JP6644310B2 - 光学的異方性素子、液晶配向膜、およびこれらに使用される液晶高分子膜ならびにその製造方法 - Google Patents
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Description
前記製膜工程で得られた膜の表面に、パターン化した易除去性マスキング層を積層し、積層体を得るマスキング工程と、
前記積層体を、前記感光性液晶高分子が液晶相を示す温度で加熱し、非マスキング部位の面外配向を誘起する第1の加熱工程と、
前記面外配向の誘起中および/または誘起後に、マスキング層を除去する除去工程と、
前記マスキング層が除去された膜に、当該液晶高分子中のメソゲン部分を異方的に配向可能な光を照射する光照射工程と、
を少なくとも備える、液晶高分子膜を製造する方法である。
感光性の官能基およびメソゲン部分を有する液晶高分子(以下、感光性液晶高分子と称する)を製膜する製膜工程と、
前記製膜工程で得られた膜の表面に、パターン化した易除去性マスキング層を積層し、積層体を得るマスキング工程と、
前記積層体を、前記感光性液晶高分子が液晶相を示す温度で加熱し、非マスキング部位の面外配向を誘起する第1の加熱工程と、
前記面外配向の誘起中および/または誘起後に、マスキング層を除去する除去工程と、
前記マスキング層が除去された膜に、当該液晶高分子中のメソゲン部分を異方的に配向可能な光を照射する光照射工程と、
を少なくとも備える、液晶高分子膜を製造する方法である。
製膜工程では、感光性液晶高分子の製膜を行う。
連結基としては、単結合、−O−、−COO−、−OCO−、−N=N−、−NO=N−、−CH=CH−、−CO−CH=CH−、−CH=N−、アルキレン基(例えば、C1−3アルキレン基)などが挙げられる。これらのうち、−N=N−、−CO−CH=CH−、−CH=N−が好ましく、特に−CH=N−が好ましい。
好ましい感光性液晶高分子は、2つ以上の芳香族環とこれを結合する連結基とで構成される側鎖を少なくとも有し、前記連結基が−N=N−、−CO−CH=CH−、−CH=N−から選択される感光性液晶高分子であってもよい。
支持体としては、種々の高分子フィルムなどの有機物;ガラス、石英基板などの無機物の中から適宜選択して用いられる。例えば、高分子フィルムとしては、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ジアセチルセルロースおよびトリアセチルセルロースなどのセルロース系ポリマーフィルム、ビスフェノールA・炭酸共重合体などのポリカーボネート系ポリマーフィルム、ポリエチレン、ポリプロピレンおよびエチレン・プロピレン共重合体などの直鎖または分枝鎖ポリオレフィンフィルム、ポリアミド系フィルム、イミド系ポリマーフィルム、スルホン系ポリマーフィルムなどが挙げられる。支持体とともに膜を加熱する場合、高分子フィルムは、後述する加熱工程において、非溶融の高分子フィルムが好ましい。
なお、液晶高分子膜が光学的異方性素子や液晶配向膜を構成する場合、支持体のうち、透明なものを透明基材として用いてもよい。
塗布後、溶媒の蒸発により、乾燥した液晶高分子塗膜を形成することが可能である。
マスキング工程では、前記製膜工程で得られた塗膜の所定の位置を、易除去性マスキング材でパターン化してマスキングし、パターン化した易除去性マスキング層が積層された積層体を得ることができる。
易洗浄性溶媒で形成された被膜の厚みは、良好なマスキングの観点から、例えば、100〜0.01μm程度であってもよく、好ましくは10〜0.1μm程度であってもよい。
昇華性化合物としては、昇華能力を有する化合物であればよく、例えば、p−アニシジン、ナフタレン、1,3,5−トリクロロベンゼン、ベンゾフェノンなどの化合物が挙げられる。
昇華性化合物で形成された被膜の厚みは、化合物の種類に応じて、例えば、100〜0.01μm程度の広い範囲から選択することができ、好ましくは1〜0.01μm程度であってもよい。
第1の加熱工程は、感光性液晶高分子を面外配向させる工程であり、第1の加熱工程により、膜中の液晶高分子が分子運動を行うことが可能となる。上述したように、マスキング材が積層されている部分では液晶高分子はマスキング材と接触しており空気と接触していないため面外配向が抑制され、マスキング材が積層されていない部分(非マスキング部位)では液晶高分子は空気と接しており、液晶状態では液晶高分子-空気界面で表面自由エネルギーを最小にしようとするためか、面外配向が促進される。
