JP6671167B2 - Processing method of laminated substrate - Google Patents
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Description
本発明は、積層基板の加工方法に関する。 The present invention relates to a method for processing a laminated substrate.
例えば、樹脂パッケージ基板やWL−CSP(wafer-level chip-scale package)基板と呼ばれる半導体パッケージ基板を含むパッケージ基板は、デバイスの電極と電極から突出する金属ポストとを含む金属層が樹脂で封止されている。このようなパッケージ基板については、樹脂で封止された被加工物から樹脂を除去して、金属の凸部を露出するパッケージ形成方法が知られている(例えば、特許文献1参照)。 For example, in a package substrate including a resin package substrate or a semiconductor package substrate called a WL-CSP (wafer-level chip-scale package) substrate, a metal layer including device electrodes and metal posts protruding from the electrodes is sealed with resin. Have been. With respect to such a package substrate, a package forming method is known in which a resin is removed from a workpiece sealed with the resin to expose a metal protrusion (for example, see Patent Document 1).
特許文献1に記載のパッケージ形成方法で使用されるバイト切削工具は、金属やフィラーを含有しない樹脂を含む延性材料の加工に適している。このため、バイト切削工具は、フィラーを含有しない樹脂で封止された被加工物から樹脂を除去する加工に適している。ところが、このバイト切削工具は、フィラーを含有する樹脂で封止された被加工物から樹脂を除去する加工に使用すると、バイトが摩耗しやすく、バイトの寿命が短くなるおそれがある。 The cutting tool used in the package forming method described in Patent Literature 1 is suitable for processing a ductile material containing a resin containing no metal or filler. For this reason, the cutting tool is suitable for removing the resin from the workpiece sealed with the resin containing no filler. However, when this cutting tool is used for removing resin from a workpiece sealed with a resin containing a filler, the cutting tool may be easily worn, and the life of the cutting tool may be shortened.
そこで、樹脂で封止された被加工物から樹脂を除去する際に、バイト切削工具でバイト研削する前に、研削ホイールで樹脂を除去する技術が知られている。しかし、この技術では、研削ホイールに含まれるダイヤモンド等の砥粒が研削ホイールから脱落し、研削後の樹脂表面に残留するおそれがある。砥粒が研削後の樹脂表面に残留すると、研削ホイールでの研削後に樹脂表面を切削するバイト切削工具のバイトに欠けを生じさせ、バイトの寿命が短くなる。 Therefore, there is known a technique of removing a resin with a grinding wheel before removing the resin from a workpiece sealed with the resin, before grinding with a bite cutting tool. However, in this technique, abrasive grains such as diamonds contained in the grinding wheel may fall off the grinding wheel and remain on the resin surface after grinding. If the abrasive grains remain on the resin surface after the grinding, the tool of the cutting tool for cutting the resin surface after the grinding with the grinding wheel is chipped, and the life of the tool is shortened.
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、その目的は、研削後の樹脂表面への砥粒の残留を抑制した積層基板の加工方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to provide a method of processing a laminated substrate in which abrasive grains are prevented from remaining on a resin surface after grinding.
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の積層基板の加工方法は、基板の表面に被覆されフィラーを含有する樹脂を平坦化する積層基板の加工方法であって、該樹脂を露出させた状態で積層基板をチャックテーブルの保持面で保持する保持ステップと、該保持ステップを実施した後、該保持面と平行な回転軸のスピンドルに装着された平面研削用の砥石工具で、該チャックテーブルに保持された該積層基板の該樹脂の表面を研削して除去する予備加工ステップと、該予備加工ステップで研削された該積層基板の樹脂面を、該保持面と平行な面内で回転するバイト工具で更に切削し、該樹脂面を平坦に形成する仕上げ加工ステップと、を備え、該平面研削用の砥石工具は、基台に砥粒が電着された砥石工具であることを特徴とする。 In order to solve the above-described problems and achieve the object, a method for processing a laminated substrate of the present invention is a method for processing a laminated substrate that flattens a resin containing a filler that is coated on the surface of the substrate, the method comprising: Holding the laminated substrate on the holding surface of the chuck table in a state where the surface is exposed, and, after performing the holding step, using a grinding wheel tool for surface grinding mounted on a spindle having a rotating shaft parallel to the holding surface. A pre-processing step of grinding and removing the surface of the resin of the laminated substrate held on the chuck table; and a resin surface of the laminated substrate ground in the pre-processing step, the surface being parallel to the holding surface. And a finishing step of forming the resin surface flat by a cutting tool that rotates in the inside.The grinding tool for surface grinding is a grinding tool in which abrasive grains are electrodeposited on a base. Characterized by .
