CN111326635B - 一种led芯片及其制作方法、一种显示面板 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例提供了一种LED芯片及其制作方法、以及一种显示面板，该LED芯片包括第一衬底、第一电极、外延结构、第二电极、第一连接电极，其中，外延结构包括多个呈阵列排布的外延单元，第二电极与外延单元一一对应，且第二电极与外延单元电连接，第一连接电极沿第二方向延伸，电连接沿第二方向排布的多个第二电极，所述第一电极沿第一方向延伸，所述第一方向和第二方向不同，即由第一连接电极和第一电极共同控制位于第一连接电极和第一电极相交位置的外延单元发光。该LED芯片在应用于显示面板时，可以在显示面板面积不增加的前提下，可以放置更多的LED芯粒，提高显示面板包括的显示像素数量，进而提高显示面板的分辨率。
Description
技术领域
本申请涉及半导体发光二极管技术领域，尤其涉及一种LED芯片及其制作方法、以及一种显示面板。
背景技术
随着科技的不断发展，LED显示屏在生活中应用越来越广泛，在现有技术中，LED显示屏由单颗LED芯粒封装后组成，使得LED显示屏的中各单颗LED芯粒之间的间隙较宽，且随着显示面板分辨率的提高，LED显示屏中显示面板的面积越来越大，因此，如何在不增加LED显示面板面积的前提下，增加显示面板的分辨率成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
有鉴于此，本申请实施例提供了一种LED芯片及其制作方法、以及一种显示面板，以在不增加LED显示面板的面积的前提下，增加显示面板的分辨率。
为实现上述目的，本申请提供如下技术方案：
一种LED芯片，包括：
第一衬底；
位于所述第一衬底第一侧表面的多条沿第一方向延伸的第一电极；
位于所述第一电极背离所述第一衬底一侧的外延结构，所述外延结构包括多个呈阵列排布的外延单元，相邻所述外延单元彼此独立；
位于所述外延单元背离所述第一电极一侧表面的第二电极，所述第二电极与所述外延单元一一对应，且与所述外延单元电连接；
位于所述第二电极背离所述外延结构一侧的多条沿第二方向延伸的第一连接电极，所述第一连接电极电连接沿第二方向排布的多个第二电极；
其中，所述第一方向和所述第二方向不同，所述第一连接电极和所述第一电极共同控制位于所述第一连接电极和所述第一电极相交位置的外延单元发光。
可选的，还包括：
位于所述第一电极背离所述第一衬底一侧的第三电极，所述第三电极与所述第一电极一一对应，且与所述第一电极电连接。
可选的，还包括：位于相邻所述外延单元之间，填充所述LED芯片中空隙内的绝缘结构。
一种LED芯片的制作方法，该方法包括：
在第二衬底上形成外延结构；
在所述外延结构背离所述第二衬底一侧形成第一电极层；
在所述第一电极层背离所述外延结构一侧键合第一衬底，并去除所述第二衬底；
在所述外延结构背离所述第一电极层一侧形成多个呈阵列排布的第二电极；
从所述第二电极一侧对所述外延结构进行刻蚀，形成多个彼此独立的外延单元，所述外延单元与所述第二电极一一对应，且与其对应的第二电极电连接；
从所述第二电极一侧对所述第一电极层进行刻蚀，形成多个沿第一方向延伸的第一电极；
在所述第二电极背离所述外延结构一侧形成多条沿第二方向延伸的第一连接电极，所述第一连接电极电连接沿第二方向排布的多个第二电极；
其中，所述第一方向和所述第二方向不同。
可选的，该方法还包括：
在所述第一电极背离所述第一衬底一侧形成多个第三电极，所述第三电极与所述第一电极一一对应，且与其对应的所述第一电极电连接。
可选的，从所述第二电极一侧对所述外延结构进行刻蚀，形成多个彼此独立的外延单元包括：
采用ICP工艺，从所述第二电极一侧对所述外延结构进行刻蚀，形成多个彼此独立的外延单元；
从所述第二电极一侧对所述第一电极层进行刻蚀，形成多个沿第一方向延伸的第一电极包括：
采用湿法刻蚀工艺，从所述第二电极一侧对所述第一电极层进行刻蚀，形成多个沿第一方向延伸的第一电极。
