JP6674754B2 - 発光装置 - Google Patents

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本発明の実施形態は、発光装置に関する。
窒化物半導体などを用いた発光装置において、均一な発光が求められている。
特許第４９９５７２２号公報
本発明の実施形態は、発光の均一性を向上できる発光装置を提供する。
本発明の実施形態によれば、発光装置は、第１〜第６半導体層と、第１〜第３中間半導体層と、第１〜第６導電層と、第１接続部と、第２接続部と、を含む。前記第１半導体層は、離間方向において前記基体と離間し、第１導電形である。前記第１半導体層は、前記離間方向と交差する第１方向に沿って延びる第１辺と、前記離間方向と交差し第１方向に対して傾斜する第２方向に沿って延びる第２辺と、前記第２方向において前記第１辺と離間し前記第１方向に沿って延びる第３辺と、前記第１方向において前記第２辺と離間し前記第２方向に沿って延びる第４辺と、を含む。前記第２半導体層は、前記基体と前記第１半導体層との間に設けられ、第２導電形である。前記第１中間半導体層は、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられる。前記第１導電層は、前記第１方向及び第２方向の一方に沿って延びる第１延在部を含み、前記第１半導体層と電気的に接続される。前記第２導電層は、前記基体と前記第２半導体層との間に設けられ、前記第２半導体層と電気的に接続される。前記第３半導体層は、前記離間方向において前記基体と離間し前記離間方向と交差する方向において前記第１半導体層と並び、前記第１導電形である。前記第３半導体層は、前記第２方向に沿って延びる第５辺と、前記離間方向と交差し、前記第１方向及び前記第２方向に対して傾斜する第３方向に沿って延びる第６辺と、前記第３方向において前記第５辺と離間し前記第２方向に沿って延びる第７辺と、前記第２方向において前記第６辺と離間し前記第３方向に沿って延びる第８辺と、を含む。前記第４半導体層は、前記基体と前記第３半導体層との間に設けられ、前記第２導電形である。前記第２中間半導体層は、前記第３半導体層と前記第４半導体層との間に設けられる。前記第３導電層は、前記第２方向及び前記第３方向の一方に沿って延びる第２延在部を含み、前記第３半導体層と電気的に接続される。前記第４導電層は、前記基体と前記第４半導体層との間に設けられ前記第４半導体層と電気的に接続される。前記第５半導体層は、前記離間方向において前記基体と離間し前記離間方向と交差する方向において前記第１半導体層と並び、前記第１導電形である。前記第５半導体層は、前記第３方向に沿って延びる第９辺と、前記第１方向に沿って延びる第１０辺と、前記第１方向において前記第９辺と離間し前記第３方向に沿って延びる第１１辺と、前記第３方向において前記第１０辺と離間し前記第１方向に沿って延びる第１２辺と、を含む。前記第６半導体層は、前記基体と前記第５半導体層との間に設けられ、前記第２導電形である。前記第３中間半導体層は、前記第５半導体層と前記第６半導体層との間に設けられる。前記第５導電層は、前記第１方向及び前記第３方向の一方に沿って延びる第３延在部を含み、前記第５半導体層と電気的に接続される。前記第６導電層は、前記基体と前記第６半導体層との間に設けられ前記第６半導体層と電気的に接続される。前記第１接続部は、前記第１導電層と前記第４導電層とを電気的に接続する。前記第２接続部は、前記第３導電層と前記第６導電層とを電気的に接続する。前記第１接続部は、前記第１導電層と電気的に接続された第１配線領域と、前記第４導電層と電気的に接続された第１対向配線領域と、前記第１配線領域と前記第１対向配線領域と電気的に接続された第１中間配線領域と、を含む。前記第１中間配線領域の一部と前記基体との間に前記第１配線領域の少なくとも一部が配置され、前記第１中間配線領域の別の一部と前記基体との間に前記第１対向配線領域の少なくとも一部が配置される。
図１（ａ）〜図１（ｃ）は、第１の実施形態に係る発光装置を例示する模式図である。 図２（ａ）〜図２（ｄ）は、第１の実施形態に係る発光装置を例示する模式図である。 第１の実施形態に係る別の発光装置を例示する模式的断面図である。 第１の実施形態に係る別の発光装置を例示する模式的断面図である。 第１の実施形態に係る別の発光装置を例示する模式的平面図である。 図６（ａ）〜図６（ｃ）は、第１の実施形態に係る別の発光装置を例示する模式的平面図である。 図７（ａ）及び図７（ｂ）は、第２の実施形態に係る発光装置を例示する模式図である。 第２の実施形態に係る別の発光装置を例示する模式的断面図である。 第２の実施形態に係る別の発光装置を例示する模式的断面図である。 第２の実施形態に係る別の発光装置を例示する模式的平面図である。 図１１（ａ）〜図１１（ｃ）は、第２の実施形態に係る別の発光装置を例示する模式的平面図である。
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
（第１の実施形態）
図１（ａ）〜図１（ｃ）は、第１の実施形態に係る発光装置を例示する模式図である。 図１（ａ）は、斜視図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）の矢印ＡＲからみた平面図である。図１（ｃ）は、図１（ｂ）のＡ１−Ａ２線断面図である。
図１（ａ）に示すように、実施形態に係る発光装置１１１は、例えば、発光部７１と、波長変換層７２と、を含む。
発光部７１と波長変換層７２との積層方向をＺ軸方向とする。Ｚ軸方向に対して垂直な方向をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向及びＸ軸方向に対して垂直な方向をＹ軸方向とする。
Ｘ−Ｙ平面内における波長変換層７２の外縁７２ｒは、例えば、円状である。例えば、波長変換層７２は、円盤状である。
Ｘ−Ｙ平面内における発光部７１の外縁７１ｒは、例えば、六角形である。発光部７１は、高さが低い（薄い）六角柱状である。
発光部７１には、半導体発光素子（例えばＬＥＤ）が用いられる。発光部７１から光が放出される。光は、波長変換層７２に入射する。光の波長が、波長変換層７２において変換される。波長変換層７２を通過した光（すなわち、発光装置１１１から放出される光）は、例えば、実質的に白色である。実施形態において、波長変換層７２を通過した光の色は任意である。
以下、発光部７１の例について説明する。
図１（ｂ）及び図１（ｃ）に示すように、発光部７１（すなわち、発光装置１１１）は、基体５１と、第１〜第６半導体層１１〜１６と、第１〜第３中間半導体層ＩＬ１〜ＩＬ３と、第１〜第６導電層１１ｃｌ〜１６ｃｌと、第１接続部ＣＰ１と、第２接続部ＣＰ２と、を含む。
第１半導体層１１は、１つの方向（離間方向）において、基体５１と離間する。離間方向は、Ｚ軸方向である。
第１半導体層１１は、第１導電形である。第１導電形は、例えば、ｎ形及びｐ形の一方である。後述する第２導電形は、ｎ形及びｐ形の他方である。以下では、第１導電形がｎ形であり、第２導電形がｐ形とする。
第１半導体層１１は、第１〜第４辺ｓ１〜ｓ４を含む。第１辺ｓ１は、第１方向Ｄ１に沿って延びる。第１方向Ｄ１は、離間方向（Ｚ軸方向）と交差する。この例では、第１方向Ｄ１は、Ｘ軸方向に沿う。
第２辺ｓ２は、第２方向Ｄ２に沿って延びる。第２方向Ｄ２は、離間方向と交差し、第１方向Ｄ１に対して傾斜する。例えば、第２方向Ｄ２と第１方向Ｄ１との間の角度は、実質的に６０度である。第３辺ｓ３は、第２方向Ｄ２において第１辺ｓ１と離間し、第１方向Ｄ１に沿って延びる。第４辺ｓ４は、第１方向Ｄ１において第２辺ｓ２と離間し、第２方向Ｄ２に沿って延びる。
第１半導体層１１の平面形状は、例えば実質的に菱形である。
第２半導体層１２は、基体５１と第１半導体層１１との間に設けられる。第２半導体層は、第２導電形である。第１中間半導体層ＩＬ１は、第１半導体層１１と第２半導体層１２との間に設けられる。
第１導電層１１ｃｌは、第１延在部ｅｐ１を含む。第１延在部ｅｐ１は、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２の一方に沿って延びる。この例では、第１延在部ｅｐ１は、第１方向Ｄ１に沿って延びる。第１導電層１１ｃｌは、第１半導体層１１と電気的に接続される。
第１導体と第２導体とが電気的に接続されている状態は、第１導体が第２導体と直接接している状態を含む。第１導体と第２導体とが電気的に接続されている状態は、第１導体と第２導体との間に電流が流れる状態を含む。第１導体と第２導体とが電気的に接続されている状態は、第３導体を介して、第１導体と第２導体との間に電流が流れる状態を含む。この第３導体は、半導体を含んでも良い。すなわち、第１導体と第２導体とが電気的に接続されている状態は、半導体を介して、第１導体と第２導体との間に電流が流れる状態を含む。
第２導電層１２ｃｌは、基体５１と第２半導体層１２との間に設けられる。第２導電層１２ｃｌは、第２半導体層１２と電気的に接続される。
第３半導体層１３は、離間方向において、基体５１と離間する。第３半導体層１３は、離間方向と交差する方向において、第１半導体層１１と並ぶ。第３半導体層１３は、第１導電形である。第３半導体層１３は、第５〜第８辺ｓ５〜ｓ８を含む。
第５辺ｓ５は、第２方向Ｄ２に沿って延びる。この例では、第５辺ｓ５は、第２辺ｓ２に沿う。
第６辺ｓ６は、第３方向Ｄ３に沿って延びる。第３方向Ｄ３は、離間方向と交差し、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に対して傾斜する。第３方向Ｄ３と第１方向Ｄ１との間の角度は、例えば、実質的に６０度である。第３方向Ｄ３と第２方向Ｄ２との間の角度は、実質的に６０度である。
第７辺ｓ７は、第３方向Ｄ３において第５辺ｓ５と離間する。第７辺ｓ７は、第２方向Ｄ２に沿って延びる。第８辺ｓ８は、第２方向Ｄ２において第６辺ｓ６と離間する。第８辺は、第３方向Ｄ３に沿って延びる。
第３半導体層１３の平面形状は、例えば実質的に菱形である。
第４半導体層１４は、基体５１と第３半導体層１３との間に設けられる。第４半導体層１４は、第２導電形である。第２中間半導体層ＩＬ２は、第３半導体層１３と第４半導体層１４との間に設けられる。
第３導電層１３ｃｌは、第２延在部ｅｐ２を含む。第２延在部ｅｐ２は、第２方向Ｄ２及び第３方向の一方に沿って延びる。この例では、第２延在部ｅｐ２は、第２方向Ｄ２に沿って延びる。第３導電層１３ｃｌは、第３半導体層１３と電気的に接続される。
