JP6674281B2 - Package forming method - Google Patents

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Description

本発明は、例えばＷＬ−ＣＳＰウェーハ等の複数の電極を有するデバイスチップと、電極に接続する金属凸部とを封止材で封止したパッケージを形成するパッケージ形成方法に関する。   The present invention relates to a package forming method for forming a package in which a device chip having a plurality of electrodes, such as a WL-CSP wafer, and a metal projection connected to the electrodes are sealed with a sealing material.

ＷＬ−ＣＳＰ（Wafer-level Chip Size Package）とは、デバイスウェーハの状態で再配線や電極、及び金属ポストや金属バンプを形成後、表面側を樹脂封止し、切削ブレード等を用いて個片化までを行う半導体パッケージ技術であり、デバイスウェーハを個片化した後のデバイスチップの大きさがパッケージの大きさになるため、小型化及び軽量化の観点からも広く採用されている。   The WL-CSP (Wafer-level Chip Size Package) is a device wafer that is formed with rewiring, electrodes, metal posts and metal bumps, sealed with resin on the front side, and cut individually using a cutting blade. This is a semiconductor package technology that extends to the size reduction, and since the size of a device chip after singulating a device wafer becomes the size of the package, it is widely adopted from the viewpoint of miniaturization and weight reduction.

ＷＬ−ＣＳＰ製造ステップでは、複数のデバイスが形成されたデバイスウェーハのデバイス面側に再配線層を形成し、デバイスの電極に接続する金属ポストや金属バンプ等の金属凸部を形成した後、デバイス及び金属凸部を封止材で封止する。次いで、封止材を薄化するとともに金属凸部を封止材の上面に露出させた後、金属凸部の端面に外部端子を形成する。その後、切削装置等において個々のデバイスチップへと分割する（例えば、下記の特許文献１を参照）。   In the WL-CSP manufacturing step, a redistribution layer is formed on the device surface side of a device wafer on which a plurality of devices are formed, and metal protrusions such as metal posts and metal bumps connected to the electrodes of the device are formed. And the metal protrusions are sealed with a sealing material. Next, after reducing the thickness of the sealing material and exposing the metal protrusions on the upper surface of the sealing material, external terminals are formed on the end surfaces of the metal protrusions. After that, it is divided into individual device chips in a cutting device or the like (for example, see Patent Document 1 below).

デバイスチップを衝撃や湿気等から保護するために、封止材で封止することが重要であり、通常、封止材はSiCからなるフィラーが含有された樹脂からなる。フィラーを混入することで封止材の熱膨張率をデバイスチップの熱膨張率に近づけ、熱膨張率の差によって生じる加熱時のパッケージ破損を防止している。一方、ＷＬ−ＣＳＰウェーハの封止材を薄化して金属凸部の高さを揃えるとともに封止材の上面に金属凸部を露出させるには、ダイヤモンドをガラスや樹脂等で固めた研削砥石を有するグラインダと呼ばれる研削装置や、例えば単結晶ダイヤモンドからなる切り刃を備えたバイト切削装置が利用されている（例えば、下記の特許文献２を参照）。   It is important to seal the device chip with a sealing material in order to protect the device chip from impact, moisture, and the like. Usually, the sealing material is made of a resin containing a filler made of SiC. By incorporating a filler, the coefficient of thermal expansion of the sealing material is made closer to the coefficient of thermal expansion of the device chip, thereby preventing package damage during heating caused by a difference in coefficient of thermal expansion. On the other hand, in order to reduce the thickness of the sealing material of the WL-CSP wafer to make the heights of the metal protrusions uniform and to expose the metal protrusions on the upper surface of the sealing material, a grinding wheel made of diamond or glass or resin is used. A grinding device called a grinder having the same or a cutting tool having a cutting blade made of, for example, single crystal diamond is used (for example, see Patent Document 2 below).

特開２００９−５９７７１号公報JP 2009-59771 A 特開２０１５−４７６５１号公報JP 2015-47651 A

ところが、単結晶ダイヤモンドからなる切り刃でフィラーを含む封止材を切削したり、研削砥石でフィラーを含む封止材を研削したりすると、切り刃又は研削砥石が早期に摩滅してしまうという問題がある。   However, when cutting a sealing material containing a filler with a cutting blade made of single crystal diamond or grinding a sealing material containing a filler with a grinding wheel, the cutting blade or the grinding wheel is worn out early. There is.

