JP6677717B2 - エレクトロクロミックデバイスのための導電性支持体、それを組み込んだエレクトロクロミックデバイス及びその製造 - Google Patents
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Description
・第一の表面と呼ばれる第一の主面を有する、屈折率n1が1.45〜1.8の範囲にある有機又は無機ガラス製のガラス基材(透明であり、場合により、特に表面がテクスチャ加工された場合には、半透明であるもの)、
・金属グリッドと呼ばれる、グリッドとして配置された層を含み、金属材料(純粋なもの又は合金で、好ましくは単層であり、実際にはさらに多層である)で製作されて、10Ω/□未満、なおもより好ましくは5Ω/□未満のシート抵抗を示す、電極であって、該金属グリッドは少なくとも100nm、好ましくは最大で1500nmの厚さe2を有し、該金属グリッドは、50μm以下の幅Aを有するストランド(さもなければトラックと呼ばれる)であって、5000μm以下及び少なくとも50μmであるストランド間距離Bによって分離されたストランドから形成されており、これらのストランドは複数の電気絶縁性非導電性ドメインによって分離されていて、該ドメインは基材から最も遠い上部表面と呼ばれる表面を有し、該ドメインは屈折率が好ましくは1.65より大きい、電極、
を含む。
・第一の金属層(キャビティの底の直ぐ上の、又はキャビティの底に最も近い金属層)であって、好ましくは第一の金属材料製であり、該金属材料は好ましくは銀をベースとし、実際のところさらには銀から構成され、グリッドの合計厚さe2の15%未満、さらには10%未満を形成し、及び/又は少なくとも3nm、5nm、実際のところさらには少なくとも10nm、かつ好ましくは100nm未満、実際のところさらには50nm未満である、第一の金属層、
・第二の金属層(基材から離れる方向に進んで第一の層上の)であり、特に第一の層との識別できる界面を有し、第二の金属材料をベースとしていて、該第二の金属材料は好ましくは銀、アルミニウム又は銅から選択され、グリッドの合計厚さe2の少なくとも70%、80%及びさらには90%を形成している第二の金属層であって、該第二の層は好ましくは銀をベースとし、実際のところさらには銀から構成され、特に第一の層と同様である、第二の層、
をこの順に含む(実際のところさらにはこれらから構成される)ことができる。
・上述の材料から作製され、好ましくは銀をベースとし、実際のところさらには銀から作製され、好ましくは例えば銀めっき又は真空被着(スパッタリング)により被着された、厚さが少なくとも100nmの、(単一の)金属層、及び、
・腐食(水及び/又は空気)に対する保護のための上層、例えば、上記金属層とは相異なる材料、特に銀とは相異なる材料から製作されて、厚さが10nm未満、なおもより良好には5nm未満又はさらには3nm未満である上層、例えば金属の上層、
から構成することができる。
・金属グリッドの下にある、底部領域と呼ばれる領域、
・構造化領域であって、該領域は非導電性ドメインを形成し、幅Wcのキャビティ、ひいては閉塞された穴を有し、好ましくは、側方領域が第一の層と隣接していて幅L1を有し、L1はキャビティの高さecより大きくて、L1≦2ecであり、さらにはL1≦1.4ecである、構造化領域、
から形成されることによって、厚さ方向に部分的に構造化されており、電気絶縁性である。
・電気絶縁性材料、好ましくは無機材料から製作された上層(単層又は多層)であり、不連続であって横方向に延在する穴を画定している上層であって、非導電性ドメインの一部を形成し、上部表面が該上層の表面であり、厚さezが最大で500nm、さらには300nm、又は最大で100nmであり、そして好ましくは少なくとも20nmである、上層、
・第一の、好ましくは無機の、電気絶縁性層であって、
・上層と第一の層との界面において幅Wcの横方向に延在する穴、すなわち金属グリッドの(中央領域の)少なくとも下方部分を受け入れるキャビティ(金属グリッドの中央領域の上方部分が場合により上層の横方向に延在する開口部中に延在し、実際のところさらには上部表面を越えて延在している)、で厚さ方向に完全に構造化されており、
・又は、厚さ方向で部分的に構造化されていて、次のものから、すなわち、
・金属グリッドの下の、底部領域と呼ばれる領域、
・上層の下(かつ底部領域の上)にある構造化領域、すなわち、横方向に延在する穴に面している幅Wcのキャビティ(ひいては閉塞された開口部)、特に金属グリッドの(中央領域)の少なくとも下方部分を受け入れるキャビティを有する領域(金属グリッドの中央領域の上方部分は場合により、上層の横方向に延在する開口部中に延在し、実際のところさらには上部表面を越えて延在している)、
から形成されている、
第一の電気絶縁性層、
が存在し、上層と第一の層との界面(上層−構造化領域界面)の、横方向に延在する穴は、幅W1であり、キャビティは幅Wcであり、好ましくはWc≧W1、さらにはWc>W1である。
・特に、場合によりドープされた、次の金属酸化物、すなわち、酸化スズ、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化モリブデンMoO3、酸化タングステンWO3又は酸化バナジウムV2O5、のうちの少なくとも1種をベースとし、
・ITO(好ましくは)をベースとし、また例えば、酸化スズ亜鉛SnZnOをベースとし、又は酸化インジウム亜鉛(IZOで表す)をベースとし、又は酸化インジウムスズ亜鉛(ITZOで表す)をベースとする、層(特に非晶質)をベースとする。
・好ましくは、特にアルミニウム及び/又はガリウムをドープされた酸化亜鉛(AZO又はGZO)をベースとする、又は場合によりITZOをベースとする層、
・及び/又は、例えば酸化スズ亜鉛SnZnOをベースとし、好ましくは厚さが100nm未満である、又は酸化インジウム亜鉛(IZOで表す)をベースとする、又は酸化インジウムスズ亜鉛(ITZOで表す)をベースとする、層(特に非晶質の)、
から選ばれる。
・次のものを含む基材を準備する段階。
・第一の表面上に場合により存在する下層(湿分に対するバリアなど)
・第一の層の組成物から製作される連続の「アンカー層」
・アンカー層にキャビティ又は横方向に延在する穴を形成して、厚さ方向に構造化され、その表面が上部表面となる、第一の層を形成する段階であって、
