JP2014027000A - Grinding device - Google Patents

Grinding device Download PDF

Info

Publication number
JP2014027000A
JP2014027000A JP2012163607A JP2012163607A JP2014027000A JP 2014027000 A JP2014027000 A JP 2014027000A JP 2012163607 A JP2012163607 A JP 2012163607A JP 2012163607 A JP2012163607 A JP 2012163607A JP 2014027000 A JP2014027000 A JP 2014027000A
Authority
JP
Grant status
Application
Patent type
Prior art keywords
grinding
wafer
chuck table
means
holding surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2012163607A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takehiko Higaki
岳彦 檜垣
Original Assignee
Disco Abrasive Syst Ltd
株式会社ディスコ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date

Links

Images

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a grinding device capable of removing a chamfering part formed in an outer periphery of a wafer while grinding a rear surface of the wafer.SOLUTION: A grinding device comprises: a chuck table having a holding surface which holds a wafer and configured to be rotatable; chuck table positioning means for selectively positioning the chuck table at an attaching/detaching region in which the wafer is attached and detached and a grinding region; grinding means comprising a grinding wheel including an annular grinding stone which grinds the wafer held on the holding surface of the chuck table positioned at the grinding region; and grinding and feeding means for grinding and feeding the grinding means in a direction vertical to the holding surface of the chuck table. The grinding device further includes chamfering removal means for removing a chamfering part formed in an outer periphery of the wafer held on the holding surface of the chuck table positioned at the grinding region. The grinding device removes the chamfering part formed in the outer periphery of the wafer by the chamfering removal means when grinding the wafer held on the holding surface of the chuck table positioned at the grinding region by the grinding means.

Description

本発明は、半導体ウエーハ等のウエーハを研削する研削装置に関する。 The present invention relates to a grinding apparatus for grinding a wafer such as a semiconductor wafer.

半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる複数のストリートが格子状に形成され、この区画された領域にIC、LSI等のデバイスを形成する。 In the production process of a semiconductor device, a plurality of streets called streets arranged in a lattice pattern on the front surface of a substantially disk shape is formed in a lattice shape, IC of the sectioned areas, a device such as an LSI Form. そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々の半導体デバイスを製造している。 Then, by dividing the regions where the devices are formed by cutting the semiconductor wafer along the streets are manufacturing individual semiconductor devices.

半導体デバイスの小型化および軽量化を図るために、半導体ウエーハをストリートに沿って切断して個々のデバイスに分割するのに先立って、半導体ウエーハの裏面を研削して所定の厚さに形成している。 To reduce the size and weight of the semiconductor device, prior to dividing into individual devices by cutting the semiconductor wafer along the streets, and by grinding the back surface of the semiconductor wafer is formed to a predetermined thickness there.

しかるに、半導体ウエーハは、半導体デバイスを形成するプロセス中に割れや発塵を防止するためにデバイスが形成されたデバイス領域を囲繞する外周余剰領域の外周部には円弧状の面取りが形成されている。 However, the semiconductor wafer is arcuate chamfer the outer peripheral portion of the peripheral marginal area the device surrounding the device region which is formed to prevent cracking and dusting in the process of forming a semiconductor device is formed . このように外周部に円弧状の面取りが形成された厚みが例えば600μmの半導体ウエーハの裏面を研削して100μmの厚みに仕上げると、半導体ウエーハの外周に所謂ナイフエッジが形成され、危険であるとともに外周から欠けが発生して半導体ウエーハが損傷するという問題がある。 With such finished back surface of the arc-shaped chamfer is formed thick for example 600μm of a semiconductor wafer on an outer peripheral portion to the thickness of the grinding to 100 [mu] m, the so-called knife-edge is formed on the outer periphery of the semiconductor wafer, as well as a dangerous there is a problem that the semiconductor wafer is damaged by chipping occurs from the outer periphery.

上述した問題を解消するために、半導体ウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成する前に、半導体ウエーハの表面側から面取り部を切削ブレードによって切削して除去し、その後半導体ウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成する技術が下記特許文献1に開示されている。 To solve the above problem, by grinding the back surface of the semiconductor wafer prior to forming a predetermined thickness, the chamfered portion is removed by cutting by the cutting blade from the surface side of the semiconductor wafer, the back surface of the subsequent semiconductor wafer technology grinding to form a predetermined thickness is disclosed in Patent Document 1.

また、上述した問題を解消するために、半導体ウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成する前に、半導体ウエーハを保護テープまたはサブストレートで支持し、半導体ウエーハの外周部に形成された面取り部を研削砥石によって研削して除去する方法が下記特許文献2に開示されている。 Further, chamfering in order to solve the problems described above, and grinding the back surface of the semiconductor wafer prior to forming a predetermined thickness, which supports the semiconductor wafer with a protective tape or substrate, which is formed on an outer peripheral portion of the semiconductor wafer method of removing by grinding the grinding wheel is disclosed in Patent Document 2 parts.

特開2007−158239号公報 JP 2007-158239 JP 特開2000−173961号公報 JP 2000-173961 JP

而して、上記特許文献1および特許文献2に記載された方法は、ウエーハの外周部に形成された面取り部を除去するために特別に面取り部除去工程を実施するために、生産性が悪いという問題がある。 And Thus, the method described in Patent Document 1 and Patent Document 2, in order to implement the special chamfer removing step for removing the chamfered portion formed on an outer peripheral portion of the wafer, low productivity there is a problem in that.

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、ウエーハの裏面を研削しつつウエーハの外周部に形成された面取り部を除去することができる研削装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above circumstances, the principal technical problem is to provide a grinding apparatus capable of removing the chamfered portion formed on an outer peripheral portion of the grinding and while the wafer back surface of the wafer is there.

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、ウエーハを保持する保持面を有し回転可能に構成されたチャックテーブルと、該チャックテーブルをウエーハを着脱する着脱領域と研削領域に選択的に位置付けるチャックテーブル位置付け手段と、該研削領域に位置付けられた該チャックテーブルの保持面に保持されたウエーハを研削する環状の研削砥石を備えた研削ホイールを具備した研削手段と、該研削手段を該チャックテーブルの保持面に対して垂直な方向に研削送りする研削送り手段と、を具備する研削装置において、 To solve the above object, according to the present invention, a chuck table is rotatably configured has a holding surface for holding a wafer, selective attachment and detachment region and the grinding area for attaching and detaching the wafer to the chuck table the chuck table positioning means, and the grinding means comprises a grinding wheel with a grinding wheel annular grinding the wafer held on the holding surface of the chuck table positioned in the grinding area, the the grinding means positioned in in grinding anda grinding feed means for grinding feed in a direction perpendicular to the holding surface of the chuck table,
該研削領域に位置付けられた該チャックテーブルの保持面に保持されたウエーハの外周に形成された面取り部を除去する面取り部除去手段を備え、 Includes a chamfer removing means for removing a chamfered portion formed on an outer periphery of the retained wafer on the holding surface of the chuck table positioned in the grinding area,
該研削領域に位置付けられた該チャックテーブルの保持面に保持されたウエーハを該研削手段によって研削する際に該面取り部除去手段によってウエーハの外周に形成された面取り部を除去する、 Removing the chamfered portion formed on an outer periphery of the wafer by the chamfer removing means when ground by the grinding means is retained wafer on the holding surface of the chuck table positioned in the grinding area,
ことを特徴とする研削装置が提供される。 Grinding apparatus is provided, characterized in that.

