KR20160083660A - 렌즈 삽입부 내에 접합 홈을 구비하는 칩 기판 - Google Patents

렌즈 삽입부 내에 접합 홈을 구비하는 칩 기판 Download PDF

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Abstract

본 발명은 칩 기판에 관한 것으로, 본 발명에 따른 칩 기판은수평 방향으로 적층되어 칩 기판을 구성하는 복수의 전도층; 상기 전도층과 교호로 형성되어 상기 전도층을 전기적으로 분리시키는 복수의 절연층; 상기 칩 기판의 상면 상에서 미리 결정된 수의 변을 갖고 상기 변과 변이 연장되어 만나는 영역에서는 호를 형성하는 단면의 홈으로 형성된 렌즈 삽입부; 상기 렌즈 삽입부의 내측 영역에서 상기 절연층을 포함하는 영역에 대하여 소정의 깊이에 이르는 홈으로 이루어지는 캐비티; 및 상기 렌즈 삽입부의 표면에 형성되는 접합홈을 포함한다. 본 발명에 따르면 렌즈가 삽입되는 공간을 직선을 포함하는 형상으로 형성할 수 있어, 삽입되는 렌즈 역시 직선을 포함하는 형상으로 제작가능 하므로 칩 기판에 삽입되는 렌즈의 제조 공정을 보다 단순화 할 수 있다.

Description

렌즈 삽입부 내에 접합 홈을 구비하는 칩 기판{Chip substrate comprising junction groove in lens insert}
본 발명은 칩 기판 및 이를 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 렌즈 삽입부 내에 접합 홈을 구비하는 칩 기판에 관한 것이다.
종래에는 칩 기판에 대하여 칩을 실장하기 위한 공간으로 칩 기판의 상부면에 기계적인 가공이나 화학적인 식각으로 형성하였다. 이러한 칩 기판에 UV나 LED와 같은 광소자 칩이 실장되는 경우에는 광반사 성능을 높이기 위해 상광하협(上廣下陜) 형상의 공간을 형성하였다. 이러한 공간을 형성한 후 칩을 실장하고 실장 공간을 봉지하는 데 있어, 렌즈를 성형하여 광효율을 높였다.
이때 렌즈를 성형함에 있어 칩 기판의 상면에서 보았을 때 실장을 위해 형성된 공간이 원형으로 형성되어 렌즈의 형상도 이에 대응되도록 원형으로 형성하였다. 다만, 렌즈를 원형으로 정밀하게 가공하기 위해서는 사각형이나 삼각형의 직선으로 형성된 렌즈를 가공하는 것에 비하여 제조공정 상 어려움이 있었다.
또한, 렌즈를 접합함에 있어 접합에 사용되는 접합제를 캐비티 내에 형성함에 있어, 접합제가 흘러 넘쳐 칩 기판의 발광부의 내로 침투하는 문제가 발생하였다.
본 발명은 상기 종래 기술의 문제를 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 렌즈가 삽입되는 공간을 직선을 포함하는 형상으로 형성한 칩 기판 구조를 제안하는 것을 목적으로 한다.
또한, 렌즈 삽입부 내에 접합 홈을 복수로 구비하여 흘러 넘치는 접합제를 수용할 수 있는 구조를 제안하는 것을 목적으로 한다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 실시예에 따른 렌즈 삽입부 내에 접합홈을 구비하는 칩 기판은 수평 방향으로 적층되어 칩 기판을 구성하는 복수의 전도층; 상기 전도층과 교호로 형성되어 상기 전도층을 전기적으로 분리시키는 복수의 절연층; 상기 칩 기판의 상면 상에서 미리 결정된 수의 변을 갖고 상기 변과 변이 연장되어 만나는 영역에서는 호를 형성하는 단면의 홈으로 형성된 렌즈 삽입부; 상기 렌즈 삽입부의 내측 영역에서 상기 절연층을 포함하는 영역에 대하여 소정의 깊이에 이르는 홈으로 이루어지는 캐비티; 및 상기 렌즈 삽입부의 표면에 형성되는 접합홈을 포함한다.
상기 칩 기판은, 상기 캐비티 내에서 적어도 하나의 상기 절연층으로 분리된 상기 전도층 상의 단위 영역에 형성되는 제1 금속 패드를 더 포함한다.
