JP6671193B2 - 膜付きステンレス箔およびその製造方法 - Google Patents
膜付きステンレス箔およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6671193B2 JP6671193B2 JP2016041158A JP2016041158A JP6671193B2 JP 6671193 B2 JP6671193 B2 JP 6671193B2 JP 2016041158 A JP2016041158 A JP 2016041158A JP 2016041158 A JP2016041158 A JP 2016041158A JP 6671193 B2 JP6671193 B2 JP 6671193B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stainless steel
- steel foil
- film
- insulating film
- mol
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000011888 foil Substances 0.000 title claims description 235
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 title claims description 232
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 title claims description 229
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 239000012528 membrane Substances 0.000 title description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 49
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 45
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 40
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 40
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 39
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 39
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 36
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 27
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 25
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 23
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 18
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 18
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 claims description 17
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 17
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 17
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 claims description 16
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 8
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 7
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 297
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 45
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 30
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 27
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 16
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 14
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 14
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 13
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 12
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 10
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 9
- 239000002585 base Substances 0.000 description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 7
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 7
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 7
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- NOKUWSXLHXMAOM-UHFFFAOYSA-N hydroxy(phenyl)silicon Chemical class O[Si]C1=CC=CC=C1 NOKUWSXLHXMAOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 6
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 5
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 5
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 5
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003377 acid catalyst Substances 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 3
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 3
- 229920006015 heat resistant resin Polymers 0.000 description 3
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 3
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(phenyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 3
- KEQXNNJHMWSZHK-UHFFFAOYSA-L 1,3,2,4$l^{2}-dioxathiaplumbetane 2,2-dioxide Chemical compound [Pb+2].[O-]S([O-])(=O)=O KEQXNNJHMWSZHK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- YZBOVSFWWNVKRJ-UHFFFAOYSA-M 2-butoxycarbonylbenzoate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C([O-])=O YZBOVSFWWNVKRJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910000963 austenitic stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 2
- XGZNHFPFJRZBBT-UHFFFAOYSA-N ethanol;titanium Chemical compound [Ti].CCO.CCO.CCO.CCO XGZNHFPFJRZBBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LERMQUULPSCGHK-UHFFFAOYSA-N C(C)(=O)OCCCC.C(C)(=O)OCCCC.[Sn] Chemical compound C(C)(=O)OCCCC.C(C)(=O)OCCCC.[Sn] LERMQUULPSCGHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISKQADXMHQSTHK-UHFFFAOYSA-N [4-(aminomethyl)phenyl]methanamine Chemical compound NCC1=CC=C(CN)C=C1 ISKQADXMHQSTHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ILRRQNADMUWWFW-UHFFFAOYSA-K aluminium phosphate Chemical compound O1[Al]2OP1(=O)O2 ILRRQNADMUWWFW-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000001506 calcium phosphate Substances 0.000 description 1
- 229910000389 calcium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011010 calcium phosphates Nutrition 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- HQFUDJAIEHGNIX-UHFFFAOYSA-M dibutyltin(1+);acetate Chemical compound CCCC[Sn](OC(C)=O)CCCC HQFUDJAIEHGNIX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000004993 emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N ethyl acetoacetate Chemical compound CCOC(=O)CC(C)=O XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910017053 inorganic salt Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 229910000734 martensite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001105 martensitic stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- FABOKLHQXVRECE-UHFFFAOYSA-N phenyl(tripropoxy)silane Chemical compound CCCO[Si](OCCC)(OCCC)C1=CC=CC=C1 FABOKLHQXVRECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- QORWJWZARLRLPR-UHFFFAOYSA-H tricalcium bis(phosphate) Chemical compound [Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O QORWJWZARLRLPR-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOCC1CO1 JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005292 vacuum distillation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
- 238000004876 x-ray fluorescence Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Images
Description
Roll to Rollプロセスで薄膜デバイスを形成する過程では、エッチングも行われるが、エッチング液が劣化することがあった。劣化の原因の一つとして、両面被覆されたステンレス箔の端部から、エッチング液が浸透し、ステンレスがエッチング液に溶出することを、本発明者が見出した。
ステンレス箔等の金属箔の周囲を、絶縁被覆した電子デバイス用基板に関する先行事例があるが、いずれもRoll to Rollプロセスには適さないものであった。
万一、特許文献3の両面をポリイミド層で被覆した発熱体を、薄膜デバイス用の基板材料として用いた場合、ポリイミドはガスバリア性が低いので、外界の湿気を素子に持ち込むことがあり、両面をポリイミド層で被覆された基板は、有機EL素子のように水分で劣化しやすい素子には適用することができない。
また、特許文献4の、エッチングした金属箔(電極)を一般的な樹脂で覆った基板は、樹脂の耐熱性およびガスバリア性の観点から、薄膜デバイス用基板に応用するには、不適である。有機無機ハイブリッド材料は、組成および作成条件を適切に選択すれば、薄膜デバイス用基板として利用可能性がある。しかし、一般にゾルゲル法で作製できる有機無機ハイブリッド材料の硬化処理時間は長く、これに対応できるRoll to Roll装置は非現実的な長さの炉を有しなければならず、現実的な大きさのRoll to Roll装置での対応は難しい。
(1)
第1の絶縁膜、
前記第1の絶縁膜の上に直接配置されたステンレス箔、及び、
前記ステンレス箔(および前記第1の絶縁膜)上に直接配置された第2の絶縁膜、
を含んでなる、膜付きステンレス箔であって、
前記膜付きステンレス箔のTD方向断面において、
前記第1の絶縁膜の端部から近位の前記ステンレス箔の端部までの距離bが0.1〜5.0mmであり、
前記ステンレス箔は上底が下底より短い略台形形状を有し、前記ステンレス箔の厚みtが10〜150μmであり、
前記台形の上底および斜辺が、前記第2の絶縁膜で完全に被覆されている、
ことを特徴とする、膜付きステンレス箔。
(2)
前記台形の斜辺から、前記第1の絶縁膜の上面の少なくとも一部へ、前記第2の絶縁膜が連続的に 被覆していることを特徴とする、(1)に記載の膜付きステンレス箔。
(3)
前記第2の絶縁膜は、前記ステンレス箔の上底の上で、膜厚2.0μm以上5.0μm以下、Raが30nm以下であることを特徴とする、(1)または(2)に記載の膜付きステンレス箔。
(4)
前記膜付きステンレス箔がコイル状に巻き取られたものであることを特徴とする、(1)〜(3)のいずれか1項に記載の膜付きステンレス箔。
(5)
前記第1の絶縁膜は、ポリイミドを含んでなることを特徴とする、(1)〜(4)のいずれか1項に記載の膜付きステンレス箔。
(6)
前記第2の絶縁膜は、有機溶媒中フェニルトリアルコキシシラン1モルに対して、酢酸0.1モル以上1モル以下、有機スズ0.005モル以上0.05モル以下を触媒として加え、2モル以上4モル以下の水で加水分解し、160℃以上210℃以下の温度で有機溶剤を減圧留去して得られたレジンを含んでなることを特徴とする、(1)〜(5)のいずれか1項に記載の膜付きステンレス箔。
(7)
前記第2の絶縁膜は、前記レジンを芳香族炭化水素系溶剤に溶解した平坦化膜形成塗布液を前記ステンレス箔に塗布後、熱処理プロセスでリフローおよび膜硬化させたものであることを特徴とする、(6)に記載の膜付きステンレス箔。
(8)
第1の絶縁膜を用意する工程、
ステンレス箔を前記第1の絶縁膜の上に直接配置して、TD方向断面において、前記第1の絶縁膜の端部から近位の前記ステンレス箔の端部までの距離bが0.1〜5.0mmとする工程、
前記ステンレス箔をエッチングして、TD方向断面において、前記ステンレス箔は略台形形状を有し、前記ステンレス箔の厚みtが10〜150μmとする工程、
有機溶媒中フェニルトリアルコキシシラン1モルに対して、酢酸0.1モル以上1モル以下、有機スズ0.005モル以上0.05モル以下を触媒として加え、2モル以上4モル以下の水で加水分解後、160℃以上210℃以下の温度で有機溶剤を減圧留去して得られたレジンを芳香族炭化水素系溶剤に溶解した平坦化膜形成塗布液を用意する工程、
前記塗布液を前記ステンレス箔に塗布し、熱処理プロセスでリフローおよび膜硬化して、第2の絶縁膜を得て、TD方向断面において、前記台形の上底および斜辺を前記第2の絶縁膜で完全に被覆する工程、
を含んでなる膜付きステンレス箔の製造方法。
(9)
前記台形の斜辺から、前記第1の絶縁膜の上面の少なくとも一部へ、前記第2の絶縁膜が連続的に被覆していることを特徴とする、(8)に記載の膜付きステンレス箔の製造方法。
(10)