・側壁を有し横方向に延在する開口部の所与の配置で感光性材料(ネガ型又はポジ型)から作製された不連続のマスキング層をアンカー層の上に、特に、
・感光性材料を破れのない層として被着すること、
・第一の表面側の紫外線源を用いて紫外線で露光すること、
により作製すること、
・マスキング層の横方向に延在する開口部(この開口部の幅W0は上部表面におけるキャビティ又は横方向に延在する穴の幅Wcよりも小さい)を通してアンカー層のウエットエッチングを行い、キャビティ又は横方向に延在する穴の上方に張り出したマスキング層の領域を作り、こうしてキャビティ又は横方向に延在する穴に面しているマスキング層の、内表面と呼ばれる表面の部分を画定すること、
を含む段階。
・金属グリッドを形成する段階であって、キャビティ又は横方向に延在する穴内にグリッドの第一の金属材料を液体ルートにより被着させること、好ましくは自己触媒的に被着させることを含み、第一の材料をキャビティの(第一の境界画定層の)側壁上に、及びマスキング層の内表面の全体に被着させて、上部表面と同一の高さでありそして中央ストランド領域よりも粗くない側方ストランド領域を形成する、金属グリッドの形成段階。
・マスキング層を、特に液体ルートにより、除去する段階。
・好ましくは、無機であるのが好ましい導電性コーティングを、例えば物理的気相成長により、被着する段階。
・場合により、ストランドの中央領域の上方に、好ましくは中央領域上に存在する導電性コーティング上に、パッシベーション層を絶縁性トラックから形成される絶縁性グリッドとして形成する段階。
・次のものを含む基材を準備する段階。
・第一の表面上に場合により存在する下層(湿分に対するバリアなど)
・第一の層の組成物から製作される連続の「アンカー層」
・アンカー層の(直ぐ)上の、上層の材料から製作された、追加の層と呼ばれる、連続の電気絶縁層
・追加の層に閉塞された又は横方向に延在する開口部を形成して、厚さ方向に完全に又は部分的に構造化された上層を形成する段階であって、
・追加の層の上に、側壁を有し横方向に延在する開口部の所与の配置で感光性材料(ネガ型又はポジ型)から作製された不連続のマスキング層を、特に、
・感光性材料を破れのない層として被着すること、
・第一の表面側の紫外線源を用いて紫外線で露光すること、
により作製すること、
・マスキング層の横方向に延在する開口部を通して、第一のエッチング液を用いて追加の層をウエットエッチングし、閉塞された又は横方向に延在する穴の上方に張り出したマスキング層の領域を作り、こうして閉塞された又は横方向に延在する穴に面しているマスキング層の、内表面と呼ばれる表面の部分を画定すること、
を含む、上層を形成する段階。
・アンカー層にキャビティ又は横方向に延在する穴を形成して、Wc>W1の第一の部分的に構造化された層を形成する段階であって、
・マスキング層の横方向に延在する開口部及び上層の横方向に延在する穴を通して、好ましくは第一の液とは異なりかつ好ましくは上層をエッチングしない、第二のエッチング液を用いてアンカー層のウエットエッチングを行い、第一の層のキャビティ又は横方向に延在する穴の上方に張り出したマスキング層及び上層の領域を作り、こうして第一の層のキャビティ又は横方向に延在する穴に面している上層の、他の内表面と呼ばれる表面の部分を画定すること、
を含む、第一の部分的に構造化された層を形成する段階。
・金属グリッドを形成する段階であって、第一の層のキャビティ又は横方向に延在する穴内及び上層の横方向に延在する穴内にグリッドの第一の金属材料を液体ルートにより被着させること、好ましくは自己触媒的に被着させることを含み、第一の材料を上層の横方向に延在する穴の側壁上に被着させ、上層の他の内表面の全体に被着させ、かつマスキング層の内表面上に被着させて、縁部領域及び側方ストランド領域を形成し、内表面の下に上部表面と同一の高さである一方で中央ストランド領域よりも粗くない側方ストランド領域を形成する、金属グリッドを形成する段階。
・マスキング層を、特に液体ルートにより、除去する段階。
・好ましくは、無機であるのが好ましい導電性コーティングを、例えば物理的気相成長により、被着する段階。
・好ましくは、ストランドの中央領域の上方に、好ましくは中央領域上に存在する導電性コーティング上に、パッシベーション層を絶縁性トラックから形成される絶縁性グリッドとして形成する段階。
・導電性コーティングを覆うパッシベーション層をポジ型感光性材料の破れのない層として被着すること、
・第二の主要面側の紫外線源を用いて紫外線で露光すること、
・パッシベーション層を形成するため、金属グリッドの上方に位置しているポジ型感光性材料の層が不連続となるまで液で現像すること、
を含む。
・導電性コーティングを覆うパッシベーション層の材料を破れのない層として被着すること、
・破れのない層の上に、横方向に延在する穴の所与の配置でポジ型感光性材料から製作される別の不連続マスキング層を、
・パッシベーション層の材料の破れのない層を覆うポジ型感光性材料を被着させること、
・第二の主要面側の紫外線源を用いて紫外線で露光すること、
・金属グリッドのストランドの上方に位置する、ポジ型感光性材料の露光された層が不連続となるまで、液で現像すること、
により作製すること、
・別のマスキング層の横方向に延在する開口部を通して破れのない層をウエットエッチングし、絶縁性トラックを形成すること、
・液体ルートにより別のマスキング層を除去すること、
を含む。
・第一のSnCl2水溶液(増感)。好ましくは撹拌され(好ましくは5分未満、例えば0.5〜3分間)、次いで水(蒸留水)でリンスされる。
・第二のPdCl2水溶液(活性化)。好ましくは撹拌され(好ましくは5分未満、例えば0.5〜3分間)、次いで水(蒸留水)でリンスされる。
・銀塩、好ましくは硝酸銀の溶液と、銀のための還元剤、好ましくはグルコン酸ナトリウムの溶液との混合物である、第三の溶液。好ましくは撹拌され(好ましくは15分未満、さらには5分未満、例えば0.5〜3分間)、次いで水(蒸留水)でリンスされる。
・場合により存在する、例えば窒化ケイ素41などの、湿分に対するバリア層4、又は薄層のスタック。
・無機であり、好ましくは電気絶縁性材料であり、好ましくはミクロン又はサブミクロンの厚さe3である、厚さ方向に部分的に構造化された第一の層3であって、下記のもの、すなわち、
・ここでは下層の直ぐ上にあり、所与の(好ましくはミクロンの)厚さe’3であって、下層の表面を覆っている、底部領域と呼ばれる(連続の)領域30、