可选的，该方法在形成所述第一连接电极之前还包括：
在相邻所述外延单元之间填充绝缘材料，在所述LED芯片的空隙内形成绝缘结构。
一种显示面板，包括上述任一项所述的LED芯片以及控制器，所述控制器用于通过所述第一电极与所述第一连接电极控制所述LED芯片中各外延单元发光。
本申请实施例所提供的LED芯片中，所述LED芯片中的多个LED芯粒集体封装，减小所述LED芯粒之间的间距，从而减小了具有相同数量LED芯粒的LED芯片的整体面积，进而在显示面板面积不增加的前提下，可以放置更多的LED芯粒，提高显示面板包括的显示像素数量，进而提高显示面板的分辨率。
而且，本申请实施例所提供的LED芯片中，所述第一电极和所述第一连接电极上下交错设置，共同控制位于所述第一电极和第一连接电极相交位置的LED芯粒，相较于各LED芯粒单独控制，减小了相同LED芯粒数量下所需的焊点数量，从而进一步减小了相同LED芯粒数量所需占用的面积，进而进一步减小了具有相同数量LED芯粒的LED芯片的整体面积，从而在显示面板面积不增加的前提下，可以放置更多的LED芯粒，提高显示面板包括的显示像素数量，进而提高显示面板的分辨率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请一个实施例提供的LED芯片的结构示意图；
图2为本申请一个实施例提供的LED芯片的俯视图；
图3为本申请另一个实施例提供的LED芯片的结构示意图；
图4为本申请一个实施例所提供的LED芯片的制作方法的流程图；
图5-图22为本申请一个实施例所提供的LED芯片的制作方法中各工艺步骤完成后的结构示意图；
图23为本申请另一个实施例提供的LED芯片的结构示意图；
图24为本申请一个实施例提供的显示面板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请，但是本申请还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似推广，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。
正如背景技术部分所述，如何在不增加LED显示面板面积的前提下，增加显示面板的分辨率成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。
有鉴于此，本申请提供了一种LED芯片及其制作方法、以及一种显示面板。下面结合附图对本申请实施例所提供的LED芯片及其制作方法、以及一种显示面板进行描述。
参考图1、图2，本申请实施例提供的LED芯片包括：
第一衬底1，可选的，所述第一衬底1为蓝宝石衬底等绝缘衬底；
位于所述第一衬底1第一侧表面的多条沿第一方向X延伸的第一电极2，所述第一电极2为P电极，可选的，所述第一电极2的材料为ITO；
位于所述第一电极2背离所述第一衬底1一侧的外延结构3，所述外延结构3包括多个呈阵列排布的外延单元31，相邻所述外延单元31彼此独立；
位于所述外延单元31背离所述第一电极2一侧表面的第二电极4，所述第二电极4与所述外延单元31一一对应，且与所述外延单元31电连接，所述第二电极4为N电极，可选的，所述第二电极4的材料为金属材料，以降低所述第二电极的电阻，避免所述第二电极影响所述LED芯片的电性能；
位于所述第二电极4背离所述外延结构3一侧的多条沿第二方向Y延伸的第一连接电极5，所述第一连接电极5电连接沿第二方向Y排布的多个第二电极4，可选的，所述第一连接电极5的材料为金属材料，避免所述第一连接电极5影响所述LED芯片的电性能；
其中，所述第一方向X和所述第二方向Y不同，所述第一连接电极5和所述第一电极2共同控制位于所述第一连接电极5和所述第一电极2相交位置的外延单元31发光。
需要说明的是，在本申请一个实施例中，所述第一方向为所述LED芯片的纵向，所述第二方向为所述LED芯片的横向，在本申请另一个实施例中，所述第一方向还可以为所述LED芯片的横向，所述第二方向为所述LED芯片的纵向，本申请对此并不在限定，具体视情况而定。