本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、加工工具の摩耗を抑制できるようにすること目的としている。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to suppress wear of a working tool.

本発明は、電極を有するデバイスと該デバイスの該電極とに接続する金属凸部が封止材で封止されたパッケージを形成するパッケージ形成方法であって、フィラーを含有した封止材を該デバイス上に供給して該デバイスと該金属凸部との少なくとも一部を覆う封止材層を形成する封止材供給ステップと、該封止材供給ステップで形成した該封止材層中で該フィラーを沈降させて該封止材層の上部にフィラー無し部を形成するフィラー無し部形成ステップと、該フィラー無し部形成ステップを実施した後、該フィラー無し部の上面を該金属凸部とともにバイトユニットで切削して該金属凸部の端面と該封止材層の上面とを平坦にするとともに該金属凸部の端面と封止材層の上面との高さを仕上げ高さに揃える加工ステップと、を備え、該フィラー無し部形成ステップでは、該フィラー無し部の厚みを該加工仕上げ高さに余裕代を加えた該加工ステップにおいて除去する厚みとし、該余裕代は、ウェーハの厚みばらつきと加工精度を加味して設定する。 The present invention provides a package forming method for forming a package in which a device having an electrode and a metal protrusion connected to the electrode of the device are sealed with a sealing material, wherein the sealing material containing a filler is formed by the method. A sealing material supply step of forming a sealing material layer that is provided on the device and covers at least a part of the device and the metal protrusion, and in the sealing material layer formed in the sealing material supply step, Filler-free portion forming step of forming the filler-free portion on the sealing material layer by settling the filler, and after performing the filler-free portion forming step, the upper surface of the filler-free portion together with the metal convex portion A process in which the end surface of the metal protrusion and the upper surface of the sealing material layer are flattened by cutting with a bite unit, and the height of the end surface of the metal protrusion and the upper surface of the sealing material layer are adjusted to the finishing height. comprising the steps, a, the filler Without portion forming step, the thickness of the filler without unit and the thickness to be removed in the processing step plus margin to the finishing height, the margin is in consideration of the machining accuracy and the thickness variation of the wafer Set .

本発明のパッケージ形成方法では、フィラーを含有した封止材をデバイス上に供給してデバイスと金属凸部との少なくとも一部を覆う封止材層を形成する封止材供給ステップと、封止材供給ステップで形成した封止材層中でフィラーを沈降させて封止材層の上部にフィラー無し部を形成するフィラー無し部形成ステップと、該フィラー無し部形成ステップを実施した後、フィラー無し部の上面を金属凸部とともに切削又は研削して金属凸部の端面と封止材層の上面とを平坦にする加工ステップと、を備えたため、例えば切り刃又は研削砥石などの加工工具がフィラーに接触することなく、封止材層の上面に金属凸部の端面を露出させて、金属凸部の端面と封止材層の上面とを平坦にすることができる。これにより、加工工具が摩耗するのを抑制でき、加工工具の寿命を延ばすことができる。   In the package forming method of the present invention, a sealing material supplying step of supplying a sealing material containing a filler onto the device to form a sealing material layer covering at least a part of the device and the metal convex portion; A filler-free part forming step of forming a filler-free part on the sealing material layer by sedimenting the filler in the sealing material layer formed in the material supply step, and after performing the filler-free part forming step, there is no filler Processing step of cutting or grinding the upper surface of the portion together with the metal convex portion to flatten the end surface of the metal convex portion and the upper surface of the sealing material layer, so that a processing tool such as a cutting blade or a grinding wheel is used as a filler. The end surface of the metal protrusion is exposed on the upper surface of the sealing material layer without contacting the sealing material layer, and the end surface of the metal protrusion and the upper surface of the sealing material layer can be flattened. Thereby, wear of the working tool can be suppressed, and the life of the working tool can be extended.

デバイスウェーハの一部拡大断面図である。It is a partial expanded sectional view of a device wafer. 封止材供給ステップにより形成されたＷＬ−ＣＳＰウェーハの一部拡大断面図である。It is a partially expanded sectional view of the WL-CSP wafer formed by the sealing material supply step. フィラー無し部形成ステップを示しており、（ａ）は封止材層中のフィラーが沈降する前の状態を示す一部拡大断面図であり、（ｂ）は封止材層中のフィラーが沈降してフィラー無し部が形成された状態の一部拡大断面図である。FIG. 4A is a partially enlarged cross-sectional view illustrating a state before filler in a sealing material layer is settled, and FIG. 5B is a partially enlarged cross-sectional view illustrating a state before filler in a sealing material layer is settled; FIG. 4 is a partially enlarged cross-sectional view showing a state where a filler-free portion is formed. 加工ステップを示す側面図である。It is a side view which shows a processing step. 加工ステップ後のＷＬ−ＣＳＰウェーハの一部拡大断面図である。It is a partially expanded sectional view of the WL-CSP wafer after a processing step.

図１に示すデバイスウェーハ１は、被加工物の一例であって、例えば、ベースとなる基板を有している。かかる基板の表面１ａには、格子状に形成された分割予定ラインＳによって区画された各領域に電極２を有するＬＳＩ等のデバイス３が形成されている。   The device wafer 1 shown in FIG. 1 is an example of a workpiece and has, for example, a substrate serving as a base. On the surface 1a of such a substrate, devices 3 such as LSIs having electrodes 2 in respective regions defined by the planned dividing lines S formed in a lattice are formed.

基板の表面１ａには、再配線層４が形成されている。再配線層４上には、デバイス３の電極２に電気的に接続するための複数の金属凸部５が形成されている。金属凸部５は、例えば銅（Cu）や銅合金などの金属からなる導電性のポストである。以下では、添付の図面を参照しながら、デバイス３と金属凸部５とが封止材で封止されたパッケージを形成するパッケージ形成方法について説明する。   A redistribution layer 4 is formed on the surface 1a of the substrate. On the redistribution layer 4, a plurality of metal protrusions 5 for electrically connecting to the electrodes 2 of the device 3 are formed. The metal protrusion 5 is a conductive post made of a metal such as copper (Cu) or a copper alloy. Hereinafter, a package forming method for forming a package in which the device 3 and the metal protrusion 5 are sealed with a sealing material will be described with reference to the accompanying drawings.

（１）封止材供給ステップ
図２に示すように、デバイスウェーハ１の表面側を樹脂封止してＷＬ−ＣＳＰ（Wafer Level‐Chip Size Package）ウェーハＷを形成する。具体的には、フィラー６を含有した封止材７をデバイス３上に供給してデバイス３と金属凸部５との少なくとも一部を覆う封止材層８を形成する。封止材７としては、加熱によって硬化する熱硬化性樹脂を使用することが好ましく、例えばエポキシ樹脂を使用する。また、封止材層８の形成は、例えばスピンコートにより行う。 (1) Sealing Material Supply Step As shown in FIG. 2, the front side of the device wafer 1 is resin-sealed to form a WL-CSP (Wafer Level-Chip Size Package) wafer W. Specifically, the sealing material 7 containing the filler 6 is supplied onto the device 3 to form a sealing material layer 8 covering at least a part of the device 3 and the metal protrusion 5. As the sealing material 7, a thermosetting resin that is cured by heating is preferably used, and for example, an epoxy resin is used. The formation of the sealing material layer 8 is performed by, for example, spin coating.

図２の部分拡大図に示すように、封止材７には、封止材７の熱膨張率をデバイスウェーハ１の熱膨張率に近づけるために、フィラー６を混入させておく。フィラー６としては、例えば、シリカからなる微粒子を使用することができる。そして、フィラー６入りの封止材７中にデバイス３及び金属凸部５が埋設されるように封止することにより、デバイスウェーハ１の表面１ａ側を覆う封止材層８を形成してＷＬ−ＣＳＰウェーハＷを形成する。   As shown in a partially enlarged view of FIG. 2, a filler 6 is mixed in the sealing material 7 in order to make the coefficient of thermal expansion of the sealing material 7 close to the coefficient of thermal expansion of the device wafer 1. As the filler 6, for example, fine particles made of silica can be used. Then, by sealing the device 3 and the metal protrusion 5 so as to be embedded in the sealing material 7 containing the filler 6, a sealing material layer 8 that covers the surface 1a side of the device wafer 1 is formed. -Form a CSP wafer W.