また、上記積層基板の加工方法において、該積層基板は、基板に形成されたデバイスの電極から突出する金属ポストがフィラー入り樹脂で封止されたパッケージ基板であり、該予備加工ステップでは、該金属ポストが露出しない程度まで該樹脂が除去され、該仕上げ加工ステップでは、該金属ポスト及び該樹脂が切削され、該金属ポストが露出することを特徴とする、ことが好ましい。 In the method for processing a laminated substrate, the laminated substrate is a package substrate in which a metal post projecting from an electrode of a device formed on the substrate is sealed with a resin containing a filler. Preferably, the resin is removed to such an extent that the post is not exposed, and in the finishing step, the metal post and the resin are cut to expose the metal post.
本願発明の積層基板の加工方法によれば、予備加工ステップで、チャックテーブルの保持面と平行な回転軸のスピンドルに装着された平面研削用の砥石工具で、チャックテーブルに保持された積層基板の樹脂の表面を研削して除去する。そして、予備加工ステップの後に仕上げ加工ステップで、予備加工ステップで研削された積層基板の樹脂面を、チャックテーブルの保持面と平行な面内で回転するバイト工具で更に切削し、樹脂面を平坦に形成する。このように、積層基板の加工方法は、予備加工ステップで、平面研削用の砥石工具を使用することで、研削後の樹脂表面への砥粒の残留を抑制することができる。しかも、研削後の樹脂表面への砥粒の残留を抑制することで、積層基板の加工方法は、バイト工具を長寿命化することができる。 According to the method of processing a laminated substrate of the present invention, in a preliminary processing step, a grinding wheel tool for surface grinding mounted on a spindle having a rotation axis parallel to a holding surface of a chuck table, and a method of processing the laminated substrate held by the chuck table. The surface of the resin is removed by grinding. Then, after the pre-processing step, in the finishing processing step, the resin surface of the laminated substrate ground in the pre-processing step is further cut with a cutting tool rotating in a plane parallel to the holding surface of the chuck table, and the resin surface is flattened. Formed. As described above, in the method of processing the laminated substrate, the use of the grinding tool for surface grinding in the preliminary processing step can suppress the residual abrasive grains on the resin surface after the grinding. In addition, by suppressing the residual abrasive grains on the resin surface after grinding, the method for processing a laminated substrate can extend the life of a cutting tool.
以下、本発明に係る実施形態につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換または変更を行うことができる。 Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited by the contents described in the following embodiments. The components described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art and those that are substantially the same. Further, the configurations described below can be appropriately combined. In addition, various omissions, substitutions, or changes in the configuration can be made without departing from the spirit of the present invention.
以下の説明においては、XYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の一端向をX軸方向、水平面内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向、X軸方向及びY軸方向のそれぞれと直交する方向をZ軸方向とする。X軸及びY軸を含むX,Y平面は、水平面と平行である。X,Y平面と直交するZ軸方向は、鉛直方向である。 In the following description, an XYZ rectangular coordinate system is set, and the positional relationship between the components will be described with reference to the XYZ rectangular coordinate system. One end direction in the horizontal plane is defined as an X-axis direction, and a direction orthogonal to the X-axis direction in the horizontal plane is defined as a Y-axis direction, and a direction orthogonal to each of the X-axis direction and the Y-axis direction is defined as a Z-axis direction. The X, Y plane including the X axis and the Y axis is parallel to the horizontal plane. The Z-axis direction orthogonal to the X and Y planes is a vertical direction.
