JP6681716B2 - Electronic parts - Google Patents
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Description
本発明は、ベース基板とリッド基板とによって形成されるキャビティ内に電子素子が封入されている電子部品に関する。 The present invention relates to an electronic component in which an electronic element is enclosed in a cavity formed by a base substrate and a lid substrate.
従来より、パッケージにキャビティ内においてベース基板上に電子素子が実装されている電子部品が提案されている。このような電子部品では、パッケージ外部から貫通電極等を介して電子素子に電力が供給されることで、電子素子が作動するように構成されている。 Conventionally, there has been proposed an electronic component in which an electronic element is mounted on a base substrate in a cavity of a package. In such an electronic component, electric power is supplied from the outside of the package to the electronic element via a through electrode or the like, so that the electronic element operates.
しかしながら、電子部品に対しては小型化と高機能化の両立が求められており、これにより、電子素子からの発熱により、パッケージ内の温度が高温になりやすくなるといった課題がある。パッケージ内の温度が高温になってしまうと、電子素子の処理能力が顕著に低下し、電子部品の信頼性低下につながってしまう。 However, electronic components are required to be both small and highly functional, which causes a problem that the temperature inside the package is likely to become high due to heat generated from the electronic element. If the temperature inside the package becomes high, the processing capability of the electronic device will be significantly reduced, and the reliability of the electronic component will be reduced.
そこで、電子素子からの発熱を放熱可能な構成が提案されている。例えば、キャビティ内において、電子素子に弾性変形可能な放熱部材を接触させて、電子素子からの発熱を放熱させる構成が知られている。 Therefore, a structure capable of radiating heat generated from the electronic element has been proposed. For example, a configuration is known in which an elastically deformable heat dissipation member is brought into contact with the electronic element in the cavity to radiate heat generated from the electronic element.
しかしながら上記従来技術には次の課題がある。
電子素子に放熱部材を接触させる場合、放熱部材から受ける接触圧によって、電子素子の変形、位置ずれ等に起因する信頼性低下の課題がある。即ち、従来技術では、電子素子の放熱性を高めて、小型化、高機能化を図りつつ、かつ信頼性を向上させることが可能な電子部品の構成は何ら開示されていない。
However, the above conventional technique has the following problems.
When the heat dissipation member is brought into contact with the electronic element, there is a problem that the contact pressure received from the heat dissipation member causes the reliability of the electronic element to be deteriorated due to deformation, displacement, and the like of the electronic element. That is, in the related art, there is no disclosure of a structure of an electronic component capable of improving the heat dissipation of the electronic element to achieve miniaturization and high functionality while improving the reliability.
そこで本発明は、小型化かつ高性能化が可能であり、かつ信頼性を向上させることが可能な電子部品を提供することを目的とする。 Therefore, it is an object of the present invention to provide an electronic component that can be downsized and have high performance, and that can improve reliability.
上記目的を達成するために本発明の電子部品は、
ベース基板とリッド基板とを有するパッケージと、前記パッケージに形成されるキャビティ内において、実装部材を介して前記ベース基板上に実装される電子素子と、前記リッド基板の内側面に形成されており、前記電子素子の一方の表面に接触する少なくとも一つの放熱凸部と、前記ベース基板上に形成されており、前記電子素子の他方の表面に接触可能な支持凸部と、を備えていることを特徴とする。
In order to achieve the above object, the electronic component of the present invention,
A package having a base substrate and a lid substrate, an electronic element mounted on the base substrate via a mounting member in a cavity formed in the package, and formed on an inner surface of the lid substrate, At least one heat dissipation protrusion that contacts one surface of the electronic device, and a support protrusion that is formed on the base substrate and that can contact the other surface of the electronic device, Characterize.
かかる構成によれば、放熱凸部が、電子素子に当接していることにより、電子素子で生じた熱を放熱凸部を介して効率よくパッケージ外部に放熱することができるので電子部品の小型化かつ高性能化を実現できる。さらに、電子素子の他方の表面に対して、支持凸部が接触可能に構成されているので、放熱凸部の接触によって電子素子の変形、位置ずれ等が生じても、支持凸部が電子素子に接触することによって電子素子の変形、位置ずれ等を低減できる。 According to this structure, since the heat dissipation protrusion is in contact with the electronic element, the heat generated in the electronic element can be efficiently dissipated to the outside of the package through the heat dissipation protrusion, thus reducing the size of the electronic component. And high performance can be realized. Further, since the supporting convex portion is configured to be able to contact the other surface of the electronic element, even if the electronic convex element is deformed or displaced due to the contact of the heat radiating convex portion, the supporting convex portion is not By making contact with the electronic element, it is possible to reduce the deformation and displacement of the electronic element.
