JP6649508B2 - テルル酸塩結晶成長方法及びその音響光学デバイス - Google Patents
テルル酸塩結晶成長方法及びその音響光学デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP6649508B2 JP6649508B2 JP2018554742A JP2018554742A JP6649508B2 JP 6649508 B2 JP6649508 B2 JP 6649508B2 JP 2018554742 A JP2018554742 A JP 2018554742A JP 2018554742 A JP2018554742 A JP 2018554742A JP 6649508 B2 JP6649508 B2 JP 6649508B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- tellurate
- teo
- crystals
- growth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- XHGGEBRKUWZHEK-UHFFFAOYSA-L tellurate Chemical compound [O-][Te]([O-])(=O)=O XHGGEBRKUWZHEK-UHFFFAOYSA-L 0.000 title claims description 77
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 title 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 156
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 22
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 19
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 14
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 12
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 11
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 9
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 6
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 4
- 238000007716 flux method Methods 0.000 claims description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 239000003630 growth substance Substances 0.000 claims 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 28
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 10
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- SITVSCPRJNYAGV-UHFFFAOYSA-L tellurite Chemical compound [O-][Te]([O-])=O SITVSCPRJNYAGV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- 239000000382 optic material Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 239000010987 cubic zirconia Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000010979 ruby Substances 0.000 description 1
- 229910001750 ruby Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/46—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
- C01B19/004—Oxides; Hydroxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B9/00—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
- C30B9/04—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents by cooling of the solution
- C30B9/08—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents by cooling of the solution using other solvents
- C30B9/12—Salt solvents, e.g. flux growth
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/11—Mode locking; Q-switching; Other giant-pulse techniques, e.g. cavity dumping
- H01S3/1123—Q-switching
- H01S3/117—Q-switching using intracavity acousto-optic devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
- H01S3/0941—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode
- H01S3/09415—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode the pumping beam being parallel to the lasing mode of the pumped medium, e.g. end-pumping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/16—Solid materials
- H01S3/1601—Solid materials characterised by an active (lasing) ion
- H01S3/1603—Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth
- H01S3/1618—Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth ytterbium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/16—Solid materials
- H01S3/163—Solid materials characterised by a crystal matrix
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Lasers (AREA)
Description
本発明は、テルル酸塩結晶及びその成長方法と使用に関し、結晶材料という技術分野に属する。
音響光学効果とは、超音波によって媒体の屈折率を変化させ、時間と空間に伴って周期的に変化する分布を形成し、これが位相格子に相当し、入射レーザーが超音波によって変調された媒体を通過すると回折され、その回折されたレーザーの周波数、強度、方向などが超音波の変化に伴って変化する現象を指す。
20世紀30年代初頭に、デバイらは実験により音響光学効果を論証したが、その時には、用いられる音響光学相互作用媒体は通常、等方性のもの、例えば、水とガラスであり、光は普通な非コヒーレント光源である。このような音響光学相互作用により引き起こされる光強度と光方向の変化は、無視されてもよく、且つ実用的な価値があまりないことを考慮するため、十分に重視されていない。
20世紀60年代に至るまで、世界中で最初の固体ルビーレーザーの誕生以来、人々は音響光学相互作用の理論研究と用途開発を重視して力を注ぐようになってきた。レーザーおよびマイクロエレクトロニクス技術の急速な発展、特に性能に優れた超音波遅延線の出現に伴い、音響光学デバイスの急速な発展が促進されている。目下、音響光学デバイスは、レーザービームの変調に幅広く用いられているだけでなく、時間領域及び周波数領域における高密度、高帯域幅のリアルタイム信号処理においても世間に注目される素晴らしい成果をあげ、新興信号処理技術（音響光学信号処理技術）は徐々に形成及び発展されてきた。しかし、音響光学信号処理技術が一層幅広く応用されるために、依然として音響光学デバイスの性能をさらに向上させる必要がある。これは、音響光学デバイスの設計方法を改善することだけでなく、さらに重要なこととして、性能に優れた新規音響光学材料を開発することを頼りにする。
好適な音響光学材料は、以下の性質を具備すべきである。１、フィギュア・オブ・メリットが高いこと（回折光パワーはフィギュア・オブ・メリットに正比例する）；２、音響減衰が低いこと；３、透過波長帯が広く、透明度が高く、入射レーザー光と回折レーザー光の双方に対して良好な透過性を有すること；４、レーザー損傷閾値が高く、強レーザー下でも材料は欠陥が生じにくいこと；５、大寸法且つ高光学品質の結晶を得やすいこと；６、物理的及び化学的特性が安定で、潮解、分解しにくいこと；７、加工しやすく、且つ低価であることなど。
好適な音響光学材料は、以下の性質を具備すべきである。１、フィギュア・オブ・メリットが高いこと（回折光パワーはフィギュア・オブ・メリットに正比例する）；２、音響減衰が低いこと；３、透過波長帯が広く、透明度が高く、入射レーザー光と回折レーザー光の双方に対して良好な透過性を有すること；４、レーザー損傷閾値が高く、強レーザー下でも材料は欠陥が生じにくいこと；５、大寸法且つ高光学品質の結晶を得やすいこと；６、物理的及び化学的特性が安定で、潮解、分解しにくいこと；７、加工しやすく、且つ低価であることなど。
なお、レーザー結晶は、軍事、工業、通信、医療のような広範なニーズがある幅広い分野において重要なものである。全固体レーザーの動作特性が全固体レーザーの核心部分であるレーザー結晶の結晶特性によって決まる。
また、従来から、多機能複合結晶材料が求められている。レーザー自己Ｑ切替結晶とは音響光学Q切替特性とレーザー特性とを結び付けることができる、複合全固体レーザーの運転損耗を低減し、複合全固体レーザーの作業能率を向上させることができる結晶材料を指す。したがって、レーザー自己Ｑ切替結晶は高効率かつコンパクトなマイクロ型複合全固体レーザーを製造するために望ましい材料である。
そのため、優れた音響光学性能とレーザー性能とを有する結晶を求めることがやらずには済まない。TeO2結晶は広い透過率範囲と高いフィギュア・オブ・メリットを有することとMO2（M=Ti、Zr、Hf）結晶は低い音響減衰、優れた熱的性質、高い化学的安定性を有することに鑑み、本発明は上記両者を結合してなるテルル酸塩結晶を新規な優れた高周波音響光学材料とすることができる。また、テルル酸塩結晶は広い透過波長帯と低いフォノンエネルギーを有するため、優れたレーザー結晶、特に優れたレーザー自己Ｑ切替結晶とすることができる。
前記先行技術の不足に鑑みて、本発明は、新規なテルル酸塩結晶を提供すると共に、テルル酸塩結晶の成長方法及び当該結晶の使用を提供するものである。
本発明に記載の結晶は、多結晶であると特に記載した場合を除き、単結晶として解釈されるべきである。
本願に係る発明は、以下の通りである。
本願に係る発明は、以下の通りである。
化学式MTe3O8（M=Ti、Zr、Hf）で表され、立方晶系のIa-3空間群に属し、可視光から赤外線にかけての透過波長帯を有し、透明度が70%以上であるテルル酸塩結晶。
本発明においては、上記テルル酸塩結晶に希土類元素（Re）をドープすることが好ましく、上記希土類元素のドープ量は、モル比で、0＜Re/M≦1に制御され、より好ましくは、5%であり；希土類元素をドープしたテルル酸塩結晶の化学式は、Re：MTe3O8（M=Ti、Zr、Hf）であり；