상기 칩 기판은, 상기 캐비티 내에서 상기 복수의 절연층으로 분리된 상기 복수의 전도층 상의 영역에 연속하여 형성되는 제2 금속 패드를 더 포함한다.
상기 접합홈은, 상기 렌즈 삽입부의 표면에서 상기 캐비티의 외곽을 둘러 형성되는 제1 접합홈; 및 상기 제1 접합홈을 둘러 형성되는 제2 접합홈을 포함한다.
상기 칩 기판은, 상기 칩 기판의 하면에 접합되는 방열부를 더 포함한다.
상기 칩 기판은, 상기 캐비티 내에서 상기 단위 영역을 표시하기 위한 마킹부를 더 포함한다.
상기 칩 기판은, 상기 칩 기판의 상면에 상기 절연층에 의해 분리된 상기 전도층 중 적어도 어느 하나의 전도층에 대하여 전극을 표시하기 위한 전극 표시부를 더 포함한다.
상기 칩 기판은, 상기 칩 기판의 측면에 상기 절연층을 포함하여 내측으로 오목한 측면홈을 더 포함한다.
본 발명에 따르면 렌즈가 삽입되는 공간을 직선을 포함하는 형상으로 형성할 수 있어, 삽입되는 렌즈 역시 직선을 포함하는 형상으로 제작가능 하므로 칩 기판에 삽입되는 렌즈의 제조 공정을 보다 단순화 할 수 있다.
또한, 접합 홈을 복수로 구비하여 접합 홈에서 흘러 넘치는 접합제가 다른 접합 홈으로 수용되며 따라서 접합제가 칩 기판의 발광부 내로 침투하는 문제를 해결할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 렌즈 삽입부 내에 접합홈을 구비하는 칩 기판의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 렌즈 삽입부 내에 접합홈을 구비하는 칩 기판의 배면도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 렌즈 삽입부 내에 접합홈을 구비하는 칩 기판의 상면도이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 렌즈 삽입부 내에 접합홈을 구비하는 칩 기판의 상면도이다.
이하의 내용은 단지 발명의 원리를 예시한다. 그러므로 당업자는 비록 본 명세서에 명확히 설명되거나 도시되지 않았지만 발명의 원리를 구현하고 발명의 개념과 범위에 포함된 다양한 장치를 발명할 수 있는 것이다. 또한, 본 명세서에 열거된 모든 조건부 용어 및 실시예들은 원칙적으로, 발명의 개념이 이해되도록 하기 위한 목적으로만 명백히 의도되고, 이와같이 특별히 열거된 실시예들 및 상태들에 제한적이지 않는 것으로 이해되어야 한다.
상술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해 질 것이며, 그에 따라 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다.
또한, 발명을 설명함에 있어서 발명과 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에 그 상세한 설명을 생략하기로 한다. 이하에는 첨부한 도면을 참조하여 상세하게 설명하는데, 편의상 칩으로서 LED를 예로 들어 설명한다.
본 실시예에서 칩 기판을 제조하기 위하여 소정의 두께를 갖는 복수의 전기 전도성 물질을 포함하는 전도층을 절연물질로 구성되는 절연층을 사이에 두고 접합하여 교호로 적층한다.
적층한 상태에서 가열 및 가압함으로써, 내부에 복수의 절연층이 간격을 두고 배열되어 있는 전도물질괴(塊)가 제조된다. 다음으로 이렇게 제조된 전도물질 괴를 절연층이 포함되도록 수직으로 절단함으로써, 복수의 수직 절연층이 간격을 두고 평행하게 배열된 칩 기판의 제조가 완료된다. 즉 본 실시예에서 일방향은 수직방향으로서, 전도물질괴를 적층방향에 따라 수직으로 절단하여 칩 기판을 제조한다.
상술한 방법에 따라 절단하여 제조된 칩 기판에 대하여 렌즈 삽입부 및 캐비티를 형성하여 본 실시예에 따른 렌즈 삽입부 내에 접합 홈을 구비하는 칩 기판을 제조한다.