・盛り上がった又はえぐられた、構造化領域31であって、盛り上がり部分は平坦な上部表面34を画定しており、キャビティ又はくぼみの境界が底部33(底面を画定)及び側壁32により画定されており、キャビティは上部表面34での幅がWcであり、中央で測定される高さecが好ましくは最大で1500nmであって、かつ好ましくは100nmより大きく、規則的な又は不規則的な所与の配置構成に従ってキャビティが散開しており(不連続ストリップ、メッシングなど)、上部表面が局所的に平らである、構造化領域31、
を含む第一の層3。
・自己触媒的な被着により得られた金属材料から製作され、好ましくは銀の単層(銀めっきにより得られる)である、金属グリッドと呼ばれるグリッド2として配置された層を含む電極2であって、該グリッドは、この例では、キャビティに固定された、トラックとも呼ばれる、ストランド20から形成された単層であり、該ストランドは上部表面34における幅Aが50μm未満、なおもより良好には30μm以下であり、(そして少なくとも1μmであり)、かつ上部表面34において5000μm以下そして少なくとも50μmの距離Bだけ分離されており、グリッドはストランドの中央で規定される厚さe2が少なくとも100nm、そして好ましくは1500nm未満であり、該金属グリッドが10Ω/□未満、そしてさらには5Ω/□未満又は1Ω/□未満のシート抵抗を示す、電極2。
・無機の導電性コーティング5であって、好ましくは単層であり、厚さe5が500nm以下又は100nm以下、なおもより良好には60nm以下であり、抵抗率ρ5が20Ω・cm未満であって金属グリッドの抵抗率より高く、少なくとも1.5、なおもより良好には1.7の所与の屈折率n5を有し、この例ではグリッド2及び上部表面34の上にITO(又はAZO又はGZO、AGZO)から製作された無機層から構成されている、無機の導電性コーティング5。
・導電性コーティング5の直ぐ上のパッシベーション層6であって、不連続であり、好ましくはポジ型フォトレジンから製作されて、厚さe6(キャビティの中央で測定される)が1000nm未満である、パッシベーション層6。
・下層上に、第一の層の材料を含むアンカー層3aを形成し、
・層3aに、スピンコーティングにより、液体状態のマスキング材料、すなわちポジ型感光性材料の樹脂AZ(登録商標)1505の層60を適用する、
というものである。
・銀めっき溶液(Dr.−Ing. Schmitt, GMBH社, Dieselstr. 16, 64807 Dieburg/Germanyにより提供される希釈可能溶液)を、下記に従って希釈する。
・250cm3の小型ガラス瓶中に100μlのMiraflex(登録商標) 1200(SnCl2溶液)(溶液番号1)
・250cm3の小型ガラス瓶中に200μlのMiraflex(登録商標) PD(PdCl2溶液)(溶液番号2)
・250cm3の小型ガラス瓶中に15mlのMiraflex(登録商標) RV(還元剤グルコン酸ナトリウムの溶液)(溶液番号3)
・250cm3の小型ガラス瓶中に15mlのMiraflex(登録商標) S(硝酸銀溶液)(溶液番号4)
・上記の溶液を周囲温度で使用する。
・基材(層4、3を有する)を、溶液番号1の内容物を注ぎ入れた槽に入れ、1分間撹拌し、その後蒸留水でリンスする。
・基材(層4、3を有する)を、溶液番号2の内容物を注ぎ入れた第二の槽に入れ、1分間撹拌し、その後蒸留水でリンスする。
・基材(層4、3を有する)を、溶液番号3及び4の内容物を注ぎ入れた最終の槽に入れ、2分間撹拌し、その後蒸留水でリンスする。
・例1について言えば感光性ポリイミド(Pimel(商標)ポリイミドシリーズI−700)であるポジ型感光性材料から製作される層6aを、スピンコーティングにより被着させて、導電性コーティング5を覆い、次いで対流炉においてアニーリング(100℃、20分)する段階を行うこと、
・第二の主要面12の側で、例1について言えば20mW/cm2(365nmで)の水銀ランプである紫外線源を使用して、図7hに示したように紫外線で露光すること、
からなる。
・側方領域22、22’は点X”とY’の間の距離として規定される幅L1であり、
・縁部領域22a、22’aは点X’とYの間の距離として規定される幅L2であり、
・L3はX”とY”の間の距離であって、Y”は側方領域22、22’の表面の平面におけるYの正投影である。
本発明の代表的な態様としては、以下を挙げることができる:
《態様1》
エレクトロクロミックデバイスのための導電性支持体(100)であり、
・第一の表面と呼ばれる第一の主面(11)を有し、屈折率n 1 が1.45〜1.8である、有機又は無機ガラス製のガラス基材(1)、
・前記ガラス基材により支持されかつ前記第一の表面(11)の側にある電極であって、該電極は、金属材料から製作され、10Ω/□未満のシート抵抗を示し、厚さe 2 が少なくとも100nmである、金属グリッドと呼ばれるグリッド(2)として配置された層を含み、該グリッドはストランド(20)から形成されていて、該ストランドは50μm以下の幅Aを有し、そして5000μm以下でかつ少なくとも50μmのストランド間距離Bによって分離されており、これらのストランドは、前記基材から一番遠い上部表面と呼ばれる表面(34、34’)を有する複数の電気絶縁性非導電性ドメイン(31、3’)によって分離されている、電極、
を含み、
そして当該導電性支持体は、前記第一の表面(11)の側で、所与の無機組成の、好ましくは電気絶縁性である、第一の層を含み、該第一の層は前記第一の表面の直ぐ上にあるか又は下層(4)の上にあり、該第一の層は、前記金属グリッドを少なくとも部分的に固定するため、幅Wcの横方向に延在する穴又はキャビティで厚さ方向に部分的に又は完全に構造化されており、前記上部表面が該第一の層の表面であるか又は該第一の層の上の、無機の、上層の表面である、エレクトロクロミックデバイスのための導電性支持体(100)であって、
前記ストランド(20)は、その長さに沿って、前記上部表面(34、34’)と同一の高さにある側方領域(22、22’)間の中央領域(21)を有し、該中央領域(21)の表面粗さは該側方領域(22、22’)の表面粗さよりも大きく、
前記支持体は、さらに、