易除去性マスキング材は、除去工程において、第1の加熱工程で得られた膜から除去される。易除去性マスキング材の種類に応じて、適宜除去工程を行うことができる。
光照射工程では、感光性液晶高分子に対し、メソゲン部分を異方的に配向可能な光を照射する。照射される光は、通常偏光成分を含む光である。偏光成分を含む光は、円偏光であっても直線偏光であってもよいが、直線偏光が好ましい。光照射工程において、既に面外配向した部分では光の吸収が弱くなっているため軸選択的な光反応は起こらない、もしくは、実質的に起こらない。一方、面外配向していない部分では液晶高分子の軸選択的な光反応が起こり、液晶高分子の面内配向を誘起することができる。その結果、異方性を生じた液晶高分子膜とすることができる。該膜に、液晶分子が接触すると膜の異方性により、液晶分子の配向を誘起する液晶配向膜として機能する。
光照射工程で、それぞれの光が有する配向誘起方向を変更させることにより、光照射の回数に応じて、異なる面内配向を誘起させることが可能となる。
また、必要に応じて、光を照射した後、光照射膜を加熱する加熱工程を行ってもよい。加熱工程により、膜中の未配向である液晶高分子が分子運動を行うことが可能となる。光照射膜の面外配向していない部分に未配向の剛直部分(メソゲン部分)が存在する場合、加熱による分子運動により、すでに配向している剛直部分に沿って未配向の剛直部分の配向が促進され面内配向する。
以上のようにして、同一基材上に面外配向した領域と面内配向した領域に配向分割した液晶高分子膜を形成できる。
本発明の第2の構成である液晶高分子膜は、同一の液晶高分子材料から、面外配向した領域と面内配向した領域とを形成することが可能である。
易除去性のマスキング材を用いているため、面外配向した領域および面内配向した領域の双方を有するにもかかわらず、前記液晶高分子膜は、面外配向領域と、それに隣接する面内配向領域との境界部が平坦な膜表面を有することが可能である。
さらに、一態様として、前記液晶高分子膜は、面外配向領域および面内配向領域の双方を有するとともに、前記面内配向領域が、さらに複数(例えば2〜4、好ましくは2〜3)に配向分割された液晶高分子膜であってもよい。
前記液晶高分子膜は、上述の製造方法で用いられる液晶高分子材料で構成される。
4−ヒドロキシベンズアルデヒドと6−クロロ−1−ヘキサノールを、アルカリ条件下で加熱することにより、4−(6−ヒドロキシヘキシルオキシ)ベンズアルデヒドを合成した。この生成物にp−トルエンスルホン酸の存在下でメタクリル酸を大過剰加えてエステル化反応させ、4−(6−メタクリロイルオキシヘキシルオキシ)ベンズアルデヒドを合成した。この生成物にp−アニシジンを脱水縮合させて化学式6に示される単量体1を合成した。
単量体1をTHF中に溶解し、反応開始剤としてAIBN(アゾビスイソブチロニトリル)を添加して重合することにより重合体1を得た。
化合物1として、市販のp−アニシジン(東京化成工業(株)製)をそのまま使用した。
(化合物2)
化合物2として、市販のナフタレン(東京化成工業(株)製)をそのまま使用した。
(化合物3)
化合物3として、市販の1-ブタノール(ナカライテスク(株)製)を使用した。
重合体1をジクロロメタンに溶解した溶液を調製した。この溶液を石英基板上にスピンコーターを用いて約0.3μmの厚みとなるよう塗布した。この基板を室温で乾燥して感光性の液晶高分子膜を形成した。液晶高分子塗膜の表面にパターンマスクを貼り付けた基板を基板裏面に両面テープを貼り付け容器の蓋の内側に固定し、容器内に化合物1を入れ、容器を100℃で2分間加熱することで化合物1を昇華させて液晶高分子膜の表面に化合物1の薄膜を積層した。続いて、基板を容器から取り出し100℃で10分間加熱した。加熱後、基板の液晶高分子膜面に高圧水銀灯からの紫外光を、グランテーラープリズムを介して直線偏光性として10J/cm2照射した。
化合物1を積層していなかった領域の偏光UV−vis吸収スペクトルの変化を図1に示す。塗布後と比べ加熱後の偏光UV−vis吸収スペクトルが大きく減少していることから液晶高分子は面外配向していることを確認した。