また、本発明にあっては、
前記支持凸部の高さは、前記電子素子が実装されている状態の前記実装部材の高さよりも低いと好適である。
Further, in the present invention,
It is preferable that the height of the supporting convex portion is lower than the height of the mounting member in a state where the electronic element is mounted.
かかる構成によれば、電子素子の実装時において、支持凸部と電子素子の間にクリアランスを確保することができる。よって、変形時のみ支持凸部が接触することで、電子素子の耐久性を確保することができる。即ち、電子部品の信頼性向上を図ることが可能になる。 With this configuration, it is possible to secure a clearance between the supporting protrusion and the electronic element when the electronic element is mounted. Therefore, the support convex portions contact only during deformation, so that the durability of the electronic element can be ensured. That is, it becomes possible to improve the reliability of the electronic component.
また、本発明にあっては、
前記放熱凸部が金属バンプによって形成されていると好適である。
Further, in the present invention,
It is preferable that the heat dissipation protrusion is formed of a metal bump.
かかる構成によれば、リッド基板に対して簡易に放熱凸部を形成することができる。また、バンプが金属材質であるので、例えば樹脂材料等と比較すると、放熱性をさらに向上させることができる。 With this configuration, the heat dissipation protrusion can be easily formed on the lid substrate. Further, since the bumps are made of a metal material, the heat dissipation can be further improved as compared with, for example, a resin material.
また、本発明にあっては、
前記支持凸部が金属バンプによって形成されていると好適である。
Further, in the present invention,
It is preferable that the support protrusions are formed by metal bumps.
かかる構成によれば、ベース基板に対して簡易に支持凸部を形成することができる。また、バンプが金属材質であるので、放熱機能も付加することが可能になる。即ち、電子素子と支持凸部との接触時に、電子素子での発熱を支持凸部から放熱することが可能になる。 According to this structure, the supporting protrusion can be easily formed on the base substrate. Also, since the bumps are made of metal, it is possible to add a heat dissipation function. That is, it is possible to dissipate the heat generated in the electronic element from the supporting protrusion when the electronic element and the supporting protrusion are in contact with each other.
また、本発明にあっては、
前記支持凸部が、めっき層によって形成されていると好適である。
Further, in the present invention,
It is preferable that the support convex portion is formed of a plating layer.
かかる構成によれば、ベース基板に対して簡易に支持凸部を形成することができる。また、凸部が金属材質であるので、放熱機能も付加することが可能になる。即ち、電子素子と支持凸部との接触時に、電子素子での発熱を支持凸部から放熱することが可能になる。
さらに、パッケージの内外を貫通する貫通電極をめっきで形成する場合、貫通電極の形成工程と、支持凸部の形成工程とを同工程で行うことが出来るので、電子部品の生産効率を向上させることができる。
According to this structure, the supporting protrusion can be easily formed on the base substrate. Further, since the convex portion is made of a metal material, it is possible to add a heat radiation function. That is, it is possible to dissipate the heat generated in the electronic element from the supporting protrusion when the electronic element and the supporting protrusion are in contact with each other.
Further, when the through electrode penetrating the inside and outside of the package is formed by plating, the through electrode forming step and the supporting convex portion forming step can be performed in the same step, which improves the production efficiency of electronic components. You can
また、本発明にあっては、
前記支持凸部が、金属バンプと、該金属バンプの表面に形成されためっき層によって形成されていることを特徴とする。
Further, in the present invention,
It is characterized in that the supporting convex portion is formed by a metal bump and a plating layer formed on a surface of the metal bump.
かかる構成によれば、めっき層を形成するための形成条件を変えることで、支持凸部の高さを自由に調整することができる。よって、実装する電子素子の特性、機能に応じて、支持凸部の高さを調整できるので、高機能化かつ小型化を実現できる。 According to this structure, the height of the support protrusion can be freely adjusted by changing the formation conditions for forming the plating layer. Therefore, since the height of the supporting convex portion can be adjusted according to the characteristics and functions of the electronic element to be mounted, high functionality and miniaturization can be realized.
また、本発明にあっては、
前記電子素子の上面視において、前記支持凸部が、前記電子素子の周縁に沿った位置に形成されていることを特徴とする。
Further, in the present invention,
In a top view of the electronic element, the supporting convex portion is formed at a position along a peripheral edge of the electronic element.