上記希土類元素は、さらに好ましくは、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及び／又はLuである。
本発明においては、上記透過波長帯は、好ましくは、300〜6500nmである。
上記希土類元素は、さらに好ましくは、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及び／又はLuである。
本発明においては、上記透過波長帯は、好ましくは、300〜6500nmである。
本発明においては、上記テルル酸塩結晶の成長方法としては、フラックス法、チョクラルスキー法またはブリッジマン―ストックバッガー法を用いることが出来る。
（1）原料としてMO2（M=Ti、Zr、Hf）とTeO2とをMTe3O8化学量論比で配合し、均一に混合させたものをタブレットにし、該タブレットを500〜650℃で20〜40時間焼結し、冷却し、研磨した後、600〜700℃で20〜40時間焼結し、単一相のテルル酸塩多結晶を得、該単一相のテルル酸塩多結晶をフラックス系中に添加して、結晶成長用物質を得たか、あるいは、原料としてMO2（M=Ti、Zr、Hf）とTeO2とをMTe3O8化学量論比で配合したものを、そのままフラックス系中に添加し、均一に混合させて、結晶成長用物質を得たという工程と、
（2）工程（1）で得られた結晶成長用物質を、白金製るつぼに入れ、急速昇温して完全に溶解させ、均一になるまで十分に攪拌し、温度を徐々に降下して結晶を自発的に核となって成長させるか、あるいは、工程（1）で得られた結晶成長用物質を、白金製るつぼに入れ、急速昇温して完全に溶解させ、均一になるまで十分に攪拌し、温度を溶融液の飽和点になるまで徐々に降下した後、テルル酸塩の種結晶を送り込み、結晶変換を行い、温度を徐々に降下して結晶を成長させるという工程とを含み、
上記フラックス系は、（a）TeO2、（b）M2CO3とTeO2とのモル比が2:（1〜5）であるA2CO3-TeO2（A=Li、Na、K、Rbまたは／およびCs）、（c）MoO3、（d）B2O3、（e）PbO-B2O3からなる群のうちいずれか1つであり、これらに限られず；
上記テルル酸塩とフラックス系とのモル比が1：（1〜5）であり；
上記結晶成長温度が750〜900℃であり、冷却速度が0.01〜5℃/hであるフラックス法により結晶を成長させる本発明のテルル酸塩結晶の成長方法。
上記テルル酸塩とフラックス系とのモル比が1：（1〜5）であり；
上記結晶成長温度が750〜900℃であり、冷却速度が0.01〜5℃/hであるフラックス法により結晶を成長させる本発明のテルル酸塩結晶の成長方法。
本発明のテルル酸塩結晶の成長方法においては、好ましくは、工程（2）におけるテルル酸塩結晶成長の結晶変換パラメーターは、回転速度が5〜50rdであり、加速時間が1〜10sであり、作業時間が30〜180sであり、間隔時間5〜50sである。
本発明のテルル酸塩結晶の成長方法においては、好ましくは、工程（2）におけるテルル酸塩結晶成長の冷却法は、0.01〜4℃/hの速度で750〜850℃まで冷却し、成長周期を40〜70日とするものである。
本発明においては、得られたテルル酸塩単結晶は、長さが20mm以上であり、厚さが10mm以上である。
本発明においては、チョクラルスキー法、ブリッジマン―ストックバッガー法などの溶融法を用いて結晶を成長させてもよく、先行技術に従えばよい。
本発明においては、得られたテルル酸塩単結晶は、長さが20mm以上であり、厚さが10mm以上である。
本発明においては、チョクラルスキー法、ブリッジマン―ストックバッガー法などの溶融法を用いて結晶を成長させてもよく、先行技術に従えばよい。
本発明のテルル酸塩結晶の成長方法においては、好ましくは、工程（1）において希土類元素材料Re2O3とMO2（M=Ti、Zr、Hf）とTeO2とを割合で配合し、希土類元素をドープした結晶成長用物質を得、工程（2）により成長させて希土類元素をドープしたテルル酸塩結晶を得る。
本発明においては、音響光学結晶としての上記テルル酸塩結晶は光学変調デバイスの製作に用いられるものであり；より好ましくは、上記光学変調デバイスは、音響光学変調器、音響光学偏向器または音響光学Q切替器である。
好ましくは、上記テルル酸塩結晶は、さらに以下の用途を有する。
テルル酸塩結晶のレーザー基板材料としての使用；
テルル酸塩結晶のラマンレーザー結晶としての使用；
テルル酸塩結晶の窓材料としての使用；
テルル酸塩結晶のプリズム材料としての使用；
テルル酸塩結晶の単結晶基板としての使用；
テルル酸塩結晶の誘電媒質としての使用；
テルル酸塩結晶の絶縁材料としての使用；
テルル酸塩結晶の触媒材料としての使用；
テルル酸塩結晶の高エネルギ粒子検出用材料としての使用が挙げられる。
好ましくは、上記テルル酸塩結晶は、さらに以下の用途を有する。
テルル酸塩結晶のレーザー基板材料としての使用；
テルル酸塩結晶のラマンレーザー結晶としての使用；
テルル酸塩結晶の窓材料としての使用；
テルル酸塩結晶のプリズム材料としての使用；
テルル酸塩結晶の単結晶基板としての使用；
テルル酸塩結晶の誘電媒質としての使用；
テルル酸塩結晶の絶縁材料としての使用；
テルル酸塩結晶の触媒材料としての使用；
テルル酸塩結晶の高エネルギ粒子検出用材料としての使用が挙げられる。
本発明における結晶を成長させるために用いられる方法は所要の成長条件が簡便で且つ容易に実施されるものであり；得られたセンチメートルオーダーのテルル酸塩単結晶は、配向処理及び固有特性テストという需要を十分に満たすものであり；また、本発明における結晶を成長させるために用いられる化学原料は、いずれも市場から直接に安価で購入することができるものである。
本発明の方法により成長させて得たテルル酸塩単結晶は、実験的な粉末X線回折パターンが、理論計算により得られた標準粉末X線回折パターンと一致する点からすれば、成長した結晶が立方晶系のテルル酸塩結晶であることが明らかになっている。
1．先行技術では、テルル酸塩結晶の構造のみに限られるのに対し、本発明では、国際的に率先してサイズと質量とがいずれも実用化を十分に満たすテルル酸塩単結晶を育成できる。
2．成長して得た大寸法及び高品質を有するテルル酸塩単結晶を対象にその重要な固有特性を包括的に測定した結果、広範な応用の見込みが見出された。
2．成長して得た大寸法及び高品質を有するテルル酸塩単結晶を対象にその重要な固有特性を包括的に測定した結果、広範な応用の見込みが見出された。
3．本発明におけるテルル酸塩単結晶は、安定な物理的及び化学的特性を有し、耐潮解性及び耐分解性をも有する。また、関連の産業用途に適するために、結晶の成長周期は実用的なニーズに応じて調整されて実際に必要なサイズに適するテルル酸塩を得られる。
以下、具体的な実施例により本発明に係る発明をさらに説明するが、本発明はこれらの実施例に限られない。
＜実施例1：テルル酸チタン種結晶の成長＞
原料としてTiO2とTeO2とをTiTe3O8化学量論比で配合したものを、フラックス系Li2CO3-TeO2（Li2CO3とTeO2とのモル比が2：3である）中に添加し、テルル酸チタンとフラックス系とのモル比が1：3であり、それを体積Φ50mm×70mmの白金製るつぼに入れ、980℃まで急速昇温して原料を完全に溶解させ、均一になるまで十分に攪拌した後、白金棒を送り込み、結晶変換を行い、温度を溶融液の飽和点になるまで0.55℃/hの冷却速度で徐々に降下し、5日間の成長周期で成長させた後、種結晶棒を取り出して、オレンジ色の多結晶を得た（図2に示される）。その実験的な粉末X線回折パターンを測定した結果、理論計算により得られたものと一致すること（図1に示される）からすれば、得られたのが立方晶系のテルル酸チタン結晶であることが明らかになった。その中から品質の比較的良好な微小単結晶をサイズの比較的大きな結晶を成長させるための種結晶として選び取った。
原料としてTiO2とTeO2とをTiTe3O8化学量論比で配合したものを、フラックス系Li2CO3-TeO2（Li2CO3とTeO2とのモル比が2：3である）中に添加し、テルル酸チタンとフラックス系とのモル比が1：3であり、それを体積Φ50mm×70mmの白金製るつぼに入れ、980℃まで急速昇温して原料を完全に溶解させ、均一になるまで十分に攪拌した後、白金棒を送り込み、結晶変換を行い、温度を溶融液の飽和点になるまで0.55℃/hの冷却速度で徐々に降下し、5日間の成長周期で成長させた後、種結晶棒を取り出して、オレンジ色の多結晶を得た（図2に示される）。その実験的な粉末X線回折パターンを測定した結果、理論計算により得られたものと一致すること（図1に示される）からすれば、得られたのが立方晶系のテルル酸チタン結晶であることが明らかになった。その中から品質の比較的良好な微小単結晶をサイズの比較的大きな結晶を成長させるための種結晶として選び取った。
＜実施例2：テルル酸チタン単結晶の成長＞
原料としてTiO2とTeO2とをTiTe3O8化学量論比で配合したものを、フラックス系Li2CO3-TeO2（Li2CO3とTeO2とのモル比が2：3である）中に添加し、テルル酸チタンとフラックス系とのモル比が1：3であり、それを体積Φ50mm×70mmの白金製るつぼに入れ、980℃まで急速昇温して原料を完全に溶解させ、均一になるまで十分に攪拌し、温度を溶融液の飽和点になるまで徐々に降下し、実施例1で得られた微小単結晶を種結晶として冷却速度が0.25℃/hであり、且つ成長周期が10日間であるという成長条件下で結晶を成長させ、オレンジ色の塊状単結晶（図3に示される）を得た。その実験的な粉末X線回折パターンを測定した結果、理論計算により得られたものと一致することからすれば、得られたのが立方晶系のテルル酸チタン結晶であることが明らかになった。
原料としてTiO2とTeO2とをTiTe3O8化学量論比で配合したものを、フラックス系Li2CO3-TeO2（Li2CO3とTeO2とのモル比が2：3である）中に添加し、テルル酸チタンとフラックス系とのモル比が1：3であり、それを体積Φ50mm×70mmの白金製るつぼに入れ、980℃まで急速昇温して原料を完全に溶解させ、均一になるまで十分に攪拌し、温度を溶融液の飽和点になるまで徐々に降下し、実施例1で得られた微小単結晶を種結晶として冷却速度が0.25℃/hであり、且つ成長周期が10日間であるという成長条件下で結晶を成長させ、オレンジ色の塊状単結晶（図3に示される）を得た。その実験的な粉末X線回折パターンを測定した結果、理論計算により得られたものと一致することからすれば、得られたのが立方晶系のテルル酸チタン結晶であることが明らかになった。
実施例2で得られたテルル酸チタン単結晶を配向処理により所要サイズのウェーハとし、その透過スペクトルを測定した結果、広い透過波長帯（480〜6000nm）を有することが示された。
この結晶を大気中で6ヶ月放置した結果、潮解及び分解が生じないから、この結晶の物理的及び化学的特性が安定であることが明らかになった。
この結晶を大気中で6ヶ月放置した結果、潮解及び分解が生じないから、この結晶の物理的及び化学的特性が安定であることが明らかになった。
＜実施例3：テルル酸チタン単結晶の成長＞
原料としてTiO2とTeO2とをTiTe3O8化学量論比で配合したものを、フラックス系Li2CO3-TeO2（Li2CO3とTeO2とのモル比が2：3である）中に添加し、テルル酸チタンとフラックス系とのモル比が1：3であり、それを体積Φ50mm×70mmの白金製るつぼに入れ、980℃まで急速昇温して原料を完全に溶解させ、均一になるまで十分に攪拌し、温度を溶融液の飽和点になるまで徐々に降下し、[100]方向の結晶を種結晶として冷却速度が0.06℃/hであり、且つ成長周期が20日間であるという成長条件下で結晶を成長させ、オレンジ色の塊状単結晶（図4に示される）を得た。その実験的な粉末X線回折パターンを測定した結果、理論計算により得られたものと一致することからすれば、得られたのが立方晶系のテルル酸チタン結晶であることが明らかになった。
原料としてTiO2とTeO2とをTiTe3O8化学量論比で配合したものを、フラックス系Li2CO3-TeO2（Li2CO3とTeO2とのモル比が2：3である）中に添加し、テルル酸チタンとフラックス系とのモル比が1：3であり、それを体積Φ50mm×70mmの白金製るつぼに入れ、980℃まで急速昇温して原料を完全に溶解させ、均一になるまで十分に攪拌し、温度を溶融液の飽和点になるまで徐々に降下し、[100]方向の結晶を種結晶として冷却速度が0.06℃/hであり、且つ成長周期が20日間であるという成長条件下で結晶を成長させ、オレンジ色の塊状単結晶（図4に示される）を得た。その実験的な粉末X線回折パターンを測定した結果、理論計算により得られたものと一致することからすれば、得られたのが立方晶系のテルル酸チタン結晶であることが明らかになった。
＜実施例4：テルル酸チタン単結晶の成長＞
原料としてTiO2とTeO2とをTiTe3O8化学量論比で配合したものを、フラックス系TeO2中に添加し、テルル酸チタンとフラックス系のモル比が1：3であり、それを体積Φ50mm×70mmの白金製るつぼに入れ、1080℃まで急速昇温して原料を完全に溶解させ、均一になるまで十分に攪拌し；温度を溶融液の飽和点になるまで徐々に降下し、[100]方向の結晶を種結晶として温度降下速度が0.05℃/hであり、且つ成長周期が40日間であるという条件下で結晶を成長させ、塊状単結晶（図5に示される）を得た。その実験的な粉末X線回折パターンを測定した結果、理論計算により得られたものと一致することからすれば、得られたのが立方晶系のテルル酸チタン結晶であることが明らかになった。
原料としてTiO2とTeO2とをTiTe3O8化学量論比で配合したものを、フラックス系TeO2中に添加し、テルル酸チタンとフラックス系のモル比が1：3であり、それを体積Φ50mm×70mmの白金製るつぼに入れ、1080℃まで急速昇温して原料を完全に溶解させ、均一になるまで十分に攪拌し；温度を溶融液の飽和点になるまで徐々に降下し、[100]方向の結晶を種結晶として温度降下速度が0.05℃/hであり、且つ成長周期が40日間であるという条件下で結晶を成長させ、塊状単結晶（図5に示される）を得た。その実験的な粉末X線回折パターンを測定した結果、理論計算により得られたものと一致することからすれば、得られたのが立方晶系のテルル酸チタン結晶であることが明らかになった。
＜実施例5：Yb：TiTe3O8単結晶の成長＞
原料としてTiO2とTeO2とをTiTe3O8化学量論比で配合したものを、Yb2O3と共にフラックス系TeO2中に添加し、Yb2O3とTiO2とのモル比が0.05：1であり、テルル酸チタンとフラックス系とのモル比が1：3であり、それを体積Φ50mm×70mmの白金製るつぼに入れ、1100℃まで急速昇温して原料を完全に溶解させ、均一になるまで十分に攪拌し、温度を溶融液の飽和点になるまで徐々に降下し、[100]方向の結晶を種結晶として冷却速度が0.04℃/hであり、且つ成長周期が50日間であるという条件下で結晶を成長させ、Yb：TiTe3O8塊状単結晶を得た。
原料としてTiO2とTeO2とをTiTe3O8化学量論比で配合したものを、Yb2O3と共にフラックス系TeO2中に添加し、Yb2O3とTiO2とのモル比が0.05：1であり、テルル酸チタンとフラックス系とのモル比が1：3であり、それを体積Φ50mm×70mmの白金製るつぼに入れ、1100℃まで急速昇温して原料を完全に溶解させ、均一になるまで十分に攪拌し、温度を溶融液の飽和点になるまで徐々に降下し、[100]方向の結晶を種結晶として冷却速度が0.04℃/hであり、且つ成長周期が50日間であるという条件下で結晶を成長させ、Yb：TiTe3O8塊状単結晶を得た。
＜実施例6：テルル酸チタン単結晶の音響光学結晶としての使用＞
実施例3で成長して得られたテルル酸チタン単結晶を用いて音響光学用Qスイッチデバイスを作製し、運転模式図は図6に示される。1はレーザーダイオードであり、その出力光は集束系2によりNd：YVO4/Nd：YAGレーザー結晶3に集中される。共振空洞は平凹の構造を採用し、音響光学媒体5はテルル酸チタン単結晶を採用した。
実施例3で成長して得られたテルル酸チタン単結晶を用いて音響光学用Qスイッチデバイスを作製し、運転模式図は図6に示される。1はレーザーダイオードであり、その出力光は集束系2によりNd：YVO4/Nd：YAGレーザー結晶3に集中される。共振空洞は平凹の構造を採用し、音響光学媒体5はテルル酸チタン単結晶を採用した。
＜実施例7：Yb：TiTe3O8単結晶のレーザー結晶としての使用＞
実施例5で成長して得られたYb：TiTe3O8単結晶を用いてレーザーデバイスを作製し、運転模式図は図7に示される。7はレーザーダイオードであり、その出力光は集束系8によりYb：TiTe3O8レーザー結晶10に集中される。
実施例5で成長して得られたYb：TiTe3O8単結晶を用いてレーザーデバイスを作製し、運転模式図は図7に示される。7はレーザーダイオードであり、その出力光は集束系8によりYb：TiTe3O8レーザー結晶10に集中される。
＜実施例8：Yb：TiTe3O8単結晶のレーザー自己Q切替結晶としての使用＞
実施例5で成長して得られたYb：TiTe3O8単結晶を用いてレーザー自己Qスイッチレーザーデバイスを作製し、運転模式図は図8に示される。12はレーザーダイオードであり、その出力光は集束系13によりYb：TiTe3O8レーザー自己Q切替結晶15に集中される。共振空洞は平凹の構造を採用した。
実施例5で成長して得られたYb：TiTe3O8単結晶を用いてレーザー自己Qスイッチレーザーデバイスを作製し、運転模式図は図8に示される。12はレーザーダイオードであり、その出力光は集束系13によりYb：TiTe3O8レーザー自己Q切替結晶15に集中される。共振空洞は平凹の構造を採用した。
＜実施例9：テルル酸ジルコニウム単結晶の成長＞
原料としてZrO2とTeO2とをZrTe3O8化学量論比で配合したものを、フラックス系TeO2中に添加し、テルル酸ジルコニウムとフラックス系のモル比が1：4であり、それを体積Φ50mm×70mmの白金製るつぼに入れ、急速昇温して原料を完全に溶解させ、均一になるまで十分に攪拌し、温度を溶融液の飽和点になるまで徐々に降下し、[100]方向の結晶を種結晶として温度降下速度が0.02℃/hであり、且つ成長周期が40日間であるという条件下で結晶を成長させ、テルル酸ジルコニウム単結晶を得た。その実験的な粉末X線回折パターンを測定した結果、理論計算により得られたものと一致することからすれば、得られたのが立方晶系的テルル酸ジルコニウム単結晶であることが明らかになった。
原料としてZrO2とTeO2とをZrTe3O8化学量論比で配合したものを、フラックス系TeO2中に添加し、テルル酸ジルコニウムとフラックス系のモル比が1：4であり、それを体積Φ50mm×70mmの白金製るつぼに入れ、急速昇温して原料を完全に溶解させ、均一になるまで十分に攪拌し、温度を溶融液の飽和点になるまで徐々に降下し、[100]方向の結晶を種結晶として温度降下速度が0.02℃/hであり、且つ成長周期が40日間であるという条件下で結晶を成長させ、テルル酸ジルコニウム単結晶を得た。その実験的な粉末X線回折パターンを測定した結果、理論計算により得られたものと一致することからすれば、得られたのが立方晶系的テルル酸ジルコニウム単結晶であることが明らかになった。
＜実施例10：テルル酸ハフニウム単結晶の成長＞
原料としてHfO2とTeO2とをHfTe3O8化学量論比で配合したものを、フラックス系Li2CO3-TeO2（Li2CO3とTeO2とのモル比が2：3である）中に添加し、テルル酸ハフニウムとフラックス系とのモル比が1：4であり、それを体積Φ50mm×70mmの白金製るつぼに入れ、急速昇温して原料を完全に溶解させ、均一になるまで十分に攪拌し、温度を溶融液の飽和点になるまで徐々に降下し、[100]方向の結晶を種結晶として温度降下速度が0.02℃/hであり、且つ成長周期が60日間であるという条件下で結晶を成長させ、テルル酸ハフニウム単結晶を得た。その実験的な粉末X線回折パターンを測定した結果、理論計算により得られたものと一致することからすれば、得られたのが立方晶系的テルル酸ハフニウム単結晶であることが明らかになった。
原料としてHfO2とTeO2とをHfTe3O8化学量論比で配合したものを、フラックス系Li2CO3-TeO2（Li2CO3とTeO2とのモル比が2：3である）中に添加し、テルル酸ハフニウムとフラックス系とのモル比が1：4であり、それを体積Φ50mm×70mmの白金製るつぼに入れ、急速昇温して原料を完全に溶解させ、均一になるまで十分に攪拌し、温度を溶融液の飽和点になるまで徐々に降下し、[100]方向の結晶を種結晶として温度降下速度が0.02℃/hであり、且つ成長周期が60日間であるという条件下で結晶を成長させ、テルル酸ハフニウム単結晶を得た。その実験的な粉末X線回折パターンを測定した結果、理論計算により得られたものと一致することからすれば、得られたのが立方晶系的テルル酸ハフニウム単結晶であることが明らかになった。
1、7及び12 レーザーダイオード
2、8及び13 集束系
3、14 凹面鏡
4 Nd：YVO4/Nd：YAGレーザー結晶
5 TiTe3O8音響光学媒体
6、9、11及び16 平面鏡
10 Yb：TiTe3O8レーザー結晶
15 Yb：TiTe3O8レーザー自己Ｑ切替結晶
2、8及び13 集束系
3、14 凹面鏡
4 Nd：YVO4/Nd：YAGレーザー結晶
5 TiTe3O8音響光学媒体
6、9、11及び16 平面鏡
10 Yb：TiTe3O8レーザー結晶
15 Yb：TiTe3O8レーザー自己Ｑ切替結晶
Claims (7)
- 化学式MTe3O8（M=Ti、Zr、Hf）で表され、立方晶系のIa-3空間群に属し、可視光から赤外線にかけての透過波長帯を有し、透明度が70%以上であり、
長さ20mm以上、厚さ10mm以上に結晶成長させられたテルル酸塩単結晶を、
音響光学結晶として備える
ことを特徴とする音響光学デバイス。 - 上記テルル酸塩結晶に希土類元素（Re）をドープしてもよく、上記希土類元素のドープ量がモル比で0＜Re/M≦1に制御され、前記モル比が5％であることが好ましく、前記希土類元素をドープしたテルル酸塩結晶はMTe3O8（M=Ti、Zr、Hf）である
請求項1に記載の音響光学デバイス。 - 上記希土類元素がLa、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及び／又はLuである
請求項2に記載の音響光学デバイス。 - 請求項1に記載のテルル酸塩結晶を成長させる方法であって、
（1）原料としてMO2（M=Ti、Zr、Hf）とTeO2とをMTe3O8化学量論比で配合し、均一に混合させたものをタブレットにし、そのタブレットを500〜650℃で20〜40時間焼結し、冷却し、研磨した後、600〜700℃で20〜40時間焼結し、単一相のテルル酸塩多結晶を得、該単一相のテルル酸塩多結晶をフラックス系中に添加して、結晶成長用物質を得たか、あるいは、原料としてMO2（M=Ti、Zr、Hf）とTeO2とをMTe3O8化学量論比で配合したものを、そのままフラックス系中に添加し、均一に混合させて、結晶成長用物質を得たという工程と、
（2）工程（1）で得られた結晶成長用物質を、白金製るつぼに入れ、急速昇温して完全に溶解させ、均一になるまで十分に攪拌し、温度を徐々に降下して結晶を自発的に核となって成長させるか、あるいは、工程（1）で得られた結晶成長用物質を、白金製るつぼに入れ、急速昇温して完全に溶解させ、均一になるまで十分に攪拌し、温度を溶融液の飽和点になるまで徐々に降下した後、テルル酸塩の種結晶を送り込み、結晶成長を行い、温度を徐々に降下して結晶を成長させるという工程とを含み、
上記フラックス系は、（a）TeO2、（b）A 2CO3とTeO2とのモル比が2:（1〜5）であるA2CO3-TeO2（A=Li、Na、K、Rb及び／又はCs）、（c）MoO3、（d）B2O3、（e）PbO-B2O3からなる群のうちいずれか1つであり、
上記テルル酸塩とフラックス系とのモル比が1：（1〜5）であり、
上記結晶を成長させる温度が750〜900℃であり、冷却速度が0.01〜5℃/hであるフラックス法である
ことを特徴とするテルル酸塩結晶を成長させる方法。 - 工程（2）におけるテルル酸塩結晶成長の条件は、回転速度が5〜50rdであり、加速時間が1〜10sであり、作業時間が30〜180sであり、間隔時間が5〜50sである
請求項4に記載のテルル酸塩結晶を成長させる方法。 - 工程（2）におけるテルル酸塩結晶成長の冷却法は、0.01〜4℃/hの速度で750〜850℃まで冷却し、成長周期を40〜70日とするものである
請求項4に記載のテルル酸塩結晶を成長させる方法。 - 前記工程（1）において、希土類元素材料Re2O3とMO2（M=Ti、Zr、Hf）とTeO2とを配合して希土類元素をドープした結晶成長用物質を得、前記工程（2）により成長させて希土類元素をドープしたテルル酸塩結晶を得る
請求項4に記載のテルル酸塩結晶を成長させる方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710021372.6A CN106676635B (zh) | 2017-01-12 | 2017-01-12 | 一类碲酸盐晶体及其生长方法与应用 |
| CN201710021372.6 | 2017-01-12 | ||