前記第2の絶縁膜は、前記ステンレス箔の上底の上で、膜厚2.0μm以上5.0μm以下、Raが30nm以下であることを特徴とする、(8)または(9)に記載の膜付きステンレス箔の製造方法。
(11)
前記膜付きステンレス箔をコイル状に巻き取る工程をさらに含むことを特徴とする、(8)〜(10)のいずれか1項に記載の膜付きステンレス箔の製造方法。
(12)
前記第1の絶縁膜は、ポリイミドを含んでなることを特徴とする、(8)〜(11)のいずれか1項に記載の膜付きステンレス箔の製造方法。
(13)
前記熱処理プロセスは、不活性ガス雰囲気中300℃以上450℃以下の熱処理炉を通過させることを含んでなる、(8)〜(12)のいずれか1項に記載の膜付きステンレス箔の製造方法。
第1の絶縁膜、
前記第1の絶縁膜の上に直接配置されたステンレス箔、及び、
前記ステンレス箔(および前記第1の絶縁膜)上に直接配置された第2の絶縁膜、
を含んでなり、
前記膜付きステンレス箔のTD方向断面において、
前記第1の絶縁膜の端部から近位の前記ステンレス箔の端部までの距離bが0.1〜5.0mmであり、
前記ステンレス箔は上底が下底より短い略台形形状を有し、前記ステンレス箔の厚みtが10〜150μmであり、
前記台形の上底および斜辺が、前記第2の絶縁膜で完全に被覆されている、
ことを特徴とする。
電子デバイスを作製する際のプロセス温度は、電子デバイスの種類および構成材料によって異なるが、有機ELディスプレイで求められるアモルファスシリコンあるいはLTPS(low−temperature poly silicon)のTFTを作る場合には300〜400℃程度のプロセス温度になる。従ってステンレス箔を被覆する絶縁膜も400℃まで耐えられることが望ましい。この観点から、第1の絶縁膜は、ポリイミドを含んでもよい。ポリイミドのガスバリア性の低さが、プロセスや製品の品質に影響を与える場合は、その上に積層されるステンレス箔、および第2の絶縁膜の材質、形状、厚さ等を調整することで対応可能である。
金属酸化物の膜は例えばスパッタ・蒸着・CVDなどにより成膜することができる。無機塩の膜は例えばロールコーター・スプレイなどの塗布法により成膜することができる。耐熱性樹脂の膜は例えばコンマコーター・ダイコーター・スプレイなどの塗布法により成膜することができる。
第1の絶縁膜の膜厚は1μm以上25μm以下であってもよい。1μm以上の膜厚があればエッチング液へのステンレス箔の裏面からの溶出が防止できる。また、第2の絶縁膜との組み合わせによりステンレス箔端部において十分な強度を発現することができる。第1の絶縁膜の膜厚が25μmを超える場合は、膜応力により第1の絶縁膜に大きなクラックが発生したり剥離したりすることがあるので好ましくない。また巻き取り性や、薄膜化することを考慮すると、第1の絶縁膜の膜厚は薄いことが好ましく、膜厚の上限を好ましくは15μm、さらに好ましくは10μmとしてもよい。高い絶縁性の向上が見込まれ、健全な絶縁膜が得られるより好ましい第1の絶縁膜の膜厚の範囲は2μm以上5μm以下である。なお、第1の絶縁膜の厚みは接触式のいわゆるマイクロメーターを用いて測定することが出来る。
なお、本発明で用いられるステンレス箔基材の厚みtは接触式のいわゆるマイクロメーターを用いて測定することが出来る。
また、フェライト系ステンレスとしては、SUS430、SUS405、SUS410、SUS436、SUS444等を用いることができる。
また、マルテンサイト系ステンレスとしては、SUS403、SUS440、SUS420、SUS410等を用いることができる。ステンレス鋼においては、フレキシブルなもの利用する場合には、オーステナイト系またはフェライト系が好ましい。特に耐熱強度を高くしたい場合に、オーステナイト系を使用することが好ましい。SUS304、SUS316が一般的だが、特に一層高い耐熱性を求める場合には、SUS310、SUS309を用いることが好ましい。いずれのステンレスであっても300〜400℃程度のプロセス温度には十分な耐熱性を有する。
また図1のbの長さは、ステンレス箔の端部(台形の下底の頂点)から、近位にある第1の絶縁膜の端部までの距離であり、0.1〜5.0mmである。bが0.1mm未満であると、ステンレス箔のTD方向端部、特に、台形の斜辺、台形の下底の頂点が、絶縁膜で十分に被覆されないことがある。そのため、膜付きステンレス箔をエッチング処理したときに、ステンレス箔の溶出が生じるおそれがある。bが5.0mmを超えると、構成材料の熱膨張率、熱収縮率の差によって、第1の絶縁膜の端部(bの長さに相当する部分)で反り(カール)が生じることがある。
上記の所定の形状となるように、第1の絶縁膜を用意し、ステンレス箔を第1の絶縁膜上に配置し、その後ステンレス箔エッチングしてもよく、また、予め上記の所定の形状となるように、第1の絶縁膜およびエッチングしたステンレス箔をそれぞれ用意し、それらを積層してもよい。あるいは、ステンレス箔に第1の絶縁膜を製膜した後で、ステンレス箔をエッチングして上記の所定の形状を得てもよい。
なお、上記の台形形状、長さa、bは、膜付きステンレス箔の断面をSEM等で観察することにより、確認または測定することができる。
第2の絶縁膜は、ステンレス箔の台形形状の斜辺から、第1の絶縁膜の上面(図1のb部)の少なくとも一部へ、連続的に被覆されていてもよい。これにより、ステンレス箔の被覆をより確実にすることができる。
ステンレス箔は圧延によって薄くするので、圧延方向にすじが認められる。また、元の溶融金属に含まれる介在物や、圧延ロールに巻き込まれた異物などによって、圧延方向に引き伸ばされた疵も存在する。疵の大きさは幅数十μm、長さ1〜数mm程度であることが多い。ステンレス箔の表面は、従来の電子デバイス用の基板として利用されてきたガラス基板と比較できないほど粗く、そのままでは電子デバイス用の基板に不適である。本発明では、ステンレス箔の上に第2の絶縁膜を被覆して、膜つきステンレス箔の表面粗さを低減することができる。
