JP6661466B2 - 取付支持体上にmecsデバイスを備えたコンポーネント - Google Patents
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Description
Claims (8)
- ・ダイヤフラム(11)を備えたマイクロ電気化学センサ(MECS)デバイス(10)であって、前記ダイヤフラム(11)が、当該MECSデバイスの基板における層構造体に形成されており且つ前記基板裏面における開口部(12)を覆っている、マイクロ電気化学センサデバイス(10)と、
・アプリケーションプリント基板上での前記MECSデバイス(10)の取り付け及び電気的な接触接続のための支持体(110)と、
を少なくとも備えている、コンポーネント(100)において、
前記MECSデバイス(10)が前記支持体(110)上に接合されており、接続領域(15,16)において前記MECSデバイス(10)の上面と前記支持体表面との間に気密の機械的な接続が形成されており、少なくとも1つのコンタクト領域において前記MECSデバイス(10)と前記支持体(110)との間に電気接続部(17)が形成されており、
前記接続領域(15,16)は、前記ダイヤフラム(11)を取り囲む第1のリング状接続領域(15)と、前記ダイヤフラム(11)、前記第1のリング状接続領域(15)および前記少なくとも1つのコンタクト領域を取り囲む第2のリング状接続領域(16)とを含む、
ことを特徴とするコンポーネント(100)。 - 前記MECSデバイス(10)の前記ダイヤフラム(11)と前記支持体(110)との間に空洞(18)が設けられており、
前記空洞(18)は、前記MECSデバイス(10)と前記支持体(110)との間の前記第1のリング状接続領域(15)によって気密に閉鎖されており、且つ、前記空洞(18)内に基準ガスが存在する、
請求項1に記載のコンポーネント(100)。 - 前記MECSデバイス(10)の基板材料の熱膨張係数及び前記支持体(110)の熱膨張係数は、互いに適合するように調整されている、
請求項1又は2に記載のコンポーネント(100)。 - 前記支持体(110)は、接合可能なガラスセラミック表面、シリコン表面又は酸化シリコン表面を備えた多層セラミックプリント基板であり、
前記支持体(110)の前記層構造体には、複数の導体路(113)及びスルーコンタクトのうちの少なくとも1つが含まれている、
請求項1乃至3のいずれか一項に記載のコンポーネント(100)。 - 前記接続領域(15,16)における前記機械的な接続は、陽極ボンディング又はシリコン直接接合である、
請求項1乃至4のいずれか一項に記載のコンポーネント(100)。 - 前記コンタクト領域における前記電気接続部(17)は、高融点はんだ又は導電性接着剤又は圧膜導電性ペーストを含む、熱圧着又は超音波ボンディング接続部である、
請求項1乃至5のいずれか一項に記載のコンポーネント(100)。 - 前記MECSデバイスの露出した裏面及び前記支持体の露出した表面のうちの少なくとも一方には、パッシベーション層、撥水性の層及び付着防止層のうちの少なくとも1つが被着されている、
請求項1乃至6のいずれか一項に記載のコンポーネント(100)。 - 前記MECSデバイス(10)は、ジルコニアダイヤフラムを備えたマイクロラムダセンサである、
請求項1乃至7のいずれか一項に記載のコンポーネント(100)。
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