かかる構成によれば、電子素子の変形、位置ずれを生じた際に、好適に変形、位置ずれを低減させることが可能になる。 According to this structure, when the electronic element is deformed or displaced, it is possible to preferably reduce the deformation or displaced position.
また、本発明にあっては、
前記リッド基板は、ガラス材料、シリコン材料又は金属材料によって形成されていることを特徴とする。
Further, in the present invention,
The lid substrate is formed of a glass material, a silicon material, or a metal material.
かかる構成によれば、電子素子の特性、機能に応じて、リッド基板の材料を適宜選択することができるので、電子部品の高機能化かつ小型化を達成することができる。 With such a configuration, the material of the lid substrate can be appropriately selected according to the characteristics and functions of the electronic element, so that the electronic component can be made highly functional and miniaturized.
また、本発明にあっては、
前記リッド基板は、側壁部分がガラス材料で形成され、主面部分がシリコン材料によって形成されることを特徴とする。
Further, in the present invention,
The lid substrate is characterized in that the side wall portion is made of a glass material and the main surface portion is made of a silicon material.
かかる構成によれば、リッド基板の主面部分をシリコン材料とすることで、主面部分をガラス材料で形成する場合と比較すると、電子素子の放熱性を高めることが可能になる。 According to this structure, the main surface portion of the lid substrate is made of a silicon material, so that the heat dissipation of the electronic element can be improved as compared with the case where the main surface portion is made of a glass material.
以上説明したように、本発明によれば、小型化かつ高性能化が可能であり、かつ信頼性を向上させることが可能な電子部品を提供することが可能になる。 As described above, according to the present invention, it is possible to provide an electronic component that can be downsized, have high performance, and can be improved in reliability.
以下に図面を参照して、この発明を実施するための形態を例示的に詳しく説明する。ただし、以下の実施形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは、特に特定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。 Embodiments for carrying out the present invention will be illustratively described in detail below with reference to the drawings. However, the dimensions, materials, shapes, relative positions, and the like of the component parts described in the following embodiments are not intended to limit the scope of the present invention to them unless otherwise specified. Absent.
［第１実施形態］
図１、図２を参照して、本発明に係る第１実施形態について説明する。
[First Embodiment]
A first embodiment according to the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2.
（１：リッド基板の構成）
図１に、本実施形態におけるリッド基板１０の概略構成を示す。リッド基板１０の内側面には、複数の凸部１２（放熱凸部）が形成されている。本実施形態では、金属製のリッド基板１０に対して、金属製の凸部１２が一体的に形成されている。また、凸部１２は、根元の幅と比較して先端の幅が細くなる形状を有している。なお、リッド基板１０の材料は金属材料に限定されるものではなく、ガラス材料やシリコン材料であってもよい。
(1: Configuration of lid substrate)
FIG. 1 shows a schematic configuration of a lid substrate 10 according to this embodiment. A plurality of protrusions 12 (heat dissipation protrusions) are formed on the inner surface of the lid substrate 10. In the present embodiment, the metallic projection 12 is integrally formed on the metallic lid substrate 10. Further, the convex portion 12 has a shape in which the width of the tip is narrower than the width of the root. The material of the lid substrate 10 is not limited to the metal material, and may be a glass material or a silicon material.
凸部１２の表面には、ゲッター膜１１が成膜されている。本実施形態では、ゲッター膜１１が凸部１２の表面だけではなく、リッド基板１０のほぼ全面を覆うように成膜されている。ゲッター膜１１は、金属材料によって形成される膜であり、加熱されることにより活性化し、酸素や水素などを吸着するゲッタリング機能を有している。 A getter film 11 is formed on the surface of the convex portion 12. In this embodiment, the getter film 11 is formed so as to cover not only the surface of the convex portion 12 but also almost the entire surface of the lid substrate 10. The getter film 11 is a film formed of a metal material, has a gettering function of being activated by being heated and adsorbing oxygen, hydrogen, and the like.
なお、本実施形態では、断面視コの字状のリッド基板１０を用いているが、本発明におけるリッド基板１０の形状はこれに限られるものではなく、平板状のリッド基板１０であってもよい。また、凸部１２はリッド基板１０の内側面に少なくとも一つ形成されていればよい。 In the present embodiment, the lid substrate 10 having a U-shaped cross section is used, but the shape of the lid substrate 10 in the present invention is not limited to this, and a flat lid substrate 10 may be used. Good. Further, at least one protrusion 12 may be formed on the inner surface of the lid substrate 10.