具体的，在本申请实施例中，以所述第一方向为所述LED芯片的纵向，所述第二方向为所述LED芯片的横向为例进行描述。
在本申请实施例中，所述外延结构包括多个呈阵列排布的外延单元，相邻所述外延单元彼此独立，所述第二电极与所述外延单元一一对应，且所述第二电极与所述外延单元电连接，其中，一个外延单元对应一个LED芯粒，即在本申请实施例中，所述LED芯片中的多个LED芯粒集体封装，减小所述LED芯粒之间的间距，从而减小了具有相同数量LED芯粒的LED芯片的整体面积，进而在显示面板面积不增加的前提下，可以放置更多的LED芯粒，提高显示面板包括的显示像素数量，进而提高显示面板的分辨率。
而且，本申请实施例所提供的LED芯片中，利用所述第一连接电极电连接沿第二方向排布的多个第二电极，即通过所述第一连接电极和所述第一电极共同控制位于所述第一连接电极和所述第一电极相交位置的外延单元发光，即共同控制位于所述第一电极和第一连接电极相交位置的LED芯粒工作，相较于各LED芯粒单独控制，减小了相同LED芯粒数量下所需的焊点数量，从而进一步减小了相同LED芯粒数量所需占用的面积，进而进一步减小了具有相同数量LED芯粒的LED芯片的整体面积，从而在显示面板面积不增加的前提下，可以放置更多的LED芯粒，提高显示面板包括的显示像素数量，进而提高显示面板的分辨率。
在上述实施例的基础上，在本申请一个实施例中，继续参考图1和图2，所述LED芯片还包括：
位于所述第一衬底1第一侧表面，与所述第一电极2平行的第二连接电极6；位于所述第二连接电极6背离所述第一衬底1一侧的第三连接电极7，可选的，所述第三连接电极7和所述第二连接电极6的高度之和与所述第一电极2、所述外延单元31和所述第二电极4的高度之和相同，即所述第三连接电极7背离所述第二连接电极6一侧的表面与所述第二电极4背离所述外延单元31一侧的表面平齐，但本申请对并不做限定，具体视情况而定。
在上述实施例的基础上，在本申请一个实施例中，所述第二连接电极6的材料为ITO，所述第三连接电极7的材料为金属材料，以使得所述第二连接电极与所述第一电极可以同时形成，所述第三连接电极与所述第二电极可以同时形成，简化所述LED芯片的工艺流程，但本申请对此并不做限定，具体视情况而定。
在上述实施例的基础上，在本申请一个实施例中，继续参考图2，所述LED芯片还包括：
位于所述第二电极4背离所述第一衬底1一侧的第三电极8，所述第三电极8与所述第一电极2一一对应，且与所述第一电极2电连接，用于将所述第一电极的电连接端引出至所述第二电极所在侧，从而便于从所述第二电极背离所述外延单元一侧给所述第一电极和所述第二电极施加电压，控制所述外延单元发光。
需要说明的是，在本申请实施例中，由所述第一连接电极和所述第一电极共同控制位于所述第一连接电极和所述第一电极相交位置的外延单元发光，而所述第三电极与所述第一电极一一对应电连接，因此，本申请实施例所提供的LED芯片，可以由所述第一连接电极和所述第三电极共同控制位于所述第一连接电极和所述第三电极相交位置的外延单元发光，即通过在所述第二电极所在侧统一施加电压，来控制所述外延单元发光。
在上述实施例的基础上，在本申请一个实施例中，所述第三电极8的材料为金属材料，以降低所述第三电极的电阻，避免所述第三电极8影响所述LED芯片的电性能，本申请对此并不做限定，具体视情况而定。可选的，在本申请的一个实施例中，所述第三电极与所述第二电极同时形成，以简化所述LED芯片的工艺，但本申请对此并不做限定，具体视情况而定。
在上述实施例的基础上，在本申请一个实施例中，继续参考图1，所述LED芯片还包括：位于相邻所述外延单元31之间，填充所述LED芯片中空隙内的绝缘结构9，以使得相邻所述外延单元之间相互独立，从而使得相邻发光单元独立发光，互不影响。
在上述实施例的基础上，在本申请一个实施例中，所述绝缘结构的材料为二氧化硅，但本申请对此并不做限定，具体视情况而定。