一方、化合物1を積層した領域の偏光UV−vis吸収スペクトルの変化を図2に示す。図2より、塗布後と比較して化合物1の積層後の偏光UV−vis吸収スペクトルが大きく増加していることから、液晶高分子に化合物1が積層されていることを確認した。次に図2の積層後と加熱後の偏光UV−vis吸収スペクトルを比べると、積層後より加熱後の吸収が大きく減少していることから化合物1が除去できていることを確認した。また、加熱後の吸収スペクトルは塗布後の吸収スペクトルと比較して大きく減少していないことから液晶高分子は面外配向していないことが確認できる。続く直線偏光性紫外光の照射により、吸収スペクトルに異方性が生じていることが確認でき化合物1を積層した領域では面内配向していることを確認した。
この基板を、偏光板クロスニコル下で観察した写真を図3に示す。図3において左は面内配向方向と偏光板の透過軸が45°の場合を示し、右は面内配向方向と偏光板の透過軸が平行の場合を示している。この図3より同一基板上において面外配向の部分と面内配向の部分に配向分割できていることを確認した。
また、得られた液晶高分子膜の表面状態は、目視において、面外配向部分と面内配向部分との間で段差がなく均一な状態であるため、膜表面全体として、接着性、密着性において有意な差はないと考えられる。
また、このような膜を形成した1枚のガラス基板と一様な光配向処理を施したガラス基板1枚も用いて対向させセルを作製し、基板間に液晶材料(「E7」、メルク(株)製)を充填し、100℃で加熱後、冷却した。このようにして作製した液晶セルでは、充填した液晶材料が膜の配向パターンにそって配向していることを確認した。
実施例1の化合物1の代わりに化合物2を用い、それ以外は実施例1と同じ方法で実施した。
その結果、同一基板上において面外配向の部分と面内配向の部分に配向分割できていることを確認した。また、得られた液晶高分子膜の表面状態は、目視において、面外配向部分と面内配向部分との間で段差がなく均一な状態であるため、膜表面全体として、接着性、密着性において有意な差はないと考えられる。
また、このような膜を形成した1枚のガラス基板と一様な光配向処理を施したガラス基板1枚も用いて対向させセルを作製し、基板間に液晶材料(「E7」、メルク(株)製)を充填し、100℃で加熱後、冷却した。このようにして作製した液晶セルでは、充填した液晶材料が膜の配向パターンにそって配向していることを確認した。
重合体1をジクロロメタンに溶解した溶液を調製した。この溶液を石英基板上にスピンコーターを用いて約0.3μmの厚みとなるよう塗布した。この基板を室温で乾燥して感光性の液晶高分子膜を形成した。この液晶高分子膜の表面に化合物3を格子状に筆で塗ってパターン化した化合物3の塗膜を形成した。続いて、この基板を100℃で10分間加熱処理を行い、化合物3が蒸発した後基板に高圧水銀灯からの紫外光を、グランテーラープリズムを介して直線偏光性として10J/cm2照射した。
その結果、化合物3を塗っていなかった領域は面外配向し、化合物3を塗っていた部分は面内配向しており、同一基板上において面外配向の部分と面内配向の部分に配向分割できることを確認した。
また、このような膜を形成した1枚のガラス基板と一様な光配向処理を施したガラス基板1枚も用いて対向させセルを作製し、基板間に液晶材料(「E7」、メルク(株)製)を充填し、100℃で加熱後、冷却した。このようにして作製した液晶セルでは、充填した液晶材料が膜の配向パターンにそって配向していることを確認した。
重合体1をジクロロメタンに溶解した溶液を調製した。この溶液を石英基板上にスピンコーターを用いて約0.3μmの厚みとなるよう塗布した。便宜上、この石英基板の厚み方向をz方向、石英基板面をx−y面と規定する。この基板を室温で乾燥して感光性の液晶高分子膜を形成した。液晶高分子塗膜の表面にパターンマスクを貼り付けた基板を基板裏面に両面テープを貼り付け容器の蓋の内側に固定し、容器内に化合物1を入れ、容器を100℃で2分間加熱することで化合物1を昇華させて液晶高分子膜の表面に化合物1の薄膜を積層した。続いて、基板を容器から取り出し100℃で10分間加熱した。加熱後、高圧水銀灯と基板の間に、昇華性化合物を積層していた領域に光の当たる領域と光の当たらない領域とができるよう作製したフォトマスクを設置し、高圧水銀灯からの紫外光をグランテーラープリズムを介して直線偏光性とし、直線偏光性の光の電界ベクトルの方向が石英基板のx方向と平行になるように基板の液晶高分子膜面に10J/cm2照射した。続いて、フォトマスクを撤去して、高圧水銀灯からの紫外光をグランテーラープリズムを介して直線偏光性とし、直線偏光性の光の電界ベクトルの方向が石英基板のy方向と平行になるように基板の液晶高分子膜面に10J/cm2照射した。