・無機物質から製作された導電性コーティング(5)であって、前記上部表面(34、34’)を好ましくは直接覆い、前記側方領域の上方にありそして該側方領域と電気的に接触しており、そして場合により、前記中央領域の上方に存在しそして該中央領域(21)と電気的に接触しており、厚さe 5 が500nm以下であり、抵抗率ρ 5 が20Ω・cm未満であって前記金属グリッドの抵抗率よりも大きく、そして屈折率n 5 が少なくとも1.5である、導電性コーティング(5)、
を含み、
そして前記中央領域(21)において、前記ストランド(20)表面の中央及び前記上部表面が、前記第一の表面(11)に垂直に測定されて500nm以下である垂直距離Hだけ離れている、
導電性支持体(100)。
《態様2》
前記側方領域(22、22’)の粗さパラメータRqが最大で5nmであることを特徴とする、態様1に記載の導電性支持体(100)。
《態様3》
電気絶縁材料から製作された、パッシベーション層(6)と呼ばれる不連続層を含み、該層は前記ストランドの中央領域(21)の上方及び場合により側方領域(22、22’)の上方にある絶縁性トラックのグリッドを形成していて、前記ストランドの外側縁を横方向に越えておらず、又は前記ストランドの外側縁を最大で1μmだけ横方向に越えていることを特徴とする、態様1又は2に記載の導電性支持体(100)。
《態様4》
前記パッシベーション層(6)が、前記中央領域(21)の上方に、10nm未満の粗さパラメータRqを示す、上方表面(6s)と呼ばれる表面を有することを特徴とする、態様3に記載の導電性支持体(100)。
《態様5》
前記パッシベーション層(6)が、金属及び/又はケイ素である材料の酸化物、好ましくはゾルゲルルートによる酸化物の層、及び/又は該材料の窒化物の層であり、そして好ましくは、窒化ケイ素、窒化チタン、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ケイ素、酸化ニオブ及びそれらの混合物の層であることを特徴とする、態様3又は4に記載の導電性支持体(100)。
《態様6》
前記導電性コーティングが不連続であり、前記中央領域に存在せず、そしてこの場合Hは、前記ストランド(20)の表面の中央と前記導電性コーティングの表面との間で規定されることを特徴とする、態様1〜5のいずれか1つに記載の導電性支持体(100)。
《態様7》
前記電気絶縁性材料がポジ型感光性材料であって、前記導電性コーティング上での厚さe 6 が1000nm未満であり、次の材料、すなわち、ポリイミド、ポリシロキサン、フェノール−ホルムアルデヒド又はポリメチルメタクリレートのうちの少なくとも1つをベースとしていることを特徴とする、態様3又は4に記載の導電性支持体(100)。
《態様8》
前記パッシベーション層が前記中央領域と前記導電性コーティングとの間にあることを特徴とする、態様3又は4に記載の導電性支持体(100)。
《態様9》
前記第一の層が、金属及び/又はケイ素である材料の酸化物の電気絶縁性層、好ましくはゾルゲルルートによる酸化物の電気絶縁性層、及び/又は該材料の窒化物の電気絶縁性層であり、そして好ましくは、窒化ケイ素、窒化チタン、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ケイ素、酸化ニオブ及びそれらの混合物の層であるか、あるいはまた透明導電性酸化物の層であることを特徴とする、態様1〜8のいずれか1つに記載の導電性支持体(100)。
《態様10》
前記中央領域(21)が上部表面(34、34’)よりくぼんでおり、そしてHが100nmより大きく、さらには150nmよりも大きいことを特徴とする、態様1〜9のいずれか1つに記載の導電性支持体(100)。
《態様11》
Hが100nm以下であり、そしてさらに好ましくは、前記中央領域が前記上部表面よりくぼんでおり、好ましくは前記ストランド(20)の表面が、前記側方領域(22、22)の内側縁(中央領域側)と隣接している、10nmを超える高さの突出部を有しないことを特徴とする、態様1〜9のいずれか1つに記載の導電性支持体(100)。
《態様12》
前記金属グリッド(2、20)が自己触媒的な被着により得られたもの、好ましくは銀めっきにより得られたものであることを特徴とする、態様1〜11のいずれか1つに記載の導電性支持体(100)。
《態様13》
前記金属グリッド(2、20)、好ましくは銀から製作されたものが、25%未満又は10%未満そしてさらには6%未満の被覆度Tを示すことを特徴とする、態様1〜12のいずれか1つに記載の導電性支持体(100)。
《態様14》
前記金属グリッド(2、20)が不規則パターンを示し、好ましくはランダムパターンを示していることを特徴とする、態様1〜13のいずれか1つに記載の導電性支持体(100)。
《態様15》
前記金属グリッド(2、20)の厚さe 2 が1500nm未満であり、好ましくは100nm〜1000nmの範囲内、特に200nm〜800nmの範囲内にあり、そして幅Aが30μm未満であり、好ましくは1.5μm〜20μmの範囲内にあることを特徴とする、態様1〜14のいずれか1つに記載の導電性支持体(100)。
《態様16》
前記金属グリッド(20)の材料(1種又は複数種)が、銀、銅、ニッケル及びこれらの金属をベースとする合金から形成される群より選ばれ、好ましくは銀をベースとしていることを特徴とする、態様1〜15のいずれか1つに項記載の導電性支持体(100)。
《態様17》
前記導電性コーティング(5)が、透明導電性酸化物から製作され、好ましくは酸化インジウムスズをベースとし又は酸化亜鉛をベースとする、屈折率n a が1.7と2.3の間で厚さが150nm未満の無機層を含むことを特徴とする、態様1〜16のいずれか1つに記載の導電性支持体(100)。
《態様18》
前記第一の層(3)が幅Wcの横方向に延在する穴により厚さ方向に完全に構造化されており、そして好ましくは、場合により存在するバリア下層が構造化されていないことを特徴とする、態様1〜17のいずれか1つに記載の導電性支持体(100)。
《態様19》
前記第一の層(3)が、
・前記金属グリッドの下の、底部領域と呼ばれる領域(30)、
・非導電性ドメインを形成していて、幅Wcのキャビティを有する構造化領域(31)であって、そして好ましくは、前記側方領域が前記第一の層と隣接していて幅L1を有しており、L1は該キャビティの高さe c より大きく、そしてL1≦2e c である、構造化領域(31)、
から形成されることにより、厚さ方向に部分的に構造化されていることを特徴とする、態様1〜17のいずれか1つに記載の導電性支持体(100)。