第４導電層１４ｃｌは、基体５１と第４半導体層１４との間に設けられる。第４導電層１４ｃｌは、第４半導体層１４と電気的に接続される。
第５半導体層１５は、離間方向において基体５１と離間し。離間方向と交差する方向において第１半導体層１１と並ぶ。第５半導体層１５は、第１導電形である。第５半導体層は、第９〜第１２辺ｓ９〜ｓ１２を含む。
第９辺ｓ９は、第３方向Ｄ３に沿って延びる。この例では、第９辺ｓ９は、第８辺ｓ８に沿う。第１０辺ｓ１０は、第１方向Ｄ１に沿って延びる。第１１辺ｓ１１は、第１方向Ｄ１において第９辺ｓ９と離間し、第３方向Ｄ３に沿って延びる。第１２辺ｓ１２は、第３方向Ｄ３において第１０辺ｓ１０と離間し、第１方向Ｄ１に沿って延びる。この例では、第１２辺ｓ１２は、第３辺ｓ３に沿う。
第５半導体層１５の平面形状は、例えば実質的に菱形である。
第６半導体層１６は、基体５１と第５半導体層１５との間に設けられる。第６半導体層１６は、第２導電形である。第３中間半導体層ＩＬ３は、第５半導体層１５と第６半導体層１６との間に設けられる。
第５導電層１５ｃｌは、第３延在部ｅｐ３を含む。第３延在部ｅｐ３は、第１方向及び第３方向の一方に沿って延びる。この例では、第３延在部ｅｐ３は、第１方向Ｄ１に沿って延びる。第５導電層１５ｃｌは、第５半導体層１５と電気的に接続される。
第６導電層１６ｃｌは、基体５１と第６半導体層１６との間に設けられる。第６導電層１６ｃｌは、第６半導体層１６と電気的に接続される。
第１接続部ＣＰ１は、第１導電層１１ｃｌと第４導電層１４ｃｌとを電気的に接続する。第２接続部ＣＰ２は、第３導電層１３ｃｌと第６導電層１６ｃｌとを電気的に接続する。
第１半導体層１１、第２半導体層１２及び第１中間半導体層ＩＬ１は、第１発光層ＥＵ１に含まれる。第３半導体層１３、第４半導体層１４及び第２中間半導体層ＩＬ２は、第２発光層ＥＵ２に含まれる。第５半導体層１５、第６半導体層１６及び第３中間半導体層ＩＬ３は、第３発光層ＥＵ３に含まれる。これらの発光層は、例えば、ＬＥＤである。これらの発光層が、上記の接続部により直列に接続される。発光装置１１１（発光部７１）は、マルチジャンクション構造を有する。
この例では、ＬＥＤのそれぞれは、横通電型である。すなわち、第１導電形の半導体層の一部と基体５１との間に、第２導電形の半導体層が配置される。
第１半導体層１１は、第１領域１１ａと、第２領域１１ｂと、を含む。第２領域１１ｂは、離間方向と交差する方向において、第１領域１１ａと並ぶ。第２半導体層１２は、基体５１と第２領域１１ｂとの間に設けられる。第１中間半導体層ＩＬ１は、第２領域１１ｂと第２半導体層１２との間に設けられる。第１導電層１１ｃｌの第１延在部ｅｐ１は、基体５１と第１領域１１ａとの間に設けられる。
第３半導体層１３は、第３領域１３ａと、第４領域１３ｂと、を含む。第４領域１３ｂは、離間方向と交差する方向において、第３領域１３ａと並ぶ。第４半導体層１４は、基体５１と第４領域１３ｂとの間に設けられる。第２中間半導体層ＩＬ２は、第４領域１３ｂと第４半導体層１４との間に設けられる。第３導電層１３ｃｌの第２延在部ｅｐ２は、基体５１と第３領域１３ａとの間に設けられる。
第５半導体層１５は、第５領域１５ａと、第６領域１５ｂと、を含む。第６領域１５ｂは、離間方向と交差する方向において、第５領域１５ａと並ぶ。第６半導体層１６は、基体５１と第６領域１５ｂとの間に設けられる。第３中間半導体層ＩＬ３は、第６領域１５ｂと第６半導体層１６との間に設けられる。第５導電層１５ｃｌの第３延在部ｅｐ３は、基体５１と第５領域１５ｂとの間に設けられる。
図１（ｃ）に例示するように、接続部は、複数の発光層（ＬＥＤ）どうしの間の領域に設けられる。接続部の少なくとも一部は、Ｘ−Ｙ平面内において、第１導電形の半導体層と交差する。
例えば、離間方向（Ｚ軸方向）に対して垂直な方向において、第１接続部ＣＰ１の少なくとも一部は、第１半導体層１１と重なる。離間方向に対して垂直な方向において、第２接続部ＣＰ２の少なくとも一部は、第３半導体層１３と重なる。
この例では、接続部の高さは、発光層（ＬＥＤ）の高さよりも低い。
例えば、離間方向に対して垂直な方向において、第１半導体層１１は、第１接続部ＣＰ１と重ならない領域を含む。離間方向に対して垂直な方向において、第３半導体層１３は、第２接続部ＣＰ２と重ならない領域を含む。
この例では、第１接続部ＣＰ１は、第１配線領域ＣＲ１と、第１対向配線領域ＣＳ１と、第１中間配線領域ＣＭ１と、を含む。第１配線領域ＣＲ１は、第１導電層１１ｃｌと電気的に接続される。第１対向配線領域ＣＳ１は、第４導電層１４ｃｌと電気的に接続される。第１中間配線領域ＣＭ１は、第１配線領域ＣＲ１と第１対向配線領域ＣＳ１と電気的に接続される。
この例では、第１中間配線領域ＣＭ１の一部と、基体５１と、の間に、第１配線領域ＣＲ１の少なくとも一部が配置される。第１中間配線領域ＣＭ１の別の一部と、基体５１、との間に、第１対向配線領域ＣＳ１の少なくとも一部が配置される。
実施形態において、第１配線領域ＣＲ１は、第１導電層１１ｃｌと連続的でも良い。第１配線領域ＣＲ１の材料は、第１導電層１１ｃｌの材料と同じでも良い。第１対向配線領域ＣＳ１は、第４導電層１４ｃｌと連続的でも良い。第１対向配線領域ＣＳ１の材料は、第４導電層１４ｃｌの材料と同じでも良い。
同様に、第２接続部ＣＰ２は、第２配線領域ＣＲ２と、第２対向配線領域ＣＳ２と、第２中間配線領域ＣＭ２と、を含む。第２配線領域ＣＲ２は、第３導電層１３ｃｌと電気的に接続される。第２対向配線領域ＣＳ２は、第６導電層１６ｃｌと電気的に接続される。第２中間配線領域ＣＭ２は、第２配線領域ＣＲ２と第２対向配線領域ＣＳ２と電気的に接続される。
この例では、第２中間配線領域ＣＭ２の一部と、基体５１と、の間に、第２配線領域ＣＲ２の少なくとも一部が配置される。第２中間配線領域ＣＭ２の別の一部と、基体５１、との間に、第２対向配線領域ＣＳ２の少なくとも一部が配置される。
実施形態において、第２配線領域ＣＲ２は、第３導電層１３ｃｌと連続的でも良い。第２配線領域ＣＲ２の材料は、第３導電層１３ｃｌの材料と同じでも良い。第２対向配線領域ＣＳ２は、第６導電層１６ｃｌと連続的でも良い。第２対向配線領域ＣＳ２の材料は、第６導電層１６ｃｌの材料と同じでも良い。
この例では、発光装置１１１（発光部７１）は、第１電極ｐｄ１と、第２電極ｐｄ２と、をさらに含む。これらの電極は、電流を供給するためのパッドとして用いられる。
第１電極ｐｄ１は、第５半導体層１５と電気的に接続される。第２電極ｐｄ２は、第２半導体層１２と電気的に接続される。離間方向に対して垂直な方向において、第１電極ｐｄ１の少なくとも一部は、第５半導体層１５と重なる。離間方向に対して垂直な方向において、第２電極ｐｄ２の少なくとも一部は、第１半導体層１１と重なる。
この例では、第３配線領域ＣＲ３が設けられる。第３配線領域ＣＲ３は、第３導電層１５ｃｌと、第１電極ｐｄ１と、を電気的に接続する。この例では、対向配線層ＣＬ１が設けられる。対向配線層ＣＬ１は、第２導電層１２ｃｌと、第２電極ｐｄ２と、を電気的に接続する。
対向配線層ＣＬ１と第１半導体層１１との間に、絶縁層６１が設けられる。第１対向配線領域ＣＳ１と第３半導体層１３との間に、絶縁層６２が設けられる。第２対向配線領域ＣＳ２と第５半導体層１５との間に、絶縁層６３が設けられる。
このように、実施形態においては、基体５１の上に、複数の発光層（ＬＤＥ）が設けられ、基体５１の上に、第１電極ｐｄ１及び第２電極ｐｄ２が設けられる。例えば、第１電極ｐｄ１に配線ＷＲ１が接続される。例えば、第２電極ｐｄ２に配線ＷＲ２が接続される。
第１電極ｐｄ１と第２電極ｐｄ２との間に電圧が印加される。これにより、第１〜第３発光層ＥＵ１〜ＥＵ３に電流が供給され、これらの発光層から光が放出される。基体５１から半導体層に向かう方向（離間方向）に、半導体層の外部に出射する。光は、波長変換層７２を通って、外部に出射する。
第１導電形の半導体層の表面に凹凸が設けられる。例えば、第１半導体層１１の表面に凹凸１１ｄｐが設けられる。第３半導体層１３の表面に凹凸１３ｄｐが設けられる。第５半導体層１５の表面に凹凸１５ｄｐが設けられる。これらの凹凸により、高い光取り出し効率が得られる。
例えば、基体５１が、実装部材（図示しない）の実装面の上に配置される。
この例では、基体５１の上に、接合層５２が設けられ、接合層５２の上に、絶縁層８１が設けられる。絶縁層８１の上に、配線領域、対向配線領域、導電層、半導体層及び電極が設けられる。その上に、波長変換層７２が設けられる。
本実施形態においては、延在部（第１〜第３延在部ｅｐ１〜ｅｐ３など）が設けられている。これにより、電流がＸ−Ｙ平面内で広がる。これにより、光の均一性を高くできる。
図１（ｃ）に示すように、この例では、第１導電層１１ｃｌは、第１連結部ｃｐ１をさらに含む、第１連結部ｃｐ１は、例えば、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２の他方に沿って延びる。この例では、第１連結部ｃｐ１は、第２方向Ｄ２に沿って延びる。第１延在部ｅｐ１は、複数設けられている。複数の第１延在部ｅｐ１のそれぞれの一端は、第１連結部ｃｐ１に連結されている。
この例では、第３導電層１３ｃｌは、第２連結部ｃｐ２をさらに含む、第２連結部ｃｐ２は、例えば、第２方向Ｄ２及び第３方向Ｄ３の他方に沿って延びる。この例では、第２連結部ｃｐ２は、第３方向Ｄ３に沿って延びる。第２延在部ｅｐ２は、複数設けられている。複数の第２延在部ｅｐ２のそれぞれの一端は、第２連結部ｃｐ２に連結されている。
この例では、第５導電層１５ｃｌは、第３連結部ｃｐ３をさらに含む、第３連結部ｃｐ３は、例えば、第１方向Ｄ１及び第３方向Ｄ３の他方に沿って延びる。この例では、第３連結部ｃｐ３は、第３方向Ｄ３に沿って延びる。第３延在部ｅｐ３は、複数設けられている。複数の第３延在部ｅｐ２のそれぞれの一端は、第３連結部ｃｐ３に連結されている。
この例では、以下のように、複数の延在部の間に、対向延在部が設けられる。
第２導電層１２ｃｌは、第１対向延在部ｅｑ１を含む。第１対向延在部ｅｑ１は、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２の上記の一方（この例では、第１方向Ｄ１）に沿って延びる。第１対向延在部ｅｑ１は、複数の第１延在部ｅｐ１の２つの間に位置する。
第４導電層１４ｃｌは、第２対向延在部ｅｑ２を含む。第２対向延在部ｅｑ２は、第２方向Ｄ２及び第３方向Ｄ３の上記の一方（この例では、第３方向Ｄ３）に沿って延びる。第２対向延在部ｅｑ２は、複数の第２延在部ｅｐ２の２つの間に位置する。