本発明による研削装置は、研削領域に位置付けられたチャックテーブルに保持されているウエーハの裏面を研削する環状の研削砥石を備えた研削ホイールを具備した研削手段と、研削領域に位置付けられたチャックテーブルの保持面に保持されたウエーハの外周に形成された円弧状の面取り部を除去する面取り部除去手段を備え、研削領域に位置付けられたチャックテーブルに保持されたウエーハを研削手段によって研削する際に面取り部除去手段によってウエーハの外周に形成された円弧状の面取り部を除去するので、円弧状の面取り部を除去するために特別に面取り部除去工程を実施する必要がないため生産性が向上する。 Grinding device according to the invention, a grinding means provided with the grinding wheel with the grinding wheel ring of grinding the back surface of the wafer held by the chuck table positioned in the grinding area, a chuck table positioned in the ground region It includes a chamfer removing means for removing an arcuate chamfered portion formed on an outer periphery of the wafer held on the holding surface of the wafer held on the chuck table positioned in the grinding area when the grinding by the grinding means since the removal of arcuate chamfered portion formed on an outer periphery of the wafer by the chamfer removing means, the productivity is improved because there is no need to carry out special chamfered portion removing step to remove the arc-shaped chamfer .

本発明によって構成された研削装置の斜視図。 Perspective view of the grinding apparatus constructed in accordance with the present invention. 図1に示す研削装置に装備されるチャックテーブル機構およびチャックテーブル位置付け手段を示す斜視図。 Perspective view of a chuck table mechanism and the chuck table positioning means is mounted to the grinding apparatus shown in FIG. 図1に示す研削装置によって加工されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図および拡大して示す断面図。 Sectional view showing a perspective view and expansion of the semiconductor wafer as a wafer to be processed by the grinding apparatus shown in FIG. 図3に示す半導体ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程の説明図。 Illustration of the protection member attaching step of attaching a protective member on the surface of the semiconductor wafer shown in FIG. 図1に示す研削装置によって実施する加工工程の説明図。 Illustration of processing steps carried out by the grinding apparatus shown in FIG. 図5に示す加工工程の要部を拡大して示す説明図。 Explanatory view showing an enlarged main portion of the processing step shown in FIG. 図1に示す研削装置に装備される面取り部除去手段に装着される円盤状の研削砥石の他の実施形態を示す説明図。 Explanatory view showing another embodiment of a disc-shaped grinding wheel mounted on the chamfered portion removing means included in the grinding device shown in FIG.

以下、本発明に従って構成された研削装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して更に詳細に説明する。 Preferred embodiments of the constructed grinding apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

図1には本発明に従って構成された研削装置の斜視図が示されている。 It shows a perspective view of a by grinding apparatus constructed in accordance with the present invention in FIG.
図1に示す研削装置は、全体を番号2で示す装置ハウジングを具備している。 Grinding apparatus shown in FIG. 1 includes a housing indicated generally at 2. 装置ハウジング2は、細長く延在する直方体形状の主部21と、該主部21の後端部(図1において右上端)に設けられ上下方向に配設された直立壁22とを有している。 Housing 2, has a main portion 21 having a rectangular parallelepiped shape elongated extending rear end portion of the main portion 21 and the upstanding wall 22 disposed vertically provided (upper right end in FIG. 1) there. 直立壁22の前面には、上下方向に延びる一対の案内レール221、221が設けられている。 In front of the upstanding wall 22, a pair of guide rails 221 and 221 extending in the vertical direction is provided. この一対の案内レール221、221に研削手段としての研削ユニット3が上下方向に移動可能に装着されている。 Grinding unit 3 as grinding means is movably mounted in the vertical direction to the pair of guide rails 221 and 221.

研削ユニット3は、移動基台31と該移動基台31に装着されたスピンドルユニット32を具備している。 Grinding unit 3 is provided with a spindle unit 32 attached to the movable base 31 and the movable base 31. 移動基台31は、後面両側に上下方向に延びる一対の脚部311、311が設けられており、この一対の脚部311、311に上記一対の案内レール221、221と摺動可能に係合する被案内溝312、312が形成されている。 Movable base 31, a pair of legs 311 and 311 extending in the vertical direction on the rear surface sides is provided with, to be the above pair of guide rails 221 and 221 to the pair of legs 311 and 311 slide engagement guided grooves 312 and 312 are formed to be. このように直立壁22に設けられた一対の案内レール221、221に摺動可能に装着された移動基台31の前面には前方に突出した支持部313が設けられている。 Support 313 which protrudes forward is provided on the front surface of the movable base 31 which is slidably mounted on a pair of guide rails 221 and 221 provided in this way in the upright wall 22. この支持部313にスピンドルユニット32が取り付けられる。 The spindle unit 32 is attached to the support 313.

スピンドルユニット32は、支持部313に装着されたスピンドルハウジング321と、該スピンドルハウジング321に回転自在に配設された回転スピンドル322と、該回転スピンドル322を回転駆動するための回転駆動手段としてのサーボモータ323とを具備している。 The spindle unit 32 includes a support portion 313 a spindle housing 321 which is mounted on a rotary spindle 322 which is rotatably disposed on the spindle housing 321, the servo as a rotation driving means for rotationally driving the rotary spindle 322 and it includes a motor 323. 回転スピンドル322の下端部はスピンドルハウジング321の下端を越えて下方に突出せしめられており、その下端にはマウンター324が設けられている。 The lower end of the rotary spindle 322 is provided brought projected downward beyond the lower end of the spindle housing 321, and mounter 324 is provided at its lower end. このマウンター324の下面に研削ホイール325が装着される。 Grinding wheel 325 is attached to the lower surface of the mounter 324. 研削ホイール325は、環状の基台326と該基台326の下面に環状に装着された研削砥石327とからなっており、環状の基台326がマウンター324に締結ボルト328によって取付けられる。 Grinding wheel 325 is formed of a lower surface to the annular the grindstone 327 Metropolitan annular base 326 and the substrate table 326, annular base 326 is attached by the fastening bolt 328 in the mounter 324.