（２：電子部品の構成）
図２を参照して、本実施形態に係る電子部品１の構成を説明する。
本実施形態に係る電子部品１は、上述したリッド基板１０とベース基板３０とを有し、これらの基板の間に形成されるキャビティ内に電子素子２０（半導体素子、水晶振動子、ＭＥＭＳ素子など）が封入されている。なお、リッド基板１０とベース基板３０との接合方法は、接着剤等による接合、陽極接合方法による接合、電子ビームによる接合、ろう材を溶融させることによる接合など、基板の材料等に応じて種々の接合方法を採用することができる。
(2: Configuration of electronic components)
The configuration of the electronic component 1 according to the present embodiment will be described with reference to FIG.
The electronic component 1 according to the present embodiment includes the lid substrate 10 and the base substrate 30 described above, and the electronic element 20 (semiconductor element, crystal oscillator, MEMS element, or the like) is provided in the cavity formed between these substrates. ) Is enclosed. The lid substrate 10 and the base substrate 30 can be joined by various methods, such as joining with an adhesive or the like, joining with an anodic joining method, joining with an electron beam, joining by melting a brazing material, and the like, depending on the material of the substrate. The joining method of can be adopted.
また、キャビティ内に封入されている電子素子２０は、ベース基板３０上に形成された電極パターン２２上に実装部材として金属バンプ２１によって実装されている。 Further, the electronic element 20 enclosed in the cavity is mounted on the electrode pattern 22 formed on the base substrate 30 by a metal bump 21 as a mounting member.
ベース基板３０には貫通孔３３が形成されており、貫通孔３３の内側面には導電膜３２が成膜されている。導電膜３２は、貫通孔３３の一端において上述の電極パターン２２と接続しており、貫通孔３３の他端において、外部電極３１と接続している。また、貫通孔３３の内部は、めっきによって封止されており、これによって貫通電極が形成されている。 A through hole 33 is formed in the base substrate 30, and a conductive film 32 is formed on the inner side surface of the through hole 33. The conductive film 32 is connected to the above-mentioned electrode pattern 22 at one end of the through hole 33, and is connected to the external electrode 31 at the other end of the through hole 33. Further, the inside of the through hole 33 is sealed by plating, so that a through electrode is formed.
かかる構成により、外部電極３１とベース基板３０上に実装された電子素子２０とを電気的に接続しつつ、キャビティ内を確実に封止することができる。なお、本実施形態では、導電膜３２とめっきによって貫通電極を構成しているが、本発明における貫通電極の構成はこれに限られるものではなく、金属部材（金属ピン、金属ワイヤなど）を貫通孔３３に挿入し、ベース基板３０を溶融させることで貫通孔３３を封止する構成であってもよい。 With this configuration, the inside of the cavity can be reliably sealed while electrically connecting the external electrode 31 and the electronic element 20 mounted on the base substrate 30. In addition, in the present embodiment, the through electrode is formed by the conductive film 32 and plating, but the configuration of the through electrode in the present invention is not limited to this, and a metal member (metal pin, metal wire, etc.) is penetrated. The through hole 33 may be sealed by inserting it into the hole 33 and melting the base substrate 30.
電子素子２０がベース基板３０上に実装されている状態において、リッド基板１０に形成された凸部１２の先端は電子素子２０表面（一方の表面）に当接している。本実施形態では、凸部１２の表面にゲッター膜１１が成膜されているので、凸部１２の先端は、ゲッター膜１１を介して電子素子２０表面に当接していることになる。 In a state in which the electronic element 20 is mounted on the base substrate 30, the tips of the protrusions 12 formed on the lid substrate 10 are in contact with the surface (one surface) of the electronic element 20. In this embodiment, since the getter film 11 is formed on the surface of the convex portion 12, the tip of the convex portion 12 is in contact with the surface of the electronic element 20 via the getter film 11.
かかる構成により、外部電極３１から電圧が印加されることによって電子素子２０で生じた熱を、凸部１２を経由してリッド基板１０から外部に放熱することが可能になる。これにより、電子素子２０の動作温度を適温に保つことが可能になり、電子部品１の高機能化を実現することができる。 With this configuration, it is possible to radiate the heat generated in the electronic element 20 by applying the voltage from the external electrode 31 to the outside from the lid substrate 10 via the convex portion 12. As a result, the operating temperature of the electronic element 20 can be maintained at an appropriate temperature, and the electronic component 1 can be made highly functional.
