JP7041887B2 - 負荷駆動装置 - Google Patents
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負荷駆動装置100は、制御装置101と、ゲートドライバユニット102と、パワーモジュール103とを備えている。制御装置101は、パルス幅変調信号を発生してゲートドライバユニット102に供給する機能を有している。ゲートドライバユニット102は、制御装置101から供給されたパルス幅変調信号を駆動信号に変換してパワーモジュール103に供給する機能を有している。パワーモジュール103は、複数のパワー半導体素子がスイッチング素子としてパッケージに封入されており、それぞれのパワー半導体素子がゲートドライバユニット102から出力される駆動信号によってオン・オフ動作される。パワーモジュール103は、また、電源110および負荷120に接続されていて、パワーモジュール103のパワー半導体素子がオン制御されたときに、そのオン制御されたパワー半導体素子を介して電源110から負荷120にエネルギが供給される。
図1は第1の実施の形態に係る負荷駆動装置の構成例を示す図、図2はパワー半導体素子のゲート電圧および主端子間電圧の時間変化を示す図、図3は制御装置のハードウェア構成例を示す図である。図4は制御装置の動作を示すフローチャート、図5は閾値電圧の変動の時間依存性を示す図、図6は閾値電圧の変動の時間依存性から寿命の予測時間を定義することを示す図である。
次に、制御装置20の動作について、図4ないし図6を参照しながら詳細に説明する。まず、プロセッサ20aは、動作モードをVth検出モードに切り替える(ステップS1)。この処理は、Vth検出制御部22がモード切替信号S2を出力し、Vth検出用信号発生回路32のスイッチSW1を閉成し、スイッチ回路35のスイッチSW2を開放することに相当する。スイッチSW2の開放は、PWM信号出力部21から出力されるPWM信号がゲートドライブ回路31に供給されることを阻止する。
ΔVth=A・log t+B
を用いて、AとBをフィッティングパラメータとしてフィッティングする(ステップS8)。すなわち、Vthの変動(ΔVth)は、図5に示したように、稼働時間を対数で表した場合、ほぼ線形的に変化する傾向を示しているので、実線で示すフィッティングラインに近似できる。このフィッティングラインは、傾きをA、図5の原点を通る縦軸と交わる値をB、稼働時間をtとすると、A・log t+Bで表すことができる。この寿命予測式を用いることで、メモリ20bに蓄積されたVthのデータの変動範囲の外側の値を予測することができる。たとえば、図5の縦軸の時間でのΔVthから寿命予測式の値のBが求められ、データの範囲の外側の時間tを指定すれば、指定時間でのΔVthを予測できる。
図7は第2の実施の形態に係る負荷駆動装置の構成例を示す図、図8は閾値電圧の温度依存性を示す図、図9は制御装置の動作を示すフローチャートである。なお、図7において、図1に示した構成要素と同じ構成要素については同じ符号を付してその詳細な説明は省略する。また、制御装置20のハードウェアは、図3に示した構成のものを用いるものとする。
ΔVth=A・log t+B
を用いてフィッティングし(ステップS29)、寿命予測式を用いてフィッティングしたフィッティングラインから寿命を許容される最大のΔVthに達する時間として計算する(ステップS30)。
図10は第3の実施の形態に係る負荷駆動装置の構成例を示す図、図11はパワー半導体素子の閾値電圧の変動とオン時電圧との相関を示す図、図12は制御装置の動作を示すフローチャートである。なお、図10において、図1に示した構成要素と同じまたは均等の構成要素については同じ符号を付してその詳細な説明は省略する。また、制御装置20のハードウェアは、図3に示した構成のものを用いるものとする。
ΔVth=A・log t+B
を用いてフィッティングし(ステップS46)、寿命予測式を用いてフィッティングしたフィッティングラインから寿命を許容される最大のΔVthに達する時間として計算する(ステップS47)。そして、プロセッサ20aは、計算した寿命をモニタ25aに表示し(ステップS48)、この寿命予測計算処理を終了する。
図13は第4の実施の形態に係る負荷駆動装置の構成例を示す図、図14はVonの温度依存性を示す図、図15は制御装置の動作を示すフローチャートである。なお、図13において、図7および図10に示した構成要素と同じ構成要素については同じ符号を付してその詳細な説明は省略する。また、制御装置20のハードウェアは、図3に示した構成のものを用いるものとする。
ΔVth=A・log t+B
を用いてフィッティングし(ステップS57)、寿命予測式を用いてフィッティングしたフィッティングラインから寿命を許容される最大のΔVthに達する時間として計算する(ステップS58)。そして、プロセッサ20aは、計算した寿命をモニタ25aに表示し(ステップS59)、この寿命予測計算処理を終了する。
20 制御装置
20a プロセッサ
20b メモリ
20c ハードディスク
20d グラフィック処理部
20e 入出力インタフェース
20f バス
21 PWM信号出力部
22 Vth検出制御部
23 データ記憶部
24 寿命予測計算部
25 表示部
25a モニタ
26 Vth温度補正部
27 ΔVon-ΔVth換算部
28 Von温度補正部
30 ゲートドライバユニット
31 ゲートドライブ回路
32 Vth検出用信号発生回路
32a デジタル・アナログ変換器(DAC)
32b オペアンプ
33 Vds検出回路
33a 定電流源
33b ダイオード
33c,33d 抵抗
34 Vds比較回路
34a アナログ・デジタル変換器(ADC)
34b 基準データ出力部
34c Vds比較器
35 スイッチ回路
35a インバータ
36 アナログ・デジタル変換器(ADC)
40 パワーモジュール
41 パワー半導体素子
42 ダイオード
43 温度センサ
SW1,SW2 スイッチ
Claims (6)
- 負荷を駆動するパワー半導体素子がパッケージに封入されたパワーモジュールと、前記パワー半導体素子をオン・オフ動作させるゲートドライブ回路を有するゲートドライバユニットと、パルス幅変調信号を発生して前記ゲートドライブ回路に供給するパルス幅変調信号出力部を有する制御装置とを備えた負荷駆動装置において、
前記ゲートドライバユニットは、前記パワー半導体素子のゲートに印加するゲート電圧を発生するゲート電圧発生回路と、前記パワー半導体素子の主端子間電圧を検出する端子間電圧検出回路と、前記端子間電圧検出回路が検出した前記主端子間電圧を基準電圧と比較する比較回路と、を有し、
前記制御装置は、前記ゲート電圧の値を決めるような漸増する値を有する閾値電圧検出信号を発生して前記ゲート電圧発生回路に供給する閾値電圧検出制御部と、前記主端子間電圧が基準電圧より低くなったことを前記比較回路が検出したときに前記閾値電圧検出制御部が発生していた前記閾値電圧検出信号を閾値電圧として記憶するとともに前記パワー半導体素子の稼働時間を記憶するデータ記憶部と、前記稼働時間をパラメータに含む関数である寿命予測式に前記データ記憶部に記憶された前記閾値電圧の変動をフィッティングすることで前記閾値電圧の変動に関する寿命を予測する寿命予測計算部と、を有し、
前記パワーモジュールは、前記データ記憶部に前記閾値電圧を記憶したときに前記パワー半導体素子の温度を検出する温度センサをさらに有し、
前記制御装置は、前記データ記憶部に記憶されていた前記閾値電圧に対し、前記温度センサによって検出されて前記データ記憶部に記憶されていた温度により温度補正を行う温度補正部をさらに有する、
負荷駆動装置。 - 前記寿命予測計算部は、前記寿命予測式として、tを前記パワー半導体素子の稼働時間、AおよびBを定数としたとき、前記閾値電圧の変動ΔVthが
ΔVth=A・log t+B
により表され、前記閾値電圧の変動が予想される最大値に至るまでの稼働時間を寿命予測時間とする、請求項1記載の負荷駆動装置。 - 前記ゲートドライバユニットは、前記パワー半導体素子をオン・オフ動作させる通常モードにあるときに前記ゲート電圧を前記パワー半導体素子のゲートに印加するのを阻止する第1のスイッチと、前記閾値電圧の検出モードにあるとき、前記パルス幅変調信号出力部の出力を阻止する第2のスイッチとを有する、請求項1記載の負荷駆動装置。
- 負荷を駆動するパワー半導体素子がパッケージに封入されたパワーモジュールと、前記パワー半導体素子をオン・オフ動作させるゲートドライブ回路を有するゲートドライバユニットと、パルス幅変調信号を発生して前記ゲートドライブ回路に供給するパルス幅変調信号出力部を有する制御装置とを備えた負荷駆動装置において、
前記ゲートドライバユニットは、前記パワー半導体素子がオン状態のときの主端子間電圧を検出する端子間電圧検出回路を有し、
前記制御装置は、前記端子間電圧検出回路が検出した前記主端子間電圧を記憶するとともに前記主端子間電圧を記憶したときの前記パワー半導体素子の稼働時間を記憶するデータ記憶部と、前記データ記憶部に記憶された前記主端子間電圧の変動を前記パワー半導体素子の閾値電圧の変動に換算するデータ換算部と、前記稼働時間をパラメータに含む関数である寿命予測式に前記データ換算部によって換算された前記閾値電圧の変動をフィッティングすることで前記閾値電圧の変動に関する寿命を予測する寿命予測計算部と、を有する、
負荷駆動装置。 - 前記寿命予測計算部は、前記寿命予測式として、tを前記パワー半導体素子の稼働時間、AおよびBを定数としたとき、前記閾値電圧の変動ΔVthが
ΔVth=A・log t+B
により表され、前記閾値電圧の変動が予想される最大値に至るまでの稼働時間を寿命予測時間とする、請求項4記載の負荷駆動装置。 - 前記パワーモジュールが前記データ記憶部に前記閾値電圧を記憶したときに前記パワー半導体素子の温度を検出する温度センサを有し、前記制御装置が前記データ記憶部に記憶されていた前記主端子間電圧に対し前記温度センサによって検出されて前記データ記憶部に記憶されていた温度により温度補正を行う温度補正部を有する、請求項4記載の負荷駆動装置。
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