また、第1の絶縁膜の膜厚が1μm以下の薄い場合、第2の絶縁被膜の表面粗さが、ステンレス箔そのものの表面粗さより少し平滑になる傾向がある。その理由はステンレス箔の凹凸を第1の絶縁膜によって多少埋めることができるからである。第1の絶縁膜の膜厚が1μmを超えるようになると、第1の絶縁膜材料そのものの粗さの影響が出てくる。したがって、第1の絶縁膜が無機系皮膜の場合は結晶粒径による凹凸が生じる。耐熱性樹脂の場合にはフィラーによる凹凸や、高粘度樹脂を塗ることに伴う塗りむらなどが生じる。しかしながら、第1の絶縁膜に載ったステンレス箔のRaが60nm以下であれば、そのステンレス箔の上に配置する第2の絶縁膜のRaを30nm以下にすることができる。
第2の絶縁膜は、有機溶媒中、フェニルトリアルコキシシラン1モルに対して、酢酸0.1モル以上1モル以下、有機スズ0.005モル以上0.05モル以下を触媒として加え、2〜4モルの水で加水分解後、160℃以上220℃以下の温度でフェニルトリアルコキシシランの加水分解時に用いた有機溶剤を減圧留去して得られたレジンを含んでもよい。なお、160℃以上220℃以下の温度での有機溶剤の減圧留去では、反応副生成物としての水およびアルコールも留去される。このレジンを芳香族炭化水素系溶剤に溶解し、濾過により清澄にした上で、そのレジン溶解液を、略台形形状のステンレス箔に塗布し、乾燥、硬化することにより、第2の絶縁膜が形成できる。この本発明の好ましいフェニル基修飾シリカ膜は、平坦化という観点で膜が硬化過程でリフローしてステンレス箔の表面の凹凸をならし、さらにステンレス箔の略台形形状の斜面も被覆することと、その膜がRoll to Rollプロセスで成膜できるよう2分以内の熱処理時間で硬化できることの2点を両立させることができる。
フェニル基修飾シリカ膜の原料となるレジン溶解液をステンレス箔への塗布後、乾燥処理は20℃以上150℃以下の温度で行う。乾燥工程では塗布した膜に含まれる溶剤や水分を除去して乾燥膜とするのが目的である。減圧留去によるレジン合成温度より高い乾燥温度にすると、レジンを形成しているラダーポリマーが軟化する可能性があるため、乾燥温度はレジン合成温度より低いことが望ましい。乾燥膜中ではラダーポリマーが絡まり合って見掛け上、網目構造のようになって膜硬化しているように見えるが、熱振動で分子の運動が活発になるとラダーポリマーはほどけて流動性を示すようになる。熱処理工程は乾燥膜を形成しているラダーポリマーを溶融軟化、すなわちリフローさせて第2の絶縁膜としてのフェニル基修飾シリカ膜の表面を平坦化させることと、リフローに引き続きポリマーの架橋を進めて三次元網目構造を形成させ膜を硬化させることの2つが目的である。リフローは減圧留去によるレジン合成温度より高温域、三次元的な架橋が進んで膜が硬化し始める温度より低い温度域で発生する現象である。リフローのために特別な熱処理プロセスをとる必要はなく、熱処理を300℃以上450℃以下で行えば、熱処理温度まで昇温される過程でリフローが起き、引き続き架橋による膜硬化が進む。ステンレス箔の表面を平坦にするには、Roll to Rollプロセスにおいて水平な状態で熱処理を行うことが効果的である。膜硬化は架橋反応による網目構造形成であるので、ひとたび膜が硬化すると、再度リフローすることはない。熱処理温度が300℃より低い場合は、架橋が十分進まずシラノール基などの反応基が膜の中に残るため絶縁性が不十分となるうえ、有機デバイス作製中にシラノール基などに吸着した水分が脱離すると素子に悪影響を及ぼすので不適である。熱処理温度が450℃より高い場合は、フェニル基の熱分解による体積収縮が起き、クラックが入りやすくなるので不適である。より好ましい熱処理温度は360℃以上420℃以下である。
厚さ50μm、幅310mmのフェライト系ステンレス箔ロール(NSSC190, SB仕上げ)上に第1の絶縁膜としてポリイミド膜を形成した。全芳香族ポリイミド前駆体溶液をRoll to Roll方式の成膜装置を使いスリットダイヘッドでステンレス箔の中央部に幅300mmで塗布し80℃で乾燥後、350℃で焼き付けた。焼き付け後のポリイミド膜の厚さは20μmであった。エッチングレジストをステンレス箔の中央部に290mm幅で形成し、ステンレス箔の両端10mmずつ塩化第2鉄溶液を用いてエッチングした。エッチング速度は15μm/分とした。ここまでの工程で厚さ20μm幅300mmのポリイミドと厚さ50μm幅290mmのステンレス箔の積層体のロールが得られた。ポリイミドの両端5mmずつはステンレス箔が積層されていない領域となっている。
第2の絶縁膜としてフェニル基含有シリカ膜をステンレス箔の直上に形成した。第2の絶縁膜を形成するための塗布液は、以下のように作製した。エタノールで、フェニルトリエトキシシラン1モルに対して、酢酸0.2モル、ジブチルジアセテートスズ0.01モルを触媒とし、3モルの水を加えて加水分解し、190℃で有機溶剤を減圧留去した。得られたレジンを固形分濃度30%となるようにトルエンに溶解し、濾過して塗布液とした。
Roll to Roll方式の成膜装置を使い、スリットダイでロールの幅方向中央部に第2の絶縁膜形成用塗布液を幅296mmで塗布し、室温で乾燥後、400℃で焼き付けた。焼き付け後の第2の絶縁膜の厚さはステンレス箔上で3.5μmになるように塗布条件を設定した。
ステンレス箔の厚みが10μmであることと、グラビアコータを使って第2の絶縁膜形成用塗布液を幅300mmで塗布したこと以外は、すべて実施例1と同様に実施した。
ステンレス箔の厚みが150μmであること以外はすべて実施例1と同様に実施した。
エッチングレジストをステンレス箔の中央部に296mm幅で形成し、ステンレス箔の両端7mmずつ塩化第2鉄溶液を用いてエッチングしたこと、グラビアコータを使って第2の絶縁膜形成用塗布液を幅300mmで塗布したこと以外は、すべて実施例1と同様に実施した。すなわち、厚さ20μm幅300mmのポリイミドと厚さ50μm幅296mmのステンレス箔の積層体のロールに、第2の絶縁膜を厚さ3.5μm、幅300mmで形成したことになる。
エッチングレジストをステンレス箔の中央部に299.8mm幅で形成し、ステンレス箔の両端5.1mmずつ塩化第2鉄溶液を用いてエッチングしたこと、グラビアコータを使って第2の絶縁膜形成用塗布液を幅300mmで塗布したこと以外は、すべて実施例1と同様に実施した。すなわち、厚さ20μm幅300mmのポリイミドと厚さ50μm幅299.8mmのステンレス箔の積層体のロールに、第2の絶縁膜を厚さ3.5μm、幅300mmで形成したことになる。