본 실시예에서 칩 기판은 도 4와 같은 형태로서, 칩 기판의 상면에 복수의 렌즈 삽입부 및 캐비티가 형성될 수 있다. 다만 보다 상세한 설명을 위하여 하나의 렌즈삽입부 또는 캐비티를 포함하는 칩 기판을 예를 들어 설명한다. 즉, 도 1 내지 3에 따른 칩 기판은 하나의 단위 칩 기판으로서 도 4에 따른 칩 기판을 렌즈 삽입부를 단위로 절단하여 제조될 수 있다.
이하 도 1을 참조하여, 본 실시예에 따른 렌즈 삽입부 내에 접합홈을 구비하는 칩 기판에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 칩 기판(100)의 상면도이다. 도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 렌즈 삽입부(140)를 구비하는 칩 기판(100)은 전도층(110), 절연층(120), 캐비티(130), 렌즈 삽입부(140), 접합홈(152, 154)을 포함한다. 즉 본 실시예에 따른 칩 기판(100)을 위에서 보면 사각형의 칩 기판(100)에 대하여 내측으로 렌즈 삽입부(140)가 형성되며, 렌즈 삽입부(140)의 내측으로 캐비티(130)가 형성된다. 이때 렌즈 삽입부(140)와 캐비티(130)는 절연층(120)을 포함하여 형성된다.
본 실시예에서 전도층(110)은 일 방향으로 적층되어 칩 기판(100)을 구성하는 것으로서, 후공정에 의해 실장되는 칩에 전극을 인가하는 전극으로서 기능하게 된다. 여기서, 일방향이란 상술한 바와 같이 적층단계에서 절연층(120)과 교호적으로 적층되는 전도층(110)의 적층방향에 따라 형성되는 것이며, 도 1에 따르면 수평방향으로 적층되어 형성 된다.
절연층(120)은 전도층(110)과 교호로 적층되어 전도층(110)을 전기적으로 분리시킨다. 즉 절연층(120)을 사이에 두고 절연되어 있는 칩기판은 각각 (+) 전극 단자, (-) 전극 단자로 기능할 수 있다.
본 실시예에서 절연층(120)은 두개의 전도층(110) 사이에 하나 존재하는 것을 예로 들어 설명하나, 3개의 전도층(110) 사이에 두개의 절연층(120)이 형성되어 칩 기판(100)을 구성하는 것도 가능하며, 그 용도에 따라서 더욱 많은 절연층(120)이 형성되는 것도 가능하다.
렌즈 삽입부(140)는 칩 기판(100)의 상면에서 상기 절연층(120)을 포함하는 영역에 대하여 소정 깊이에 이르는 홈으로 이루어지되, 상기 렌즈 상면 상에서 미리 결정된 수의 변을 갖고 상기 변과 변이 만나는 영역에서는 호를 형성한다.
도 3을 참조하여 보다 상세히 설명하면, 렌즈 삽입부(140)는 전도층(110)과 절연층(120) 그리고 전도층(110) 순으로 적층되어 형성된 칩 기판(100)의 상면에 대하여, 절연층(120)을 포함하는 영역에 걸쳐 홈으로 형성된다. 구체적으로 본 실시예에서 렌즈 삽입부(140)의 단면의 형상은 4개의 변을 갖고 각 변이 만나는 4개의 모서리에는 호가 형성된다.
이때, 본 실시예에서 모서리는 둥글게 호로 형성되는 것이 바람직하다. 제조 공정상 렌즈 삽입부(140)를 형성하기 위해 칩 기판(100)에 홈을 내는데 있어 밀링 머신과 같은 회전 운동을 하는 절단기를 이용하는 경우에는 직각의 모서리를 단면으로 갖는 홈을 형성하는 것이 어려우므로, 설계시 직선운동을 통해 변을 형성하고 다음 변을 형성하는 데 있어서 소정의 곡률에 따른 호를 통해 절단기가 다음으로 형성 과정으로 진행할 수 있게 하기 위함이다.
즉, 호를 통해 다음 변의 위치로 이동하게 함으로써 연속된 공정으로 더욱 용이하게 홈을 형성 할 수 있다.
보다 상세하게는 도 3에 도시된 바와 같이 본 실시예에서 호는 변과 변의 연장선이 형성하는 영역의 외부로 돌출되어 형성되는 것이 바람직하다. 즉, 변과 변의 연장선 내부로 호가 형성되는 경우 삽입되는 렌즈의 모서리를 호의 곡률에 대응되도록 가공하여야 하나, 본 실시예에 따른 바와 같이 호를 변과 변이 이루는 모서리보다 바깥으로 형성하게 되면 모서리가 직각인 렌즈를 삽입하더라도 용이하게 수용이 가능하며 각 변을 통해 렌즈를 고정할 수 있게 된다.
이때 렌즈 삽입 후 호와 렌즈의 공극은 후처리를 통해 봉지하여 렌즈의 삽입을 마무리할 수 있다.
본 실시예에서는 사각형의 렌즈를 수용하기 위하여 네개의 변을 갖는 렌즈 삽입부(140)를 설명하였으나, 용도 및 렌즈의 형상에 따라서 그 변의 개수를 달리할 수 있으며, 호를 모든 변과 변이 만나는 영역이 아니라 일부에만 형성하고 일부에는 변과 변이 만나는 모서리로 형성되도록 할 수 있다.
또한 본 실시예에 따른 칩 기판(100)의 렌즈 삽입부(140)는 칩 기판(100)의 상면 상에서 상기 변의 외측으로 돌출되어 형성된 호(미도시)를 더 포함할 수 있다.
즉, 도 3에서 렌즈 삽입부(140)의 마주보는 두 변에 대하여 돌출된 호를 형성함으로 써 사각형의 렌즈를 이동 및 결합함에 있어 흡착방법이 아닌 지그(jig) 또는 로봇을 이용할 경우, 기판에 지그 홈을 마련하여 접합공정을 원활하게 진행, 또는 정밀하게 접합하는데 도움을 줄 수 있다.
본 실시예에 따른 칩 기판(100)은 이상의 설명에 따라 형성된 렌즈 삽입부(140)의 내측에서, 절연층(120)을 포함하는 영역에 대하여 형성된 캐비티(130)를 더 포함할 수 있다.
따라서 도 2를 참조하면, 칩 기판(100)의 소정의 깊이 만큼 홈이 형성됨으로 내측 방향으로 렌즈 삽입부(140)가 형성되고, 이에 대하여 렌즈삽입부(140)의 깊이보다 더욱 깊은 영역에 대하여 캐비티(130)가 형성된다.
본 실시예에서 아래쪽으로 갈수록 폭이 좁은, 상광하협 형상으로 이루어지는 것이 바람직하다. 캐비티(130)는 실장되는 칩의 광반사 성능을 높이기 위해 상광하협의 형상으로 형성되므로, 대각선으로 기울어진 외벽이 형성될 수 있다.
또한 도 1 및 도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 렌즈 삽입부(140)는 렌즈 삽입시 렌즈와 접촉되는 면에 소정의 깊이에 이르는 제1, 제2 접합홈(152, 154)을 더 포함할 수 있다.
즉, 본 실시예에서는 렌즈 삽입부(140)의 둘레를 따라, 접촉 면에서 소정의 홈으로 이루어지는 제2 접합홈(152)의 공간에 접합제를 주입하고 렌즈를 접합한다. 이때 렌즈 접합시 사용하는 접합제가 접합부위 내외로 오버플로우 될 수 있으므로, 이를 예방하고 접합제의 정량 사용을 위하여 렌즈와의 접합면에 별도의 제1 홈(154)이 마련될 수 있다.
즉, 도 1 및 도 3을 기준으로 캐비티와 가까운 홈이 제1 접합홈(154)이며, 제1 접합홈을 둘러서 제2 접합홈(152)으로 구성될 수 있다. 따라서 접합을 위한 접합제를 제2 접합홈(152)에 주입하되, 흘러 넘치는 여분의 접합제는 제1 접합홈(154)의 공간에 수용되게하여, 접합제가 캐비티 내부로 흘러 들어가는 것을 방지할 수 있다.
또한 본 실시예에 따른 칩 기판은 제1 금속 패드(160)를 더 포함할 수 있다. 본 실시예에서 제1 금속 패드(160)는 캐비티(130) 내의 절연부로 분리된 전도층 각각의 표면상에서 소정의 높이로 형성되어 칩에 형성된 전극부와 접합된다.
본 실시예에서 제1 금속 패드(160)는, 절연층(120)로 분리된 전도층(110) 각 각의 표면상에서 소정의 높이로 형성되어 칩(200)에 형성된 전극부와 접합된다. 즉 제1 금속 패드(160)는 전도층(110)의 표면, 도 3을 참조하면 캐비티(130)의 중심부에 해당하는 전도층(110)의 표면 상에 형성된다.
즉 구리와 같은 금속으로 구성된 제1 금속 패드(160)을 적층하고 플립 칩과 같이 칩 밑면에 전극부가 형성된 칩은 절연층(120)으로 나누어진 제1 금속 패드(160)에 직접 접합하여 실장할 수 있다.
추가적으로 도 1 및 도 3에 따르면, 제1 금속 패드(160)의 형성 위치를 가이드하기 위한 금속 패드의 단위 영역을 표시하는 마킹부(170)를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 실시예에 따른 칩 기판은 제2 금속 패드(180)를 더 포함할 수 있다. 제2 금속 패드(180)는 캐비티 내에서 복수의 절연층으로 분리된 복수의 전도층 상의 영역에 연속하여 형성된다.
제2 금속 패드(180)는 다수의 플립 칩의 실장을 위하여 직병렬 구조로 설계된 기판 내에서 칩의 보호를 위한 제너 다이오드로 기능할 수 있다. 따라서 본 실시예에서 제2 금속 패드(180)는 캐비티 내에서 상기 복수의 절연층으로 분리된 상기 복수의 전도층 상의 영역에 연속하여 형성될 수 있다.
또한, 본 실시예에 따른 기판(100)은 전도층(110)에 전극을 인가하기 위하여 칩 기판의 상면에 형성되는 전극 연결부(160)를 더 포함할 수 있다.
즉, 도 1 및 도 3을 참조하면, 기판(100)의 상면에 전극을 인가하기 위한 전극 연결부(210)가 각각 형성될 수 있다. 또한, 전극을 사용자가 인지하기 쉽도록 전극 연결부 주위에 전극 표시부(220)를 더 포함할 수 있다.
도 1을 참조하면, 본 실시예에서 칩 기판(100)은 복수의 전도층(110) 사이에 복수의 절연층(120)이 형성되며, 따라서 절연층(120)으로 분리된 전도층(110) 중 양단의 전도층(110)에는 각각 다른 전극이 인가될 수 있다. 또는 약속된 표시의 마킹을 적어도 하나의 전도층(110)의 표면에 하여 마킹된 부분의 전도층(110)이 예를 들어 (+)극이 인가된 것으로 미리 약속하여 보다 용이하게 전도층(110)의 전극을 판단할 수 있다.
또한, 본 실시예에 따른 칩 기판(100)은 측면홈(190, 192)과 볼팅부(230)를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 따른 측면홈(190, 192)은 도 4를 참조하여 설명한다. 도 4는 도 1에 따른 단위 칩 기판을 제조하기 위한 칩 기판의 구성으로 도 4에 따르면 5개의 단위 칩 기판을 포함하는 구조로 설계되어 있다. 즉, 도 4에 따른 칩 기판을 절단하여 도 1에 따른 칩 기판을 각각 제조하게 된다.
따라서 절단으로, 소잉(sawing) 또는 다이싱(dicing) 과정에서 버(burr)가 발생될 수 있으며, 버가 매우 얇은 층으로 형성된 절연층에 접합되거나 하여 절연층을 손상시켜 기판의 절연이 파괴됨으로써 쇼트와 같은 불량이 발생하는 문제점이 있었다.
이를 해결하기 위하여 본 실시예에 따른 칩 기판(100)은 절단되는 부위에서 절연층을 포함하는 영역에 도 4에 따르면 관통공(190, 192)을 포함하며, 절단되면 도 1과 같은 측면홈(190,192)이 형성되게 한다. 즉, 관통공이 형성된 부분에는 소잉 이나 다이싱 과정에서 빈 공간으로 존재하게 되므로 버가 발생하지 않게 된다.