図1に示す研削装置は、上記研削ユニット3を上記一対の案内レール221、221に沿って上下方向(後述するチャックテーブルの保持面と垂直な方向)に移動せしめる研削送り手段4を備えている。 Grinding apparatus shown in FIG. 1 comprises a grinding feed means 4 for moving up and down the grinding unit 3 along the pair of guide rails 221 and 221 direction (holding surface perpendicular to the direction of the chuck table to be described later) . この研削送り手段4は、直立壁22の前側に配設され上下方向に延びる雄ねじロッド41を具備している。 The grinding feed means 4 is provided with a male screw rod 41 which is disposed on the front side of the upstanding wall 22 extending vertically. この雄ねじロッド41は、その上端部および下端部が直立壁22に取り付けられた軸受部材42および43によって回転自在に支持されている。 The male screw rod 41 is rotatably supported by a bearing member 42 and 43 to its upper end and a lower end is attached to the upstanding wall 22. 上側の軸受部材42には雄ねじロッド41を回転駆動するための駆動源としてのパルスモータ44が配設されており、このパルスモータ44の出力軸が雄ねじロッド41に伝動連結されている。 Pulse motor 44 as a drive source for rotationally driving the male screw rod 41 on the upper side of the bearing member 42 is disposed, the output shaft of the pulse motor 44, transmission-coupled to the male screw rod 41. 移動基台31の後面にはその幅方向中央部から後方に突出する連結部(図示していない)も形成されており、この連結部には上下方向に延びる貫通雌ねじ穴が形成されており、この雌ねじ穴に上記雄ねじロッド41が螺合せしめられている。 Connecting portions on the rear surface of the movable base 31 which projects rearwardly from the central portion in the width direction (not shown) is also formed, in this connecting portion is formed with a through female screw hole extending in the vertical direction, the male screw rod 41 is screwed into the female screw hole. このようにボールスクリュー機構からなる研削送り手段4は、パルスモータ44を正転すると移動基台31即ち研削ユニット3を下降即ち前進せしめ、パルスモータ44を逆転すると移動基台31即ち研削ユニット3を上昇即ち後退せしめる。 Grinding feed means 4 thus consists of a ball screw mechanism, a pulse motor 44 moved down i.e. advance the movable base 31 i.e. grinding unit 3 to forward the, and reversing the pulse motor 44 to move base 31 i.e. grinding unit 3 increase that is allowed to retreat.

図1および図2を参照して説明を続けると、ハウジング2の主部21の後半部にはチャックテーブル機構5が配設されている。 Continuing to refer to description of FIG. 1 and FIG. 2, the chuck table mechanism 5 is arranged in the rear half of the main portion 21 of the housing 2. チャックテーブル機構5は、移動基台51と該移動基台51に配設されたチャックテーブル52とを含んでいる。 The chuck table mechanism 5 includes a chuck table 52 disposed on the movable base 51 and the movable base 51. 移動基台51は、上記ハウジング2の主部21上に前後方向(直立壁22の前面に垂直な方向)である矢印23aおよび23bで示す方向に延在する一対の案内レール23、23上に摺動自在に載置されており、後述するチャックテーブル位置付け手段56によって図1に示す被加工物であるウエーハを着脱する着脱領域24(図2において実線で示す位置)と上記スピンドルユニット32を構成する研削ホイール325の研削砥石327と対向する研削領域25(図2において2点鎖線で示す位置)との間で移動せしめられる。 Movable base 51, on a pair of guide rails 23, 23 which extend in the direction indicated by arrows 23a and 23b is (a direction perpendicular to the front surface of the upstanding wall 22) back and forth on the main portion 21 of the housing 2 directions it is slidably mounted, constituting a detachable region 24 for attaching and detaching the wafer as a workpiece shown in Figure 1 by the chuck table positioning means 56 to be described later (the position shown by the solid line in FIG. 2) of the spindle unit 32 ground region 25 opposed to the grinding wheel 327 of the grinding wheel 325 to be moved between a (position shown by two-dot chain line in FIG. 2).

上記チャックテーブル52は、上記移動基台51に回転可能に支持されており、その下端に装着された回転軸(図示せず)に連結された回転駆動手段としてのサーボモータ53によって回転せしめられる。 The chuck table 52 is rotatably supported on the moving base 51 is rotated by a servo motor 53 as a linked rotary drive means mounted on the rotary shaft (not shown) at its lower end. このチャックテーブル52は、図示しない吸引手段に接続されている。 The chuck table 52 is connected to a suction means that is not shown. 従って、チャックテーブル52を図示しない吸引手段に選択的に連通することにより、保持面上に載置されたウエーハを吸引保持する。 Thus, by selective communication to a suction means that is not shown the chuck table 52 and sucked and held was placed on a holding surface wafer. なお、図示のチャックテーブル機構5はチャックテーブル52を挿通する穴を有し上記移動基台51等を覆うカバー部材54を備えており、このカバー部材54は移動基台51とともに移動可能に構成されている。 Incidentally, the chuck table mechanism 5 shown is provided with a cover member 54 for covering the has holes for inserting the chuck table 52 the movable base 51 and the like, the cover member 54 is movable together with the movable base 51 ing.

図2を参照して説明を続けると、図示の研削装置は、上記チャックテーブル機構5を一対の案内レール23、23に沿ってチャックテーブル52の上面である保持面と平行に矢印23aおよび23bで示す方向に移動せしめるチャックテーブル位置付け手段56を具備している。 Continuing to refer to description of FIG 2, the grinding apparatus illustrated in holding surface parallel to the arrows 23a and 23b which is the upper surface of the chuck table 52 along the chuck table mechanism 5 to the pair of guide rails 23, 23 and a chuck table positioning means 56 for moving in the direction indicated. チャックテーブル位置付け手段56は、一対の案内レール23間に配設され案内レール23と平行に延びる雄ねじロッド561と、該雄ねじロッド561を回転駆動するサーボモータ562を具備している。 Chuck table positioning means 56 is provided with a male screw rod 561 extending parallel to the guide rail 23 is disposed between the pair of guide rails 23, the servo motor 562 for rotationally driving the male screw rod 561. 雄ねじロッド561は、上記移動基台51に設けられたねじ穴531と螺合して、その先端部が一対の案内レール23、23を連結して取り付けられた軸受部材563によって回転自在に支持されている。 Male screw rod 561 is screwed with a screw hole 531 provided in the movable base 51 is rotatably supported by a bearing member 563 the distal end is attached by connecting a pair of guide rails 23, 23 ing. サーボモータ562は、その駆動軸が雄ねじロッド561の基端と伝動連結されている。 Servomotor 562, a drive shaft, transmission-coupled with the proximal end of the male screw rod 561. 従って、サーボモータ562が正転すると移動基台51即ちチャックテーブル機構5が矢印23aで示す方向に移動し、サーボモータ562が逆転すると移動基台51即ちチャックテーブル機構5が矢印23bで示す方向に移動せしめられる。 Therefore, to move in the direction indicated by the movable base 51, that is, the chuck table mechanism 5 by the arrows 23a servomotor 562 rotates forward, the servo motor 562 is reversed to move the base 51, that is, the chuck table mechanism 5 in the direction shown by the arrow 23b movement is allowed. 矢印23aおよび23bで示す方向に移動せしめられるチャックテーブル機構5は、図2において実線で示す着脱領域と2点鎖線で示す研削領域に選択的に位置付けられる。 Chuck table mechanism 5 is moved in the direction shown by the arrows 23a and 23b are selectively positioned grinding area indicated by a removable region and two-dot chain line indicated by the solid line in FIG.