（２）フィラー無し部形成ステップ
図３に示すように、封止材供給ステップで形成したＷＬ−ＣＳＰウェーハＷを所定時間放置して封止材層８中のフィラー６を沈降させる。図３（ａ）に示すように、上記の封止材供給ステップを実施した直後のＷＬ−ＣＳＰウェーハＷにおいては、封止材層８の全域にフィラー６が分散しているが、この状態のＷＬ−ＣＳＰウェーハＷを所定時間放置すると、封止材層８中のフィラー６がその自重によって沈降する。すなわち、時間の経過にともなって封止材層８中でフィラー６が徐々に沈降していき、ＷＬ−ＣＳＰウェーハＷの放置時間が所定時間経過した時点で、図３（ｂ）に示すように、封止材層８の上部側にフィラー６が含まれていないフィラー無し部９を形成することができる。ＷＬ−ＣＳＰウェーハＷの放置時間は、放置時間の異なる複数のパッケージを準備し、それぞれのパッケージについて加熱時の破損状況を検査し、破損や反りのないパッケージの放置時間を選択するのに加え、それぞれのパッケージにバイトによる切削を施してみて、バイトが異常摩耗しないかどうかを確認し、バイトが異常摩耗しない放置時間、即ちバイトの切り込み深さに至る領域にフィラー無し部９が形成されているパッケージの放置時間を選択するとよい。 (2) Fillerless part forming step As shown in FIG. 3, the WL-CSP wafer W formed in the sealing material supply step is left for a predetermined time to settle the filler 6 in the sealing material layer 8. As shown in FIG. 3A, in the WL-CSP wafer W immediately after performing the above-described sealing material supply step, the filler 6 is dispersed throughout the sealing material layer 8. When the WL-CSP wafer W is left for a predetermined time, the filler 6 in the sealing material layer 8 is settled by its own weight. That is, the filler 6 gradually sinks in the sealing material layer 8 with the elapse of time, and when the leaving time of the WL-CSP wafer W elapses a predetermined time, as shown in FIG. In addition, a filler-free portion 9 containing no filler 6 can be formed on the upper side of the sealing material layer 8. The leaving time of the WL-CSP wafer W is determined by preparing a plurality of packages having different leaving times, inspecting each package for damage at the time of heating, and selecting a leaving time of the package without breakage or warpage. Each package is subjected to cutting with a cutting tool to check whether the cutting tool is abnormally worn. The filler-free portion 9 is formed in an area where the cutting tool is left unattended, that is, the cutting depth of the cutting tool. It is advisable to select the time for leaving the package.

本実施形態に示すフィラー無し部９の厚みＴは、封止材７の粘度やフィラー６のサイズ（粒径）及び重量を適宜調整して設定することが好ましい。封止材７を高めの粘度（例えば、１００Ｐａ・ｓ）に設定したり、フィラー６のサイズを小さく（例えば、平均粒径１μｍ以下）設定したりすると、封止材層８中でフィラー６がうまく沈降せず、所望の厚みのフィラー無し部９を得られないおそれがある。したがって、上記の封止材供給ステップを実施する際に、封止材７の粘度を、例えば、２０〜４０Ｐａ・ｓに設定するとよい。また、フィラー６のサイズを、例えば、５／１５μｍ（ａｖ／ｍａｘ）に設定するとよい。   The thickness T of the filler-free portion 9 shown in the present embodiment is preferably set by appropriately adjusting the viscosity of the sealing material 7 and the size (particle size) and weight of the filler 6. When the sealing material 7 is set to a higher viscosity (for example, 100 Pa · s) or the size of the filler 6 is set to be small (for example, the average particle size is 1 μm or less), the filler 6 in the sealing material layer 8 There is a possibility that the filler-free portion 9 having a desired thickness cannot be obtained due to poor sedimentation. Therefore, when performing the above-described sealing material supply step, the viscosity of the sealing material 7 may be set to, for example, 20 to 40 Pa · s. The size of the filler 6 may be set to, for example, 5/15 μm (av / max).