第６導電層１６ｃｌは、第３対向延在部ｅｑ３を含む。第３対向延在部ｅｑ３は、第１方向Ｄ１及び第３方向Ｄ３の上記の一方（この例では、第１方向Ｄ１）に沿って延びる。第３対向延在部ｅｑ３は、複数の第３延在部ｅｐ３の２つの間に位置する。
この例では、
第２導電層１２ｃｌは、第１対向連結部ｃｑ１をさらに含む、第１対向連結部ｃｑ１は、例えば、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２の他方に沿って延びる。この例では、第１対向連結部ｃｑ１は、第２方向Ｄ２に沿って延びる。第１対向延在部ｅｑ１は、複数設けられている。複数の第１対向延在部ｅｑ１のそれぞれの一端は、第１対向連結部ｃｑ１に連結されている。
第４導電層１４ｃｌは、第２対向連結部ｃｑ２をさらに含む、第２対向連結部ｃｑ２は、例えば、第２方向Ｄ２及び第３方向Ｄ３の他方に沿って延びる。この例では、第２対向連結部ｃｑ２は、第３方向Ｄ３に沿って延びる。第２対向延在部ｅｑ２は、複数設けられている。複数の第２対向延在部ｅｑ２のそれぞれの一端は、第２対向連結部ｃｑ２に連結されている。
第６導電層１６ｃｌは、第３対向連結部ｃｑ３をさらに含む、第３対向連結部ｃｑ３は、例えば、第１方向Ｄ１及び第３方向Ｄ３の他方に沿って延びる。この例では、第３対向連結部ｃｑ３は、第３方向Ｄ３に沿って延びる。第３対向延在部ｅｑ３は、複数設けられている。複数の第３対向延在部ｅｑ３のそれぞれの一端は、第３対向連結部ｃｑ３に連結されている。
すなわち、第１導電形に電気的に接続された導電層と、第２導電形に電気的に接続された導電層と、がＸ−Ｙ平面に投影したときに、櫛歯状となる。これにより、Ｘ−Ｙ平面内において、電流がより均一になる。
本実施形態において、複数の発光層が設けられる。複数の発光層に含まれる半導体層の辺が、六角形（例えば正六角形）に配置される。
例えば、この例では、第１辺ｓ１、第４辺ｓ４、第６辺ｓ６、第７辺ｓ７、第１０辺ｓ１０及び第１１辺ｓ１１のそれぞれは、正六角形の６つの辺に沿う。第５辺ｓ５は、第２辺ｓ２に沿い、第９辺ｓ９は、第８辺ｓ８に沿い、第１２辺ｓ１２は、第３辺ｓ３に沿う。発光部７１の平面形状が六角形（例えば正六角形）である。
例えば、第１方向Ｄ１と第２方向Ｄ２との間の角度は、例えば、５８度以上６２度以下である。第１方向Ｄ１と第３方向Ｄ３との間の角度は、例えば、５８度以上６２度以下である。第２方向Ｄ２と第３方向Ｄ３との間の角度は、例えば、５８度以上６２度以下である。例えば、第１方向Ｄ１と第２方向Ｄ２との間の角度は、例えば、５９度以上６１度以下でも良い。第１方向Ｄ１と第３方向Ｄ３との間の角度は、例えば、５９度以上６１度以下でも良い。第２方向Ｄ２と第３方向Ｄ３との間の角度は、例えば、５９度以上６１度以下でも良い。発光部７１の平面形状は、実質的に六角形（例えば正六角形）である。六角形の形により、均一な発光が得やすい。
波長変換層７２が設けられる。離間方向（Ｚ軸方向）において、基体５１と波長変換層７２との間に、第１〜第６半導体層１１〜１６、及び、第１〜第３中間半導体層ＩＬ１〜ＩＬ３が配置される。波長変換層７２は、これらの半導体層から出射する光（発光光）の少なくとも一部を吸収し、別の光（変換光）を放出する。変換光の波長は、発光光の波長とは異なる。発光光は、例えば、青色であり、変換光は、黄色である。これらの光の合成光が得られる。合成光の色は、例えば、実質的に白色である。
波長変換層７２は、例えば、複数の蛍光体（波長変換粒子）と、樹脂部と、を含む。樹脂部は、複数の蛍光体の少なくとも一部の周りに設けられる。
離間方向に対して交差する平面（例えば、Ｘ−Ｙ平面）内における波長変換層７２の外縁７２ｒは、実質的に円状である。一方、発光部７１の外縁７２（半導体層に含まれる辺を含む外形）は、六角形（例えば正六角形）である。この六角形（例えば正六角形）の６つの辺は、上記のように、例えば、第１辺ｓ１、第４辺ｓ４、第６辺ｓ６、第７辺ｓ７、第１０辺ｓ１０及び第１１辺ｓ１１に沿う。離間方向に対して直交する面（Ｘ−Ｙ平面）内において、波長変換層７２の外縁７２ｒは、この六角形の周りに位置する。
円形の波長変換層７２に対応して六角形の発光部７１を設けることで、波長変換層７２と発光部７１とが互いに重なる領域を大きくできる。これにより、光の損失が少なくできる。光の利用効率が高くなる。そして、円形と六角形とを対応させることで、光の面内の均一性が高まる。複数の発光層を組み合わせて形成される発光部７１において、均一性が高く、効率が高い。
さらに、上記のように、導電層に延在部を設ける。これにより、電流が広がる。１つの発光層の中においても高い均一性が得られる。
複数の発光層が直列に接続されることで、駆動電圧を高くすることができる。これにより、電源回路の効率が高くなる。電源回路の構成が簡単となる。
このように、実施形態においては、円形の実装面上に、複数の素子（発光層）が直列に接続される。これにより、高電圧で、高効率の駆動が可能になる。複数の素子（発光層）の外形は、六角形（例えば正六角形）である。この上に、波長変換層７２が設けられる。波長変換層７２は、複数の発光層を覆う。波長変換層７２の背面形状は、円形である。
実施形態においては、円形の実装面の上に、複数の素子を含む六角形（例えば正六角形）の発光部７１が配置される。これにより、実装面の面積に対する、発光部７１の面積の比を高くすることができる。発光効率が向上する。
一般に発光部（ＬＥＤチップ）は、実質的に直方体である。平面形状は、四角形である。このような四角形のＬＥＤチップを用いる場合には、面内において、光の均一性が低い。実施形態においては、発光部７１が六角形（例えば正六角形）なので、光の均一性が高い。光の分布は、円形に近い。このため、光学設計が容易となる。光学損失が低減する。
複数の発光層が直列に接続される。駆動電圧は、発光層の数により制御できる。外部の電圧が高くても良い。これにより、駆動回路が簡単になる。
複数の発光層が直列に接続されているため、入力される電力が高い場合にも、電流を低く抑えることができる。素子抵抗による電力損失を抑制することができる。円形の実装面に対して、外形が六角形（例えば正六角形）の発光部７１が設けられる。すなわち、円形の波長変換層７２に対して、六角形（例えば正六角形）の発光部７１が設けられる。これにより、発光部７１の発光面積を大きくすることができる。電流密度が低減し、発光効率が向上する。
実装面に対して発光部７１の面積が占める割合が高い。この割合は、例えば、７０％以上である。これにより、実装面の反射率に関わらず、光学損失が小さい。
発光部７１と実装面との接触面積が大きい。このため、高い放熱性が得られる。
発光部７１において、複数の発光層が設けられる。これらの発光層は、接続部により、接続される。接続部（接続配線）は、半導体層どうしの間に設けられる。接続部は、半導体層の上面（光取り出し面）に設けなくても良い。これにより、高い光取り出し効率が得やすい。
複数の発光層どうしの間の間隔（例えば、第１半導体層１１と第３半導体層１３との間の間隔）は、例えば、２０μｍ以下である。間隔が狭いので、発光面積を拡大できる。接続部の距離を短くすることができるため、素子抵抗が低くなる。間隔は、５μｍ程度でも良い。
複数の発光層により、六角形（例えば正六角形）の発光部７１が形成される。すなわち、発光部７１が、複数の発光層に分割される。分割の数は、例えば、３、６、１２、または、２４などである。
実施形態において、複数の発光層の面積は、実質的に互いに等しいことが望ましい。これにより、例えば、入力される電力に対する発光効率の最大値を高くすることができる。複数の発光層の面積が実質的に互いに等しいと、電流密度が均一になる。これにより、例えば、信頼性が高くできる。
実施形態において、複数の発光層の面積を互いに異ならせても良い。この場合には、例えば、入力される電力に対する発光効率の依存性を小さくできる。
発光部７１の形成方法の例の概要について説明する。
成長用基板の上に、第１導電形の第１半導体結晶層と、中間半導体結晶層と、第２導電形の第２半導体結晶層とを、形成する。この際、成長用基板と第１半導体結晶層との間にバッファ層などを含む半導体膜が形成されても良い。マスクを用いたエッチングにより、第２半導体結晶層の一部と、中間半導体結晶層の一部と、を除去する。これにより、第１導電形の半導体層及び第２導電形の半導体層が形成される。これらの半導体層の上に導電層を形成する。絶縁層６１〜６３が適宜形成される。接続部の一部となる導電膜が形成される。絶縁層８１を形成し、さらに第１金属層を形成する。
一方、基体５１が用意される。基体５１の上には、第２金属層が設けられている。第１金属層と第２金属層とを接合する。これにより、接合層５２が形成される。研削またはエッチングなどにより、成長用基板が除去される。
第１導電形の半導体層を含む層（バッファ層などを含む層）の表面に、例えば、エッチングなどの加工を施して、凹凸を形成する。さらに、複数の発光層のそれぞれに分断する。これにより、第１〜第６導電層１１ｃｌ〜１６ｃｌが形成され、複数の発光層が形成される。
分離した溝の底面の一部をエッチングし、接続部の一部となる導電膜を露出させ、この上に、別の導電膜を形成する。これにより、接続部が形成される。接続部の形成は、第１電極ｐｄ１及び第２電極ｐｄ２の少なくともいずれかの形成と同時に行われても良い。
接続部の少なくとも一部は、上記の接合前に形成しても良い。接続部の少なくとも一部は、第１導電形の半導体層に接続される配線の一部と連続しても良い。接続部の少なくとも一部は、第２導電形の半導体層に接続される配線の一部と連続しても良い。
上記の工程は、複数の発光部７１において、同時に実施される。この後、複数の発光部７１に分割される。これにより、１つの発光部７１が得られる。１つの発光部７１の上に波長変換層７２を形成する。これにより、発光装置１１１が形成される。
図２（ａ）〜図２（ｄ）は、第１の実施形態に係る発光装置を例示する模式図である。 図２（ａ）〜図２（ｃ）は、上記の複数の発光部７１への分割前の状態を例示する平面図である。図２（ｄ）は、分断後の断面図である。
図２（ａ）に示すように、基体５１となる層の上に、半導体結晶層７１ｓが設けられている。半導体結晶層７１ｓは、複数の発光部７１となる。半導体結晶層７１ｓは、第１導電形の半導体層と、第２導電形の半導体層と、それらの間に設けられた中間半導体層と、を含む。
図２（ｂ）に示すように、半導体結晶層７１ｓは、分割線７１ｄにより、分割される。これにより、複数の半導体結晶層７１ｓが形成される。複数の半導体結晶層７１ｓのそれぞれは、複数の発光部７１のそれぞれに対応する。