その結果、同一基板上において石英基板のz方向にメソゲンが配向した面外配向の部分と、石英基板のx方向にメソゲンが配向した面内配向の部分と、石英基板のy方向にメソゲンが配向した面内配向した部分と、に配向分割できていることを確認した。
また、このような膜を形成した1枚のガラス基板と一様な光配向処理を施したガラス基板1枚も用いて対向させセルを作製し、基板間に液晶材料(「E7」、メルク(株)製)を充填し、100℃で加熱後、冷却した。このようにして作製した液晶セルでは、充填した液晶材料が膜の配向パターンにそって配向していることを確認した。
重合体1をジクロロメタンに溶解した溶液を調製した。この溶液を石英基板上にスピンコーターを用いて約0.3μmの厚みとなるよう塗布した。この基板を室温で乾燥して感光性の液晶高分子膜を形成した。この基板を100℃で10分間加熱処理を行い、加熱後の基板に高圧水銀灯からの紫外光を、グランテーラープリズムを介して直線偏光性として10J/cm2照射した。その結果、基板全面で一様に面外配向していることを確認した。
一方、比較例1では、マスキング材を利用していないため基板全面で一様に面外配向してしまい、液晶高分子膜を面内配向と面外配向に配向分割することができなかった。
Claims (10)
- 感光性の官能基およびメソゲン部分を有する液晶高分子(以下、感光性液晶高分子と称する)を製膜する製膜工程と、
前記製膜工程で得られた膜の表面に、パターン化した易除去性マスキング層を積層し、積層体を得るマスキング工程と、
前記積層体を、前記感光性液晶高分子が液晶相を示す温度で加熱し、非マスキング部位の面外配向を誘起する第1の加熱工程と、
前記面外配向の誘起中および/または誘起後に、マスキング層を除去する除去工程と、
前記マスキング層が除去された膜に、当該液晶高分子中のメソゲン部分を異方的に配向可能な光を照射する光照射工程と、
を少なくとも備える、液晶高分子膜を製造する方法。 - 請求項1の製造方法において、易除去性マスキング層が、昇華能力を有する化合物(以下、昇華性化合物と称する)で構成される、液晶高分子膜の製造方法。
- 請求項2の製造方法において、除去工程が、昇華性化合物が昇華する温度において加熱する第2の加熱工程であり、第1の加熱工程と第2の加熱工程が同時に実施される液晶高分子膜の製造方法。
- 請求項1〜3のいずれか一項の製造方法において、さらに、光照射膜を加熱する第3の加熱工程を備える、液晶高分子膜の製造方法。
- 請求項1〜4のいずれか一項の製造方法において、光照射工程が複数回行われ、それぞれの光照射工程において異なる方向の面内配向が誘起される、液晶高分子膜の製造方法。
- 請求項1〜5のいずれか一項の製造方法において、液晶高分子が、側鎖に下記化学式1で表される感光性を有する官能基を有する側鎖型液晶高分子である、液晶高分子膜の製造方法。
(式中、Rは、水素原子、ハロゲン基、−CN、アルキル基、またはアルキルオキシ基である。) - 光学的異方性を有するか、液晶配向能を有するか、または、液晶配向能および光学的異方性を有する液晶高分子膜であって、前記液晶高分子膜は、面外配向した領域と面内配向した領域とを備えているとともに、面外配向領域と、それに隣接する面内配向領域との境界部が平坦な膜表面を有する、液晶高分子膜であって、前記液晶高分子膜を形成する液晶高分子が、メソゲン部分を液晶高分子の側鎖に有している液晶高分子で構成される、液晶高分子膜。
- 透明基材と、透明基材の上に配置された液晶高分子膜と、を備える光学的異方性素子であって、前記液晶高分子膜が請求項7に記載の液晶高分子膜である、光学的異方性素子。
- 透明基材と、透明基材の上に配置された液晶高分子膜と、を備える液晶配向膜であって、前記液晶高分子膜が請求項7に記載の液晶高分子膜である、液晶配向膜。
- 一対の液晶配向膜と、前記一対の液晶配向膜間に配設される液晶層とを備える液晶表示素子であって、前記液晶配向膜が、請求項9に記載の液晶配向膜である、液晶表示素子。
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