図1は、本実施形態に係る積層基板を分解して示す分解斜視図である。図2は、本実施形態に係る積層基板を示す斜視図である。図3は、本実施形態に係る積層基板を示す断面図である。図1ないし図3に示すように、積層基板10は、基板20と、樹脂層(樹脂)30とを有する。積層基板10は、円板状の部材であり、表面10Aと、表面10Aの逆方向を向く裏面10Bとを有する。表面10Aと裏面10Bとは、平行である。本実施形態において、積層基板10の直径は8インチ(203.2[mm])である。なお、積層基板10の直径は12インチ(304.8[mm])でもよい。
FIG. 1 is an exploded perspective view showing the laminated substrate according to the present embodiment in an exploded manner. FIG. 2 is a perspective view showing the laminated substrate according to the present embodiment. FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating the laminated substrate according to the present embodiment. As shown in FIGS. 1 to 3, the laminated
基板20は、シリコン基板、サファイア基板、タンタル酸リチウム基板、ニオブ酸リチウム基板、樹脂基板及びセラミックス基板の少なくとも一つを含む。基板20は、表面20Aと、表面20Aの逆方向を向く裏面20Bとを有する。基板20は、機能層21を有する。機能層21は、デバイスを形成する層であり、SiOF又はBSG(SiOB)のような無機物系の膜とポリイミド系又はパリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜とからなる低誘電率絶縁体被膜(Low−k膜)を含む。機能層21は、基板20の表面20Aに積層される。積層基板10の表面10Aは、樹脂層30の表面(樹脂面)30Aを含む。積層基板10の裏面10Bは、基板20の裏面20Bを含む。
The
機能層21は、格子状に形成された分割予定ライン22によって区画されている。分割予定ライン22によって区画された領域に電極を有する複数のデバイス23が形成される。デバイス23は、分割予定ライン22によって区画される。デバイス23は、積層基板10にマトリクス状に配置される。
The
基板20の表面20Aは、複数のデバイス23が形成されたデバイス領域DAと、デバイス領域DAを囲繞する外周余剰領域SAとを備える。外周余剰領域SAにデバイス23は形成されない。基板20と樹脂層30とを有する積層基板10が分割予定ライン22に沿って分割されることにより、デバイス23が樹脂で被覆(モールド)されたIC(integrated circuit)又はLSI(large scale integration)のようなデバイスチップが製造される。
The
樹脂層30を研削した後のデバイス23には、デバイス23の電極24に電極ポスト25を介して接続するバンプ26(図8参照)が配置される。バンプ26は、複数のデバイス23のそれぞれに設けられる。バンプ26は、積層基板10の表面10Aから突出するように設けられる。バンプ26は、例えば銅(Cu)や金(Au)もしくは白金(Pt)などの貴金属、またはSn−Cu等の合金により形成されている。
After the
樹脂層30は、基板20の表面20Aを被覆して封止している。樹脂層30は、例えばSiCやシリカを含むフィラーを含有するエポキシ樹脂等の樹脂である。樹脂層30の表面30Aは、基板20の表面20Aと平行な平面状である。樹脂層30は、基板20の電極ポスト25の位置においてはt1の厚みである。
The
次に、本実施形態に係る積層基板10の加工方法について説明する。図4は、本実施形態に係る積層基板の加工方法を示すフローチャートである。図4に示すように、積層基板10の加工方法は、保持ステップS1と、予備加工ステップS2と、仕上げ加工ステップS3とを含む。
Next, a method for processing the
まず、保持ステップS1を実行する。保持ステップS1は、樹脂層30の表面30Aを露出させた状態で積層基板10を平面研削装置50のチャックテーブル50T(図6参照)の保持面50Taで保持するステップである。
First, the holding step S1 is executed. The holding step S1 is a step of holding the
まず、図5を用いて、平面研削装置50について説明する。図5は、本実施形態に係る積層基板の平面研削装置を示す機能ブロック図である。図5に示すように、平面研削装置50は、制御装置100と、テーブル回転駆動装置111と、テーブル駆動装置112と、テーブル位置検出装置113と、研削用ブレード回転駆動装置121と、研削用ブレード駆動装置122と、研削用ブレード位置検出装置123とを備える。
First, the
制御装置100は、図5に示すように、CPU(central processing unit)のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置101と、ROM(read only memory)又はRAM(random access memory)のようなメモリを含む記憶装置102と、入出力インターフェース装置103とを有する。演算処理装置101は、記憶装置102に記憶されているコンピュータプログラムに従って演算処理を実施して、入出力インターフェース装置103を介して、平面研削装置50を制御するための制御信号を出力する。