図1に戻って説明を続けると、図示の研削装置は、研削領域25に位置付けられたチャックテーブル52の保持面に保持されたウエーハの外周に形成された面取り部を除去する面取り部除去手段7を具備している。 Referring back to FIG. 1, the grinding apparatus shown, the chamfered portion removing means 7 for removing the chamfered portion formed on an outer periphery of the wafer held on the holding surface of the chuck table 52 positioned in the ground region 25 It is equipped with. 面取り部除去手段7は、上記装置ハウジング2を構成する直立壁22の前側において研削ユニット3の側方に配設された固定基板71と、該固定基板71の前面に上下方向(チャックテーブル52の保持面に垂直な方向)に移動可能に装着された移動基板72と、該移動基板72の前面に水平方向(チャックテーブル52の保持面と平行な方向)に移動可能に装着されたスピンドルユニット73を具備している。 Chamfer removing means 7 includes a fixed substrate 71 which is disposed on the side of the grinding unit 3 in front of the upstanding wall 22 constituting the housing 2, vertical to the front surface of the fixed substrate 71 (the chuck table 52 and moving the substrate 72 which is movably mounted in a direction perpendicular) to the holding surface, the spindle unit 73 which is movably mounted in the horizontal direction (the holding surface parallel to the direction of the chuck table 52) in front of the movable plate 72 It is equipped with.

固定基板71の前面には、上下方向に延びる一対の案内レール711、711が設けられている。 On the front surface of the fixed substrate 71, a pair of guide rails 711,711 extending in the vertical direction is provided. この一対の案内レール711、711に移動基板72が上下方向に移動可能に装着されている。 Moving the substrate 72 is movably mounted in the vertical direction to the pair of guide rails 711,711. 移動基台72は、後面に上記一対の案内レール711、711と摺動可能に係合する被案内溝721、721が形成されており、該被案内溝721、721を案内レール711、711に係合することにより、固定基板71の前面に上下方向(チャックテーブル52の保持面に垂直な方向)に移動可能に装着される。 Movable base 72, the rear face slidably engaged with the pair of guide rails 711,711 are guided grooves 721,721 are formed, the 該被 guide grooves 721,721 in the guide rails 711,711 by engaging movably mounted vertically in a direction (direction perpendicular to the holding surface of the chuck table 52) to the front surface of the fixed substrate 71. また、移動基台72の前面には水平方向(チャックテーブル52の保持面と平行な方向)に延びる一対の案内レール722、722(図1には一方だけが示されている)が設けられている。 Further, the front surface of the movable base 72 is provided with a horizontal pair of guide rails extending (the holding surface of the chuck table 52 in a direction parallel) 722,722 (only one in Fig. 1 is shown) there.

スピンドルユニット73は、スピンドルハウジング731と、該スピンドルハウジング731に回転自在に配設された回転スピンドル732と、該回転スピンドル732を回転駆動するための回転駆動手段としてのサーボモータ733とを具備している。 The spindle unit 73 includes a spindle housing 731, a rotating spindle 732 rotatably disposed in the spindle housing 731, and includes a servo motor 733 as a rotary driving means for rotationally driving the rotary spindle 732 there. スピンドルハウジング731の後面には上記移動基台72の前面に設けられた一対の案内レール722、722と摺動可能に係合する被案内溝731a、731a(図1には一方だけが示されている)が形成されており、該被案内溝731a、731aを案内レール722、722に係合することにより、スピンドルハウジング731は移動基台72の前面に水平方向(チャックテーブル52の保持面と平行な方向)に移動可能に装着される。 Guided grooves 731a is sliding a pair of guide rails 722,722 engage provided on the front surface of the movable base 72 to the rear surface of the spindle housing 731, the 731a (FIG. 1 is only shown one there) is formed, parallel 該被 guide groove 731a, by engaging the 731a into guide rails 722,722, the spindle housing 731 and the holding surface in the horizontal direction (the chuck table 52 in front of the movable base 72 movably mounted in a direction). 上記回転スピンドル732は、チャックテーブル52の回転中心に向けて配設されており、その先端に円盤状の研削砥石74が装着されている。 The rotating spindle 732 is disposed toward the center of rotation of the chuck table 52, a disk-shaped grinding wheel 74 is mounted at its tip. なお、研削砥石74は、図示の実施形態においては粒径が30〜40μmのダイヤモンド砥粒をレジンボンド材に混錬し環状に成型して焼成したレジノイド砥石や、砥粒を金属ボンド材に混錬し環状に成型して焼成したメタル砥石からなり、厚みが2mm程度に設定されている。 Incidentally, the grinding wheel 74, resinoid grindstone and a particle diameter and calcined by molding the kneaded diamond abrasive grains of 30~40μm the resin bond material annular in the illustrated embodiment, mixing the abrasive grains to the metal bond material refining Shi consists metal wheels and fired by molding the ring, the thickness is set to about 2 mm. この円盤状の研削砥石74は、研削面である外周面741が軸芯と平行に形成されている。 The disk-shaped grinding wheel 74, the outer peripheral surface 741 is a ground surface is formed parallel to the axis.

図示の実施形態における面取り部除去手段7は、上記移動基台72を上記一対の案内レール711、711に沿って上下方向(後述するチャックテーブルの保持面と垂直な方向)に移動せしめる第1の送り手段75を備えている。 Chamfer removing means 7 in the illustrated embodiment, a first for moving the movable base 72 in the vertical direction (the holding surface perpendicular to the direction of the chuck table to be described later) along the pair of guide rails 711,711 and a feed means 75. この第1の送り手段75は、上記研削送り手段4と同様にボールスクリュー機構からなり、図示しない雄ねじロッドを駆動するパルスモータ751を正転すると移動基台72を下降即ち前進せしめ、パルスモータ751を逆転すると移動基台72を上昇即ち後退せしめる。 The first feed means 75, similarly to the grinding feed means 4 a ball screw mechanism, it moved down i.e. advance the movable base 72 and rotated forward the pulse motor 751 for driving the male screw rod (not shown), the pulse motor 751 allowed to rise i.e. retracting the movable base 72 to reverse. また、図示の実施形態における面取り部除去手段7は、上記スピンドルユニット73を移動基台72の前面に設けられた一対の案内レール722、722に沿って水平方向(チャックテーブル52の保持面と平行な方向)に移動せしめる第2の送り手段76を備えている。 Further, the chamfered portion removing means 7 in the illustrated embodiment, the spindle unit 73 along the pair of guide rails 722,722 provided on the front surface of the movable base 72 and horizontal (the holding surface of the chuck table 52 parallel and a second feeding means 76 for moving the a direction). この第2の送り手段76も、上記研削送り手段4を同様にボールスクリュー機構からなり、図示しない雄ねじロッドを駆動するパルスモータ761を正転するとスピンドルユニット73をチャックテーブル52に向けて前進せしめ、パルスモータ761を逆転するとスピンドルユニット73をチャックテーブル52から離間する方向に後退せしめる。 The second feeding means 76 also consists likewise the ball screw mechanism the grinding feed means 4, brought forward a spindle unit 73 when the pulse motor 761 rotates forward to drive the male screw rod (not shown) toward the chuck table 52, When reversing the pulse motor 761 allowed to retract in the direction away the spindle unit 73 from the chuck table 52.