《態様20》
前記非導電性ドメインが、
・電気絶縁性材料、好ましくは無機材料から製作された上層であり、横方向に延在する穴を画定している不連続の上層(3’)であって、前記非導電性ドメインの一部を形成し、前記上部表面が該上層の表面であり、そして好ましくは少なくとも20nmである、上層(3’)、
・好ましくは電気絶縁性であり、好ましくは無機の、第一の層であって、
・前記上層と該第一の層との界面において幅Wcの横方向に延在する穴で、厚さ方向に完全に構造化されており(3)、
・又は、厚さ方向に部分的に構造化されていて(3)、次のものから、すなわち、
・前記金属グリッドの下の、底部領域と呼ばれる領域(30)、
・前記上層の下にある構造化された領域(31)、すなわち、前記横方向に延在する穴に面していて、前記上層と該第一の層との界面における幅Wcのキャビティを有する領域(31)、
から形成されている、
第一の層、
を含み、前記上層と前記第一の層との界面で、前記上層の横方向に延在する穴は幅W1であり、好ましくはWc≧W1であり、
Wc>W1である場合、縁部領域(22a、22’a)と呼ばれるストランドの領域は前記側方領域と隣接しており、前記側方領域よりも周辺にあって、かつ前記上層の下のキャビティ内にあり、
Wc>W1である場合、前記側方領域は幅L1であり、幅L1は点X”とY’間の距離として規定され、前記縁部領域は幅L2であり、L2は点X’とY間の距離として規定され、Y”は前記側方領域(22、22’)の表面の平面におけるYの正投影であり、そしてL3はX”とY”間の距離であり、L3は合計高さe c +e’ c より大きくて、L3≦2(e c +e’ c )であり、e c は前記第一の層の横方向に延在する穴又はキャビティの高さ、そしてe’ c は前記穴の高さである、
ことを特徴とする、態様1〜17のいずれか1つに記載の導電性支持体(100)。
《態様21》
態様1〜20のいずれか1つに記載の導電性支持体(100)を取り入れ固体又は液体電解質を用いたエレクトロクロミックデバイスであって、前記金属グリッド(2)を含む電極が、前記基材の第一の表面(11)に最も近い、下部電極と呼ばれる電極を形成しており、及び/又は、液体電解質の場合には、該デバイスは態様1〜20のいずれか1つに記載の導電性支持体を取り入れ、前記金属グリッド(2)を含む電極が上部電極を形成している、エレクトロクロミックデバイス。
《態様22》
態様1〜20のいずれか1つに記載の導電性支持体(100)の製造方法であって、下記の段階を下記の順序で含むことを特徴とする導電性支持体(100)の製造方法。
・次のものをこの順序で含む基材(1)を準備する段階
・前記第一の表面(11)上に場合により存在する下層
・前記第一の層の組成物から製作された連続のアンカー層(3a)
・前記アンカー層(3a)にキャビティ又は横方向に延在する穴を形成して、厚さ方向に構造化され、表面が前記上部表面(34)となる第一の層(3)を形成する段階であって、
・側壁(61)を有する横方向に延在する開口部の所与の配置で感光性材料から作製された不連続のマスキング層(60)を前記アンカー層の上に、特に、
・該感光性材料を破れのない層として被着すること、
・前記第一の表面(11)側の紫外線源を用いて紫外線で露光すること、
により作製すること、
・前記マスキング層の横方向に延在する開口部を通して前記アンカー層(3a)のウエットエッチングを行い、前記キャビティ又は横方向に延在する穴の上方に張り出したマスキング層の領域を作り、こうして前記キャビティ(32、33)に面している前記マスキング層(60)の、内表面と呼ばれる表面の部分(62、62’)を画定すること、
を含む段階
・前記キャビティ又は横方向に延在する穴内に前記グリッドの第一の金属材料を液体ルートにより被着すること、好ましくは自己触媒的に被着することを含む、前記金属グリッド(2)の形成段階であって、該第一の材料を該キャビティ又は横方向に延在する穴の側壁(32)上に、及び前記マスキング層(60)の内表面(62、62’)の全体に被着させて、前記上部表面(34)と同一の高さでありそして前記中央ストランド領域(21)よりも粗くない側方ストランド領域(22、22’)を形成する段階
・前記マスキング層(60)を、特に液体ルートにより、除去する段階
・好ましくは、前記ストランドの中央領域の上方に、好ましくは前記中央領域上に存在する前記導電性コーティング上に、絶縁性トラックから形成される絶縁性グリッドとしてパッシベーション層を形成する段階
《態様23》
態様1〜20のいずれか1つに記載の導電性支持体(100)の製造方法であって、下記の段階を下記の順序で含むことを特徴とする導電性支持体(100)の製造方法。
・次のものを含む基材(1)を準備する段階
・前記第一の表面(11)上に場合により存在する下層
・前記第一の層の組成物から製作された連続の「アンカー」層(3a)
・前記アンカー層(3a)上の、前記上層(3’)の材料から製作された、追加の層と呼ばれる、連続の電気絶縁層(3’a)
・前記追加の層(3’a)に横方向に延在する穴を形成して、厚さ方向に完全に又は部分的に構造化された上層(3’)を形成する段階であって、
・側壁を有する横方向に延在する開口部の所与の配置で感光性材料から作製された不連続のマスキング層(60)を前記追加の層(3’a)の上に、特に、
・該感光性材料を破れのない層としての被着すること、
・前記第一の表面(11)の側の紫外線源を用いて紫外線で露光すること、
により作製すること、
・前記マスキング層の横方向に延在する開口部(61)を通して、第一のエッチング液を用いて前記追加の層(3’a)をウエットエッチングし、前記横方向に延在する穴の上方に張り出した前記マスキング層の領域を作り、こうして前記横方向に延在する穴に面している前記マスキング層の、内表面と呼ばれる表面の部分(62、62’)を画定すること、
を含む段階
・前記アンカー層(3a)に前記キャビティ又は横方向に延在する穴を形成して、Wc>W1の第一の部分的に構造化された層(3)を形成する段階であって、
・前記マスキング層(60)の横方向に延在する開口部及び前記上層の横方向に延在する穴を通して、好ましくは前記第一の液とは異なりかつ好ましくは前記上層をエッチングしない、第二のエッチング液を用いて前記アンカー層(3)のウエットエッチングを行い、前記第一の層のキャビティ又は横方向に延在する穴の上方に張り出したマスキング層及び上層の領域を作り、こうして前記第一の層のキャビティ又は横方向に延在する穴に面している上層の、他の内表面と呼ばれる表面の部分(22a、22’a)を画定すること、