なお、凸部１２の材質は特に限定されるものではないが、熱伝導率のよいＡｕ、又はＣｕを用いることができる。また、Ｉｎを用いることも可能である。Ｉｎは比較的柔らかい材質であるので、凸部１２としてＩｎを用いることで、放熱性に加え、凸部１２の緩衝性も期待することができる。 The material of the convex portion 12 is not particularly limited, but Au or Cu having good thermal conductivity can be used. It is also possible to use In. Since In is a relatively soft material, by using In as the protrusion 12, it is possible to expect not only heat dissipation but also buffering of the protrusion 12.
さらに、本実施形態では、凸部１２の表面にゲッター膜１１が形成されているので、キャビティ内の真空度を高めることができる。その結果、電子部品１のさらなる高機能化を実現することが可能になる。 Further, in this embodiment, the getter film 11 is formed on the surface of the convex portion 12, so that the degree of vacuum in the cavity can be increased. As a result, it is possible to further enhance the functionality of the electronic component 1.
また、凸部１２の表面にゲッター膜１１が形成されていることにより、ゲッター膜１１の成膜面積を大きくすることができる。よって、より好適にキャビティ内の真空度を高めることが可能になる。 Moreover, since the getter film 11 is formed on the surface of the convex portion 12, the film formation area of the getter film 11 can be increased. Therefore, the degree of vacuum in the cavity can be increased more preferably.
さらに本実施形態では、ベース基板３０上に電子素子の裏面（他方の表面）に接触可能な支持凸部２３が形成されている。支持凸部２３は、電子素子２０の上面視（不図示）において、電子素子２０の周縁部に沿った位置に複数設けられている。
これにより、電子素子２０を実装後、リッド基板１０とベース基板３０の接合時に、上述の凸部１２が電子素子２０に接触することになるが、凸部１２が電子素子２０に接触する際の接触圧に伴う変形、位置ずれを、支持凸部２３が電子素子２０に接触することによって低減できる。
Further, in the present embodiment, the support convex portion 23 that can come into contact with the back surface (the other surface) of the electronic element is formed on the base substrate 30. The plurality of support protrusions 23 are provided at positions along the peripheral edge of the electronic element 20 in a top view (not shown) of the electronic element 20.
As a result, after mounting the electronic element 20, the above-described convex portion 12 comes into contact with the electronic element 20 when the lid substrate 10 and the base substrate 30 are joined, but when the convex portion 12 comes into contact with the electronic element 20. The deformation and displacement due to the contact pressure can be reduced by bringing the support protrusions 23 into contact with the electronic element 20.
ここで支持凸部２３に関して詳述する。
本実施形態では、支持凸部２３を金属バンプ（Ａｕバンプなど）によって形成している。さらには、上述の凸部１２と同材料によって形成することで、製造プロセスの簡略化を図ることができる。
しかしながら、支持凸部２３の材料はこれに限られるものではない。例えば、Ｃｕ、Ｃｒなどのめっき層によって形成してもよい。さらには、ＣｕやＡｕの金属バンプの先端にこれらのめっき層を形成することで、支持凸部２３としてもよい。この場合は、めっき層を形成することよって支持凸部２３の高さを調整することができるので、電子素子２０の特性や機能に応じて、適切な高さを有する支持凸部２３を簡易に形成することが可能になる。
Here, the support convex portion 23 will be described in detail.
In the present embodiment, the support protrusions 23 are formed by metal bumps (Au bumps or the like). Furthermore, the manufacturing process can be simplified by forming the convex portion 12 from the same material.
However, the material of the support protrusion 23 is not limited to this. For example, it may be formed by a plating layer of Cu, Cr or the like. Furthermore, the supporting protrusions 23 may be formed by forming these plating layers on the tips of the metal bumps of Cu or Au. In this case, since the height of the support protrusions 23 can be adjusted by forming the plating layer, it is possible to easily form the support protrusions 23 having an appropriate height according to the characteristics and functions of the electronic element 20. Can be formed.
また、本実施形態では、導電膜３２とめっきによって貫通電極を構成しているが、支持凸部２３にめっきを用いる場合は、貫通電極のめっき工程と、支持凸部２３のめっき工程とを同工程で行うことで、製造プロセスの簡略化を図ることが可能になる。 Further, in the present embodiment, the through electrode is formed by the conductive film 32 and the plating. However, when plating is used for the support protrusion 23, the through electrode plating process and the support protrusion 23 plating process are performed in the same manner. By performing the process, it is possible to simplify the manufacturing process.
また、支持凸部２３の高さは、電子素子２０が実装されている状態の金属バンプ２１の高さよりも低く、支持凸部２３の先端と、電子素子２０の裏面との間のクリアランスが５〜１０μｍとなるように、支持凸部２３が形成されている。
これにより、支持凸部２３は常に電子素子２０裏面と接触しないことになり、例えば、外部衝撃に起因して、凸部１２から接触圧を受け、電子素子２０が変形、位置ずれを起こした際にのみ、支持凸部２３が電子素子２０に接触することができる。よって、支持凸部２３の接触に起因する電子素子２０への応力集中を回避できる。
Further, the height of the supporting protrusions 23 is lower than the height of the metal bumps 21 in the state where the electronic element 20 is mounted, and the clearance between the tip of the supporting protrusions 23 and the back surface of the electronic element 20 is 5 mm. The support protrusion 23 is formed so as to have a thickness of 10 μm.
As a result, the supporting convex portion 23 does not always come into contact with the back surface of the electronic element 20, and for example, when the electronic element 20 is deformed or displaced due to a contact pressure from the convex portion 12 due to an external impact. Only, the supporting protrusions 23 can come into contact with the electronic element 20. Therefore, it is possible to avoid stress concentration on the electronic element 20 due to the contact of the supporting protrusions 23.
以上より、本実施形態によれば、リッド基板１０に対して凸部１２を形成し、その凸部１２の少なくとも先端を電子素子２０に当接させることで、電子素子２０で生じた熱を効率的に放熱して電子部品１の高機能化かつ小型化を実現できる。
さらに、ベース基板３０上に、複数の支持凸部２３を形成することで、凸部１２から応力を受けることで電子素子２０の変形、位置ずれが生じた際も、支持凸部２３が凸部１２の反対側から電子素子２０に接触するので、これらの変形、位置ずれを低減することができる。よって、電子部品１の信頼性を向上させることができる。
As described above, according to the present embodiment, by forming the convex portion 12 on the lid substrate 10 and bringing at least the tip of the convex portion 12 into contact with the electronic element 20, the heat generated in the electronic element 20 can be efficiently generated. The electronic component 1 can be highly functionalized and miniaturized by radiating heat.
Further, by forming a plurality of support protrusions 23 on the base substrate 30, even when the electronic device 20 is deformed or displaced due to the stress from the protrusions 12, the support protrusions 23 are protruded. Since the electronic element 20 is contacted from the opposite side of 12, it is possible to reduce these deformations and displacements. Therefore, the reliability of the electronic component 1 can be improved.
［第２実施形態］
図３を参照して、第２実施形態に係る電子部品２について説明する。なお、第１実施形態と同一の構成に関しては、図１、図２と同一の符号を付して説明を省略する。
[Second Embodiment]
The electronic component 2 according to the second embodiment will be described with reference to FIG. The same components as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals as those in FIGS. 1 and 2 and their description is omitted.
本実施形態では、リッド基板１０が主面部分１０ａと側壁部分１０ｂとを有しており、主面部分１０ａがシリコン材料によって形成されており、側壁部分１０ｂがガラス材料によって形成されていることを特徴とする。なお、主面部分１０ａと側壁部分１０ｂとが予め接合されたリッド基板１０を用いてもよいし、側壁部分１０ｂを枠状部材によって構成し、主面部分１０ａを平板状のリッド基板によって構成してもよい。 In this embodiment, the lid substrate 10 has the main surface portion 10a and the side wall portion 10b, the main surface portion 10a is made of a silicon material, and the side wall portion 10b is made of a glass material. Characterize. The lid substrate 10 in which the main surface portion 10a and the side wall portion 10b are joined in advance may be used, or the side wall portion 10b may be formed of a frame-shaped member and the main surface portion 10a may be formed of a flat lid substrate. May be.
そして凸部１２は、主面部分１０ａの内側面に形成されている。なお、凸部１２の構成は第１実施形態で説明したものと同一であるので、ここでは説明を省略する。また、ゲッター膜１１は主面部分１０ａと側壁部分１０ｂの両方に形成されている。 The convex portion 12 is formed on the inner side surface of the main surface portion 10a. Since the configuration of the convex portion 12 is the same as that described in the first embodiment, the description thereof will be omitted here. The getter film 11 is formed on both the main surface portion 10a and the side wall portion 10b.
かかる構成によれば、側壁部分１０ｂをガラス材料によって形成しているので、側壁部分１０ｂにおいてレーザ光を透過させることができる。よって、レーザ光によってゲッター膜１１を加熱してゲッター膜のゲッタリング機能をさらに高めることも可能になる。即ち、小型化かつ高性能化に対応した電子部品を低コストに提供することが可能になる。 According to this structure, since the side wall portion 10b is made of the glass material, the laser light can be transmitted through the side wall portion 10b. Therefore, the getter film 11 can be heated by the laser light to further enhance the gettering function of the getter film. That is, it is possible to provide an electronic component that is downsized and has high performance at low cost.
［第３実施形態］
図４を参照して、第３実施形態に係る電子部品のリッド基板１０について説明する。なお、リッド基板１０以外の構成は第１実施形態、又は第２実施形態で説明した構成を適宜採用することが可能であるので、ここではその説明を省略する。
[Third Embodiment]
The lid substrate 10 of the electronic component according to the third embodiment will be described with reference to FIG. 4. The configurations other than the lid substrate 10 can employ the configurations described in the first embodiment or the second embodiment as appropriate, and thus the description thereof will be omitted here.
本実施形態では、リッド基板１０の内側側面に形成された凸部１２が金属バンプによって形成されており、さらにその表面にめっき層１８が形成されていることが特徴である。なお、めっき層１８の表面には、第１実施形態で説明したゲッター膜１１が形成されている。 The present embodiment is characterized in that the convex portion 12 formed on the inner side surface of the lid substrate 10 is formed by a metal bump, and the plating layer 18 is further formed on the surface thereof. The getter film 11 described in the first embodiment is formed on the surface of the plating layer 18.
かかる構成によれば凸部１２の先端と電子素子２０の表面との間隔が広く、凸部１２の先端を電子素子２０の表面に接触させることが困難な場合であっても、めっき層１８を形成することで、めっき層１８を介して凸部１２と電子素子２０とを当接させることが可能になる。よって、確実に電子素子２０の発熱を放熱させることが可能になる。 According to such a configuration, the plating layer 18 is provided even if it is difficult to bring the tip of the protrusion 12 into contact with the surface of the electronic element 20 because the distance between the tip of the protrusion 12 and the surface of the electronic element 20 is wide. By forming it, it becomes possible to bring the convex portion 12 and the electronic element 20 into contact with each other via the plating layer 18. Therefore, it is possible to reliably dissipate the heat generated by the electronic element 20.
［第４実施形態］
本発明の第４実施形態について説明する。なお、本実施形態は、上述した第１実施形態〜第３実施形態と適宜組み合わせることが可能である。
[Fourth Embodiment]
A fourth embodiment of the present invention will be described. It should be noted that this embodiment can be appropriately combined with the above-described first to third embodiments.
本実施形態では、電子素子２０の上面視において、支持凸部２３を、凸部１２と対向する位置に形成している点が特徴である。これによれば、電子素子２０が凸部１２から応力を受けた場合に、より効果的に、電子素子２０の変形、位置ずれを低減することが可能になる。例えば、電子素子２０の表面中央領域に接触するように、凸部１２を４点形成する場合は、それと同様に、ベース基板３０上に支持凸部２３を、凸部１２と対向するように４点形成すればよい。
なお、支持凸部２３の数を、凸部１２の数と同数にする必要はなく、少なくとも一つの支持凸部２３が形成されていれば、上述の本発明の効果を得ることは可能である。
The present embodiment is characterized in that the support protrusion 23 is formed at a position facing the protrusion 12 in a top view of the electronic element 20. According to this, when the electronic element 20 receives a stress from the convex portion 12, it becomes possible to more effectively reduce the deformation and positional deviation of the electronic element 20. For example, in the case where four convex portions 12 are formed so as to come into contact with the central area of the surface of the electronic element 20, the supporting convex portions 23 are formed on the base substrate 30 in the same manner as the four convex portions 12 so as to face the convex portions 12. It is sufficient to form dots.
The number of the support protrusions 23 does not have to be the same as the number of the protrusions 12, and if at least one support protrusion 23 is formed, the above-described effect of the present invention can be obtained. .
［第５実施形態］
本発明の第５実施形態について説明する。なお、本実施形態は、上述した第１実施形態〜第５実施形態と適宜組み合わせることが可能である。
[Fifth Embodiment]
A fifth embodiment of the present invention will be described. It should be noted that this embodiment can be appropriately combined with the above-described first to fifth embodiments.
支持凸部２３を設ける位置は、上述の実施形態で説明した位置に限られるものではない。例えば、電子素子２０の上面視において、電子素子２０の周縁部に沿う位置であって、かつ、一部が電子素子２０の周縁部よりも外側にあるように、支持凸部２３を設けてもよい。これによれば、電子素子２０の実装時に、支持凸部２３を基準位置として、電子素子２０を適切な位置に実装することが可能になる。よって、実装精度の高い電子部品を提供することができる。 The position where the support protrusion 23 is provided is not limited to the position described in the above embodiment. For example, in the top view of the electronic element 20, the support convex portion 23 may be provided so as to be at a position along the peripheral portion of the electronic element 20 and a part thereof is outside the peripheral portion of the electronic element 20. Good. According to this, when mounting the electronic element 20, it becomes possible to mount the electronic element 20 at an appropriate position with the supporting convex portion 23 as the reference position. Therefore, an electronic component with high mounting accuracy can be provided.
［その他の実施形態］
本発明の実施形態は、上記第１実施形態〜第５実施形態に限られるものではない。
例えば、上記実施形態では、リッド基板１０の裏面全面にゲッター膜１１が形成されている構成が開示されているが、本発明の構成はこれに限られるものではない。十分な真空度が確保されているのであれば、ゲッター膜１１を設けない構成であってもよい。
[Other Embodiments]
The embodiment of the present invention is not limited to the above-mentioned first to fifth embodiments.
For example, in the above-described embodiment, a configuration in which the getter film 11 is formed on the entire back surface of the lid substrate 10 is disclosed, but the configuration of the present invention is not limited to this. The getter film 11 may not be provided as long as a sufficient degree of vacuum is ensured.
また、上記実施形態では、電子素子２０の実装部材として金属バンプ２１を用いているが、金属バンプ２１以外、例えば導電性接着剤等を実装部材として用いることも可能である。 Further, in the above-described embodiment, the metal bumps 21 are used as the mounting members of the electronic element 20, but other than the metal bumps 21, for example, a conductive adhesive or the like can be used as the mounting members.
また、上記実施形態では、支持凸部２３を複数設ける場合、これらの高さが全て同じ例を開示しているが、支持凸部２３の高さはこれに限られるものではない。即ち、電子素子２０の変形度合いに応じて、支持凸部２３の高さを変える構成であってもよい。具体的には、最も顕著に変形する領域、例えば、凸部１２が密集している領域に対向する支持凸部２３の高さは低くし、変形度合いが小さな領域、例えば、凸部１２が形成されていない領域に対向する支持凸部２３の高さを高くするような構成であってもよい。 Further, in the above-described embodiment, when a plurality of support protrusions 23 are provided, the heights of all of them are the same, but the height of the support protrusions 23 is not limited to this. That is, the height of the support protrusion 23 may be changed according to the degree of deformation of the electronic element 20. Specifically, the height of the support protrusions 23 facing the region that is most significantly deformed, for example, the region where the protrusions 12 are densely formed, is low, and the region with a small degree of deformation, for example, the protrusions 12 is formed. The height of the support protrusion 23 facing the non-formed region may be increased.
１・・・電子部品、１０・・・リッド基板、１１・・・ゲッター膜、１２・・・凸部、２０・・・電子素子、２３・・・支持凸部、３０・・・ベース基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Electronic component, 10 ... Lid substrate, 11 ... Getter film, 12 ... Convex part, 20 ... Electronic element, 23 ... Support convex part, 30 ... Base substrate
Claims (9)
前記パッケージに形成されたキャビティ内において、実装部材を介して前記ベース基板上に実装された電子素子と、
前記リッド基板の内側面に形成されており、前記電子素子の一方の表面に接触している少なくとも一つの放熱凸部と、
前記ベース基板上に形成されており、前記電子素子の他方の表面に接触可能な支持凸部と、
を備えていることを特徴とする電子部品。 A package having a base substrate and a lid substrate,
In the cavity formed in the package, an electronic element mounted on the base substrate via a mounting member,
At least one heat dissipation protrusion that is formed on the inner surface of the lid substrate and is in contact with one surface of the electronic element,
A supporting convex portion that is formed on the base substrate and can contact the other surface of the electronic element,
An electronic component comprising:
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