図２（ｃ）及び図２（ｄ）に示すように、３つの発光部７１が集まるコーナ部において、基体５１に後退部５１ｃが設けられる。
後退部５１ｃの底面の位置は、非後退部５１ｂの底面の位置よりも高い。後退部５１ｃの厚さは、非後退部５１ｂの厚さよりも薄い。この後退部５１ｃは、分断を容易にする。
以下、分断工程の例について、説明する。基体５１は、半導体層（例えば、第１半導体層１１など）の側の上面と、上面とは反対側の下面と、を含む。下面は、例えば、裏の面である。半導体層は、基体５１の側の下面と、下面とは反対側の上面と、含む。半導体層の上面は、例えば、表の面である。
分断工程においては、例えば、裏の面からエッチングを行い、この後、表の面からレーザカットする。分断工程においては、例えば、裏の面からエッチングを行い、この後、表の面からエッチングを行う。分断工程においては、例えば、裏の面からエッチングで分断する。分断工程においては、例えば、裏の面からレーザによりハーフカットし、この後、表の面からレーザカットする。分断工程においては、例えば、表の面からレーザで分断する。分断工程においては、例えば、表の面からレーザでハーフカットしても良い。分断工程においては、表の面からレーザでハーフカットし、この後、裏の面からレーザカットする。
このような分断工程において、上記の後退部５１ｃを設けておくことで、処理が容易になる。例えば、レーザ加工の始点及び終点となる六角形の頂点部に、溝を設ける。溝が後退部５１ｃとなる。分断後において、チップ端（コーナ部）において、基体５１の裏の面に凹部（後退部５１ｃ）が形成される。
これにより、レーザスクライブなどによる分断が容易になる。後退部５１ｃにより、基体５１による光吸収が抑制される。さらに、後退部５１ｃにより、実装用に部材（ペーストまたははんだなど）が不要な領域に拡大することが抑制できる。
図３は、第１の実施形態に係る別の発光装置を例示する模式的断面図である。
図３は、図１（ｂ）のＡ１−Ａ２線に対応する断面図である。
本実施形態に係る別の発光装置１１２においては、接続部の構成が、発光装置１１１とは異なる。これ以外は、例えば、発光装置１１１と同様である。以下、発光装置１１２における接続部について説明する。
発光装置１１２においては、第１接続部ＣＰ１は、第１配線領域ＣＲ１と、第１対向配線領域ＣＳ１と、を含む。第１配線領域ＣＲ１は、第１導電層１１ｃｌと電気的に接続される。第１対向配線領域ＣＳ１は、第４導電層１４ｃｌ及び第１配線領域ＣＲ１と電気的に接続される。離間方向（Ｚ軸方向）において、第１対向配線領域ＣＳ１の一部は、第１配線領域ＣＲ１の一部と重なる。
第２接続部ＣＰ２は、第２配線領域ＣＲ２と、第２対向配線領域ＣＳ２と、を含む。第２配線領域ＣＲ２は、第３導電層１３ｃｌと電気的に接続される。第２対向配線領域ＣＳ２は、第６導電層１６ｃｌ及び第２配線領域ＣＲ２と電気的に接続される。離間方向において、第２配線領域ＣＲ２の一部は、第２対向配線領域ＣＳ２の一部と重なる。
発光装置１１２においても、発光の均一性を向上できる発光装置を提供できる。
図４は、第１の実施形態に係る別の発光装置を例示する模式的断面図である。
図４は、図１（ｂ）のＡ１−Ａ２線に対応する断面図である。
本実施形態に係る別の発光装置１１３において、半導体層の構成、接続部の構成、及び、電極の構成が、発光装置１１１とは異なる。これ以外は、例えば、発光装置１１１と同様である。以下、発光装置１１３における、半導体層、接続部、及び、電極について説明する。
発光装置１１３の発光部７１は、縦通電型の半導体発光素子を含む。すなわち、第１延在部ｅｐ１と第１中間半導体層ＩＬ１との間に、第１半導体層１１の一部が設けられる。第２延在部ｅｐ２と第２中間半導体層ＩＬ２との間に、第３半導体層１３の一部が設けられる。第３延在部ｅｐ３と第３中間半導体層ＩＬ３との間に、第５半導体層１５の一部が設けられる。
第１接続部ＣＰ１の一部と、基体５１と、の間に、第１半導体層１１の別の一部が設けられる。第２接続部ＣＰ２の一部と、基体５１と、の間に、第３半導体層１３の別の一部が設けられる。
第１電極ｐｄ１は、第５半導体層１５と電気的に接続されている。第２電極ｐｄ２は、第２半導体層１２と電気的に接続されている。第１電極ｐｄ１と基体５１との間に、第５半導体層１５の別の一部が配置される。離間方向（Ｚ軸方向）に対して垂直な方向において、第２電極ｐｄ２の少なくとも一部は、第１半導体層１１と重なる。すなわち、基体５１の上に、半導体層、導電層及び接続部が設けられる。さらに、基体５１の上に、電極（パッド部）も受けられる。
この例では、第１側面絶縁層６１ｓがさらに設けられる。第１半導体層１１は、第１側面１１ｓを含む。第１側面１１ｓは、離間方向に対して垂直な方向と交差する。第１側面絶縁層６１ｓの少なくとも一部は、第１接続部ＣＰ１と第１側面１１ｓとの間に設けられる。
さらに、第２側面絶縁層６２ｓがさらに設けられる。第３半導体層１３は、第２側面１３ｓを含む。第２側面１３ｓは、離間方向に対して垂直な方向と交差する。第２側面絶縁層６２ｓの少なくとも一部は、第２接続部ＣＰ２と第２側面１３ｓとの間に設けられる。
発光装置１１３においても、発光の均一性を向上できる発光装置を提供できる。
図５は、第１の実施形態に係る別の発光装置を例示する模式的平面図である。
図５は、本実施形態に係る別の発光装置１１４における発光部７１を例示している。
図５に示すように、発光装置１１４（発光部７１）は、第１〜第１２発光層ＥＵ１〜ＥＵ１２を含む。第１〜第３発光層ＥＵ１〜ＥＵ３は、発光装置１１１におけるそれらと同様である。第４〜第１２発光層ＥＵ４〜ＥＵ１２は、第１〜第３発光層ＥＵ１〜ＥＵ３のいずれかと類似の構成を有する。第１〜第１２発光層ＥＵ１〜ＥＵ１２は、直列に接続される。発光装置１１４においても、発光部７１の外形は、六角形（例えば正六角形）である。六角形が、１２の発光層により形成される。
発光装置１１４においても、第１電極ｐｄ１及び第２電極ｐｄ２が設けられる。これらの電極の間に電圧が印加される。これらの電極の間に電流が流れる。電流は、第１〜第１２発光層ＥＵ１〜ＥＵ１２の含まれる半導体層を、電流経路ＩＣＰに沿って流れる。
図６（ａ）〜図６（ｃ）は、第１の実施形態に係る別の発光装置を例示する模式的平面図である。
これらの図は、発光装置１１４に対応する。図６（ａ）は、第１導電形の半導体層と電気的に接続される導電層のパターンを例示している。図６（ｂ）は、第２導電形の半導体層と電気的に接続される導電層のパターンを例示している。図６（ｃ）は、接続部及び電極のパターンを例示している。
図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、第１導電形の半導体層と電気的に接続される導電層と、第２導電形の半導体層と電気的に接続される導電層と、は櫛歯状である。これにより、電流が均一化される。これらの導電層が、接続部により直列に接続される。
（第２の実施形態）
図７（ａ）及び図７（ｂ）は、第２の実施形態に係る発光装置を例示する模式図である。
図７（ａ）は、平面図である。図７（ｂ）は、図７（ａ）のＡ１−Ａ２線断面図である。
図７（ａ）及び図７（ｂ）に示すように、本実施形態に係る発光装置１２１も、例えば、発光部７１と、波長変換層７２と、を含む。波長変換層７２の構成は、例えば、発光装置１１１と同様である。この場合も発光部７１の外形は、六角形（例えば正六角形）である。発光装置１２１においては、発光部７１の構成は、発光装置１１１とは異なる。以下、発光装置１２１における発光部７１について説明する。
発光装置１２１（発光部７１）は、基体５１と、第１〜第４半導体層１１〜１４と、第１中間半導体層ＩＬ１と、第２中間半導体層ＩＬ２と、第１〜第４導電層１１ｃｌ〜１４ｃｌと、第１接続部ＣＰ１と、を含む。
第１半導体層１１は、離間方向において、基体５１と離間し、第１導電形である。離間方向は、例えば、Ｘ軸方向である。第１半導体層１１は、第１〜第４辺ｓ１〜ｓ４を含む。第１辺ｓ１は、離間方向と交差する第１方向Ｄ１に沿って延びる。第２辺ｓ２は、離間方向と交差し第１方向Ｄ２に対して傾斜する第２方向Ｄ２に沿って延びる。第３辺ｓ３は、離間方向と交差し、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に対して傾斜する第３方向Ｄ３に沿って延びる。第４辺ｓ４は、離間方向及び第１方向Ｄ１と交差し、第２方向Ｄ２及び第３方向Ｄ３に対して傾斜する第４方向Ｄ４において、第１辺ｓ１と離間する。第４辺ｓ４は、第１方向Ｄ２に沿って延びる。第４辺ｓ４の第１方向の長さは、第１辺ｓ１の第１方向Ｄ２の長さよりも長い。
第１半導体層１１の平面形状は、実質的に台形である。
第２半導体層１２は、基体５１と第１半導体層１１との間に設けられ、第２導電形である。第１中間導体層ＩＬ１は、第１半導体層１１と第２半導体層１２との間に設けられる。
第１導電層１１ｃｌは、第１延在部ｅｐ１を含む。第１延在部ｅｐ１は、第４方向Ｄ４に沿って延びる。第１導電層１１ｃｌは、第１半導体層１１と電気的に接続される。
第２導電層１２ｃｌは、基体５１と第２半導体層１２との間に設けられ、第２半導体層１２と電気的に接続される。
第３半導体層１３は、離間方向において基体５１と離間し、第４方向Ｄ４において第１半導体層１１と並ぶ。第３半導体層１３は、第１導電形である。第３半導体層１３は、第５〜第８辺ｓ５〜ｓ８を含む。第５辺ｓ５は、第１方向Ｄ１に沿って延びる。第５辺ｓ５と第１辺ｓ１との間に、第４辺ｓ４が配置される。第６辺ｓ６は、第２方向Ｄ２に沿って延びる。第７辺ｓ７は、第３方向Ｄ３に沿って延びる。第８辺ｓ８は、第５辺ｓ５と第４辺ｓ４との間に設けられ、第１方向Ｄ１に沿って延びる。第８辺ｓ８の第１方向Ｄ１の長さは、第５辺ｓ５の第１方向Ｄ１の長さよりも長い。
第３半導体層１３の平面形状は、実質的に台形である。
第４半導体層１４は、基体５１と第３半導体層１３との間に設けられ、第２導電形である。第２中間半導体層ＩＬ２は、第３半導体層１３と第４半導体層１４との間に設けられる。
第３導電層１３ｃｌは、第２延在部ｅｐ２を含む。第２延在部ｅｐ２は、第４方向Ｄ４に沿って延びる。第３導電層１３ｃｌは、第３半導体層１３と電気的に接続される。第４導電層１４ｃｌは、基体５１と第４半導体層１４との間に設けられ、第４半導体層１４と電気的に接続される。
第１接続部ＣＰ１は、第１導電層１１ｃｌと第４導電層１４ｃｌとを電気的に接続する。