を含む段階
・前記第一の層のキャビティ又は横方向に延在する穴内及び前記上層の横方向に延在する穴内に前記グリッドの第一の金属材料を液体ルートにより被着させて、好ましくは自己触媒的に被着させて、前記内表面(62、62’)の下の前記上部表面(34’)と同一の高さである一方で前記中央ストランド領域(21)よりも粗くない側方ストランド領域を形成することを含み、前記第一の材料を前記上層の横方向に延在する穴の側壁上に被着させ、前記上層(3)の他の内部表面(22a、22a)の全体に被着させ、かつ前記マスキング層(60)の内表面(62、62’)上に被着させて、縁部領域(22a、22’a)及び側方ストランド領域(22、22’)を形成する、前記金属グリッド(2)の形成段階
・前記マスキング層(60)を、特に液体ルートにより、除去する段階
・好ましくは、前記ストランドの中央領域の上方に、好ましくは前記中央領域上に存在する前記導電性コーティング上に、絶縁性トラックから形成される絶縁性グリッドとしてパッシベーション層を形成する段階
《態様24》
前記第一の金属材料の液体ルートによる被着が銀めっきであり、そして好ましくは、前記グリッド(2)が単層であることを特徴とする、態様22又は23に記載の導電性支持体(100)の製造方法。
《態様25》
前記ストランドの中央領域上に絶縁性トラックから形成された絶縁性グリッドとして前記パッシベーション層を形成することが、
・前記導電性コーティングを覆うパッシベーション層(6)をポジ型感光性材料の破れのない層として被着すること、
・第二の主要表面(12)の側の紫外線源を用いて紫外線で露光すること、
・前記パッシベーション層(6)を形成するため、前記ポジ型感光性材料の層が不連続にされ、該ポジ型感光性材料が前記金属グリッド(2)の上に残るまで、液で現像すること、
を含むことを特徴とする、態様22〜24のいずれか1つに記載の導電性支持体(100)の製造方法。
《態様26》
前記ストランドの中央領域上に絶縁性トラックから形成された絶縁性グリッドとして前記パッシベーション層を形成することが、
・前記導電性コーティングを覆うパッシベーション層の材料を破れのない層として被着すること、
・該破れのない層の上に、横方向に延在する開口部の所与の配置でポジ型感光性材料から製作された別の不連続マスキング層を、
・該パッシベーション層の材料の破れのない層を覆う前記ポジ型感光性材料を被着させること、
・第二の主要面(12)の側の紫外線源を用いて紫外線で露光すること、
・前記ポジ型感光性材料の露光された層が不連続にされ、その後前記金属グリッドのストランドの上方に位置するまで、液で現像すること、
により作製すること、
・前記別のマスキング層の横方向に延在する開口部を通して前記破れのない層をウエットエッチングし、前記絶縁性トラックを形成すること、
・液体ルートにより前記別のマスキング層を除去すること、
を含むことを特徴とする、態様22〜24のいずれか1つに記載の導電性支持体(100)の製造方法。
《態様27》
特にHが最大で100nmである場合に、前記金属グリッドの形成後の前記マスキング層(60)の除去で、前記金属グリッドの側方領域(22、22’)の内側縁と隣接し高さが少なくとも10nmである突出部が作られ、そして該方法が、前記マスキング層(60)の除去後及び前記導電性コーティングの被着前に、該突出部を除去するためにウエットエッチングの段階を含むことを特徴とする、態様22〜26のいずれか1つに記載の導電性支持体(100)の製造方法。
Claims (27)
- エレクトロクロミックデバイスのための導電性支持体(100)であり、
・第一の表面と呼ばれる第一の主面(11)を有し、屈折率n1が1.45〜1.8である、有機又は無機ガラス製のガラス基材(1)、
・前記ガラス基材により支持されかつ前記第一の表面(11)の側にある電極であって、該電極は、金属材料から製作され、10Ω/□未満のシート抵抗を示し、厚さe2が少なくとも100nmである、金属グリッドと呼ばれるグリッド(2)として配置された層を含み、該グリッドはストランド(20)から形成されていて、該ストランドは50μm以下の幅Aを有し、そして5000μm以下でかつ少なくとも50μmのストランド間距離Bによって分離されており、これらのストランドは、前記基材から一番遠い上部表面と呼ばれる表面(34、34’)を有する複数の電気絶縁性非導電性ドメイン(31、3’)によって分離されている、電極、
を含み、
そして当該導電性支持体は、前記第一の表面(11)の側で、所与の無機組成の第一の層(3)を含み、該第一の層は、前記第一の表面の直ぐ上にあるか、又は前記第一の表面の上且つ前記第一の層の下に存在する下層(4)の上にあり、該第一の層は、前記金属グリッドを少なくとも部分的に固定するため、該第一の層の厚さの一部分又は全部に入り込んだ、幅Wcの横方向に延在する穴又はキャビティを有しており、前記上部表面が該第一の層の表面であるか又は該第一の層の上の、無機の、上層の表面である、エレクトロクロミックデバイスのための導電性支持体(100)であって、
前記ストランド(20)は、その長さに沿って、前記上部表面(34、34’)と同一の高さにある側方領域(22、22’)間の中央領域(21)を有し、該中央領域(21)の表面粗さは該側方領域(22、22’)の表面粗さよりも大きく、
前記支持体は、さらに、
・無機物質から製作された導電性コーティング(5)であって、前記上部表面(34、34’)を覆い、前記側方領域の上方にありそして該側方領域と電気的に接触しており、厚さe5が500nm以下であり、抵抗率ρ5が20Ω・cm未満であって前記金属グリッドの抵抗率よりも大きく、そして屈折率n5が少なくとも1.5である、導電性コーティング(5)、
を含み、
そして前記中央領域(21)において、前記ストランド(20)表面の中央及び前記上部表面が、前記第一の表面(11)に垂直に測定されて500nm以下である垂直距離Hだけ離れている、
導電性支持体(100)。 - 前記側方領域(22、22’)の粗さパラメータRqが最大で5nmであることを特徴とする、請求項1記載の導電性支持体(100)。