需要说明的是，在本申请一个实施例中，所述绝缘结构具有多个开口，所述多个开口包括：位于所述第二电极背离所述第一衬底的正上方的第一开口，所述第一开口裸露所述第二电极至少部分表面，以便于后续通过所述第一开口使得二所述第二电极与所述第一连接电极电连接；位于所述第三电极背离所述第一衬底的正上方的第二开口，所述第二开口裸露所述第三电极至少部分表面，以便于后续通过所述第二开口给所述第一电极施加电压。
在上述任一实施例的基础上，在本申请一个实施例中，所述LED芯片包括所述第二连接电极和所述第三连接电极，所述第三连接电极与所述第一连接电极通过所述绝缘结构电绝缘，如图1所示；在本申请的另一个实施例中，所述LED芯片也可以不包括所述第二连接电极和第三连接电极，如图3所示，本申请对此并不做限定，具体视情况而定。
综上所述，本申请实施例所提供的LED芯片中，所述LED芯片中的多个LED芯粒集体封装，减小所述LED芯粒之间的间距，从而减小了具有相同数量LED芯粒的LED芯片的整体面积，进而在显示面板面积不增加的前提下，可以放置更多的LED芯粒，提高显示面板包括的显示像素数量，进而提高显示面板的分辨率。
而且，本申请实施例所提供的LED芯片中，所述第一电极和所述第一连接电极上下交错设置，共同控制位于所述第一电极和第一连接电极相交位置的LED芯粒，相较于各LED芯粒单独控制，减小了相同LED芯粒数量下所需的焊点数量，从而进一步减小了相同LED芯粒数量所需占用的面积，进而进一步减小了具有相同数量LED芯粒的LED芯片的整体面积，从而在显示面板面积不增加的前提下，可以放置更多的LED芯粒，提高显示面板包括的显示像素数量，进而提高显示面板的分辨率。
相应的，本申请实施例还提供了一种LED芯片的制作方法，用于制作上述任一实施例所提供的LED芯片。
具体的，如图4所示，本申请实施例所提供的LED芯片的制作方法包括：
S401：参考图5，在第二衬底10上形成外延结构3，可选的，所述第二衬底10为GaAs衬底。
需要说明的是，在上述实施例的基础上，在本申请一个实施例中，将所示LED芯片在第二衬底上形成外延结构之后进行清洗，以去除所述外延结构表面的灰尘以及杂质。
S402：参考图6，在所述外延结构3背离所述第二衬底10一侧形成第一电极层21，可选的，所述第一电极层21的材料为ITO。
在上述实施例的基础上，在本申请一个实施例中，在所述外延结构背离所述第二衬底一侧形成第一电极层包括：采用蒸镀工艺，在所述外延结构背离所述第二衬底一侧蒸镀一层ITO层，作为第一电极层，但本申请对此并不做限定，具体视情况而定。
S403：在所述第一电极层21背离所述外延结构3一侧键合第一衬底1，并去除所述第二衬底10，可选的，所述第一衬底1为蓝宝石衬底。
在上述实施例的基础上，在本申请一个实施例中，在所述第一电极层21背离所述外延结构3一侧键合第一衬底1，并去除所述第二衬底10包括：
参考图7，去除所述第二衬底10；
参考图8，在所述第一电极层21背离所述外延结构3一侧键合第一衬底1，形成以所述第一衬底1为基层的LED芯片。
在上述实施例的基础上，在本申请另一个实施例中，在所述第一电极层21背离所述外延结构3一侧键合第一衬底1，并去除所述第二衬底10包括：
参考图9，在所述第一电极层21背离所述外延结构3一侧键合第一衬底1；
参考图10，再去除所述第二衬底10，形成以所述第一衬底1为基层的LED芯片。
由上可知，在本申请实施例中，可以先去除所述第二衬底，再在所述第一电极层背离所述外延结构一侧键合第一衬底，也可以先在所述第一电极层背离所述外延结构一侧键合第一衬底，再去除所述第二衬底，本申请对此不做限定，具体视情况而定。
S404：参考图11和图12，其中，图11为所述LED芯片的剖视图，图12为所述LED芯片的俯视图，在所述外延结构3背离所述第一电极层21一侧形成多个呈阵列排布的第二电极4，所述第二电极4为N电极，与所述外延结构电连接，可选的，所述第二电极4的材料为金属材料，以降低所述第二电极的电阻，避免所述第二电极影响所述LED芯片的电性能。