厚さ50μm、幅310mmのフェライト系ステンレス箔ロール(NSSC190, SB仕上げ)上に第1の絶縁膜として実施例1の手順で合成したフェニル基含有シリカ膜を形成した。フェニル基含有シリカ膜を形成するための塗布液をRoll to Roll方式の成膜装置を使いグラビアコータでステンレス箔の全面に塗布し室温で乾燥後、400℃で焼き付けた。焼き付け後のフェニル基含有シリカ膜の厚さは3μmであった。エッチングレジストをステンレス箔の中央部に299.8mm幅で形成し、ステンレス箔の両端5.1mmずつ塩化第2鉄溶液を用いてエッチングした。エッチング速度は15μm/分とした。ここまでの工程で厚さ3μm幅300mmの第1の絶縁膜(フェニル基含有シリカ膜)と厚さ50μm幅299.8mmのステンレス箔の積層体のロールが得られた。第1の絶縁膜(フェニル基含有シリカ膜)の両端0.1mmずつはステンレス箔が積層されていない領域となっている。
第2の絶縁膜としてフェニル基含有シリカ膜を形成した。Roll to Roll方式の成膜装置を使い、グラビアコータでのロール全面に塗布し、室温で乾燥後、400℃で焼き付けた。焼き付け後の第2の絶縁膜の厚さはステンレス箔上で3.5μmになるように塗布条件を設定した。
用いたステンレス箔がオーステナイト系SUS304のMW(ミルクホワイト)仕上げであり、厚さが30μmであること以外はすべて実施例1と同様に実施した。
第2の絶縁膜の厚さが1.5μmになるようにスリットダイの吐出圧を調節したこと以外は、実施例7とすべて同様に実施した。
エッチングレジストをステンレス箔の中央部に288mm幅で形成し、ステンレス箔の両端11mmずつ塩化第2鉄溶液を用いてエッチングしたこと、グラビアコータを使って第2の絶縁膜形成用塗布液を幅300mmで塗布したこと以外は、すべて実施例1と同様に実施した。すなわち、厚さ20μm幅300mmのポリイミドと厚さ50μm幅288mmのステンレス箔の積層体のロールに、第2の絶縁膜を厚さ3.5μm、幅300mmで形成したことになる。
厚さ50μm、幅300mmのフェライト系ステンレス箔ロール(NSSC190, SB仕上げ)上に第1の絶縁膜としてポリイミド膜を形成した。ステンレス箔のエッチングは行わなかった。全芳香族ポリイミド前駆体溶液をRoll to Roll方式の成膜装置を使いグラビアコータでステンレス箔の全面に塗布し80℃で乾燥後、350℃で焼き付けた。焼き付け後のポリイミド膜の厚さは20μmであった。第2の絶縁膜としてフェニル基含有シリカ膜をステンレス箔の直上に形成した。第2の絶縁膜を形成するための塗布液は、実施例1と同様の手順で作製した。Roll to Roll方式の成膜装置を使い、グラビアロールでロールの全幅に塗布し400℃で焼き付けた。焼き付け後の第2の絶縁膜の厚さはステンレス箔上で3.5μmになるように塗布条件を設定した。
ステンレス箔の厚みが9μmであること以外はすべて実施例1と同様に実施した。
ステンレス箔の厚みが170μmであること以外はすべて実施例1と同様に実施した。
第2の絶縁膜としてエポキシ基およびアミノ基含有シリカ膜を形成したこと以外はすべて実施例1と同様に実施した。
第2の絶縁膜を形成するための塗布液は以下のように作製した。グリシドキシプロピルトリエトキシシラン100質量部に対して、テトラエトキシチタンを8質量部、酢酸を9質量部加えて攪拌後、テトラエトキシシランを40質量部と70質量部のエタノールを加え、30質量部の水で加水分解した。さらにアミノプロピルトリエトキシシランを150質量部加えることによりゾルを調製し、最後に300質量部の水でゾルを希釈し、エポキシ基およびアミノ基含有シリカ膜の塗布液を調製した。Roll to Roll方式の成膜装置を使い、スリットダイでロールの幅方向中央部に第2の絶縁膜形成用塗布液を幅296mmで塗布し、150℃で焼き付けた。焼き付け後の第2の絶縁膜の厚さはステンレス箔上で1.5μmになるように塗布条件を設定した。
第2の絶縁膜としてポリジメチルシロキサンを主成分とするメチル基含有シリカ膜を形成したこと以外はすべて実施例1と同様に実施した。
第2の絶縁膜を形成するための塗布液は以下のように作製した。アセト酢酸エチル2モルとテトラエトキシチタン1モルを2モルのエタノールに分散させ、両末端カルビノール変性で平均分子量3000のポリジメチルシロキサン0.5モル加え攪拌した。2モルのエタノールと2モルの水の混合溶液を滴下し、ゾルを調製した。Roll to Roll方式の成膜装置を使い、スリットダイでロールの幅方向中央部に第2の絶縁膜形成用塗布液を幅296mmで塗布し、300℃で焼き付けた。焼き付け後の第2の絶縁膜の厚さはステンレス箔上で3.5μmになるように塗布条件を設定した。
本発明ではステンレス箔の端部をエッチングして第1の絶縁膜より幅を狭くしているので、ロールのTD方向両端部は絶縁膜のみである。ロール状に巻き取るときの張力は剛性が高いステンレス箔にかかるので、両端の第1の絶縁膜のみの部分は張力がかからないフリーな状態になる。ここに第2の絶縁膜が形成されると、第1と第2の絶縁膜の熱膨張係数差に起因する応力で第1の絶縁膜に反りや歪みが発生する。ロール状に50m巻いたときに両端の第1の絶縁膜の部分が良好な状態で巻き取れていれば問題なしと判断し表に○で記載した。
ステンレス箔のハンドリング性は第1と第2の絶縁膜を形成後、100mm角に切断したシートの四隅をキャリアガラスに1cm角にカットした両面カプトンテープで貼り付け、剥がすという作業を行い、貼り付け前後で全面被覆されたステンレス箔に発生した折れ或いは皺の有無で判定した。目視で認められるレベルの折れ或いは皺がなければ問題なしと判断し、表に○で記載した。全面被覆されたステンレス箔はデバイスの作製もRoll to Rollプロセスで行われることを想定しているが、最終製品形態はシートになると考えられるので、シート状で問題なくハンドリングできることが重要である。