また、フィラー無し部９の厚みＴをあまりに厚く設定してしまうと、デバイスウェーハ１が反ってしまうため、フィラー無し部９の厚みＴは後記の加工ステップで除去する厚みに設定することが好ましい。例えば、フィラー無し部９の厚みＴは、金属凸部５の仕上げ高さ位置Ｈ１に余裕代１０を加えた厚みに設定するとよい。余裕代１０は、仕上げ高さ位置Ｈ１から所定の幅をもたせた高さ位置Ｈ２までの厚み幅を有しており、デバイスウェーハ１の厚みばらつきと加工精度を加味して設定するとよい。   Further, if the thickness T of the filler-free portion 9 is set too large, the device wafer 1 will be warped. Therefore, it is preferable to set the thickness T of the filler-free portion 9 to a thickness to be removed in a processing step described later. For example, the thickness T of the filler-free portion 9 may be set to a thickness obtained by adding a margin 10 to the finish height position H1 of the metal protrusion 5. The allowance 10 has a thickness width from the finishing height position H1 to a height position H2 having a predetermined width, and may be set in consideration of the thickness variation of the device wafer 1 and the processing accuracy.

（３）硬化ステップ
次に、ＷＬ−ＣＳＰウェーハＷを加熱して、封止材層８を硬化させる。例えば、図示しないヒータを用いて封止材層８を所定時間加熱することにより、完全に硬化させる。封止材層８を完全硬化させた場合に後述の加工が難しくなる場合には、加工ステップを実施する前に封止材層８を完全に硬化していない半硬化の状態にしておき、加工ステップを実施した後に封止材層８を完全硬化させてもよい。 (3) Curing Step Next, the WL-CSP wafer W is heated to cure the sealing material layer 8. For example, the sealing material layer 8 is completely cured by heating it for a predetermined time using a heater (not shown). If the processing described below becomes difficult when the sealing material layer 8 is completely cured, the sealing material layer 8 is set to a semi-cured state that is not completely cured before performing the processing step. After performing the steps, the sealing material layer 8 may be completely cured.

（４）加工ステップ
図４に示すように、例えば、バイト切削手段２０を用いて、図３（ｂ）に示したフィラー無し部９の上面９ａを金属凸部５とともにバイトによる切削を行う。バイト切削手段２０は、鉛直方向の軸心を有するスピンドル２１と、スピンドル２１の下端においてマウント２２を介して連結されたバイトホイール２３と、バイトホイール２３の下部に装着されたバイトユニット２４とを備える。バイトユニット２４は、シャンク２４０と、シャンク２４０に固定された切り刃２４１とを備える。切り刃２４１は、例えば、単結晶ダイヤモンドによって構成されている。図示しないモータによってスピンドル２１を回転させると、バイトホイール２３を所定の回転速度で回転させることができる。 (4) Machining Step As shown in FIG. 4, for example, the upper surface 9 a of the filler-free portion 9 shown in FIG. The cutting tool 20 includes a spindle 21 having a vertical axis, a cutting wheel 23 connected to a lower end of the spindle 21 via a mount 22, and a cutting unit 24 mounted below the cutting wheel 23. . The cutting tool unit 24 includes a shank 240 and a cutting blade 241 fixed to the shank 240. The cutting blade 241 is made of, for example, single crystal diamond. When the spindle 21 is rotated by a motor (not shown), the bite wheel 23 can be rotated at a predetermined rotation speed.

ＷＬ−ＣＳＰウェーハＷの加工を開始する際には、被加工物を保持する保持テーブル３０にＷＬ−ＣＳＰウェーハＷを搬送する。保持テーブル３０でＷＬ−ＣＳＰウェーハＷを保持したら、保持テーブル３０を例えば矢印Ｙ方向に水平移動させ、バイト切削手段２０の下方側に移動させる。次いで、バイト切削手段２０は、図示しない移動手段によってバイトホイール２３を所定の高さ位置に位置づけ、スピンドル２１の回転により所定の回転速度でバイトホイール２３を例えば矢印Ａ方向に回転させる。そして、バイトホイール２３の回転にともない円運動する切り刃２４１をＷＬ−ＣＳＰウェーハＷの表面側に切り込ませて切削する。   When processing of the WL-CSP wafer W is started, the WL-CSP wafer W is transported to a holding table 30 that holds a workpiece. After holding the WL-CSP wafer W on the holding table 30, the holding table 30 is moved horizontally, for example, in the direction of arrow Y, and is moved below the cutting tool 20. Next, the cutting tool 20 positions the cutting wheel 23 at a predetermined height position by moving means (not shown), and rotates the cutting wheel 23 at a predetermined rotation speed, for example, in the direction of arrow A by rotating the spindle 21. Then, the cutting blade 241 that moves circularly with the rotation of the bite wheel 23 is cut into the front side of the WL-CSP wafer W for cutting.

ここで、切り刃２４１は、図５において点線で示すフィラー無し部９の上面９ａ側から仕上げ高さ位置Ｈ１まで切り込むため、フィラー無し部９の下方側に位置する封止材層８に含まれるフィラー６に切り刃２４１が接触することがなく、切り刃２４１が早期に摩滅することはない。また、切り刃２４１の高さ位置の誤差等によって、たとえ仕上げ高さ位置Ｈ１を超えて余裕代１０まで切り刃２４１が切り込んだとしても、余裕代１０には、フィラー６が含まれていないため、切り刃２４１の摩耗が促進されることはない。   Here, the cutting blade 241 is included in the sealing material layer 8 located below the filler-free portion 9 because the cutting blade 241 cuts from the upper surface 9a side of the filler-free portion 9 indicated by a dotted line to the finishing height position H1. The cutting blade 241 does not contact the filler 6, and the cutting blade 241 does not wear out early. Further, even if the cutting blade 241 cuts to the margin 10 beyond the finishing height position H1 due to an error in the height position of the cutting blade 241 or the like, the margin 6 does not include the filler 6. The wear of the cutting blade 241 is not promoted.

切り刃２４１でフィラー無し部９の切削とあわせて複数の金属凸部５の上部を切削することにより、金属凸部５の端面５ａと封止材層８の上面８ａとを平坦に形成する。その結果、封止材層８の上面８ａから金属凸部５の端面５ａが露出して、金属凸部５の端面５ａと封止材層８の上面８ａとの高さが仕上げ高さ位置Ｈ１に揃えられる。このようにして、加工ステップを実施した後、露出した金属凸部５の端面５ａに、例えば実装基板に接続されるボール状のバンプを形成する。そして、切削ブレード等を用いて図２に示した分割予定ラインＳに沿って切削し、ＷＬ−ＣＳＰウェーハＷを個々のデバイスチップに個片化してパッケージを形成する。   By cutting the upper portions of the plurality of metal protrusions 5 together with the cutting of the filler-free portion 9 by the cutting blade 241, the end surfaces 5 a of the metal protrusions 5 and the upper surface 8 a of the sealing material layer 8 are formed flat. As a result, the end surface 5a of the metal protrusion 5 is exposed from the upper surface 8a of the sealing material layer 8, and the height between the end surface 5a of the metal protrusion 5 and the upper surface 8a of the sealing material layer 8 is changed to the finishing height position H1. Aligned to. In this way, after performing the processing step, for example, a ball-shaped bump connected to the mounting board is formed on the exposed end face 5a of the metal convex portion 5. Then, cutting is performed using a cutting blade or the like along the planned division line S shown in FIG. 2 to divide the WL-CSP wafer W into individual device chips to form a package.

このように、本発明のパッケージ形成方法では、封止材供給ステップを実施してフィラー６を含有した封止材７をデバイスウェーハ１の表面１ａ側に供給してデバイス３及び金属凸部５を覆う封止材層８を形成してＷＬ−ＣＳＰウェーハＷを形成後、フィラー無し部形成ステップを実施して例えばＷＬ−ＣＳＰウェーハＷを所定時間放置して封止材層８中でフィラー６を沈降させて封止材層８の上部側にフィラー無し部９を形成してから加工ステップに進むため、例えば切り刃２４１がフィラー６に接触することなく切り刃２４１でフィラー無し部９の上面９ａを金属凸部５とともに切削し金属凸部５の端面５ａと封止材層８の上面８ａとを平坦にすることができる。これにより、切り刃２４１が摩耗するのを抑制でき、切り刃２４１の寿命を延ばすことができる。   As described above, in the package forming method of the present invention, the encapsulant supply step is performed to supply the encapsulant 7 containing the filler 6 to the front surface 1 a side of the device wafer 1, and the device 3 and the metal protrusion 5 are formed. After forming the encapsulating material layer 8 to form the WL-CSP wafer W, a filler-free portion forming step is performed, for example, the WL-CSP wafer W is left for a predetermined time to remove the filler 6 in the encapsulating material layer 8. Since the sedimentation is performed to form the filler-free portion 9 on the upper side of the sealing material layer 8 and then proceed to the processing step, for example, the upper surface 9a of the filler-free portion 9 is cut by the cutting blade 241 without contacting the filler 6 Is cut together with the metal projection 5 to flatten the end face 5a of the metal projection 5 and the upper surface 8a of the sealing material layer 8. Thereby, wear of the cutting blade 241 can be suppressed, and the life of the cutting blade 241 can be extended.