또한, 본 실시예에 따른 칩 기판(100) 볼팅부(230)를 형성하여 칩 기판과 다른 PCB 기판의 접합시 볼팅을 통해 보다 용이하게 칩 기판을 접합할 수 있다. 볼팅부 역시 도 4에 따르면 관통공(230)의 형상으로 구성되며, 절단 후 도 1과 같은 볼팅부(230)로 구성될 수 있다.
도 4에서 홈(240)은 칩 기판의 절단을 위하여 칩 기판을 고정하기 위한 용도로 이용될 수 있다. 즉 홈(240)에 핀을 삽입하여 기판을 고정시킨 채 절단하여, 도 1에 따른 칩 기판을 제조할 수 있다.
또한, 도 2를 참조하면 도 2는 본 실시예에 따른 칩 기판(100)은 칩 기판의 하면을 나타내는 도로서, 본 실시예에 따른 칩 기판의 하면에는 방열부(미도시)를 더 포함할 수 있다.
즉, 캐비티(130) 내에 광소자 칩을 실장한 후 칩에서 발생되는 열을 외부로 방열시키기 위하여 칩 기판(100) 하면에 방열부(미도시)를 접합할 수 있다.
이때, 방열부는 칩 기판(100)의 하면의 절연층(120)과 전도층(110)에 접합되는 방열 인터페이스부와, 방열 인터페이스부에 접합되어 발생되는 열을 확산시키는 열확산부로 구성될 수 있다. 이때, 기판 하단에 방열기능의 방열 인터페이스부(152)(TIM,thermal interface materials)는 절연 성능과 방열 성능을 갖도록 인슐레이터로 구성될 수 있으며, 방열 인터페이스부 밑에는 구리나 알루미늄과 같은 금속 시트로 구성되는 열확산부를 더 포함할 수 있다.
따라서, 방열 인터페이스부의 두께는 방열특성을 고려하여 얇은 것이 바람직하다.
이상의 칩 기판은 종래의 원형의 칩 실장 공간에 따라 렌즈의 형상 역시 원으로 형성해야 함에 따른 제조 공정상의 어려움을 해결하기 위하여 고안된 것으로서, 본 실시예에서는 칩이 실장되는 원형의 캐비티를 형성함에 앞서 직선을 포함하는 렌즈 삽입부를 형성하여 렌즈는 사각형과 같은 직선을 갖는 형상으로 형성되게 함으로 써 공정을 보다 용이하게 할 수 있다.
나아가, 렌즈 삽입부의 변과 변이 만나는 부분에는 호를 형성하여 렌즈 삽입부의 홈을 내는데 있어서 보다 용이하게 절단기가 변과 변을 이동할 수 있으며, 변에는 별도의 지그 홈을 형성하여 렌즈 접합 공정을 보다 용이하게 할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면 하나의 기판 내에 복수의 광소자 칩이 실장될 수 있는 구조를 구현하여 실장되는 복수의 칩을 직병렬 구조로 연결되도록 할 수있다. 따라서 공급되는 전류의 양을 병렬로 구현할 때에 비하여 감소시칼 수 있으며, 궁극적으로 전력소비를 감소시킬 수 있다. 나아가, 칩 기판의 측면에 형성되는 홈을 통해 절단 공정에 따른 버로부터 절연층의 손상을 방지할 수 있으며, 칩 기판의 하면에 부착되는 방열부를 통해 방열 효과를 향상 시킬 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정, 변경 및 치환이 가능할 것이다.
따라서, 본 발명에 개시된 실시예 및 첨부된 도면들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예 및 첨부된 도면에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (8)

  1. 수평 방향으로 적층되어 칩 기판을 구성하는 복수의 전도층;
    상기 전도층과 교호로 형성되어 상기 전도층을 전기적으로 분리시키는 복수의 절연층;
    상기 칩 기판의 상면 상에서 미리 결정된 수의 변을 갖고 상기 변과 변이 연장되어 만나는 영역에서는 호를 형성하는 단면의 홈으로 형성된 렌즈 삽입부;
    상기 렌즈 삽입부의 내측 영역에서 상기 절연층을 포함하는 영역에 대하여 소정의 깊이에 이르는 홈으로 이루어지는 캐비티; 및
    상기 렌즈 삽입부의 표면에 형성되는 접합홈을 포함하는 것을 특징으로 하는 렌즈 삽입부 내에 접합 홈을 구비하는 칩 기판.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 칩 기판은,
    상기 캐비티 내에서 적어도 하나의 상기 절연층으로 분리된 상기 전도층 상의 단위 영역에 형성되는 제1 금속 패드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 렌즈 삽입부 내에 접합 홈을 구비하는 칩 기판.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 칩 기판은,
    상기 캐비티 내에서 상기 복수의 절연층으로 분리된 상기 복수의 전도층 상의 영역에 연속하여 형성되는 제2 금속 패드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 렌즈 삽입부 내에 접합 홈을 구비하는 칩 기판.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 접합홈은,
    상기 렌즈 삽입부의 표면에서 상기 캐비티의 외곽을 둘러 형성되는 제1 접합홈; 및
    상기 제1 접합홈을 둘러 형성되는 제2 접합홈을 포함하는 것을 특징으로 하는 렌즈 삽입부 내에 접합 홈을 구비하는 칩 기판.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 칩 기판은,
    상기 칩 기판의 하면에 접합되는 방열부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 렌즈 삽입부 내에 접합 홈을 구비하는 칩 기판.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 칩 기판은,
    상기 캐비티 내에서 상기 단위 영역을 표시하기 위한 마킹부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 렌즈 삽입부 내에 접합 홈을 구비하는 칩 기판.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 칩 기판은,
    상기 칩 기판의 상면에 상기 절연층에 의해 분리된 상기 전도층 중 적어도 어느 하나의 전도층에 대하여 전극을 표시하기 위한 전극 표시부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 렌즈 삽입부 내에 접합 홈을 구비하는 칩 기판.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 칩 기판은,
    상기 칩 기판의 측면에 상기 절연층을 포함하여 내측으로 오목한 측면홈을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 렌즈 삽입부 내에 접합 홈을 구비하는 칩 기판.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101668353B1 (ko) * 2014-11-03 2016-10-21 (주)포인트엔지니어링 칩 기판 및 칩 패키지 모듈

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060114526A (ko) * 2005-05-02 2006-11-07 삼성전기주식회사 발광소자 패키지
KR100764432B1 (ko) * 2006-04-05 2007-10-05 삼성전기주식회사 아노다이징 절연 층을 갖는 엘이디 패키지 및 그 제조방법
JP2011165833A (ja) * 2010-02-08 2011-08-25 Toshiba Corp Ledモジュール
US20130126913A1 (en) * 2011-11-22 2013-05-23 Jon-Fwu Hwu Thin multi-layer led array engine
KR20140018771A (ko) * 2012-08-03 2014-02-13 (주)포인트엔지니어링 광디바이스 제조 방법 및 이에 의해 제조된 광디바이스
US20140327024A1 (en) * 2011-08-01 2014-11-06 Steq Inc. Semiconductor device and fabrication method for same

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1228863C (zh) * 2002-07-04 2005-11-23 菱生精密工业股份有限公司 发光二极管的封装成型方法及成品结构
US7425083B2 (en) * 2005-05-02 2008-09-16 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Light emitting device package
TWI502384B (zh) * 2013-02-19 2015-10-01 Acer Inc 檔案追蹤方法及其所適用之網路通訊裝置
KR20150075418A (ko) 2013-11-20 2015-07-06 (주)포인트엔지니어링 렌즈 삽입부를 구비하는 칩 원판

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060114526A (ko) * 2005-05-02 2006-11-07 삼성전기주식회사 발광소자 패키지
KR100764432B1 (ko) * 2006-04-05 2007-10-05 삼성전기주식회사 아노다이징 절연 층을 갖는 엘이디 패키지 및 그 제조방법
JP2011165833A (ja) * 2010-02-08 2011-08-25 Toshiba Corp Ledモジュール
US20140327024A1 (en) * 2011-08-01 2014-11-06 Steq Inc. Semiconductor device and fabrication method for same
US20130126913A1 (en) * 2011-11-22 2013-05-23 Jon-Fwu Hwu Thin multi-layer led array engine
KR20140018771A (ko) * 2012-08-03 2014-02-13 (주)포인트엔지니어링 광디바이스 제조 방법 및 이에 의해 제조된 광디바이스

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