Roll to roll適合性は世の中で一般的な総張力200N以下のroll to roll方式の成膜装置・およびエッチング装置で処理した時に、少なくとも50m以上をずれなく巻き取ることができたかどうかで判断し、巻きずれ量が10mm未満であれば問題なしと判断し、表に○で記載した。
デバイス化プロセス適合性では、配線として用いられるAlやMoのエッチング液(65質量%のH3PO4, 5質量%のHNO3, 10質量%のCH3COOH、残部は水)を50℃に加熱し第1と第2の絶縁膜を形成したステンレス箔を48時間浸漬した。Roll to Rollエッチング装置を利用し、張力を緩めてエッチング槽内に浸漬しているステンレス箔の長さが0.5mとなるようにした。エッチング液の総容量は3リットルで実験を行った。エッチング液に溶出した鉄の濃度をICP発光分析で調べ10ppm未満の場合はエッチング液へのステンレス箔の溶出がないと判断し、表に○で記載した。
Claims (13)
- 第1の絶縁膜、
前記第1の絶縁膜の上に直接配置されたステンレス箔、及び、
前記ステンレス箔および前記第1の絶縁膜上に直接配置された第2の絶縁膜、
を含んでなる、膜付きステンレス箔であって、
前記膜付きステンレス箔のTD方向断面において、
前記第1の絶縁膜の端部から近位の前記ステンレス箔の端部までの距離bが0.1〜5.0mmであり、
前記ステンレス箔は上底が下底より短い略台形形状を有し、前記ステンレス箔の厚みtが10〜150μmであり、
前記台形の上底および斜辺が、前記第2の絶縁膜で完全に被覆されている、
ことを特徴とする、膜付きステンレス箔。 - 前記台形の斜辺から、前記第1の絶縁膜の上面の少なくとも一部へ、前記第2の絶縁膜が連続的に被覆していることを特徴とする、請求項1に記載の膜付きステンレス箔。
- 前記第2の絶縁膜は、前記ステンレス箔の上底の上で、膜厚2.0μm以上5.0μm以下、Raが30nm以下であることを特徴とする、請求項1または2に記載の膜付きステンレス箔。
- 前記膜付きステンレス箔がコイル状に巻き取られたものであることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の膜付きステンレス箔。
- 前記第1の絶縁膜は、ポリイミドを含んでなることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載の膜付きステンレス箔。
- 前記第2の絶縁膜は、有機溶媒中フェニルトリアルコキシシラン1モルに対して、酢酸0.1モル以上1モル以下、有機スズ0.005モル以上0.05モル以下を触媒として加え、2モル以上4モル以下の水で加水分解し、160℃以上210℃以下の温度で有機溶剤を減圧留去して得られたレジンを含んでなることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1項に記載の膜付きステンレス箔。
- 前記第2の絶縁膜は、前記レジンを芳香族炭化水素系溶剤に溶解した平坦化膜形成塗布液を前記ステンレス箔に塗布後、熱処理プロセスでリフローおよび膜硬化させたものであることを特徴とする、請求項6に記載の膜付きステンレス箔。
- ステンレス箔を前記第1の絶縁膜の上に直接配置して、TD方向断面において、前記第1の絶縁膜の端部から近位の前記ステンレス箔の端部までの距離bが0.1〜5.0mmとする工程、
前記ステンレス箔をエッチングして、TD方向断面において、前記ステンレス箔は略台形形状を有し、前記台形の高さtが10〜150μmとする工程、
有機溶媒中フェニルトリアルコキシシラン1モルに対して、酢酸0.1モル以上1モル以下、有機スズ0.005モル以上0.05モル以下を触媒として加え、2モル以上4モル以下の水で加水分解後、160℃以上210℃以下の温度で有機溶剤を減圧留去して得られたレジンを芳香族炭化水素系溶剤に溶解した平坦化膜形成塗布液を用意する工程、
前記塗布液を前記ステンレス箔に塗布し、熱処理プロセスでリフローおよび膜硬化して、第2の絶縁膜を得て、TD方向断面において、前記台形の上底および斜辺を前記第2の絶縁膜で完全に被覆する工程、
を含んでなる膜付きステンレス箔の製造方法。 - 前記台形の斜辺から、前記第1の絶縁膜の上面の少なくとも一部へ、前記第2の絶縁膜が連続的に被覆していることを特徴とする、請求項8に記載の膜付きステンレス箔の製造方法。
- 前記第2の絶縁膜は、前記ステンレス箔の上底の上で、膜厚2.0μm以上5.0μm以下、Raが30nm以下であることを特徴とする、請求項8または9に記載の膜付きステンレス箔の製造方法。
- 前記膜付きステンレス箔をコイル状に巻き取る工程をさらに含むことを特徴とする、請求項8〜10のいずれか1項に記載の膜付きステンレス箔の製造方法。
- 前記第1の絶縁膜は、ポリイミドを含んでなることを特徴とする、請求項8〜11のいずれか1項に記載の膜付きステンレス箔の製造方法。
- 前記熱処理プロセスは、不活性ガス雰囲気中300℃以上450℃以下の熱処理炉を通過させることを含んでなる、請求項8〜12のいずれか1項に記載の膜付きステンレス箔の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016041158A JP6671193B2 (ja) | 2016-03-03 | 2016-03-03 | 膜付きステンレス箔およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016041158A JP6671193B2 (ja) | 2016-03-03 | 2016-03-03 | 膜付きステンレス箔およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017155309A JP2017155309A (ja) | 2017-09-07 |
JP6671193B2 true JP6671193B2 (ja) | 2020-03-25 |
Family
ID=59809341
