JP6683510B2 - 半導体装置、メンテナンス装置、及びメンテナンス方法 - Google Patents
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Description
特許文献1 特開2010−239760号公報
特許文献2 特開2011−239550号公報
Claims (18)
- ポリタイプ結晶構造を有する基板に形成される半導体素子と、
前記半導体素子のゲート電圧のオーバーシュート時間を含むパラメータを測定する測定部と、
前記パラメータとしての前記オーバーシュート時間を用いて前記半導体素子の寿命を予測する予測部と、
を備える半導体装置。 - 前記基板は、SiC基板またはGaN基板である請求項1に記載の半導体装置。
- 前記測定部は、測定対象期間内における前記半導体素子のスイッチングに応じた累計のオーバーシュート時間を測定する請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記測定部は、前記パラメータの少なくとも一つとして、前記半導体素子の閾値電圧の変動を測定する請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記測定部は、前記パラメータの少なくとも一つとして、前記半導体素子のオン電圧およびオン抵抗の少なくとも一方を測定する請求項1から4のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記測定部は、当該半導体装置のテスト期間において、前記パラメータを測定する請求項1から5のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記予測部は、前記パラメータが許容範囲外となるまでの期間を予測する請求項1〜6のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記予測部により予測された寿命が目標寿命よりも短い場合に、前記半導体素子のゲート電圧の変化速度を調整する調整部を更に備える請求項1から7のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記調整部は、外部からスイッチング信号を入力するスイッチング端子と前記半導体素子のゲートの間に接続するゲート抵抗の抵抗値、又は可変パルス電流源によるゲート電流値を変更する請求項8に記載の半導体装置。
- 前記予測部は、前記パラメータがアラートレベルに達したことに応じてアラート信号を出力する請求項1から9のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 請求項1から10の何れか一項に記載の半導体装置と、
前記半導体装置とネットワークを介して接続されるモニタリング装置と、
を備えるメンテナンス装置。 - 半導体素子を備える半導体装置をメンテナンスするためのメンテナンス装置であって、
前記半導体素子の特性変動の指標となる、前記半導体素子のゲート電圧のオーバーシュート時間を含むパラメータを測定する測定部と、
測定された前記パラメータとしての前記オーバーシュート時間を用いて前記半導体素子の寿命を予測する予測部と
を備えるメンテナンス装置。 - 前記予測部により予測された寿命が目標寿命よりも短い場合に、前記半導体装置における、前記半導体素子のゲート電圧の変化速度の設定値を変更する設定部を更に備える請求項12に記載のメンテナンス装置。
- 前記設定部は、前記半導体装置が外部からスイッチング信号を入力するスイッチング端子と前記半導体素子のゲートとの間に接続するゲート抵抗の抵抗値、又は可変パルス電流源によるゲート電流値を定める前記設定値を変更する請求項13に記載のメンテナンス装置。
- 前記メンテナンス装置は、ネットワークを介して前記半導体装置に接続される請求項12から14のいずれか一項に記載のメンテナンス装置。
- 半導体素子を備える半導体装置のメンテナンス方法であって、
前記半導体素子の特性変動の指標となる、前記半導体素子のゲート電圧のオーバーシュート時間を含むパラメータを測定する測定段階と、
測定された前記パラメータとしての前記オーバーシュート時間を用いて前記半導体素子の寿命を予測する予測段階と
を備えるメンテナンス方法。 - 前記予測段階において予測された寿命が目標寿命よりも短い場合に、前記半導体装置における、前記半導体素子のゲート電圧の変化速度の設定値を変更する設定段階を更に備える請求項16に記載のメンテナンス方法。
- 前記設定段階は、前記半導体装置が外部からスイッチング信号を入力するスイッチング端子と前記半導体素子のゲートの間に接続するゲート抵抗の抵抗値、又は可変パルス電流源によるゲート電流値を定める前記設定値を変更する請求項17に記載のメンテナンス方法。
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