この場合も、第１半導体層１１、第２半導体層１２及び第１中間半導体層ＩＬ１は、第１発光層ＥＵ１となる。第３半導体層１３、第４半導体層１４及び第２中間半導体層ＩＬ２は、第２発光層ＥＵ２となる。これらの発光層の外形は、台形である。複数の台形の発光層により、六角形（例えば正六角形）の発光部７１が形成される。発光の均一性が高い。
さらに、延在部（第１延在部ｅｐ１及び第２延在部ｅｐ２）が設けられる。電流が広がる。これにより、均一性の高い発光が得られる。
発光装置１２１において、発光層は、横通電型である。
すなわち、第１半導体層１１は、第１領域１１ａと、離間方向と交差する方向において第１領域１１ａと並ぶ第２領域１１ｂと、を含む。第２半導体層１２は、基体５１と第２領域１１ｂとの間に設けられる。第１中間半導体層ＩＬ１は、第２領域１１ｂと第２半導体層１２との間に設けられる。第１延在部ｅｐ１は、基体５１と第１領域１１ａとの間に設けられる。
第３半導体層１３は、第３領域１３ａと、離間方向と交差する方向において第３領域１３ａと並ぶ第４領域１３ｂと、を含む。第４半導体層１４は、基体５１と第４領域１３ｂとの間に設けられる。第２中間半導体層ＩＬ２は、第４領域１３ｂと第４半導体層１４との間に設けられる。第２延在部ｅｐ２は、基体５１と第３領域１３ａとの間に設けられる。
この例でも、第１電極ｐｄ１及び第２電極ｐｄ２が設けられる。第１電極ｐｄ１は、第３半導体層１３と電気的に接続される。第２電極ｐｄ２は、第２半導体層１２と電気的に接続される。離間方向に対して垂直な方向において、第１電極ｐｄ１の少なくとも一部は、第３半導体層１３と重なる。離間方向に対して垂直な方向において、第２電極ｐｄ２の少なくとも一部は、第１半導体層１１と重なる。
この例においても、導電層は、櫛歯状である。
すなわち、第１導電層１１ｃｌは、第１連結部ｃｐ１をさらに含む。第１連結部ｃｐ１は、例えば、第１方向Ｄ１に沿って延びる。第１延在部ｅｐ１は、複数設けられる。複数の第１延在部ｅｐ１のそれぞれの一端は、第１連結部ｃｐ１に連結されている。
実施形態において、複数の第１連結部ｃｐ１を設けても良い。第１連結部ｃｐ１は、発光層の端部に設けられても良い。複数の第１連結部ｃｐ１を設けることで、例えば、第１方向に沿った電流の均一性が高くなる。
第２導電層１２ｃｌは、第１対向延在部ｅｑ１を含む、第１対向延在部ｅｑ１は、第４方向Ｄ４に沿って延びる。第１対向延在部ｅｑ１は、複数の第１延在部ｅｐ１の２つの間に位置する。
この例では、第１対向連結部ｃｑ１が設けられている。第１対向連結部ｃｑ１は、例えば、第１方向Ｄ１に沿って延びる。第１対向延在部ｅｑ１は、複数設けられる。複数の第１対向延在部ｅｑ１のそれぞれの一端は、第１対向連結部ｃｑ１に連結されている。
一方、第３導電層１３ｃｌは、第２連結部ｃｐ２をさらに含む。第２連結部ｃｐ２は、例えば、第１方向Ｄ１に沿って延びる。第２延在部ｅｐ２は、複数設けられる。複数の第２延在部ｅｐ２のそれぞれの一端は、第２連結部ｃｐ２に連結されている。
第４導電層１４ｃｌは、第２対向延在部ｅｑ２を含む、第２対向延在部ｅｑ２は、第４方向Ｄ４に沿って延びる。第２対向延在部ｅｑ２は、複数の第２延在部ｅｐ２の２つの間に位置する。
この例では、第２対向連結部ｃｑ２が設けられている。第２対向連結部ｃｑ２は、例えば、第１方向Ｄ１に沿って延びる。第２対向延在部ｅｑ２は、複数設けられる。複数の第２対向延在部ｅｑ２のそれぞれの一端は、第２対向連結部ｃｑ２に連結されている。
櫛歯状の導電層を用いることで、電流の均一性がさらに向上する。さらに均一な発光が得られる。
第１接続部ＣＰ１は、第１配線領域ＣＲ１と、第１対向配線領域ＣＳ１と、第１中間配線領域ＣＭ１と、を含む。第１配線領域ＣＲ１は、第１導電層１１ｃｌと電気的に接続される。第１対向配線領域ＣＳ１は、第４導電層１４ｃｌと電気的に接続される。第１中間配線領域ＣＭ１は、第１配線領域ＣＲ１と第１対向配線領域ＣＳ１と電気的に接続される。第１中間配線領域ＣＭ１の一部と、基体５１と、の間に、第１配線領域ＣＲ１の少なくとも一部が配置される。第１中間配線領域ＣＭ１の別の一部と、基体５１と、の間に、第１対向配線領域ＣＳ１の少なくとも一部が配置される。
発光装置１２１においては、離間方向（Ｚ軸方向）において、基体５１と波長変換層７２との間に、第１〜第４半導体層１１〜１４、及び、第１及び第２中間半導体層ＩＬ２お及びＩＬ２が配置される。離間方向に対して交差する平面（Ｘ−Ｙ平面）内における波長変換層７２の外縁７２ｒは、円状である。発光部７１の外縁７１ｒは、実質的に六角形（例えば正六角形）である。
すなわち、例えば、第１辺ｓ１、第２辺ｓ２、第３辺ｓ３、記第５辺ｓ５、第６辺ｓ６、及び第７辺ｓ７のそれぞれは、外縁７２ｒの六角形（例えば正六角形）の６つの辺に沿う。
第１方向Ｄ１と第２方向Ｄ２との間の角度は、例えば、５８度以上６２度以下である。第１方向Ｄ１と第３方向Ｄ３との間の角度は、例えば、５８度以上６２度以下である。第２方向Ｄ２と第３方向Ｄ３との間の角度は、例えば、５８度以上６２度以下である。第１方向Ｄ１と第２方向Ｄ２との間の角度は、例えば、５９度以上６１度以下でも良い。第１方向Ｄ１と第３方向Ｄ３との間の角度は、例えば、５９度以上６１度以下でも良い。第２方向Ｄ２と第３方向Ｄ３との間の角度は、例えば、５９度以上６１度以下でも良い。
第１方向Ｄ１と第４方向Ｄ４との間の角度は、例えば、８０度以上１００度以下である。第１方向Ｄ１と第４方向Ｄ４との間の角度は、例えば、８５度以上９５度以下でも良い。
外形が六角形の発光部７１を用いることで、均一な発光が得られる。外形が円形の波長変換層７２と組み合わせることで、大きな発光面積が得られる。延在部を用いることで、電流が広がり、さらに発光の均一性が向上する。
本実施形態においては、第１半導体層１１と第３半導体層１３とが並ぶ方向（第４方向）に、延在部が延びる。電流の方向が、第１半導体層１１と第３半導体層１３とが並ぶ方向に沿う。これにより、低い抵抗が得られる。
図８は、第２の実施形態に係る別の発光装置を例示する模式的断面図である。
図８は、図７（ａ）のＡ１−Ａ２線に対応する断面図である。
本実施形態に係る別の発光装置１２２においては、接続部の構成が、発光装置１２１とは異なる。これ以外は、例えば、発光装置１２１と同様である。以下、発光装置１２２における接続部について説明する。
発光装置１２２においては、第１接続部ＣＰ１は、第１導電層１１ｃｌと電気的に接続された第１配線領域ＣＲ１と、第４導電層１４ｃｌ及び第１配線領域ＣＲ１と電気的に接続された第１対向配線領域ＣＳ１と、を含む。離間方向（Ｚ軸方向）において、第１配線領域ＣＲ１の一部は、第１対向配線領域ＣＳ１の一部と重なる。
発光装置１２２においても、発光の均一性を向上できる発光装置を提供できる。
図９は、第２の実施形態に係る別の発光装置を例示する模式的断面図である。
図９は、図７（ａ）のＡ１−Ａ２線に対応する断面図である。
本実施形態に係る別の発光装置１２３において、半導体層の構成、接続部の構成、及び、電極の構成が、発光装置１２１とは異なる。これ以外は、例えば、発光装置１２１と同様である。以下、発光装置１２３における、半導体層、接続部、及び、電極について説明する。
発光装置１２３の発光部７１は、縦通電型の半導体発光素子を含む。すなわち、第１延在部ｅｐ１と第１中間半導体層ＩＬ１との間に第１半導体層１１の一部が設けられる。第２延在部ｅｐ２と第２中間半導体層ＩＬ２との間に第３半導体層１３の一部が設けられる。第１接続部ＣＰ１の一部と基体５１との間に、第１半導体層１１の別の一部が設けられる。
この場合も、第５半導体層１５と電気的に接続された第１電極ｐｄ１と、第２半導体層１２と電気的に接続された第２電極ｐｄ２と、が設けられる。第１電極ｐｄ１と基体５１との間に、第５半導体層１５の別の一部が配置される。離間方向に対して垂直な方向において、第２電極ｐｄ２の少なくとも一部は、第１半導体層１１と重なる。
この場合も、第１側面絶縁層６１ｓが設けられる。第１半導体層１１は、離間方向に対して垂直な方向と交差する第１側面１１ｓを含む。第１側面絶縁層６１ｓの少なくとも一部は、第１接続部ＣＰ１と第１側面１１ｓとの間に設けられる。
発光装置１２３においても、発光の均一性を向上できる発光装置を提供できる。
図１０は、第２の実施形態に係る別の発光装置を例示する模式的平面図である。
図１０は、本実施形態に係る別の発光装置１２４における発光部７１を例示している。
図１０に示すように、発光装置１２４（発光部７１）は、第１〜第１２発光層ＥＵ１〜ＥＵ１２を含む。第１及び第２発光層ＥＵ１及びＥＵ２は、発光装置１２１におけるそれらと同様である。第３〜第１２発光層ＥＵ３〜ＥＵ１２は、第１及び第２発光層ＥＵ１及びＥＵ２のいずれかと類似の構成を有する。第１〜第１２発光層ＥＵ１〜ＥＵ１２は、直列に接続される。発光装置１２４においても、発光部７１の外形は、六角形（例えば正六角形）である。六角形（例えば正六角形）が、１２の発光層により形成される。
発光装置１２４においても、第１電極ｐｄ１及び第２電極ｐｄ２が設けられる。これらの電極の間に電圧が印加される。これらの電極の間に電流が流れる。電流は、第１〜第１２発光層ＥＵ１〜ＥＵ１２の含まれる半導体層を、電流経路ＩＣＰに沿って流れる。
発光装置１２４においては、複数の発光層が１つの方向（第４方向Ｄ４）に沿って並ぶ。延在部は、第４方向Ｄ４に沿って延びる。これにより、電流経路ＩＣＰが短い。例えば、発光装置１２４における電流経路ＩＣＰは、発光装置１１４における電流経路ＩＣＰよりも短い。これにより、低い抵抗が得られる。
図１１（ａ）〜図１１（ｃ）は、第２の実施形態に係る別の発光装置を例示する模式的平面図である。
これらの図は、発光装置１２４に対応する。図１１（ａ）は、第１導電形の半導体層と電気的に接続される導電層のパターンを例示している。図１１（ｂ）は、第２導電形の半導体層と電気的に接続される導電層のパターンを例示している。図１１（ｃ）は、接続部及び電極のパターンを例示している。
図１１（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、第１導電形の半導体層と電気的に接続される導電層と、第２導電形の半導体層と電気的に接続される導電層と、は櫛歯状である。これにより、電流が均一化される。これらの導電層が、接続部により直列に接続される。
発光装置１１２〜１１４及び１２１〜１２４においても、図２（ｃ）及び図２（ｄ）に関して説明した後退部５１ｃを設けても良い。これにより、高い生産性で発光装置を製造できる。
上記の実施形態において、第１〜第６半導体層１１〜１６及び第１〜第３中間半導体層ＩＬ１〜ＩＬ３には、例えば、窒化物半導体が用いられる。但し、実施形態において、これらの半導体の材料は任意である。