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016041158A Active JP6671193B2 (ja) | 2016-03-03 | 2016-03-03 | 膜付きステンレス箔およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6671193B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106232749B (zh) | 2014-11-12 | 2018-11-02 | 新日铁住金高新材料株式会社 | 用于形成平坦化膜的涂敷液和带有平坦化膜的金属箔卷材 |
JP7047927B2 (ja) * | 2018-09-27 | 2022-04-05 | 日本製鉄株式会社 | 平坦化膜形成用塗布液、平坦化膜形成用塗布液の製造方法、平坦化膜付き金属箔、及び平坦化膜付き金属箔の製造方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5730012B2 (ja) * | 2010-12-28 | 2015-06-03 | 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 | 皮膜形成用無溶媒塗布液、その塗布液及び皮膜の製造方法 |
-
2016
- 2016-03-03 JP JP2016041158A patent/JP6671193B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017155309A (ja) | 2017-09-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6091705B2 (ja) | 平坦化膜形成塗布液および平坦化膜付き金属箔コイル | |
TWI389994B (zh) | Surface flatness insulating film forming coating solution, surface flatness insulating film coated substrate, and surface flatness insulating film coated substrate | |
WO2015119210A1 (ja) | ガラス積層体 | |
US20150217532A1 (en) | Method of manufacturing a laminate provided with a concave-convex structure and transfer film | |
WO2016080312A1 (ja) | ガラス積層体およびその製造方法、電子デバイスの製造方法 | |
JP6671193B2 (ja) | 膜付きステンレス箔およびその製造方法 | |
JPWO2018034290A1 (ja) | 積層体、電子デバイスの製造方法、積層体の製造方法 | |
JPWO2018092688A1 (ja) | 積層基板および電子デバイスの製造方法 | |
KR20210000275A (ko) | 전자 디바이스의 제조 방법 | |
CN100482461C (zh) | 无机有机杂化膜被覆不锈钢箔 | |
TWI513738B (zh) | A metal foil coated with an insulating film | |
JP7047927B2 (ja) | 平坦化膜形成用塗布液、平坦化膜形成用塗布液の製造方法、平坦化膜付き金属箔、及び平坦化膜付き金属箔の製造方法 | |
JP7020890B2 (ja) | 平坦化膜形成用塗布液およびその製造方法、ならびに平坦化膜付き金属箔コイルおよびその製造方法 | |
JP2017073348A (ja) | 有機el素子用金属積層基板及びその製造方法 | |
JP7020889B2 (ja) | 平坦化膜形成用塗布液およびその製造方法、ならびに平坦化膜付き金属箔コイルおよびその製造方法 | |
JP2018123192A (ja) | 被膜形成用塗布液の製造方法 | |
JP7473813B2 (ja) | 膜付き金属箔、及び膜付き金属箔の製造方法 | |
JP2017132036A (ja) | 支持体およびその製造方法ならびにガラス積層体 | |
JP2009297678A (ja) | 絶縁膜被覆金属箔の製造方法 | |
TW202218076A (zh) | 積層體之製造方法、積層體及半導體封裝之製造方法 | |
CN116133847A (zh) | 层叠体的制造方法、层叠体和半导体封装的制造方法 | |
JP2023072304A (ja) | 積層体、電子デバイス用部材付き積層体及び電子デバイスの製造方法 | |
JP2019157031A (ja) | 平坦化膜形成用塗布液およびその製造方法、平坦化膜付き金属箔コイルおよびその製造方法、並びにそれらに用いるシリカ微粒子含有ケトン系溶剤 | |
JP2018094763A (ja) | 積層体、シリコーン樹脂層付き支持基材 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20181029 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190301 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20191127 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191203 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200115 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200204 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200303 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6671193 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |