローバー・デバイスが、スタンドアローン・デバイスとして第1ACフォローオン電流を含んで成り、および過電圧保護デバイスが、該第1ACフォローオン電流より小さい第2ACフォローオン電流を含んで成る、請求項1に記載の過電圧保護デバイス。
- 10A未満の第2ACフォローオン電流を含んで成る、請求項6に記載の過電圧保護デバイス。
- 半導体クローバー・デバイスおよび金属酸化物バリスタは、外部電圧が閾値を超える場合に過電圧保護デバイスをオン状態にするように構成され、さらに外部電圧が該閾値未満となる場合に過電圧保護デバイスをオフ状態にするように構成される、請求項1に記載の過電圧保護デバイス。
- 半導体クローバー・デバイスが、
内側n型層、
前記第1外側面に設けられた第1外側n型層、
前記第2外側面に設けられた第2外側n型層、
前記第1外側n型層と前記内側n型層との間に設けられた第1p型層、および
前記第2外側n型層と前記内側n型層との間に設けられた第2p型層
を含んで成る、請求項1に記載の過電圧保護デバイス。 - 前記第1p型層の第1部分が、前記第1外側面に設けられ、前記第2p型層の第2部分が、前記第2外側面に設けられる、請求項9に記載の過電圧保護デバイス。
- 前記伝導領域が、
金属酸化物バリスタの前記第2面に設けられた第1伝導層、
半導体基板の前記第1外側面に設けられた第2伝導層、および
前記第1伝導層と前記第2伝導層との間に設けられた第1銅スラグ
を含んで成る、請求項1に記載の過電圧保護デバイス。 - 第2電気コンタクトが、
半導体基板の前記第2外側面に設けられた第3伝導層、および
前記第3伝導層に設けられた第2銅スラグ
を含んで成る、請求項1に記載の過電圧保護デバイス。 - 過電圧保護デバイスが、第1電気コンタクトと第2電気コンタクトとの間に印加される第1大きさの正の外部電圧に応答する第1電流−電圧特性を含んで成り、また第1電気コンタクトと第2電気コンタクトとの間に印加される前記第1大きさの負の外部電圧に応答する第2電流−電圧特性を含んで成る対称デバイスを有して成り、第2電流−電圧特性が第1電流−電圧特性に整合する、請求項1に記載の過電圧保護デバイス。
- 過電圧保護デバイスの製造方法であって、
第1側および第2側を有する金属酸化物バリスタ(MOV)を供すこと、
半導体クローバー・デバイスを有して成る半導体基板の第1面を前記第2側に、互いにフラットに接するように取り付けること、
第1電気コンタクトを金属酸化物バリスタの前記第1側に、互いにフラットに接するように形成すること、
第2電気コンタクトを半導体基板の前記第1面に対向する第2面に、互いにフラットに接するように形成すること
第1電気リードを第1電気コンタクトに、互いにフラットに接するように取り付けること、ならびに
第2電気リードを第2電気コンタクトに、互いにフラットに接するように取り付けること
を含んで成り、
第1電気リードおよび第2電気リードが同一方向に伸びていて、
金属酸化物バリスタおよび半導体クローバー・デバイスが、第1電気コンタクトと第2電気コンタクトとの間で互いに電気的に直列となっている、
製造方法。 - 前記取り付けることが、
低温はんだペーストを含んで成る第1コートを金属酸化物バリスタ(MOV)の第1面に適用すること、
第1金属ピースを前記第1コートに取り付けること、
低温はんだペーストを含んで成る第2コートを前記第1金属ピースに適用すること、および
半導体基板を前記第2コートに取り付けること
を含んで成る、請求項14に記載の製造方法。 - 第2電気コンタクトを形成することが、
低温はんだペーストを含んで成る第3コートを半導体基板に適用すること、および
未アニールのデバイスを形成すべく、第2金属ピースを前記第3コートに取り付けること
を含んで成る、請求項14に記載の製造方法。 - 熱空気を第1温度で未アニールのデバイスに加えることをさらに含んで成る、請求項16に記載の製造方法。
- 第1電気リードを金属酸化物バリスタの前記第1側に取り付けること、および第2電気リードを前記第2金属ピースに取り付けることをさらに含んで成る、請求項16に記載の製造方法。
- 半導体基板、金属酸化物バリスタ、第1電気コンタクトおよび第2電気コンタクトにプラスチック・コーティングを適用することをさらに含んで成る、請求項14に記載の製造方法。
- 過電圧保護デバイスであって、
第1電気コンタクト、
第1電気コンタクトの一方の側に電気的に接続された金属酸化物バリスタ(MOV)、
第1電気コンタクトの他方の側に電気的に接続された第1電気リード
第2電気コンタクト、および
第2電気コンタクトの一方の側に電気的に接続された複数の半導体層を含んで成る半導体クローバー・デバイス、
第2電気コンタクトの他方の側に電気的に接続された第2電気リード
を有して成り、
第1電気リードおよび第2電気リードが同一方向に伸びていて、
隣接する各部材がそれぞれ互いにフラットに接しており、
金属酸化物バリスタおよび半導体クローバー・デバイスが、第1電気コンタクトと第2電気コンタクトとの間に電気的に直列に配置される、
過電圧保護デバイス。
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