| PCT/CN2017/104972 WO2018129962A1 (zh) | 2017-01-12 | 2017-09-30 | 碲酸盐晶体及其生长方法与应用 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2019513684A JP2019513684A (ja) | 2019-05-30 |
| JP6649508B2 true JP6649508B2 (ja) | 2020-02-19 |
Family
ID=58849606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018554742A Active JP6649508B2 (ja) | 2017-01-12 | 2017-09-30 | テルル酸塩結晶成長方法及びその音響光学デバイス |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11193219B2 (ja) |
| JP (1) | JP6649508B2 (ja) |
| CN (1) | CN106676635B (ja) |
| WO (1) | WO2018129962A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106676635B (zh) * | 2017-01-12 | 2019-12-10 | 山东大学 | 一类碲酸盐晶体及其生长方法与应用 |
| CN112095148B (zh) * | 2019-06-18 | 2022-02-18 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 拓扑量子单晶Cu3TeO6的制备方法 |
| CN115323495A (zh) * | 2021-05-11 | 2022-11-11 | 中国科学院理化技术研究所 | 一种钨碲酸钙化合物Ca3Te2WO10晶体及其制备方法和应用 |
| CN114371223B (zh) * | 2022-03-16 | 2022-09-20 | 浙江大学杭州国际科创中心 | 一种碳化硅晶体生长检测装置、方法及碳化硅晶体生长炉 |
| CN115274921A (zh) * | 2022-07-07 | 2022-11-01 | 山东大学 | 基于ATe3O8单晶的X射线探测器及其制备方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0288500A (ja) * | 1988-09-27 | 1990-03-28 | Tokyo Denshi Yakin Kenkyusho:Kk | 化合物半導体単結晶の製造方法 |
| EP0941973B1 (en) * | 1998-03-13 | 2005-11-30 | Hoya Corporation | Crystallized glass substrate, and information recording medium using the crystallized glass substrate |
| CN101294301A (zh) * | 2007-04-26 | 2008-10-29 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种非线性光学晶体亚碲酸钒镉 |
| CN102080263B (zh) * | 2010-12-10 | 2012-11-07 | 同济大学 | 一种Ag2X薄膜的制备方法 |
| WO2013057732A2 (en) * | 2011-10-20 | 2013-04-25 | Yeda Research And Development Co.Ltd. | Ordered stacked sheets of layered inorganic compounds, nanostructures comprising them, processes for their preparation and uses thereof |
| DE102012109143A1 (de) * | 2012-09-27 | 2014-03-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes |
| WO2014066883A1 (en) * | 2012-10-26 | 2014-05-01 | The Florida State University Research Foundation, Inc. | An article comprising a semiconducting material |
| CN103014868B (zh) * | 2012-12-12 | 2017-07-14 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 非线性光学晶体亚碲钼酸镉及其制备和用途 |
| DE102014105846A1 (de) * | 2014-04-25 | 2015-10-29 | Polysecure Gmbh | Kristallines Material, Verfahren zu dessen Herstellung und Verwendung desselben |
| KR101631858B1 (ko) * | 2014-06-24 | 2016-06-20 | 한국전기연구원 | 침입형 도핑재 첨가에 의해 복합결정구조가 형성된 Ｔｅ계 열전재료 |
| CN105350083B (zh) * | 2015-11-20 | 2017-10-10 | 中国科学院理化技术研究所 | 硼酸碲铋化合物、硼酸碲铋非线性光学晶体、硼酸碲铋闪烁晶体及制备方法和应用 |
| CN106676635B (zh) * | 2017-01-12 | 2019-12-10 | 山东大学 | 一类碲酸盐晶体及其生长方法与应用 |
-
2017
- 2017-01-12 CN CN201710021372.6A patent/CN106676635B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2017-09-30 JP JP2018554742A patent/JP6649508B2/ja active Active