図1に戻って説明を続けると、上記チャックテーブル機構5を構成する移動基台51の移動方向両側には、図1に示すように横断面形状が逆チャンネル形状であって、上記一対の案内レール23、23や雄ねじロッド561およびサーボモータ562等を覆っている蛇腹手段61および62が付設されている。 Referring back to FIG. 1, the moving direction on both sides of the movable base 51 constituting the chuck table mechanism 5, a cross-sectional shape is an inverted channel shape as shown in FIG. 1, the pair of guide bellows means 61 and 62 covering the rails 23 and 23 and the male screw rod 561 and a servo motor 562 or the like is attached. 蛇腹手段61および62はキャンパス布の如き適宜の材料から形成することができる。 Bellows means 61 and 62 may be made of a suitable material such as campus cloth. 蛇腹手段61の前端はハウジング2を構成する主部21の後半部の前面壁に固定され、後端はチャックテーブル機構5の移動基台51の前端面に固定されている。 The front end of the bellows means 61 is fixed to the front wall of the rear half portion of the main portion 21 constituting the housing 2, the rear end is fixed to the front end surface of the movable base 51 of the chuck table mechanism 5. 蛇腹手段62の前端はチャックテーブル機構5の移動基台51の後端面に固定され、後端は装置ハウジング2の直立壁22の前面に固定されている。 The front end of the bellows means 62 is fixed to the rear end surface of the movable base 51 of the chuck table mechanism 5, the rear end is fixed to the front surface of the upstanding wall 22 of the housing 2. チャックテーブル機構5が矢印23aで示す方向に移動せしめられる際には蛇腹手段61が伸張されて蛇腹手段62が収縮され、チャックテーブル機構5が矢印23bで示す方向に移動せしめられる際には蛇腹手段61が収縮されて蛇腹手段62が伸張せしめられる。 When the chuck table mechanism 5 is moved in the direction shown by arrow 23a is bellows unit 62 the bellows means 61 is stretched is contracted, the bellows means in the chuck table mechanism 5 is moved in the direction shown by the arrow 23b 61 the bellows means 62 is made to extend deflated.

図1に基づいて説明を続けると、装置ハウジング2の主部21における前半部上には、第1のカセット11と、第2のカセット12と、ウエーハ仮載置手段13と、洗浄手段14と、ウエーハ搬送手段15と、ウエーハ搬入手段16およびウエーハ搬出手段17が配設されている。 Continuing with the description based on FIG. 1, on the front half portion of the main portion 21 of the housing 2, the first cassette 11, a second cassette 12, the wafer temporary placing means 13, the cleaning means 14 , the wafer transfer means 15, the wafer carrying unit 16 and the wafer unloading means 17 is disposed. 第1のカセット11は研削加工前の被加工物としてのウエーハを収納し、装置ハウジング2の主部21におけるカセット搬入域に載置される。 The first cassette 11 houses a wafer as a workpiece before grinding is placed on the cassette carrying zone in the main portion 21 of the housing 2. 第2のカセット12は装置ハウジング2の主部21におけるカセット搬出域に載置され、研削加工後のウエーハを収納する。 The second cassette 12 is placed on the cassette carrying-out area in the main portion 21 of the housing 2, for housing the wafer after grinding. ウエーハ仮載置手段13は第1のカセット11と着脱領域24との間に配設され、研削加工前のウエーハを仮載置する。 Wafer temporary placing means 13 is disposed between the removable area 24 in the first cassette 11, temporarily placing the wafer before grinding. 洗浄手段14は着脱領域24と第2のカセット12との間に配設され、研削加工後のウエーハ10を洗浄する。 Cleaning means 14 is disposed between the removable region 24 and the second cassette 12, to clean the wafer 10 after grinding. ウエーハ搬送手段15は第1のカセット11と第2のカセット12との間に配設され、第1のカセット11内に収納されたウエーハをウエーハ仮載置手段13に搬出するとともに洗浄手段14で洗浄されたウエーハを第2のカセット12に搬送する。 Wafer transfer means 15 is disposed between the first cassette 11 and second cassette 12, in the cleaning unit 14 with unloading the wafer housed in the first cassette 11 to the wafer temporary placing means 13 conveying the cleaned wafer to a second cassette 12.

上記ウエーハ搬入手段16はウエーハ仮載置手段13と着脱領域24との間に配設され、ウエーハ仮載置手段13上に載置された研削加工前のウエーハを着脱領域24に位置付けられたチャックテーブル機構5のチャックテーブル52上に搬送する。 Chuck the wafer carrying unit 16 is disposed between the wafer temporary placing means 13 and the detachable region 24, is positioned the placed grinding before the wafer on the wafer temporary placing means 13 in the detachable area 24 It conveyed on the chuck table 52 of the table mechanism 5. ウエーハ搬出手段17は、着脱領域24と洗浄手段14との間に配設され、着脱領域24に位置付けられたチャックテーブル52上に載置されている研削加工後のウエーハを洗浄手段14に搬送する。 Wafer unloading unit 17 is disposed between the removable area 24 and the cleaning means 14, to convey the wafer after grinding, which is placed on the chuck table 52 positioned in the removable area 24 in the cleaning means 14 .

なお、研削加工前のウエーハを所定数収容した第1のカセット11は、装置ハウジング2の主部21における所定のカセット搬入域に載置される。 The first cassette 11 by a predetermined number accommodate wafer before grinding is placed on a predetermined cassette loading area in the main portion 21 of the housing 2. そして、カセット搬入域に載置された第1のカセット11に収容されていた研削加工前のウエーハが全て搬出されると、空のカセット11に代えて研削加工前の複数個のウエーハを所定数収容した新しいカセット11が手動でカセット搬入域に載置される。 When the first cassette 11 grinding before the wafer which has been accommodated in placed on the cassette carrying-region are all out, a predetermined number of a plurality of wafer before grinding instead of empty cassette 11 the new cassette 11 which accommodates is placed on the cassette carrying-area manually. 一方、装置ハウジング2の主部21における所定のカセット搬出域に載置された第2のカセット12に研削加工後のウエーハが所定数搬入されると、かかる第2のカセット12が手動で搬出され、新しい空の第2のカセット12が載置される。 On the other hand, when the second wafer after grinding the cassette 12 placed on the predetermined cassette unloading zone in the main portion 21 of the housing 2 is carried predetermined number, according the second cassette 12 is unloaded manually , the second of the cassette 12 of the new sky is placed.

図示の実施形態における研削装置は以上のように構成されており、以下その作用について、主に図1を参照して説明する。 Grinding machine in the illustrated embodiment is constituted as described above, below its effects will be described mainly with reference to FIG.
図3の(a)および(b)には、ウエーハとしての半導体ウエーハ10の斜視図が示されている。 In (a) and (b) of FIG. 3 is a perspective view of a semiconductor wafer 10 as a wafer. 図3の(a)および(b)に示す半導体ウエーハ10は、例えば厚さが600μmの円板形状をしたシリコンウエーハからなり、その表面10aに複数のストリート101が格子状に配列されているとともに、該複数のストリート101によって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイス102が形成されている。 The semiconductor wafer 10 shown in (a) and (b) in FIG. 3, for example, a thickness of a silicon wafer having a disc shape of 600 .mu.m, with a plurality of streets 101 are arranged in a lattice pattern on the surface 10a , IC into a plurality of areas sectioned by streets 101 of the plurality of the device 102 of the LSI or the like is formed. このように構成された半導体ウエーハ10は、デバイス102が形成されているデバイス領域120と、該デバイス領域120を囲繞する外周余剰領域130を備えており、該外周余剰領域130の外周部には、図3の(b)に示すように表面10aから裏面10bに渡り面対称に形成された円弧状の面取り部10cが形成されている。 Such semiconductor wafer 10 constituted as described above, a device region 120 which the device 102 is formed, has a peripheral marginal area 130 surrounding the device region 120, the outer peripheral portion of the outer circumferential excess region 130, chamfer 10c of (b) in an arc shape of the surface 10a formed on the linkage surface symmetrically to the back surface 10b as shown FIG. 3 is formed.

以下、図3の(a)および(b)に示す半導体ウエーハ10の裏面10bを研削して所定の厚み(例えば10μm)に形成するとともに、半導体ウエーハ10の外周部に形成された円弧状の面取り部10cを除去する研削方法について説明する。 Hereinafter, as to form a predetermined thickness of the rear surface 10b by grinding the semiconductor wafer 10 shown in FIGS. 3 (a) and 3 (b) (e.g. 10 [mu] m), arcuate chamfer formed on the outer peripheral portion of the semiconductor wafer 10 It described grinding method of removing a part 10c.
本発明による研削方法においては、先ず半導体ウエーハ10の表面10aに形成されたデバイス102を保護するために、図4の(a)および(b)に示すように半導体ウエーハ10の表面10aに保護テープ等の保護部材Tを貼着する(保護部材貼着工程)。 In the grinding process according to the present invention, first the devices 102 formed on the surface 10a of the semiconductor wafer 10 to protect, protect the surface 10a of the semiconductor wafer 10 as shown in FIGS. 4 (a) and (b) Tape adhering the protective member T equal (protective member attaching step). このようにして表面10aに保護部材Tが貼着された半導体ウエーハ10は、上記図1に示す研磨装置の第1のカセット11に裏面10bを上側にして収容される。 Thus the semiconductor wafer 10 protective member T to the surface 10a is attached to is contained in the rear surface 10b on the upper side in the first cassette 11 of the polishing apparatus shown in FIG. 1.

第1のカセット11に収容された研削加工前の半導体ウエーハ10はウエーハ搬送手段15の上下動作および進退動作により搬送され、ウエーハ仮載置手段13に載置される。 The first semiconductor wafer 10 before grinding stored in the cassette 11 is conveyed by a vertical movement and forward and backward movement of the wafer transfer means 15 is placed on the wafer temporary placing means 13. ウエーハ仮載置手段13に載置された半導体ウエーハ10は、ここで中心合わせが行われた後にウエーハ搬入手段16の旋回動作によって着脱領域24に位置付けられているチャックテーブル機構5のチャックテーブル52上に載置される。 The semiconductor wafer placed on the wafer temporary placing means 13 10, wherein centering the upper chuck table 52 of the chuck table mechanism 5 by pivoting operation of the wafer carrying unit 16 is positioned in the removable area 24 after being made It is placed on. チャックテーブル52上に載置された被加工物としての半導体ウエーハ10は、図示しない吸引手段によってチャックテーブル52上に吸引保持される。 The semiconductor wafer 10 as a workpiece placed on the chuck table 52 is suction-held on the chuck table 52 by a suction means that is not shown.

チャックテーブル52上に半導体ウエーハ10を吸引保持したならば、チャックテーブル位置付け手段56を作動してチャックテーブル機構5を矢印23aで示す方向に移動し、研削領域25に位置付ける。 If the semiconductor wafer 10 on the chuck table 52 suction-holding, by operating the chuck table positioning means 56 to move in the direction indicated by the chuck table mechanism 5 by the arrows 23a, positioned in the ground region 25. 図5は、チャックテーブル52が研削領域25に位置付けられた状態を示している。 Figure 5 shows a state in which the chuck table 52 is positioned in the ground region 25. 即ち、チャックテーブル52に保持された半導体ウエーハ10の中心(チャックテーブル52の回転中心P)が研削ホイール325の環状の研削砥石327が通過する位置の直下に位置付けられ、研削ホイール325はチャックテーブル52に保持された半導体ウエーハ10の上方の待機位置に位置付けられている。 That is, the center of the semiconductor wafer 10 held on the chuck table 52 (the rotation center P of the chuck table 52) is positioned directly below the position where the annular grinding wheel 327 of the grinding wheel 325 passes, the grinding wheel 325 is a chuck table 52 It is positioned above the standby position of the semiconductor wafer 10 held on. また、面取り部除去手段7の第2の送り手段76を作動してスピンドルユニット73の回転スピンドル732に装着された円盤状の研削砥石74を図5に示すようにチャックテーブル52に保持された半導体ウエーハ10の外周部おける円弧状の面取り部10cの直上に位置付ける。 Further, the semiconductor which is held a second disc-shaped grinding wheel 74 mounted on the rotary spindle 732 of the spindle unit 73 the feed means 76 by the operation of the chamfered portion removing means 7 on the chuck table 52 as shown in FIG. 5 positioned directly above the outer peripheral portion definitive arcuate chamfered portion 10c of the wafer 10.

次に、チャックテーブル機構5のサーボモータ53を作動してチャックテーブル52を図5の(a)において矢印52aで示す方向に例えば300rpm程度で回転するとともに、上記サーボモータ323を駆動し回転スピンドル322を回転して研削ホイール325を図5(a)において矢印325aで示す方向に例えば6000rpmの回転速度で回転しつつ、上記研削送り手段4のパルスモータ44を正転駆動して研削ユニット3を図5(a)において矢印Z1で示す方向(下方向)に所定の研削送り速度で研削送りする。 Next, while rotating at, for example, 300rpm about a direction indicated by an arrow 52a in the chuck table 52 by operating the servo motor 53 of the chuck table mechanism 5 of FIG. 5 (a), the rotation spindle to drive the servo motor 323 322 while rotating at a rotation speed of the direction indicated by arrow 325a for example 6000rpm in FIGS. 5 (a) grinding wheel 325 is rotated to FIG grinding unit 3 driven forward pulse motor 44 of the grinding feed means 4 in 5 (a) grinding feed at a predetermined grinding feed rate in the direction (downward) indicated by the arrow Z1. また、面取り部除去手段7のスピンドルユニット73を構成するサーボモータ733を駆動し回転スピンドル732を回転して円盤状の研削砥石74を図5(a)において矢印74aで示す方向に例えば20000rpmの回転速度で回転しつつ、上記第1の送り手段75のパルスモータ751を正転駆動してスピンドルユニット73を図5の(a)において矢印Z1で示す方向(下方向)に所定の送り速度で研削送りする。 The direction for example rotation of 20000rpm showing a disk-shaped grinding wheel 74 to drive the servo motor 733 rotates the rotary spindle 732 constituting the spindle unit 73 of the chamfered portion removing means 7 by the arrows 74a in FIGS. 5 (a) while rotating at a speed, grinding spindle unit 73 by normal rotation pulse motor 751 of the first feeding means 75 in the direction (downward) indicated by the arrow Z1 in FIG. 5 (a) at a predetermined feed speed to feed.

図5の(a)に示す状態から研削ホイール325および円盤状の研削砥石74が矢印Z1で示す方向(下方向)に研削送りされ、図5の(b)に示すように研削砥石327の下面である研削面がチャックテーブル52に保持された半導体ウエーハ10の裏面10bである上面(被加工面)に接触するととともに、円盤状の研削砥石74の研削面である外周面741が半導体ウエーハ10の外周部における円弧状の面取り部10cに接触して裏面および面取り部の研削が実施される。 Grinding wheel 74 from the state grinding wheel 325 and disc-shaped as shown in FIG. 5 (a) is grinding feed in the direction (downward) indicated by the arrow Z1, the lower surface of the grinding wheel 327 as shown in FIG. 5 (b) in it together with the grinding surface contacts the upper surface (the surface to be processed) is a rear surface 10b of the semiconductor wafer 10 held on the chuck table 52, the outer peripheral surface 741 is a ground surface of the disc-shaped grinding wheel 74 of the semiconductor wafer 10 grinding of the back surface and the chamfered portion are performed in contact with the arcuate chamfer 10c at the outer peripheral portion. この結果、図6の(a)に示すように研削ホイール325の研削砥石327によって半導体ウエーハ10の裏面10bが研削されるとともに、円盤状の研削砥石74の外周面741によって半導体ウエーハ10の外周部における円弧状の面取り部10cが研削される。 As a result, the back surface 10b of the semiconductor wafer 10 is ground by the grinding wheel 327 of the grinding wheel 325 as shown in (a) of FIG. 6, the outer peripheral portion of the semiconductor wafer 10 by the outer peripheral surface 741 of a disc-shaped grinding wheel 74 arcuate chamfer 10c is ground in. そして、研削ホイール325を矢印Z1で示す方向(下方向)に所定量研削送りするとともに円盤状の研削砥石74を外周面741が保護部材Tに達する位置まで研削送りすることにより、図6の(b)に示すように半導体ウエーハ10は裏面10bが所定量研削されて所定の厚みに形成されるとともに外周部における円弧状の面取り部10cが除去される(加工工程)。 By the outer circumferential surface 741 of the disk-shaped grinding wheel 74 with a predetermined amount grinding feed in the direction (downward direction) showing the grinding wheel 325 in the arrow Z1 to grinding feed to a position reaching the protective member T, in FIG. 6 ( the semiconductor wafer 10 as shown in b) is arcuate chamfer 10c is removed at the outer peripheral portion with the rear surface 10b is formed to a predetermined thickness by a predetermined amount grinding (processing step).

以上のように、図示の実施形態における研削装置は、研削領域25に位置付けられたチャックテーブル52に保持されている半導体ウエーハ10の裏面10bを研削する環状の研削砥石327を備えた研削ホイール325を具備した研削手段としての研削ユニット3と、研削領域25に位置付けられたチャックテーブル52の保持面に保持された半導体ウエーハ10の外周に形成された円弧状の面取り部10cを除去する面取り部除去手段7を備え、研削領域25に位置付けられたチャックテーブル52に保持された半導体ウエーハ10を研削手段としての研削ユニット3によって研削する際に面取り部除去手段7によって半導体ウエーハ10の外周に形成された円弧状の面取り部10cを除去するので、円弧状の面取り部10cを除去するために As described above, the grinding machine in the illustrated embodiment, the grinding wheel 325 having an annular grinding wheel 327 for grinding the back surface 10b of the semiconductor wafer 10 held on the chuck table 52 positioned in the ground region 25 a grinding unit 3 as grinding means equipped chamfers removing means for removing an arcuate chamfered portion 10c formed on the outer periphery of the semiconductor wafer 10 held on the holding surface of the chuck table 52 positioned in the ground region 25 with 7, a circle formed on the outer periphery of the semiconductor wafer 10 by the chamfered portion removing means 7 when grinding the semiconductor wafer 10 held on the chuck table 52 positioned in the ground region 25 by grinding unit 3 as grinding means since the removal of arcuate chamfer 10c, in order to remove the arc-shaped chamfered portion 10c 特別に面取り部除去工程を実施する必要がないため生産性が向上する。 Specially productivity is improved because there is no need to carry out chamfering portion removal processing.

次に、上記面取り部除去手段7に装備される円盤状の研削砥石74の他の実施形態について、図7を参照して説明する。 Next, another embodiment of a disc-shaped grinding wheel 74 to be mounted to the chamfered portion removing means 7, it will be described with reference to FIG.
上述した円盤状の研削砥石74は研削面である外周面741が軸芯と平行に形成されている例を示したが、図7に示す実施形態における円盤状の研削砥石74は研削面である外周面742がテーパー状に形成されている。 Although disc-shaped grinding wheel 74 described above shows an example where the outer peripheral surface 741 is a ground surface is formed parallel to the axis, a disk-shaped grinding wheel 74 in the embodiment shown in FIG. 7 is a ground surface the outer peripheral surface 742 is formed in a tapered shape. 従って、図7に示す円盤状の研削砥石74によって研削することにより、半導体ウエーハ10の外周に形成された円弧状の面取り部10cもテーパー状に除去される。 Thus, by grinding the disk-shaped grinding wheel 74 shown in FIG. 7, an arcuate chamfered portion 10c formed on the outer periphery of the semiconductor wafer 10 is removed in a tapered shape.