需要说明的是，在本申请实施例中，所述第二电极的数量与所述LED芯片中待形成的LED芯粒的数量相同，即与所述外延结构中待形成的外延单元的数量相同。
S405：参考图13和图14，其中，图13为所述LED芯片的剖视图，图14为所述LED芯片的俯视图，从所述第二电极4一侧对所述外延结构3进行刻蚀，形成多个彼此独立的外延单元31，所述外延单元31与所述第二电极4一一对应，且与其对应的第二电极4电连接。
在上述实施例的基础上，在本申请一个实施例中，从所述第二电极一侧对所述外延结构进行刻蚀，形成多个彼此独立的外延单元包括：采用ICP工艺，从所述第二电极一侧对所述外延结构进行刻蚀，形成多个彼此独立的外延单元，在本申请其他实施例中，还可以采用其他工艺，从所述第二电极一侧对所述外延结构进行刻蚀，形成多个彼此独立的外延单元，本申请对此并不做限定，具体视情况而定。
在上述实施例的基础上，在本申请一个实施例中，采用ICP工艺，从所述第二电极一侧对所述外延结构进行刻蚀，形成多个彼此独立的外延单元包括：
在所述外延结构背离所述第一衬底一侧涂抹一层光刻胶，形成第一光刻胶层；
对所述第一光刻胶层进行曝光、显影，在所述外延结构背离所述第一衬底一侧形成第一光刻胶图形；
以所述第一光刻胶图形为掩膜，对所述外延结构进行刻蚀，将所述外延结构分割成多个彼此独立的外延单元；
去除所述第一光刻胶图形。
需要说明的是，在本申请实施例中，从所述第二电极一侧对所述外延结构进行刻蚀，形成多个彼此独立的外延单元时，需保证刻蚀深度大于所述外延结构的厚度，且小于所述外延结构和所述第一电极的厚度之和，以不影响所述第一电极的电性能。
S406：参考图15和图16，其中，图15为所述LED芯片的剖视图，图16为所述LED芯片的俯视图，从所述第二电极4一侧对所述第一电极层21进行刻蚀，形成多个沿第一方向X延伸的第一电极2，可选的，所述第一电极2为P电极。
在上述实施例的基础上，在本申请一个实施例中，从所述第二电极4一侧对所述第一电极层21进行刻蚀，形成多个沿第一方向延伸的第一电极包括：
采用湿法刻蚀工艺，从所述第二电极一侧对所述第一电极层进行刻蚀，形成多个沿第一方向延伸的第一电极，在本申请其他实施例中，还可以采用其他工艺，从所述第二电极一侧对所述第一电极层进行刻蚀，形成多个沿第一方向延伸的第一电极，本申请对此并不做限定，具体视情况而定。
在上述实施例的基础上，在本申请一个实施例中，采用湿法刻蚀工艺，从所述第二电极一侧对所述第一电极层进行刻蚀，形成多个沿第一方向延伸的第一电极包括：
在所述第一电极层背离所述第一衬底一侧涂抹一层光刻胶，形成第二光刻胶层；
对所述第二光刻胶层进行曝光、显影，在所述第一电极层背离所述第一衬底一侧形成第二光刻胶图形；
以所述第二光刻胶图形为掩膜，对所述第一电极层进行刻蚀，使得所述第一电极层形成多个沿第一方向延伸的第一电极；
去除所述第二光刻胶图形。
需要说明的是，在本申请实施例中，从所述第二电极一侧对所述第一电极层进行刻蚀，形成多个沿第一方向延伸的第一电极时，需保证刻蚀深度大于所述第一电极层的厚度，且小于所述第一电极层和所述第一衬底的厚度之和，以保证相邻第一电极电绝缘，且相邻第一电极可以通过所述第一衬底固定在一起，不会分离，从而便于后续多个外延单元形成的多个LED芯粒集体封装。
在上述实施例的基础上，在本申请一个实施例中，该方法还包括：
继续参考图15和图16，在所述第一衬底1的第一侧表面形成与所述第一电极2平行的第二连接电极6，可选的，所述第二连接电极6与所述第一电极2同时形成，所述第二连接电极的材料为ITO。
在上述实施例的基础上，在本申请一个实施例中，参考图17和图18，该方法还包括：
在所述第一电极2背离所述第一衬底1一侧形成多个第三电极8，所述第三电极8与所述第一电极2一一对应，且与其对应的所述第一电极2电连接。
需要说明的是，在上述实施例的基础上，由于所述第三电极与所述第一电极一一对应电连接，因此，可以通过在所述第三电极上施加电压，给所述第一电极上施加电压，本申请对此并不做限定，具体视情况而定。
还需要说明的是，在本申请实施例中，所述第三电极用于将所述第一电极的电连接端引出至所述第二电极所在侧，可以便于从所述第二电极背离所述外延单元一侧给所述第一电极和所述第二电极施加电压，控制所述外延单元发光。
在上述实施例的基础上，在本申请一个实施例中，所述第三电极8的材料为金属材料，以降低所述第三电极的电阻，避免所述第三电极8影响所述LED芯片的电性能，本申请对此并不做限定，具体视情况而定。
在上述实施例的基础上，在本申请一个实施例中，继续参考图17和图18，该方法还包括：在所述第二连接电极6背离所述第一衬底1的一侧形成第三连接电极7，所述第三电极8与所述第三连接电极7同时形成。可选的，在本申请实施例中，所述第三连接电极7和所述第二连接电极6的高度之和与所述第一电极2、所述外延单元31和所述第二电极4的高度之和相同，即所述第三连接电极7背离所述第二连接电极6一侧的表面与所述第二电极4背离所述外延单元31一侧的表面平齐，但本申请对并不做限定，具体视情况而定。
需要说明的是，在上述实施例的基础上，在本申请一个实施例中，所述第三连接电极的材料为金属材料，所述金属材料可以与所述第三电极的材料相同，也可以与所述第三电极的材料不同，本申请对此并不做限定，具体视情况而定。
在上述实施例的基础上，在本申请一个实施例中，该方法在形成所述第三电极8之后，后续形成所述第一连接电极之前还包括：
参考图19，在相邻所述外延单元31之间填充绝缘材料，在所述LED芯片的空隙内形成绝缘结构9，以使得相邻所述外延单元31之间相互独立，从而使得相邻发光单元独立发光，互不影响。
在上述实施例的基础上，在本申请一个实施例中，所述绝缘结构的材料为二氧化硅，但本申请对此并不做限定，具体视情况而定。
需要说明的是，在本申请一个实施例中，所述绝缘结构具有多个开口，所述多个开口包括：位于所述第二电极背离所述第一衬底的正上方的第一开口，所述第一开口裸露所述第二电极至少部分表面，以便于后续通过所述第一开口使得二所述第二电极与所述第一连接电极电连接；位于所述第三电极背离所述第一衬底的正上方的第二开口，所述第二开口裸露所述第三电极至少部分表面，以便于后续通过所述第二开口给所述第一电极施加电压。
在上述实施例的基础上，在本申请一个实施例中，在相邻所述外延单元31之间填充绝缘材料，在所述LED芯片的空隙内形成绝缘结构9，所述绝缘结构具有多个开口包括：
参考图20，在所述第二电极4背离所述第一衬底1一侧填充绝缘材料，使得在所述第二电极4背离所述第一衬底1一侧形成覆盖整个LED的绝缘层90；
在所述绝缘层背离所述第一衬底一侧涂抹一层光刻胶，形成第三光刻胶层；
对所述第三光刻胶层进行曝光、显影，在所述绝缘层背离所述第一衬底一侧形成第三光刻胶图形；
以所述第三光刻胶图形为掩膜，对所述绝缘层进行刻蚀，使所述绝缘层形成具有所述第一开口和第二开口的绝缘结构；
去除所述第三光刻胶图形。
需要说明的是，在上述实施例的基础上，所述绝缘结构仍覆盖所述第三连接电极，避免在后续形成所述第一连接电极时，所述第一连接电极与所述第三连接电极电绝缘。
在上述实施例的基础上，在本申请一个实施例中，对所述绝缘层进行刻蚀，使得所述绝缘结构的高度与所述第二电极和所述第三电极的高度一样，暴露多个所述第二电极和所述第三电极表面，保证所述第二电极和所述第三电极表面方便与外部结构电连接即可，在本申请其他实施例中，所述绝缘结构的高度还可以低以所述第二电极和所述第三电极的高度，本申请对此并不做限定，只需保证相邻所述外延单元之间相互独立，相邻发光单元独立发光，互不影响即可，具体视情况而定。
S407：参考图21和图22，其中，图21为所述LED芯片的剖视图，图22为所述LED芯片的俯视图，在所述第二电极4背离所述外延结构3一侧形成多条沿第二方向Y延伸的第一连接电极5，所述第一连接电极5电连接沿第二方向Y排布的多个第二电极4，可选的，所述第一连接电极5的材料为金属材料，以降低所述第一连接电极的电阻，避免所述第一连接电极5影响所述LED芯片的电性能；
其中，所述第一方向X和所述第二方向Y不同，所述第一连接电极5和所述第一电极2共同控制位于所述第一连接电极5和所述第一电极2相交位置的外延单元31发光，由于所述第三电极与所述第一电极一一对应电连接，因此，也可以由所述第一连接电极5和所述第三电极8共同控制位于所述第一连接电极和所述第三电极相交位置的外延单元发光。
需要说明的是，在本申请一个实施例中，所述第一方向为所述LED芯片的纵向，所述第二方向为所述LED芯片的横向，在本申请另一个实施例中，所述第一方向还可以为所述LED芯片的横向，所述第二方向为所述LED芯片的纵向，本申请对此并不在限定，具体视情况而定。
具体的，在本申请实施例中，以所述第一方向为所述LED芯片的纵向，所述第二方向为所述LED芯片的横向为例进行描述。
在上述任一实施例的基础上，在本申请另一个实施例中，如图23所示，所述LED芯片还可以为不包括所述第二连接电极6和所述第三连接电极7，本申请对此并不做限定，具体视情况而定。
另外，本申请实施例还提供了一种显示面板，参考图24，该显示面板100包括上述任一实施例所提供的LED芯片101以及控制器102，所述控制器102用于通过所述第一电极与所述第一连接电极控制所述LED芯片中各外延单元发光。
具体的，在上述实施例的基础上，在本申请一个实施例中，继续参考图24，所述显示面板100包括所述LED芯片101和控制器102，其中，所述LED芯片101包括多个呈阵列排布的LED芯粒，每颗LED芯粒位于所述第一连接电极和所述第一电极相交位置，所述控制器102包括X1、X2、X3、Y1、Y2、Y3六个电连接点，且分别与所述第三电极和所述第一连接电极连接，由于所述第三电极与所述第一电极电连接，在所述显示面板工作时，通过所述第三电极与所述第一连接电极控制所述LED芯片中各外延单元发光，即通过相对应的所述控制器控制所述显示板中所述LED芯粒的发光而控制所述显示面板的发光，例如，继续参考图24，控制器控制电连接点X1和Y1通电后，所述LED芯粒1011亮，所述控制器控制电连接点X3和Y2通电后，所述LED芯粒1016亮，以此类推，通过控制器使得所述显示面板中所述LED芯片相应的LED芯粒发亮，达到显屏显示的效果。
综上所述，本申请实施例所提供的LED芯片及其制作方法中，所述LED芯片中的多个LED芯粒集体封装，减小所述LED芯粒之间的间距，从而减小了具有相同数量LED芯粒的LED芯片的整体面积，进而在显示面板面积不增加的前提下，可以放置更多的LED芯粒，提高显示面板包括的显示像素数量，进而提高显示面板的分辨率。
而且，本申请实施例所提供的LED芯片中，所述第一电极和所述第一连接电极上下交错设置，共同控制位于所述第一电极和第一连接电极相交位置的LED芯粒，相较于各LED芯粒单独控制，减小了相同LED芯粒数量下所需的焊点数量，从而进一步减小了相同LED芯粒数量所需占用的面积，进而进一步减小了具有相同数量LED芯粒的LED芯片的整体面积，从而在显示面板面积不增加的前提下，可以放置更多的LED芯粒，提高显示面板包括的显示像素数量，进而提高显示面板的分辨率。
本说明书中各个部分采用递进的方式描述，每个部分重点说明的都是与其他部分的不同之处，各个部分之间相同相似部分互相参见即可。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (8)
1.一种LED芯片，其特征在于，包括：
第一衬底；
位于所述第一衬底第一侧表面的多条沿第一方向延伸的第一电极，所述第一电极为P电极；
位于所述第一电极背离所述第一衬底一侧的外延结构，所述外延结构包括多个呈阵列排布的外延单元，相邻所述外延单元彼此独立，且位于所述第一方向上的多个外延单元电连接同一所述第一电极；
位于所述外延单元背离所述第一电极一侧表面的第二电极，所述第二电极与所述外延单元一一对应，且与所述外延单元电连接，所述第二电极为N电极；
位于所述第二电极背离所述外延结构一侧的多条沿第二方向延伸的第一连接电极，所述第一连接电极电连接沿第二方向排布的多个第二电极；
其中，所述第一方向和所述第二方向不同，所述第一连接电极和所述第一电极共同控制位于所述第一连接电极和所述第一电极相交位置的外延单元发光，以减小相同LED芯粒数量下所需的焊点数量，从而减小相同LED芯粒数量所需占用的面积。
2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，还包括：
位于所述第一电极背离所述第一衬底一侧的第三电极，所述第三电极与所述第一电极一一对应，且与所述第一电极电连接。
3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，还包括：位于相邻所述外延单元之间，填充所述LED芯片中空隙内的绝缘结构。
4.一种LED芯片的制作方法，其特征在于，该方法包括：
在第二衬底上形成外延结构；
在所述外延结构背离所述第二衬底一侧形成第一电极层；
在所述第一电极层背离所述外延结构一侧键合第一衬底，并去除所述第二衬底；
在所述外延结构背离所述第一电极层一侧形成多个呈阵列排布的第二电极，所述第二电极为N电极；
从所述第二电极一侧对所述外延结构进行刻蚀，形成多个彼此独立的外延单元，所述外延单元与所述第二电极一一对应，且与其对应的第二电极电连接；
从所述第二电极一侧对所述第一电极层进行刻蚀，形成多个沿第一方向延伸的第一电极，所述第一电极为P电极,位于所述第一方向上的多个外延单元电连接同一所述第一电极；
在所述第二电极背离所述外延结构一侧形成多条沿第二方向延伸的第一连接电极，所述第一连接电极电连接沿第二方向排布的多个第二电极；
其中，所述第一方向和所述第二方向不同，所述第一连接电极和所述第一电极共同控制位于所述第一连接电极和所述第一电极相交位置的外延单元发光，以减小相同LED芯粒数量下所需的焊点数量，从而减小相同LED芯粒数量所需占用的面积。
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，该方法还包括：
在所述第一电极背离所述第一衬底一侧形成多个第三电极，所述第三电极与所述第一电极一一对应，且与其对应的所述第一电极电连接。
6.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，从所述第二电极一侧对所述外延结构进行刻蚀，形成多个彼此独立的外延单元包括：
采用ICP工艺，从所述第二电极一侧对所述外延结构进行刻蚀，形成多个彼此独立的外延单元；
从所述第二电极一侧对所述第一电极层进行刻蚀，形成多个沿第一方向延伸的第一电极包括：
采用湿法刻蚀工艺，从所述第二电极一侧对所述第一电极层进行刻蚀，形成多个沿第一方向延伸的第一电极。
7.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，该方法在形成所述第一连接电极之前还包括：
在相邻所述外延单元之间填充绝缘材料，在所述LED芯片的空隙内形成绝缘结构。
8.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-3任一项所述的LED芯片以及控制器，所述控制器用于通过所述第一电极与所述第一连接电极控制所述LED芯片中各外延单元发光。
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Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
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Patent Citations (2)
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