本実施形態に示す加工ステップでは、切り刃２４１を用いて切削を行ったが、この場合に限定されず、例えば、研削砥石を用いてＷＬ−ＣＳＰウェーハＷの表面側を研削して、金属凸部５の端面５ａと封止材層８の上面８ａとを平坦に形成してもよい。この場合においても、研削砥石でフィラー無し部９の上面９ａ側から研削するため、研削砥石がフィラー６に接触することはなく、研削砥石が摩耗するのを抑制でき、研削砥石の寿命を延ばすことができる。   In the processing step described in the present embodiment, cutting was performed using the cutting blade 241. However, the present invention is not limited to this. For example, the surface side of the WL-CSP wafer W is ground using a grinding wheel, and the metal protrusion is formed. The end surface 5a of the portion 5 and the upper surface 8a of the sealing material layer 8 may be formed flat. Also in this case, since the grinding wheel grinds from the upper surface 9a side of the filler-free portion 9, the grinding wheel does not come into contact with the filler 6, the wear of the grinding wheel can be suppressed, and the life of the grinding wheel can be extended. Can be.

１：デバイスウェーハ ２：電極 ３：デバイス ４：再配線層 ５：金属凸部
５ａ：端面 ６：フィラー ７：封止材 ８：封止材層 ８ａ：上面
９：フィラー無し部 ９ａ：上面 １０：余裕代
２０：バイト切削手段 ２１：スピンドル ２２：マウント ２３：バイトホイール
２４：バイトユニット ２４０：シャンク ２４１：切り刃
３０：保持テーブル
Ｗ：ＷＬ−ＣＳＰウェーハ 1: Device wafer 2: Electrode 3: Device 4: Rewiring layer 5: Metal projection 5a: End face 6: Filler 7: Sealing material 8: Sealing material layer 8a: Top surface 9: No filler portion 9a: Top surface 10: Extra margin 20: Tool cutting means 21: Spindle 22: Mount 23: Tool wheel 24: Tool unit 240: Shank 241: Cutting blade 30: Holding table W: WL-CSP wafer

Claims (1)

電極を有するデバイスと該デバイスの該電極とに接続する金属凸部が封止材で封止されたパッケージを形成するパッケージ形成方法であって、
フィラーを含有した封止材を該デバイス上に供給して該デバイスと該金属凸部との少なくとも一部を覆う封止材層を形成する封止材供給ステップと、
該封止材供給ステップで形成した該封止材層中で該フィラーを沈降させて該封止材層の上部にフィラー無し部を形成するフィラー無し部形成ステップと、
該フィラー無し部形成ステップを実施した後、該フィラー無し部の上面を該金属凸部とともにバイトユニットで切削し該金属凸部の端面と該封止材層の上面とを平坦にするとともに該金属凸部の端面と該封止材層の上面との高さを仕上げ高さに揃える加工ステップと、を備え、
該フィラー無し部形成ステップでは、該フィラー無し部の厚みを該加工仕上げ高さに余裕代を加えた該加工ステップにおいて除去する厚みとし、
該余裕代は、ウェーハの厚みばらつきと加工精度を加味して設定する
パッケージ形成方法。 A package forming method for forming a package having a device having an electrode and a metal protrusion connected to the electrode of the device sealed with a sealing material,
A sealing material supply step of supplying a sealing material containing a filler onto the device to form a sealing material layer covering at least a part of the device and the metal convex portion,
Filler-free part forming step of forming a filler-free part on the top of the sealing material layer by settling the filler in the sealing material layer formed in the sealing material supply step,
After carrying out the filler without part forming step, the metal with the upper surface of the filler without unit to flatten an upper surface of the end face and the sealing material layer of gold Shokutotsu portion was cut with a byte unit with the metal protrusions A processing step of aligning the height of the end surface of the convex portion and the upper surface of the sealing material layer to the finishing height ,
In the filler-free part forming step, the thickness of the filler-free part is a thickness to be removed in the processing step obtained by adding a margin to the processing finish height ,
The margin is set in consideration of variations in wafer thickness and processing accuracy .
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