2:装置ハウジング 3:研削ユニット 31:移動基台 32:スピンドルユニット 321:スピンドルハウジング 322:回転スピンドル 323:サーボモータ 324:マウンター 325:研削ホイール 327:研削砥石 4:研削送り手段 44:パルスモータ 5:チャックテーブル機構 51:移動基台 52:チャックテーブル 56:チャックテーブル位置付け手段 7:面取り部除去手段 73:スピンドルユニット 732:回転スピンドル 74:研削砥石 75:第1の送り手段 76:第2の送り手段 10:半導体ウエーハ 11:第1のカセット 12:第2のカセット 13:ウエーハ仮載置手段 14:洗浄手段 15:ウエーハ搬送手段 16:ウエーハ搬入手段 17:ウエーハ搬出手段 2: housing 3: grinding unit 31: movable base 32: spindle unit 321: the spindle housing 322: a rotating spindle 323: servomotor 324: mounter 325: Grinding Wheel 327: grinding wheel 4: grinding feed means 44: Pulse motor 5 : chuck table mechanism 51: the movable base 52: chuck table 56: the chuck table positioning means 7: chamfer removal means 73: spindle unit 732: rotating spindle 74: grinding wheel 75: first feed means 76: second feed It means 10: semiconductor wafer 11: the first cassette 12: second cassette 13: wafer temporary placing means 14: cleaning means 15: a wafer conveying means 16: a wafer carrying means 17: a wafer unloading means

Claims (1)

  1. ウエーハを保持する保持面を有し回転可能に構成されたチャックテーブルと、該チャックテーブルをウエーハを着脱する着脱領域と研削領域に選択的に位置付けるチャックテーブル位置付け手段と、該研削領域に位置付けられた該チャックテーブルの保持面に保持されたウエーハを研削する環状の研削砥石を備えた研削ホイールを具備した研削手段と、該研削手段を該チャックテーブルの保持面に対して垂直な方向に研削送りする研削送り手段と、を具備する研削装置において、 And rotatably configured chuck table having a holding surface for holding a wafer, and the chuck table positioning means for selectively positioning the removable region and the grinding area for attaching and detaching the wafer to the chuck table, positioned in the grinding region and the grinding means comprises a grinding wheel with a grinding wheel annular grinding the wafer held on the holding surface of the chuck table and grinding feed in a direction perpendicular to the grinding means with respect to the holding surface of the chuck table in the grinding apparatus comprising a grinding feed means, and
    該研削領域に位置付けられた該チャックテーブルの保持面に保持されたウエーハの外周に形成された面取り部を除去する面取り部除去手段を備え、 Includes a chamfer removing means for removing a chamfered portion formed on an outer periphery of the retained wafer on the holding surface of the chuck table positioned in the grinding area,
    該研削領域に位置付けられた該チャックテーブルの保持面に保持されたウエーハを該研削手段によって研削する際に該面取り部除去手段によってウエーハの外周に形成された面取り部を除去する、 Removing the chamfered portion formed on an outer periphery of the wafer by the chamfer removing means when ground by the grinding means is retained wafer on the holding surface of the chuck table positioned in the grinding area,
    ことを特徴とする研削装置。 Grinding and wherein the.
JP2012163607A 2012-07-24 2012-07-24 Grinding device Pending JP2014027000A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012163607A JP2014027000A (en) 2012-07-24 2012-07-24 Grinding device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012163607A JP2014027000A (en) 2012-07-24 2012-07-24 Grinding device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2014027000A true true JP2014027000A (en) 2014-02-06

Family

ID=50200417

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012163607A Pending JP2014027000A (en) 2012-07-24 2012-07-24 Grinding device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2014027000A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015150662A (en) * 2014-02-17 2015-08-24 株式会社荏原製作所 Polishing device and polishing method
JP2015223667A (en) * 2014-05-28 2015-12-14 株式会社ディスコ Griding device and grinding method for rectangular substrate

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0837169A (en) * 1994-07-26 1996-02-06 Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd Method and apparatus for grinding semiconductor substrate and manufacture of semiconductor device
JPH1133887A (en) * 1997-07-18 1999-02-09 Tokyo Seimitsu Co Ltd Method for grinding semiconductor wafer and its device
JP2004363154A (en) * 2003-06-02 2004-12-24 Seiko Epson Corp Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor substrate
JP2010129854A (en) * 2008-11-28 2010-06-10 Disco Abrasive Syst Ltd Method of removing chamfering portion of wafer, and grinding device
JP2011165994A (en) * 2010-02-12 2011-08-25 Okamoto Machine Tool Works Ltd Flattening processing device of semiconductor substrate
JP2012043825A (en) * 2010-08-12 2012-03-01 Disco Abrasive Syst Ltd Wafer processing method

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0837169A (en) * 1994-07-26 1996-02-06 Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd Method and apparatus for grinding semiconductor substrate and manufacture of semiconductor device
JPH1133887A (en) * 1997-07-18 1999-02-09 Tokyo Seimitsu Co Ltd Method for grinding semiconductor wafer and its device
JP2004363154A (en) * 2003-06-02 2004-12-24 Seiko Epson Corp Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor substrate
JP2010129854A (en) * 2008-11-28 2010-06-10 Disco Abrasive Syst Ltd Method of removing chamfering portion of wafer, and grinding device
JP2011165994A (en) * 2010-02-12 2011-08-25 Okamoto Machine Tool Works Ltd Flattening processing device of semiconductor substrate
JP2012043825A (en) * 2010-08-12 2012-03-01 Disco Abrasive Syst Ltd Wafer processing method

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015150662A (en) * 2014-02-17 2015-08-24 株式会社荏原製作所 Polishing device and polishing method
JP2015223667A (en) * 2014-05-28 2015-12-14 株式会社ディスコ Griding device and grinding method for rectangular substrate

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7462094B2 (en) Wafer grinding method
JP2010021398A (en) Method of treating wafer
JP2007173487A (en) Method of processing wafer and device
JP2009081391A (en) Method of processing wafer
JP2006218571A (en) Dressing board and dressing method
JP2007305835A (en) Treatment method of wafer
JP2005327838A (en) Processing device for plate-like electrode
JP2003007649A (en) Method of dividing semiconductor wafer
US7758402B2 (en) Wafer grinding method
JP2008047695A (en) Wafer etching method
JP2007165802A (en) Grinding machine and method for substrate
JP2007125667A (en) Cutting device of substrate
JP2001085365A (en) Method for dicing
JP2010129854A (en) Method of removing chamfering portion of wafer, and grinding device
JP2008258554A (en) Grinding machine of wafer
CN102791425A (en) Grinding/polishing device for polygonal column member and grinding/polishing method
JP2008042081A (en) Wafer grinding device
JP2006100644A (en) Grinding machine for semiconductor wafer, and grinding method thereof
JP2011049195A (en) Device and method for processing workpiece
JP2008060470A (en) Working method for wafer
JP2007103582A (en) Processing method and grinding apparatus of wafer
JP2005028550A (en) Method for polishing wafer having crystal orientation
JP2009094247A (en) Cleaning device and grinder of wafer
JP2007296601A (en) Grinding wheel
JP2008264941A (en) Device and method for polishing disc-shaped workpiece

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150616

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160617

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160705

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20170228