- 電気絶縁性材料から製作された、パッシベーション層(6)と呼ばれる不連続層を含み、該層は前記ストランドの中央領域(21)の上方にある絶縁性トラックのグリッドを形成していて、前記ストランドの外側縁を横方向に越えておらず、又は前記ストランドの外側縁を最大で1μmだけ横方向に越えていることを特徴とする、請求項1又は2記載の導電性支持体(100)。
- 前記パッシベーション層(6)が、前記中央領域(21)の上方に、10nm未満の粗さパラメータRqを示す、上方表面(6s)と呼ばれる表面を有することを特徴とする、請求項3記載の導電性支持体(100)。
- 前記パッシベーション層(6)が、金属及び/又はケイ素である材料の酸化物の層、及び/又は該材料の窒化物の層であることを特徴とする、請求項3又は4記載の導電性支持体(100)。
- 前記導電性コーティングが不連続であり、前記中央領域に存在せず、そしてこの場合Hは、前記ストランド(20)の表面の中央と前記導電性コーティングの表面との間で規定されることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1つに記載の導電性支持体(100)。
- 前記電気絶縁性材料がポジ型感光性材料であって、前記導電性コーティング上での厚さe6が1000nm未満であり、次の材料、すなわち、ポリイミド、ポリシロキサン、フェノール−ホルムアルデヒド又はポリメチルメタクリレートのうちの少なくとも1つをベースとしていることを特徴とする、請求項3又は4記載の導電性支持体(100)。
- 前記パッシベーション層が前記中央領域と前記導電性コーティングとの間にあることを特徴とする、請求項3又は4記載の導電性支持体(100)。
- 前記第一の層が、金属及び/又はケイ素である材料の酸化物の電気絶縁層、及び/又は該材料の窒化物の電気絶縁層であるか、あるいはまた透明導電性酸化物の層であることを特徴とする、請求項1〜8のいずれか1つに記載の導電性支持体(100)。
- 前記中央領域(21)が上部表面(34、34’)よりくぼんでおり、そしてHが100nmより大きいことを特徴とする、請求項1〜9のいずれか1つに記載の導電性支持体(100)。
- Hが100nm以下であることを特徴とする、請求項1〜9のいずれか1つに記載の導電性支持体(100)。
- 前記金属グリッド(2、20)が自己触媒的な被着により得られたものであることを特徴とする、請求項1〜11のいずれか1つに記載の導電性支持体(100)。
- 前記金属グリッド(2、20)が、25%未満の被覆度Tを示すことを特徴とする、請求項1〜12のいずれか1つに記載の導電性支持体(100)。
- 前記金属グリッド(2、20)が不規則パターンを示していることを特徴とする、請求項1〜13のいずれか1つに記載の導電性支持体(100)。
- 前記金属グリッド(2、20)の厚さe2が1500nm未満であり、そして幅Aが30μm未満であることを特徴とする、請求項1〜14のいずれか1つに記載の導電性支持体(100)。
- 前記金属グリッド(20)の材料(1種又は複数種)が、銀、銅、ニッケル及びこれらの金属をベースとする合金から形成される群より選ばれていることを特徴とする、請求項1〜15のいずれか1つに項記載の導電性支持体(100)。
- 前記導電性コーティング(5)が、透明導電性酸化物から製作されている、屈折率naが1.7と2.3の間で厚さが150nm未満の無機層を含むことを特徴とする、請求項1〜16のいずれか1つに記載の導電性支持体(100)。
- 前記第一の層(3)が、前記第一の層の厚さの全部に入り込んだ、幅Wcの横方向に延在する穴を有していることを特徴とする、請求項1〜17のいずれか1つに記載の導電性支持体(100)。
- 前記第一の層(3)が、
・前記金属グリッドの下の、底部領域と呼ばれる領域(30)、
・非導電性ドメインを形成していて、幅Wcのキャビティを有する構造化領域(31)、
から形成されることにより、前記第一の層の厚さの一部分に入り込んだ穴又はキャビティを有していることを特徴とする、請求項1〜17のいずれか1つに記載の導電性支持体(100)。 - 前記非導電性ドメインが、
・電気絶縁性材料から製作された上層であり、横方向に延在する穴を画定している不連続の上層(3’)であって、前記非導電性ドメインの一部を形成し、前記上部表面が該上層の表面である、上層(3’)、
・第一の層であって、
・前記上層と該第一の層との界面において、該第一の層の厚さの全体に入り込んだ、幅Wcの横方向に延在する穴を有しているか、
・又は、該第一の層の厚さの一部分に入り込んだ、幅Wcの横方向に延在する穴を有していて、
次のものから、すなわち、
・前記金属グリッドの下の、底部領域と呼ばれる領域(30)、
・前記上層の下にある構造化された領域(31)、すなわち、前記横方向に延在する穴に面していて、前記上層と該第一の層との界面における幅Wcのキャビティを有する領域(31)、
から形成されている、
第一の層、
を含み、前記上層と前記第一の層との界面で、前記上層の横方向に延在する穴は幅W1であり、
Wc>W1である場合、縁部領域(22a、22’a)と呼ばれるストランドの領域は前記側方領域と隣接しており、前記側方領域よりも周辺にあって、かつ前記上層の下のキャビティ内にあり、
Wc>W1である場合、前記側方領域は幅L1であり、幅L1は点X”とY’間の距離として規定され、前記縁部領域は幅L2であり、L2は点X’とY間の距離として規定され、Y”は前記側方領域(22、22’)の表面の平面におけるYの正投影であり、そしてL3はX”とY”間の距離であり、L3は合計高さec+e’cより大きくて、L3≦2(ec+e’c)であり、ecは前記第一の層の横方向に延在する穴又はキャビティの高さ、そしてe’cは前記穴の高さである、
ことを特徴とする、請求項1〜17のいずれか1つに記載の導電性支持体(100)。 - 請求項1〜20のいずれか1つに記載の導電性支持体(100)を取り入れ固体又は液体電解質を用いたエレクトロクロミックデバイスであって、前記金属グリッド(2)を含む電極が、前記基材の第一の表面(11)に最も近い、下部電極と呼ばれる電極を形成しており、及び/又は、液体電解質の場合には、該デバイスは請求項1〜20のいずれか1つに記載の導電性支持体を取り入れ、前記金属グリッド(2)を含む電極が上部電極を形成している、エレクトロクロミックデバイス。
- 請求項1〜20のいずれか1つに記載の導電性支持体(100)の製造方法であって、下記の段階を下記の順序で含むことを特徴とする導電性支持体(100)の製造方法。