- 2017-09-30 WO PCT/CN2017/104972 patent/WO2018129962A1/zh active Application Filing
- 2017-09-30 US US16/313,031 patent/US11193219B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2018129962A1 (zh) | 2018-07-19 |
| CN106676635B (zh) | 2019-12-10 |
| CN106676635A (zh) | 2017-05-17 |
| US11193219B2 (en) | 2021-12-07 |
| US20190218686A1 (en) | 2019-07-18 |
| JP2019513684A (ja) | 2019-05-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6649508B2 (ja) | テルル酸塩結晶成長方法及びその音響光学デバイス | |
| Ye et al. | Recent advances in crystal growth in China: Laser, nonlinear optical, and ferroelectric crystals | |
| US20120189524A1 (en) | Barium fluoroborate, nonlinear optical crystal of barium fluoroborate, preparation method and use thereof | |
| CN102976287B (zh) | BaGa2GeSe6化合物、BaGa2GeSe6非线性光学晶体及制法和用途 | |
| WO2010009581A1 (zh) | 掺杂的低温相偏硼酸钡单晶体、其制备方法及其变频器件 | |
| US6391229B1 (en) | Borate crystal, growth method of the same and laser equipment using the same | |
| CN100523311C (zh) | 钼酸碲钡晶体及其制备方法与应用 | |
| Korzenski et al. | Nd: YVO4 thin films grown by pulsed laser deposition: effects of temperature and pressure on the grain morphology and microstructure | |
| CN101113532B (zh) | 激光和非线性光学磷酸铋晶体及其制备和用途 | |
| CN110396721B (zh) | 氟硼铝酸铯化合物、氟硼铝酸铯非线性光学晶体及其制备方法和用途 | |
| US11932965B2 (en) | Nonlinear optical crystal, method for preparing the same and application thereof | |
| Zhang et al. | Effect of Tm3+ concentration on structure, defect, and spectral properties of Tm: YAP crystals | |
| He et al. | Bridgman growth and characterization of a HoCa 4 O (BO 3) 3 crystal | |
| CN103628138A (zh) | 大尺寸体块硼酸钙氧铽晶体及其生长与应用 | |
| Jia et al. | Growth and properties of Nd:(LuxGd1− x) 3Ga5O12 laser crystal by Czochralski method | |
| CN105332045A (zh) | 化合物铅钡硼氧和铅钡硼氧非线性光学晶体及制备方法和用途 | |
| Zhang et al. | Growth and characterization of a LaCa 4 O (BO 3) 3 crystal | |
| JP2009215167A (ja) | ボレート系結晶の製造方法とレーザー発振装置 | |
| CN109607493B (zh) | 钼碲酸钙化合物和钼碲酸钙非线性光学晶体及其制备方法和应用 | |
| US10005675B2 (en) | Li4Sr(BO3)2 compound, Li4Sr(BO3)2 nonlinear optical crystal, preparation method and use thereof | |
| CN102086529B (zh) | 一种铒镱双掺钽铌酸钾锂单晶的提拉制备方法 | |
| CN1958881A (zh) | 硼酸盐激光晶体Li6R (1－x) REx（BO3）3及其制备方法和用途 | |
| CN104233468B (zh) | Li4Sr(BO3)2化合物、Li4Sr(BO3)2非线性光学晶体及其制法和用途 | |
| CN111101198B (zh) | 掺钕硼酸锌铋自倍频晶体材料、切型及其制备方法与应用 | |
| CN114507901A (zh) | 包含铌酸钾钠单晶的非线性光学器件 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181018 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190920 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191001 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191223 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200107 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200116 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6649508 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |