JP6686757B2 - 受光素子および光モジュール - Google Patents
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Description
最初に本願発明の実施態様を列記して説明する。本願の受光素子は、受光面を有する半導体層と、半導体層上に配置される電極と、を備える。受光面に垂直な方向から平面的に見て、上記電極は上記受光面の外周に沿って延在する。受光面に垂直な方向から平面的に見て、上記電極には、上記電極を幅方向に貫通する第1切欠き部が形成されている。
(実施の形態1)
次に、本発明にかかる受光素子の一実施の形態について、図1および図2を参照して説明する。図1は、図2の線分I−Iに沿う断面図である。以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。
次に、本発明にかかる光モジュールの他の実施の形態である実施の形態2を説明する。図11および図5を参照して、本実施の形態における光モジュール1は、基本的には実施の形態1の場合と同様の構造を有し、同様の効果を奏する。しかし、実施の形態2における光モジュール1は、電子冷却モジュール30をさらに含んでいる点において、実施の形態1の場合とは異なっている。
2 光
2A,2B 領域
2C光軸
3 高濃度n型層
3A 第1主面
3B 第2主面
4 n型層
4A 主面
5 p型領域
6 p側電極
6A 第1切欠き部
6B 第2切欠き部
6E,6F ボンディング領域
7 n側電極
10 ステム
10A 一方の主面
10B 他方の主面
20 光形成部
30 電子冷却モジュール
31 吸熱板
32 放熱板
33 半導体柱
40 キャップ
40A 内壁面
41 出射窓
51 リードピン
60 ベース板
60A 一方の主面
60B 他方の主面
61 ベース領域
62 チップ搭載領域
63 第1チップ搭載領域
64 第2チップ搭載領域
71 第1サブマウント
72 第2サブマウント
73 第3サブマウント
74 第4サブマウント
75 第5サブマウント
76 第6サブマウント
77 第1レンズ保持部
78 第2レンズ保持部
79 第3レンズ保持部
81 赤色レーザダイオード
82 緑色レーザダイオード
82A 出射部
83 青色レーザダイオード
88 第1突出領域
89 第2突出領域
91 第1レンズ
92 第2レンズ
93 第3レンズ
91A,92A,93A レンズ部
94 第1フォトダイオード
95 第2フォトダイオード
96 第3フォトダイオード
94A,95A,96A 受光面
97 第1フィルタ
98 第2フィルタ
Claims (8)
- 光を形成する光形成部と、
前記光形成部からの光を透過する出射窓を有し、前記光形成部を取り囲むように配置される保護部材と、を備え、
前記光形成部は、
ベース部材と、
前記ベース部材上に搭載される半導体発光素子と、
前記ベース部材上に搭載され、前記半導体発光素子から出射される光のスポットサイズを変換するレンズと、
前記ベース部材上に搭載され、前記半導体発光素子の出射方向において前記半導体発光素子と前記レンズとの間に配置され、前記半導体発光素子からの光を直接受光する受光素子と、を含み、
前記受光素子は、
受光面を有する半導体層と、
前記半導体層上に配置される電極と、を備え、
前記受光面に垂直な方向から平面的に見て、前記電極は前記受光面の外周に沿って延在し、
前記受光面に垂直な方向から平面的に見て、前記電極には、前記電極を幅方向に貫通する第1切欠き部が形成されており、
前記受光素子は、前記受光面に垂直な方向から平面的に見て、前記半導体発光素子からの光の光路が前記第1切欠き部に重なる状態で、前記半導体発光素子からの光が前記受光面に入射するように配置される、光モジュール。 - 前記受光面に垂直な方向から平面的に見て、前記電極には、前記受光面を挟んで前記第1切欠き部に対向するように位置し、前記電極を幅方向に貫通する第2切欠き部が形成されている、請求項1に記載の光モジュール。
- 前記光形成部は、
前記ベース部材上に搭載される複数の前記半導体発光素子と、
前記ベース部材上に搭載され、前記複数の半導体発光素子のそれぞれに対応して配置される複数の前記レンズと、
前記ベース部材上に搭載され、前記複数の半導体発光素子のうち、少なくとも1つの前記半導体発光素子に対応して配置される前記受光素子と、
前記ベース部材上に搭載され、前記複数の半導体発光素子からの光を合波するフィルタと、を含む、請求項1または請求項2に記載の光モジュール。 - 前記複数の半導体発光素子は、赤色の光を出射する前記半導体発光素子、緑色の光を出射する前記半導体発光素子および青色の光を出射する前記半導体発光素子を含む、請求項3に記載の光モジュール。
- 前記受光素子は、前記少なくとも1つの半導体発光素子から出射された光のうち、前記少なくとも1つの半導体発光素子に対応する前記レンズによりスポットサイズを変換される領域以外の領域の光を受光可能な位置に配置される、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の光モジュール。
- 前記受光素子は、前記少なくとも1つの半導体発光素子から出射された光を受光して得られる光電流が1μA以上となる位置に配置される、請求項5に記載の光モジュール。
- 前記半導体発光素子はレーザダイオードである、請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の光モジュール。
- 前記光形成部は、前記ベース部材に接触して配置される電子冷却モジュールをさらに含む、請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の光モジュール。
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