・前記第一の層の組成物から製作された連続のアンカー層(3a)を含む基材(1)を準備する段階
・前記アンカー層(3a)にキャビティ又は横方向に延在する穴を形成して、厚さ方向に構造化され、表面が前記上部表面(34)となる第一の層(3)を形成する段階であって、
・側壁(61)を有する横方向に延在する開口部の所与の配置で感光性材料から作製された不連続のマスキング層(60)を前記アンカー層の上に作製すること、
・前記マスキング層の横方向に延在する開口部を通して前記アンカー層(3a)のウエットエッチングを行い、前記キャビティ又は横方向に延在する穴の上方に張り出したマスキング層の領域を作り、こうして前記キャビティ(32、33)に面している前記マスキング層(60)の、内表面と呼ばれる表面の部分(62、62’)を画定すること、
を含む段階
・前記キャビティ又は横方向に延在する穴内に前記グリッドの第一の金属材料を液体ルートにより被着することを含む、前記金属グリッド(2)の形成段階であって、該第一の材料を該キャビティ又は横方向に延在する穴の側壁(32)上に、及び前記マスキング層(60)の内表面(62、62’)の全体に被着させて、前記上部表面(34)と同一の高さでありそして前記中央ストランド領域(21)よりも粗くない側方ストランド領域(22、22’)を形成する段階
・前記マスキング層(60)を除去する段階 - 請求項1〜20のいずれか1つに記載の導電性支持体(100)の製造方法であって、下記の段階を下記の順序で含むことを特徴とする導電性支持体(100)の製造方法。
・次のものを含む基材(1)を準備する段階
・前記第一の層の組成物から製作された連続の「アンカー」層(3a)
・前記アンカー層(3a)上の、前記上層(3’)の材料から製作された、追加の層と呼ばれる、連続の電気絶縁層(3’a)
・前記追加の層(3’a)に横方向に延在する穴を形成して、該追加の層の厚さの一部分又は全部に入り込んだ穴又はキャビティを有する上層(3’)を形成する段階であって、
・側壁を有する横方向に延在する開口部の所与の配置で感光性材料から作製された不連続のマスキング層(60)を前記追加の層(3’a)の上に作製すること、
・前記マスキング層の横方向に延在する開口部(61)を通して、第一のエッチング液を用いて前記追加の層(3’a)をウエットエッチングし、前記横方向に延在する穴の上方に張り出した前記マスキング層の領域を作り、こうして前記横方向に延在する穴に面している前記マスキング層の、内表面と呼ばれる表面の部分(62、62’)を画定すること、
を含む段階
・前記アンカー層(3a)に前記キャビティ又は横方向に延在する穴を形成して、Wc>W1の第一の部分的に構造化された層(3)を形成する段階であって、
・前記マスキング層(60)の横方向に延在する開口部及び前記上層の横方向に延在する穴を通して、第二のエッチング液を用いて前記アンカー層(3a)のウエットエッチングを行い、前記第一の層のキャビティ又は横方向に延在する穴の上方に張り出したマスキング層及び上層の領域を作り、こうして前記第一の層のキャビティ又は横方向に延在する穴に面している上層の、他の内表面と呼ばれる表面の部分(22a、22’a)を画定すること、
を含む段階
・前記第一の層のキャビティ又は横方向に延在する穴内及び前記上層の横方向に延在する穴内に前記グリッドの第一の金属材料を液体ルートにより被着させて、前記内表面(62、62’)の下の前記上部表面(34’)と同一の高さである一方で前記中央ストランド領域(21)よりも粗くない側方ストランド領域を形成することを含み、前記第一の材料を前記上層の横方向に延在する穴の側壁上に被着させ、前記上層(3)の他の内部表面(22a、22a)の全体に被着させ、かつ前記マスキング層(60)の内表面(62、62’)上に被着させて、縁部領域(22a、22’a)及び側方ストランド領域(22、22’)を形成する、前記金属グリッド(2)の形成段階
・前記マスキング層(60)を除去する段階 - 前記第一の金属材料の液体ルートによる被着が銀めっきであることを特徴とする、請求項22又は23記載の導電性支持体(100)の製造方法。
- 前記ストランドの中央領域上に絶縁性トラックから形成された絶縁性グリッドとして前記パッシベーション層を形成することが、
・前記導電性コーティングを覆うパッシベーション層(6)をポジ型感光性材料の破れのない層として被着すること、
・第二の主要表面(12)の側の紫外線源を用いて紫外線で露光すること、
・前記パッシベーション層(6)を形成するため、前記ポジ型感光性材料の層が不連続にされ、該ポジ型感光性材料が前記金属グリッド(2)の上に残るまで、液で現像すること、
を含むことを特徴とする、請求項22〜24のいずれか1つに記載の導電性支持体(100)の製造方法。 - 前記ストランドの中央領域上に絶縁性トラックから形成された絶縁性グリッドとして前記パッシベーション層を形成することが、
・前記導電性コーティングを覆うパッシベーション層の材料を破れのない層として被着すること、
・該破れのない層の上に、横方向に延在する開口部の所与の配置でポジ型感光性材料から製作された別の不連続マスキング層を、
・該パッシベーション層の材料の破れのない層を覆う前記ポジ型感光性材料を被着させること、
・第二の主要面(12)の側の紫外線源を用いて紫外線で露光すること、
・前記ポジ型感光性材料の露光された層が不連続にされ、その後前記金属グリッドのストランドの上方に位置するまで、液で現像すること、
により作製すること、
・前記別のマスキング層の横方向に延在する開口部を通して前記破れのない層をウエットエッチングし、前記絶縁性トラックを形成すること、
・液体ルートにより前記別のマスキング層を除去すること、
を含むことを特徴とする、請求項22〜24のいずれか1つに記載の導電性支持体(100)の製造方法。 - 前記金属グリッドの形成後の前記マスキング層(60)の除去で、前記金属グリッドの側方領域(22、22’)の内側縁と隣接し高さが少なくとも10nmである突出部が作られ、そして該方法が、前記マスキング層(60)の除去後及び前記導電性コーティングの被着前に、該突出部を除去するためにウエットエッチングの段階を含むことを特徴とする、請求項22〜26のいずれか1つに記載の導電性支持体(100)の製造方法。
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