実施形態は、以下の特徴を含む。
（特徴１）
基体と、
離間方向において前記基体と離間する第１導電形の第１半導体層であって、
前記離間方向と交差する第１方向に沿って延びる第１辺と、
前記離間方向と交差し前記第１方向と傾斜する第２方向に沿って延びる第２辺と、
前記第２方向において前記第１辺と離間し前記第１方向に沿って延びる第３辺と、
前記第１方向において前記第２辺と離間し前記第２方向に沿って延びる第４辺と、
を含む前記第１半導体層と、
前記基体と前記第１半導体層との間に設けられた第２導電形の第２半導体層と、
前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた第１中間半導体層と、
前記第１方向及び第２方向の一方に沿って延びる第１延在部を含み前記第１半導体層と電気的に接続された第１導電層と、
前記基体と前記第２半導体層との間に設けられ前記第２半導体層と電気的に接続された第２導電層と、
前記離間方向において前記基体と離間し前記離間方向と交差する方向において前記第１半導体層と並ぶ前記第１導電形の第３半導体層であって、
前記第２方向に沿って延びる第５辺と、
前記離間方向と交差し、前記第１方向及び前記第２方向に対して傾斜する第３方向に沿って延びる第６辺と、
前記第３方向において前記第５辺と離間し前記第２方向に沿って延びる第７辺と、
前記第２方向において前記第６辺と離間し前記第３方向に沿って延びる第８辺と、
を含む前記第３半導体層と、
前記基体と前記第３半導体層との間に設けられた前記第２導電形の第４半導体層と、
前記第３半導体層と前記第４半導体層との間に設けられた第２中間半導体層と、
前記第２方向及び前記第３方向の一方に沿って延びる第２延在部を含み前記第３半導体層と電気的に接続された第３導電層と、
前記基体と前記第４半導体層との間に設けられ前記第４半導体層と電気的に接続された第４導電層と、
前記離間方向において前記基体と離間し前記離間方向と交差する方向において前記第１半導体層と並ぶ前記第１導電形の第５半導体層であって、
前記第３方向に沿って延びる第９辺と、
前記第１方向に沿って延びる第１０辺と、
前記第１方向において前記第９辺と離間し前記第３方向に沿って延びる第１１辺と、
前記第３方向において前記第１０辺と離間し前記第１方向に沿って延びる第１２辺と、
を含む前記第５半導体層と、
前記基体と前記第５半導体層との間に設けられた前記第２導電形の第６半導体層と、
前記第５半導体層と前記第６半導体層との間に設けられた第３中間半導体層と、
前記第１方向及び前記第３方向の一方に沿って延びる第３延在部を含み前記第５半導体層と電気的に接続された第５導電層と、
前記基体と前記第６半導体層との間に設けられ前記第６半導体層と電気的に接続された第６導電層と、
前記第１導電層と前記第４導電層とを電気的に接続する第１接続部と、
前記第３導電層と前記第６導電層とを電気的に接続する第２接続部と、
を備えた発光装置。
（特徴２）
波長変換層をさらに備え、
前記離間方向において、前記基体と前記波長変換層との間に、前記第１〜第６半導体層、及び、前記第１〜前記第３中間半導体層が配置され、
前記離間方向に対して交差する平面内における前記波長変換層の外縁は、円状である、特徴１記載の発光装置。
（特徴３）
前記第１辺、前記第４辺、前記第６辺、前記第７辺、前記第１０辺及び前記第１１辺のそれぞれは、正六角形の６つの辺に沿う、特徴１または２に記載の発光装置。
（特徴４）
前記第５辺は、前記第２辺に沿い、
前記第９辺は、前記第８辺に沿い、
前記第１２辺は、前記第３辺に沿う、特徴１〜３のいずれか１つに記載の発光装置。
（特徴５）
前記第１方向と前記第２方向との間の角度は、５８度以上６２度以下であり、
前記第１方向と前記第３方向との間の角度は、５８度以上６２度以下であり、
前記第２方向と前記第３方向との間の角度は、５８度以上６２度以下である、特徴１〜３のいずれか１つに記載の発光装置。
（特徴６）
前記第１半導体層は、第１領域と、前記離間方向と交差する方向において前記第１領域と並ぶ第２領域と、を含み、
前記第２半導体層は、前記基体と前記第２領域との間に設けられ、
前記第１中間半導体層は、前記第２領域と前記第２半導体層との間に設けられ、
前記第１延在部は、前記基体と前記第１領域との間に設けられ、
前記第３半導体層は、第３領域と、前記離間方向と交差する方向において前記第３領域と並ぶ第４領域と、を含み、
前記第４半導体層は、前記基体と前記第４領域との間に設けられ、
前記第２中間半導体層は、前記第４領域と前記第４半導体層との間に設けられ、
前記第２延在部は、前記基体と前記第３領域との間に設けられ、
前記第５半導体層は、第５領域と、前記離間方向と交差する方向において前記第５領域と並ぶ第６領域と、を含み、
前記第６半導体層は、前記基体と前記第６領域との間に設けられ、
前記第３中間半導体層は、前記第６領域と前記第６半導体層との間に設けられ、
前記第３延在部は、前記基体と前記第５領域との間に設けられた、特徴１〜５のいずれか１つに記載の発光装置。
（特徴７）
前記第５半導体層と電気的に接続された第１電極と、
前記第２半導体層と電気的に接続された第２電極と、
をさらに備え、
前記離間方向に対して垂直な方向において、前記第１電極の少なくとも一部は、前記第５半導体層と重なり、
前記離間方向に対して垂直な方向において、前記第２電極の少なくとも一部は、前記第１半導体層と重なる、特徴６記載の発光装置。
（特徴８）
前記第１導電層は、第１連結部をさらに含み、
前記第１延在部は、複数設けられ、
前記複数の前記第１延在部のそれぞれの一端は、前記第１連結部に連結されている、特徴６または７に記載の発光装置。
（特徴９）
前記第２導電層は、前記第１方向及び前記第２方向の前記一方に沿って延びる第１対向延在部を含み、
前記第１対向延在部は、前記複数の第１延在部の２つの間に位置する、特徴８記載の発光装置。
（特徴１０）
前記離間方向に対して垂直な方向において、前記第１接続部の少なくとも一部は、前記第１半導体層と重なり、
前記離間方向に対して垂直な方向において、前記第２接続部の少なくとも一部は、前記第３半導体層と重なる、特徴６〜９のいずれか１つに記載の発光装置。
（特徴１１）
前記離間方向に対して垂直な方向において、前記第１半導体層は、前記第１接続部と重ならない領域を含み、
前記離間方向に対して垂直な方向において、前記第３半導体層は、前記第２接続部と重ならない領域を含む、特徴１０記載の発光装置。
（特徴１２）
前記第１接続部は、
前記第１導電層と電気的に接続された第１配線領域と、
前記第４導電層と電気的に接続された第１対向配線領域と、
前記第１配線領域と前記第１対向配線領域と電気的に接続された第１中間配線領域と、
を含み、
前記第１中間配線領域の一部と前記基体との間に前記第１配線領域の少なくとも一部が配置され、
前記第１中間配線領域の別の一部と前記基体との間に前記第１対向配線領域の少なくとも一部が配置された、特徴６〜１１のいずれか１つに記載の発光装置。
（特徴１３）
前記第１接続部は、
前記第１導電層と電気的に接続された第１配線領域と、
前記第４導電層及び前記第１配線領域と電気的に接続された第１対向配線領域と、
を含み、
前記離間方向において、前記第１配線領域の一部は、前記第１対向配線領域の一部と重なる、特徴６〜１１のいずれか１つに記載の発光装置。
（特徴１４）
前記第１延在部と前記第１中間半導体層との間に前記第１半導体層の一部が設けられ、
前記第２延在部と前記第２中間半導体層との間に前記第３半導体層の一部が設けられ、
前記第３延在部と前記第３中間半導体層との間に前記第５半導体層の一部が設けられ、
前記第１接続部の一部と前記基体との間に前記第１半導体層の別の一部が設けられ、
前記第２接続部の一部と前記基体との間に前記第３半導体層の別の一部が設けられた、特徴１〜５のいずれか１つに記載の発光装置。
（特徴１５）
前記第５半導体層と電気的に接続された第１電極と、
前記第２半導体層と電気的に接続された第２電極と、
をさらに備え、
前記第１電極と前記基体との間に、前記第５半導体層の別の一部が配置され、
前記離間方向に対して垂直な方向において、前記第２電極の少なくとも一部は、前記第１半導体層と重なる、特徴１４記載の発光装置。
（特徴１６）
第１側面絶縁層をさらに備え、
前記第１半導体層は、前記離間方向に対して垂直な方向と交差する第１側面を含み、
前記第１側面絶縁層の少なくとも一部は、前記第１接続部と前記第１側面との間に設けられた、特徴１４または１５に記載の発光装置。
（特徴１７）
基体と、
離間方向において前記基体と離間する第１導電形の第１半導体層であって、
前記離間方向と交差する第１方向に沿って延びる第１辺と、
前記離間方向と交差し前記第１方向に対して傾斜する第２方向に沿って延びる第２辺と、
前記離間方向と交差し前記第１方向及び前記第２方向に対して傾斜する第３方向に沿って延びる第３辺と、
前記離間方向及び前記第１方向と交差し前記第２方向及び前記第３方向に対して傾斜する第４方向において前記第１辺と離間し前記第１方向に沿って延びる第４辺と、
を含み、前記第４辺の前記第１方向の長さは前記第１辺の前記第１方向の長さよりも長い、前記第１半導体層と、
前記基体と前記第１半導体層との間に設けられた第２導電形の第２半導体層と、
前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた第１中間半導体層と、
前記第４方向に沿って延びる第１延在部を含み前記第１半導体層と電気的に接続された第１導電層と、
前記基体と前記第２半導体層との間に設けられ前記第２半導体層と電気的に接続された第２導電層と、
前記離間方向において前記基体と離間し前記第４方向において前記第１半導体層と並ぶ前記第１導電形の第３半導体層であって、
前記第１方向に沿って延びる第５辺であって、前記第５辺と前記第１辺との間に前記第４辺が配置された、前記第５辺と、
前記第２方向に沿って延びる第６辺と、
前記第３方向に沿って延びる第７辺と、
前記第５辺と前記第４辺との間に設けられ前記第１方向に沿って延びる第８辺と、
を含み、前記第８辺の前記第１方向の長さは前記第５辺の前記第１方向の長さよりも長い、前記第３半導体層と、
前記基体と前記第３半導体層との間に設けられた前記第２導電形の第４半導体層と、
前記第３半導体層と前記第４半導体層との間に設けられた第２中間半導体層と、
前記第４方向に沿って延びる第２延在部を含み前記第３半導体層と電気的に接続された第３導電層と、
前記基体と前記第４半導体層との間に設けられ前記第４半導体層と電気的に接続された第４導電層と、
前記第１導電層と前記第４導電層とを電気的に接続する第１接続部と、
を備えた発光装置。
（特徴１８）
波長変換層をさらに備え、
前記離間方向において、前記基体と前記波長変換層との間に、前記第１〜第４半導体層、及び、前記第１及び前記第２中間半導体層が配置され、
前記離間方向に対して交差する平面内における前記波長変換層の外縁は、円状である、特徴１７記載の発光装置。
（特徴１９）
前記第１辺、前記第２辺、前記第３辺、前記第５辺、前記第６辺、及び前記第７辺のそれぞれは、正六角形の６つの辺に沿う、特徴１７または１８に記載の発光装置。
（特徴２０）
前記第１方向と前記第２方向との間の角度は、５８度以上６２度以下であり、
前記第１方向と前記第３方向との間の角度は、５８度以上６２度以下であり、
前記第２方向と前記第３方向との間の角度は、５８度以上６２度以下であり、
前記第１方向と前記第４方向との間の角度は、８０度以上１００度以下である、特徴１７〜１７のいずれか１つに記載の発光装置。
（特徴２１）
前記第１半導体層は、第１領域と、前記離間方向と交差する方向において前記第１領域と並ぶ第２領域と、を含み、
前記第２半導体層は、前記基体と前記第２領域との間に設けられ、
前記第１中間半導体層は、前記第２領域と前記第２半導体層との間に設けられ、
前記第１延在部は、前記基体と前記第１領域との間に設けられ、
前記第３半導体層は、第３領域と、前記離間方向と交差する方向において前記第３領域と並ぶ第４領域と、を含み、
前記第４半導体層は、前記基体と前記第４領域との間に設けられ、
前記第２中間半導体層は、前記第４領域と前記第４半導体層との間に設けられ、
前記第２延在部は、前記基体と前記第３領域との間に設けられた、特徴１７〜２０のいずれか１つに記載の発光装置。
（特徴２２）
前記第３半導体層と電気的に接続された第１電極と、
前記第２半導体層と電気的に接続された第２電極と、
をさらに備え、
前記離間方向に対して垂直な方向において、前記第１電極の少なくとも一部は、前記第３半導体層と重なり、
前記離間方向に対して垂直な方向において、前記第２電極の少なくとも一部は、前記第１半導体層と重なる、特徴２１記載の発光装置。
（特徴２３）
前記第１導電層は、前記第１方向に沿って延びる第１連結部をさらに含み、
前記第１延在部は、複数設けられ、
前記複数の前記第１延在部のそれぞれの一端は、前記第１連結部に連結されている、特徴２１または２２に記載の発光装置。
（特徴２４）
前記第２導電層は、前記第４方向に沿って延びる第１対向延在部を含み、
前記第１対向延在部は、前記複数の第１延在部の２つの間に位置する、特徴２３記載の発光装置。
（特徴２５）
前記第１接続部は、
前記第１導電層と電気的に接続された第１配線領域と、
前記第４導電層と電気的に接続された第１対向配線領域と、
前記第１配線領域と前記第１対向配線領域と電気的に接続された第１中間配線領域と、
を含み、
前記第１中間配線領域の一部と前記基体との間に前記第１配線領域の少なくとも一部が配置され、
前記第１中間配線領域の別の一部と前記基体との間に前記第１対向配線領域の少なくとも一部が配置された、特徴２１〜２４のいずれか１つに記載の発光装置。
（特徴２６）
前記第１接続部は、
前記第１導電層と電気的に接続された第１配線領域と、
前記第４導電層及び前記第１配線領域と電気的に接続された第１対向配線領域と、
を含み、
前記離間方向において、前記第１配線領域の一部は、前記第１対向配線領域の一部と重なる、特徴２１〜２４のいずれか１つに記載の発光装置。
（特徴２７）
前記第１延在部と前記第１中間半導体層との間に前記第１半導体層の一部が設けられ、
前記第２延在部と前記第２中間半導体層との間に前記第３半導体層の一部が設けられ、
前記第１接続部の一部と前記基体との間に前記第１半導体層の別の一部が設けられた、特徴１７〜２０のいずれか１つに記載の発光装置。
（特徴２８）
前記第５半導体層と電気的に接続された第１電極と、
前記第２半導体層と電気的に接続された第２電極と、
をさらに備え、
前記第１電極と前記基体との間に、前記第５半導体層の別の一部が配置され、
前記離間方向に対して垂直な方向において、前記第２電極の少なくとも一部は、前記第１半導体層と重なる、特徴２７記載の発光装置。
（特徴２９）
第１側面絶縁層をさらに備え、
前記第１半導体層は、前記離間方向に対して垂直な方向と交差する第１側面を含み、
前記第１側面絶縁層の少なくとも一部は、前記第１接続部と前記第１側面との間に設けられた、特徴２７または２８に記載の発光装置。
実施形態によれば、発光の均一性を向上できる発光装置が提供できる。
なお、本明細書において「窒化物半導体」とは、ＢｘＩｎｙＡｌｚＧａ１−ｘ−ｙ−ｚＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦１，ｘ＋ｙ＋ｚ≦１）なる化学式において組成比ｘ、ｙ及びｚをそれぞれの範囲内で変化させた全ての組成の半導体を含むものとする。またさらに、上記化学式において、Ｎ（窒素）以外のＶ族元素もさらに含むもの、導電形などの各種の物性を制御するために添加される各種の元素をさらに含むもの、及び、意図せずに含まれる各種の元素をさらに含むものも、「窒化物半導体」に含まれるものとする。
なお、本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれば良い。
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、発光装置に含まれる基体、半導体層、導電層、接続部、電極及び絶縁層などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
その他、本発明の実施の形態として上述した発光装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての発光装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
１１〜１６…半導体層、 １１ａ…第１領域、 １１ｂ…第２領域、 １１ｃｌ〜１６ｃｌ…第１〜第６導電層、 １１ｄｐ…凹凸、 １１ｓ…第１側面、 １３ａ…第３領域、 １３ｂ…第４領域、 １３ｄｐ…凹凸、 １３ｓ…第２側面、 １５ａ…第５領域、 １５ｂ…第６領域、 １５ｄｐ…凹凸、 ５１…基体、 ５１ｂ…非後退部、 ５１ｃ…後退部、 ５２…接合層、 ６１〜６３…絶縁層、 ６１ｓ、６２ｓ…第１及び第２側面絶縁層、 ７１…発光部、 ７１ｄ…分割線、 ７１ｒ…外縁、 ７１ｓ…半導体結晶層、 ７２…波長変換層、 ７２ｒ…外縁、 ８１…絶縁層、 １１１〜１１４、１２１〜１２４…発光装置、 ＡＲ…矢印、 ＣＬ１…対向配線層、 ＣＭ１、ＣＭ２…第１、第２中間配線領域、 ＣＰ１、ＣＰ２…第１、第２接続部、 ＣＲ１〜ＣＲ３…第１〜第３配線領域、 ＣＳ１、ＣＳ２…第１、第２対向配線領域、 Ｄ１〜Ｄ４…第１〜第４方向、 ＥＵ１〜ＥＵ１２…第１〜第１２発光層、 ＩＬ１〜ＩＬ３…第１〜第３中間半導体層、 ＷＲ１、ＷＲ２…配線、 ｃｐ１〜ｃｐ３…第１〜第３連結部、 ｃｑ１〜ｃｑ３…第１〜第３対向連結部、 ｅｐ１〜ｅｐ３…第１〜第３延在部、 ｅｑ１〜ｅｑ３…第１〜第３対向延在部、 ｐｄ１、ｐｄ２…第１、第２電極、 ｓ１〜ｓ１２…第１〜第１２辺

Claims (20)

  1. 基体と、
    離間方向において前記基体と離間する第１導電形の第１半導体層であって、
    前記離間方向と交差する第１方向に沿って延びる第１辺と、
    前記離間方向と交差し前記第１方向と傾斜する第２方向に沿って延びる第２辺と、
    前記第２方向において前記第１辺と離間し前記第１方向に沿って延びる第３辺と、
    前記第１方向において前記第２辺と離間し前記第２方向に沿って延びる第４辺と、
    を含む前記第１半導体層と、
    前記基体と前記第１半導体層との間に設けられた第２導電形の第２半導体層と、
    前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた第１中間半導体層と、
    前記第１方向及び第２方向の一方に沿って延びる第１延在部を含み前記第１半導体層と電気的に接続された第１導電層と、
    前記基体と前記第２半導体層との間に設けられ前記第２半導体層と電気的に接続された第２導電層と、
    前記離間方向において前記基体と離間し前記離間方向と交差する方向において前記第１半導体層と並ぶ前記第１導電形の第３半導体層であって、
    前記第２方向に沿って延びる第５辺と、
    前記離間方向と交差し、前記第１方向及び前記第２方向に対して傾斜する第３方向に沿って延びる第６辺と、
    前記第３方向において前記第５辺と離間し前記第２方向に沿って延びる第７辺と、
    前記第２方向において前記第６辺と離間し前記第３方向に沿って延びる第８辺と、
    を含む前記第３半導体層と、
    前記基体と前記第３半導体層との間に設けられた前記第２導電形の第４半導体層と、
    前記第３半導体層と前記第４半導体層との間に設けられた第２中間半導体層と、
    前記第２方向及び前記第３方向の一方に沿って延びる第２延在部を含み前記第３半導体層と電気的に接続された第３導電層と、
    前記基体と前記第４半導体層との間に設けられ前記第４半導体層と電気的に接続された第４導電層と、
    前記離間方向において前記基体と離間し前記離間方向と交差する方向において前記第１半導体層と並ぶ前記第１導電形の第５半導体層であって、
    前記第３方向に沿って延びる第９辺と、
    前記第１方向に沿って延びる第１０辺と、
    前記第１方向において前記第９辺と離間し前記第３方向に沿って延びる第１１辺と、
    前記第３方向において前記第１０辺と離間し前記第１方向に沿って延びる第１２辺と、
    を含む前記第５半導体層と、
    前記基体と前記第５半導体層との間に設けられた前記第２導電形の第６半導体層と、
    前記第５半導体層と前記第６半導体層との間に設けられた第３中間半導体層と、
    前記第１方向及び前記第３方向の一方に沿って延びる第３延在部を含み前記第５半導体層と電気的に接続された第５導電層と、
    前記基体と前記第６半導体層との間に設けられ前記第６半導体層と電気的に接続された第６導電層と、
    前記第１導電層と前記第４導電層とを電気的に接続する第１接続部と、
    前記第３導電層と前記第６導電層とを電気的に接続する第２接続部と、
    を備え、
    前記第１接続部は、
    前記第１導電層と電気的に接続された第１配線領域と、
    前記第４導電層と電気的に接続された第１対向配線領域と、
    前記第１配線領域と前記第１対向配線領域と電気的に接続された第１中間配線領域と、
    を含み、
    前記第１中間配線領域の一部と前記基体との間に前記第１配線領域の少なくとも一部が配置され、
    前記第１中間配線領域の別の一部と前記基体との間に前記第１対向配線領域の少なくとも一部が配置された発光装置。
  2. 波長変換層をさらに備え、
    前記離間方向において、前記基体と前記波長変換層との間に、前記第１〜第６半導体層、及び、前記第１〜前記第３中間半導体層が配置され、
    前記離間方向に対して交差する平面内における前記波長変換層の外縁は、円状である、請求項１記載の発光装置。
  3. 前記第１方向と前記第２方向との間の角度は、５８度以上６２度以下であり、
    前記第１方向と前記第３方向との間の角度は、５８度以上６２度以下であり、
    前記第２方向と前記第３方向との間の角度は、５８度以上６２度以下である、請求項１または２に記載の発光装置。
  4. 前記第１半導体層は、第１領域と、前記離間方向と交差する方向において前記第１領域と並ぶ第２領域と、を含み、
    前記第２半導体層は、前記基体と前記第２領域との間に設けられ、
    前記第１中間半導体層は、前記第２領域と前記第２半導体層との間に設けられ、
    前記第１延在部は、前記基体と前記第１領域との間に設けられ、
    前記第３半導体層は、第３領域と、前記離間方向と交差する方向において前記第３領域と並ぶ第４領域と、を含み、
    前記第４半導体層は、前記基体と前記第４領域との間に設けられ、
    前記第２中間半導体層は、前記第４領域と前記第４半導体層との間に設けられ、
    前記第２延在部は、前記基体と前記第３領域との間に設けられ、
    前記第５半導体層は、第５領域と、前記離間方向と交差する方向において前記第５領域と並ぶ第６領域と、を含み、
    前記第６半導体層は、前記基体と前記第６領域との間に設けられ、
    前記第３中間半導体層は、前記第６領域と前記第６半導体層との間に設けられ、
    前記第３延在部は、前記基体と前記第５領域との間に設けられた、請求項１〜３のいずれか１つに記載の発光装置。
  5. 前記第５半導体層と電気的に接続された第１電極と、
    前記第２半導体層と電気的に接続された第２電極と、
    をさらに備え、
    前記離間方向に対して垂直な方向において、前記第１電極の少なくとも一部は、前記第５半導体層と重なり、
    前記離間方向に対して垂直な方向において、前記第２電極の少なくとも一部は、前記第１半導体層と重なる、請求項４記載の発光装置。
  6. 前記第１導電層は、第１連結部をさらに含み、
    前記第１延在部は、複数設けられ、
    前記複数の前記第１延在部のそれぞれの一端は、前記第１連結部に連結されている、請求項４または５に記載の発光装置。
  7. 前記第２導電層は、前記第１方向及び前記第２方向の前記一方に沿って延びる第１対向延在部を含み、
    前記第１対向延在部は、前記複数の第１延在部の２つの間に位置する、請求項６記載の発光装置。
  8. 前記離間方向において、前記第１配線領域の一部は、前記第１対向配線領域の一部と重なる、請求項１〜７のいずれか１つに記載の発光装置。
  9. 前記第１延在部と前記第１中間半導体層との間に前記第１半導体層の一部が設けられ、
    前記第２延在部と前記第２中間半導体層との間に前記第３半導体層の一部が設けられ、
    前記第３延在部と前記第３中間半導体層との間に前記第５半導体層の一部が設けられ、
    前記第１接続部の一部と前記基体との間に前記第１半導体層の別の一部が設けられ、
    前記第２接続部の一部と前記基体との間に前記第３半導体層の別の一部が設けられた、請求項１〜３のいずれか１つに記載の発光装置。
  10. 基体と、
    離間方向において前記基体と離間する第１導電形の第１半導体層であって、
    前記離間方向と交差する第１方向に沿って延びる第１辺と、
    前記離間方向と交差し前記第１方向に対して傾斜する第２方向に沿って延びる第２辺と、
    前記離間方向と交差し前記第１方向及び前記第２方向に対して傾斜する第３方向に沿って延びる第３辺と、
    前記離間方向及び前記第１方向と交差し前記第２方向及び前記第３方向に対して傾斜する第４方向において前記第１辺と離間し前記第１方向に沿って延びる第４辺と、
    を含み、前記第４辺の前記第１方向の長さは前記第１辺の前記第１方向の長さよりも長い、前記第１半導体層と、
    前記基体と前記第１半導体層との間に設けられた第２導電形の第２半導体層と、
    前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた第１中間半導体層と、
    前記第４方向に沿って延びる第１延在部を含み前記第１半導体層と電気的に接続された第１導電層と、
    前記基体と前記第２半導体層との間に設けられ前記第２半導体層と電気的に接続された第２導電層と、
    前記離間方向において前記基体と離間し前記第４方向において前記第１半導体層と並ぶ前記第１導電形の第３半導体層であって、
    前記第１方向に沿って延びる第５辺であって、前記第５辺と前記第１辺との間に前記第４辺が配置された、前記第５辺と、
    前記第２方向に沿って延びる第６辺と、
    前記第３方向に沿って延びる第７辺と、
    前記第５辺と前記第４辺との間に設けられ前記第１方向に沿って延びる第８辺と、
    を含み、前記第８辺の前記第１方向の長さは前記第５辺の前記第１方向の長さよりも長い、前記第３半導体層と、
    前記基体と前記第３半導体層との間に設けられた前記第２導電形の第４半導体層と、
    前記第３半導体層と前記第４半導体層との間に設けられた第２中間半導体層と、
    前記第４方向に沿って延びる第２延在部を含み前記第３半導体層と電気的に接続された第３導電層と、
    前記基体と前記第４半導体層との間に設けられ前記第４半導体層と電気的に接続された第４導電層と、
    前記第１導電層と前記第４導電層とを電気的に接続する第１接続部と、
    を備えた発光装置。
  11. 波長変換層をさらに備え、
    前記離間方向において、前記基体と前記波長変換層との間に、前記第１〜第４半導体層、及び、前記第１及び前記第２中間半導体層が配置され、
    前記離間方向に対して交差する平面内における前記波長変換層の外縁は、円状である、請求項１０記載の発光装置。
  12. 前記第１方向と前記第２方向との間の角度は、５８度以上６２度以下であり、
    前記第１方向と前記第３方向との間の角度は、５８度以上６２度以下であり、
    前記第２方向と前記第３方向との間の角度は、５８度以上６２度以下であり、
    前記第１方向と前記第４方向との間の角度は、８０度以上１００度以下である、請求項１０または１１に記載の発光装置。
  13. 前記第１半導体層は、第１領域と、前記離間方向と交差する方向において前記第１領域と並ぶ第２領域と、を含み、
    前記第２半導体層は、前記基体と前記第２領域との間に設けられ、
    前記第１中間半導体層は、前記第２領域と前記第２半導体層との間に設けられ、
    前記第１延在部は、前記基体と前記第１領域との間に設けられ、
    前記第３半導体層は、第３領域と、前記離間方向と交差する方向において前記第３領域と並ぶ第４領域と、を含み、
    前記第４半導体層は、前記基体と前記第４領域との間に設けられ、
    前記第２中間半導体層は、前記第４領域と前記第４半導体層との間に設けられ、
    前記第２延在部は、前記基体と前記第３領域との間に設けられた、請求項１０〜１２のいずれか１つに記載の発光装置。
  14. 前記第３半導体層と電気的に接続された第１電極と、
    前記第２半導体層と電気的に接続された第２電極と、
    をさらに備え、
    前記離間方向に対して垂直な方向において、前記第１電極の少なくとも一部は、前記第３半導体層と重なり、
    前記離間方向に対して垂直な方向において、前記第２電極の少なくとも一部は、前記第１半導体層と重なる、請求項１３記載の発光装置。
  15. 前記第１導電層は、前記第１方向に沿って延びる第１連結部をさらに含み、
    前記第１延在部は、複数設けられ、
    前記複数の前記第１延在部のそれぞれの一端は、前記第１連結部に連結されている、請求項１３または１４に記載の発光装置。
  16. 前記第２導電層は、前記第４方向に沿って延びる第１対向延在部を含み、
    前記第１対向延在部は、前記複数の第１延在部の２つの間に位置する、請求項１５記載の発光装置。
  17. 前記第１接続部は、
    前記第１導電層と電気的に接続された第１配線領域と、
    前記第４導電層と電気的に接続された第１対向配線領域と、
    前記第１配線領域と前記第１対向配線領域と電気的に接続された第１中間配線領域と、
    を含み、
    前記第１中間配線領域の一部と前記基体との間に前記第１配線領域の少なくとも一部が配置され、
    前記第１中間配線領域の別の一部と前記基体との間に前記第１対向配線領域の少なくとも一部が配置された、請求項１３〜１６のいずれか１つに記載の発光装置。
  18. 前記第１中間配線領域の少なくとも一部は、前記離間方向と交差する方向において、前記第１半導体層と重なるように配置される、請求項１〜７、１７のいずれか１つに記載の発光装置。
  19. 前記第１接続部は、
    前記第１導電層と電気的に接続された第１配線領域と、
    前記第４導電層及び前記第１配線領域と電気的に接続された第１対向配線領域と、
    を含み、
    前記離間方向において、前記第１配線領域の一部は、前記第１対向配線領域の一部と重なる、請求項１３〜１６のいずれか１つに記載の発光装置。
  20. 前記第１延在部と前記第１中間半導体層との間に前記第１半導体層の一部が設けられ、
    前記第２延在部と前記第２中間半導体層との間に前記第３半導体層の一部が設けられ、
    前記第１接続部の一部と前記基体との間に前記第１半導体層の別の一部が設けられた、請求項１０〜１２のいずれか１つに記載の発光装置。
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