As shown in FIG. 5, the control device 100 includes an arithmetic processing device 101 having a microprocessor such as a CPU (central processing unit), and a memory such as a ROM (read only memory) or a RAM (random access memory). It has a storage device 102 and an input /
平面研削装置50のチャックテーブル50Tは、積層基板10を着脱可能に保持する。チャックテーブル50Tは、積層基板10の表面10AがXY平面と平行となるように保持する。チャックテーブル50Tは、真空ポンプを含む真空吸引源と流路を介して接続された吸引口が保持面50Taに複数設けられる。チャックテーブル50Tの保持面50Taに積層基板10が載せられた状態で真空吸引源が作動することにより、チャックテーブル50Tは、積層基板10を吸引保持する。真空吸引源の作動が停止されることにより、チャックテーブル50Tは、積層基板10の吸引を解除して解放する。
The chuck table 50T of the
チャックテーブル50Tは、制御装置100で制御される。より詳しくは、チャックテーブル50Tは、アクチュエータを含むテーブル回転駆動装置111によって、Z軸方向と平行な中心軸を中心に回転可能である。チャックテーブル50Tは、その中心軸と積層基板10の表面10Aの中心軸とが一致するように、積層基板10を保持する。チャックテーブル50Tは、アクチュエータを含むテーブル駆動装置112によって、X軸方向に移動可能である。チャックテーブル50TのX軸方向の位置は、テーブル位置検出装置113によって検出される。
The chuck table 50T is controlled by the control device 100. More specifically, chuck table 50T is rotatable around a central axis parallel to the Z-axis direction by table
保持ステップS1を実行した後、予備加工ステップS2を実行する。予備加工ステップS2は、保持ステップS1を実施した後、図6に示すように、チャックテーブル50Tの保持面50Taと平行な中心軸AY50のスピンドル51に装着された平面研削用の研削手段52で、チャックテーブル50Tに保持された積層基板10の樹脂層30の表面30Aを研削して除去するステップである。図6は、本実施形態に係る積層基板の加工方法の予備加工ステップにおける積層基板を示す断面図である。
After executing the holding step S1, the preliminary machining step S2 is executed. In the preliminary machining step S2, after the holding step S1 is performed, as shown in FIG. 6, the grinding means 52 for surface grinding mounted on the
平面研削装置50は、研削手段52を有する。研削手段52は、スピンドルハウジング53と、スピンドルハウジング53に回転可能に支持されるスピンドル51と、スピンドル51の先端部に設けられた固定フランジ54と、固定フランジ54に着脱可能に固定される着脱フランジ55と、着脱フランジ55を固定フランジ54に固定するための固定部材56と、固定フランジ54と着脱フランジ55とに挟まれて固定される、平面研削用の砥石工具である研削用ブレード57と、研削液Rを研削用ブレード57に向けて噴射するノズル58とを有する。
The
研削用ブレード57は、Y軸方向の幅が数[mm]の中心に貫通孔を有する円板状またはドラム状の基台の外周面に、砥粒が電着固定されている砥石工具である。言い換えると、研削用ブレード57は、基台に砥粒が電着された砥石工具である。研削用ブレード57は、アクチュエータを含む研削用ブレード回転駆動装置121によりスピンドル51が回転することによって、研削手段52の中心軸AY50を中心に矢印R50で示す方向に回転可能である。回転する研削用ブレード57が樹脂層30の表面30Aに接触することにより、研削用ブレード57は、樹脂層30の表面30Aを研削する。中心軸AY50は、Y軸方向と平行である。研削用ブレード57は、アクチュエータを含む研削用ブレード駆動装置122によって、Y軸方向及びZ軸方向に移動可能である。研削用ブレード57のY軸方向及びZ軸方向の位置は、研削用ブレード位置検出装置123によって検出される。
The grinding
制御装置100は、研削用ブレード回転駆動装置121を駆動して研削用ブレード57を矢印R50で示す方向に回転しつつ樹脂層30に切り込むZ軸方向の位置に位置付けた後、テーブル駆動装置112を駆動してチャックテーブル50TをX軸方向に加工送りして、積層基板10の一端から他端までX軸方向に研削溝を形成する。その後、研削用ブレード駆動装置122を駆動して研削用ブレード57をY軸方向に割り出し送りする。制御装置100は、チャックテーブル50Tに保持された樹脂層30の表面30Aに研削用ブレード57が接触するように、テーブル位置検出装置113の検出値及び研削用ブレード位置検出装置123の検出値に基づいてテーブル駆動装置112及び研削用ブレード駆動装置122を駆動して、樹脂層30の表面30Aと研削用ブレード57との相対位置を調整する。本実施形態において、制御装置100は、樹脂層30の表面30Aが、電極ポスト25の表面25Aから厚さt3残して除去されるように、テーブル位置検出装置113の検出値及び研削用ブレード位置検出装置123の検出値に基づいてテーブル駆動装置112及び研削用ブレード駆動装置122を駆動して、研削用ブレード57を樹脂層30の表面30Aに切り込ませる。本実施形態において、t3は、2[μm]以上50[μm]以下、望ましくは5[μm]以上20[μm]以下である。
The control device 100 drives the grinding blade
より詳しくは、制御装置100は、樹脂層30の研削量(樹脂層30が研削されるZ軸方向の寸法)が樹脂層30に対して100[μm]以下、望ましくは30[μm]以下となるように、研削用ブレード57を切り込ませる。制御装置100は、チャックテーブル50Tに保持された樹脂層30の表面30Aに研削用ブレード57を切り込ませた状態で、チャックテーブル50Tを加工送りする。
More specifically, the control device 100 sets the amount of grinding of the resin layer 30 (the dimension in the Z-axis direction at which the
このようにして、樹脂層30の表面30Aの全面が研削され、樹脂層30の表面30Aが、電極ポスト25の表面25Aから厚さt3残して厚さt2が除去される。
In this way, the
予備加工ステップS2においては、研削用ブレード57が中心軸AY50を中心に矢印R50で示す方向に回転するとともに、樹脂層30の表面30Aを保持したチャックテーブル50TがX軸方向に加工送りされる。例えば特開2015−093338号公報に開示されるようなチャックテーブル50Tの保持面50Taと直交する回転軸を備える研削装置で樹脂層30を研削する場合に比べ、研削用ブレード57の樹脂層30の表面30Aとの接触時間は、短い。これにより、研削用ブレード57が樹脂層30の表面30Aを研削する際に、砥粒が樹脂層30に残留しにくい。
In the preliminary processing step S2, the grinding
予備加工ステップS2を実行した後、仕上げ加工ステップS3を実行する。仕上げ加工ステップS3は、図7に示すように、予備加工ステップS2で研削された積層基板10の樹脂層30を、バイト切削装置60のチャックテーブル60Tの保持面60Taと平行な面内で回転するバイト工具61で更に切削し、樹脂層30の表面30Aを平坦に形成するステップである。図7は、本実施形態に係る積層基板の加工方法の仕上げ加工ステップにおける積層基板を示す断面図である。
After performing the preliminary processing step S2, the finishing processing step S3 is performed. In the finishing processing step S3, as shown in FIG. 7, the
バイト切削装置60は、制御装置と、テーブル駆動装置と、テーブル位置検出装置と、バイト回転駆動装置と、バイト駆動装置と、バイト位置検出装置とを備える。
The cutting
バイト切削装置60は、チャックテーブル60Tに保持された積層基板10の樹脂層30の表面30Aを切削して平坦化する。バイト切削装置60は、バイト工具61を有する。バイト工具61は、スピンドルハウジング62と、スピンドルハウジング62に回転可能に支持されるスピンドル63と、スピンドル63の先端部に設けられたバイトホイール64とを備える。
The cutting
バイト工具61は、アクチュエータを含むバイト回転駆動装置によりスピンドル63が回転することによって、バイト工具61の中心軸AZ60を中心に矢印R60で示す方向に回転可能である。中心軸AZ60は、Z軸方向と平行である。また、バイト工具61は、アクチュエータを含むバイト駆動装置によって、Z軸方向に移動可能である。バイト工具61のZ軸方向の位置は、バイト位置検出装置によって検出される。回転するバイト工具61が樹脂層30の表面30Aに接触することにより、バイト工具61は、樹脂層30の表面30Aを切削する。
The
制御装置は、テーブル駆動装置を駆動してチャックテーブル60TをX軸方向に切削送りしつつ、バイト回転駆動装置を駆動してバイト工具61を矢印R60で示す方向に回転する。制御装置は、チャックテーブル60Tに保持された樹脂層30の表面30Aにバイト工具61が接触するように、テーブル位置検出装置の検出値及びバイト位置検出装置の検出値に基づいてテーブル駆動装置及びバイト駆動装置を駆動して、樹脂層30の表面30Aとバイト工具61との相対位置を調整する。
The control device drives the table driving device to cut and feed the chuck table 60T in the X-axis direction, while driving the bite rotation driving device to rotate the
本実施形態において、制御装置は、樹脂層30の表面30Aが、積層基板10を厚さt3以上切削して、機能層21に配置された電極ポスト25の表面25Aが露出するように、テーブル位置検出装置の検出値及びバイト位置検出装置の検出値に基づいてテーブル駆動装置及びバイト駆動装置を駆動して、バイト工具61を樹脂層30の表面30Aに切り込ませる。
In the present embodiment, the control device adjusts the table position so that the
より詳しくは、制御装置は、樹脂層30の切削量(樹脂層30が切削されるZ軸方向の寸法)が樹脂層30に対して20[μm]以下、望ましくは10[μm]以下となるように、バイト工具61を切り込ませる。制御装置は、チャックテーブル60Tに保持された樹脂層30の表面30Aに回転するバイト工具61を所定量切り込ませた状態で、チャックテーブル60TをX軸方向に切削送りする。1回の切削によって、樹脂層30の表面30Aから電極ポスト25の表面25Aが露出しない場合、制御装置は、バイト工具61をZ軸方向に移動し、樹脂層30にバイト工具61を更に切り込ませて切削する。制御装置は、樹脂層30の表面30Aから電極ポスト25の表面25Aが露出するまでこのような動作を繰り返す。
More specifically, in the control device, the cutting amount of the resin layer 30 (the dimension in the Z-axis direction in which the
このようにして、樹脂層30の表面30Aの全面が切削され、樹脂層30の表面30Aが電極ポスト25の表面25Aが露出する高さまで除去されて平坦化される。
In this way, the
仕上げ加工ステップS3を実行した後、樹脂層30の表面30Aに露出した電極ポスト25の表面25Aに例えばハンダなどでバンプ26が形成される。そして、図8に示すように、積層基板10が分割予定ライン22に沿って分割されて、デバイス23が製造される。図8は、本実施形態に係る積層基板をデバイスに分割した状態を示す断面図である。
After performing the finishing step S3, the
以上のように、本実施形態に係る積層基板の加工方法は、予備加工ステップS2で、平面研削装置50のチャックテーブル50Tの保持面50Taと平行な中心軸AY50のスピンドル51に装着された平面研削用の研削手段52で、チャックテーブル50Tに保持された積層基板10の樹脂層30の表面30Aを研削して除去する。そして、予備加工ステップS2の後に仕上げ加工ステップS3で、予備加工ステップS2で研削された樹脂層30の表面30Aを、バイト切削装置60のチャックテーブル60Tの保持面60Taと平行な面内で回転するバイト工具61で更に切削し、積層基板10の表面10Aを平坦に形成する。このように、積層基板の加工方法は、予備加工ステップS2で、平面研削用の研削手段52を使用することで、樹脂層30に含まれるフィラーをバイト工具61で切削する量を削減し、研削後の樹脂層30の表面30Aへの砥粒の残留を抑制し、バイト工具61の砥粒による欠けを抑制することができる。
As described above, the method of processing the laminated substrate according to the present embodiment includes, in the preliminary processing step S2, the surface grinding mounted on the
より詳しくは、積層基板の加工方法においては、研削用ブレード57が矢印R50で示す方向に回転するとともに、チャックテーブル50TがX軸方向に加工送りされる。このため、チャックテーブル50Tの保持面50Taと直交する回転軸を備える研削装置で樹脂層30を研削する場合に比べ、研削用ブレード57の樹脂層30の表面30Aとの接触時間を短くすることができる。これにより、研削用ブレード57が樹脂層30の表面30Aを研削する際に発生した砥粒を樹脂層30に残留しにくくすることができる。
More specifically, in the method of processing the laminated substrate, the grinding
上記のように、積層基板の加工方法によれば、研削後の樹脂層30の表面30Aへの砥粒の残留を抑制することができる。これにより、積層基板の加工方法は、バイト切削装置60のバイト工具61に砥粒が接触して、バイト工具61が損傷することを抑制することができる。このため、積層基板の加工方法は、バイト切削装置60のバイト工具61を長寿命化することができる。
As described above, according to the method of processing a laminated substrate, it is possible to suppress the abrasive grains from remaining on the
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。 Note that the present invention is not limited to the above embodiment. That is, various modifications can be made without departing from the gist of the present invention.
上記実施形態では、積層基板10は、基板20上にマトリクス状に配置されたデバイス23を一つの樹脂層30で封止するものとして説明したが、これに限定されるものではない。例えば、図9に示すように、積層基板210は、基板220に形成されたデバイスを、それぞれ樹脂層230で封止するものであってもよい。図9は、本実施形態に係る積層基板の他の例を示す斜視図である。
In the above embodiment, the
10 積層基板
20 基板
20A 表面
21 機能層
22 分割予定ライン
23 デバイス
30 樹脂層(樹脂)
30A 表面(樹脂面)
50 平面研削装置
50T チャックテーブル
50Ta 保持面
51 スピンドル
52 平面研削用の研削手段
57 研削用ブレード(平面研削用の砥石工具)
60 バイト切削装置
60T チャックテーブル
60Ta 保持面
61 バイト工具
AY50 中心軸
AZ60 中心軸
30A surface (resin surface)
60
Claims (2)
該樹脂を露出させた状態で積層基板をチャックテーブルの保持面で保持する保持ステップと、
該保持ステップを実施した後、該保持面と平行な回転軸のスピンドルに装着された平面研削用の砥石工具で、該チャックテーブルに保持された該積層基板の該樹脂の表面を研削して除去する予備加工ステップと、
該予備加工ステップで研削された該積層基板の樹脂面を、該保持面と平行な面内で回転するバイト工具で更に切削し、該樹脂面を平坦に形成する仕上げ加工ステップと、を備え、
該平面研削用の砥石工具は、基台に砥粒が電着された砥石工具であることを特徴とする積層基板の加工方法。 A method for processing a laminated substrate that flattens a resin containing a filler that is coated on the surface of the substrate,
Holding step of holding the laminated substrate on the holding surface of the chuck table with the resin exposed,
After performing the holding step, the surface of the resin of the laminated substrate held on the chuck table is removed by grinding using a grinding tool for surface grinding mounted on a spindle having a rotating shaft parallel to the holding surface. Pre-processing steps
A finishing step of further cutting the resin surface of the laminated substrate ground in the preliminary processing step with a bite tool rotating in a plane parallel to the holding surface to form the resin surface flat ;
Grinding tool for the plane grinding, machining method of the laminated substrate abrasive grains to the base is characterized grindstone tool der Rukoto electrodeposited.
該予備加工ステップでは、該金属ポストが露出しない程度まで該樹脂が除去され、
該仕上げ加工ステップでは、該金属ポスト及び該樹脂が切削され、該金属ポストが露出することを特徴とする請求項1に記載の積層基板の加工方法。 The laminated substrate is a package substrate in which metal posts protruding from electrodes of a device formed on the substrate are sealed with a resin containing filler,
In the pre-processing step, the resin is removed to such an extent that the metal post is not exposed,
The method according to claim 1, wherein in the finishing step, the metal post and the resin are cut to expose the metal post.
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