JP7072159B2 - 液晶高分子膜およびその製造方法 - Google Patents
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Description
〔態様1〕
側鎖(1)と側鎖(2)とを備える共重合体、または側鎖(1)を備える重合体と側鎖(2)を備える重合体とを含む高分子複合体を含む光配向性の高分子膜材料であって、
前記側鎖(1)および(2)は、それぞれ液晶構造を形成可能であり、
前記側鎖(1)は、加水分解反応により除去可能な感光性基を有するとともに、加水分解反応に対して触媒作用を有する官能基を有さず、
前記側鎖(2)は、前記感光性基を除去するための加水分解反応に対して触媒作用を有する官能基を有する、高分子膜材料。
態様1に記載の高分子膜材料において、側鎖(1)が下記式(1)で表される側鎖構造を有する高分子膜材料。
態様1または2に記載の高分子膜材料において、側鎖(2)が下記式(2)で表される側鎖構造を有する高分子膜材料。
態様1~3のいずれか一態様に記載の高分子膜材料を得るために用いられる高分子膜形成材料であって、
側鎖(3)と側鎖(2)とを備える共重合体、または側鎖(3)を備える重合体と側鎖(2)を備える重合体とを含む高分子複合体を含み、
前記側鎖(3)は、前記側鎖(1)の少なくとも一部を構成し、縮合反応により感光性基を形成可能であるとともに、加水分解反応により前記形成された感光性基を除去可能であり、
前記側鎖(2)は、前記感光性基を除去するための加水分解反応に対して触媒作用を有する官能基を有する、高分子膜形成材料。
態様4に記載の高分子膜形成材料であって、側鎖(3)が下記式(3)で表される側鎖構造を有する高分子膜形成材料。
態様4または5に記載の高分子膜形成材料において、さらに前記側鎖(3)と縮合反応可能な縮合性基を有する低分子化合物を含む高分子膜形成材料。
態様6に記載の高分子膜形成材料において、前記低分子化合物が下記式(4)で表される高分子膜形成材料。
態様1~3のいずれか一態様に記載の高分子膜材料を含む高分子膜を形成する膜形成工程、
得られた高分子膜に前記液晶構造を異方的に配向可能な光を照射する照射工程、
光が照射された高分子膜を加熱し、未配向の液晶構造を配向させるための第1の加熱工程、および
前記感光性基を加水分解反応により除去するための第2の加熱工程、
を少なくとも備える、液晶高分子膜の製造方法。
態様1~3のいずれか一態様に記載の高分子膜材料を用いた液晶高分子膜であって、加水分解反応により前記感光性基が除去された共重合体または高分子複合体で構成され、液晶構造の分子配向により、光学的異方性を有するか、液晶配向能を有するか、または、液晶配向能および光学的異方性を有する液晶高分子膜。
態様9に記載の液晶高分子膜を再配向する方法であって、
前記液晶高分子膜をその等方相転移温度以上で加熱する第3の加熱工程、
第3の加熱工程の後の膜上に、共重合体または高分子複合体中の重合体が有する加水分解反応後の側鎖と縮合反応可能な縮合性基を有する低分子化合物を塗布する塗布工程、
縮合反応を行い、加水分解反応により除去可能な感光性基を形成する縮合反応工程、
縮合反応後の膜に液晶構造を異方的に配向可能な光を照射する照射工程、
光が照射された高分子膜を加熱し、未配向の液晶構造を配向させるための第1の加熱工程、および
前記感光性基を加水分解反応により除去するための第2の加熱工程、
を少なくとも備える、液晶高分子膜の再配向方法。
本発明の第1の構成は、側鎖(1)と側鎖(2)とを備える共重合体、または側鎖(1)を備える重合体と側鎖(2)を備える重合体とを含む高分子複合体を含む光配向性の高分子膜材料であって、前記側鎖(1)および(2)は、それぞれ液晶構造を形成可能であり、前記側鎖(1)は、加水分解反応により除去可能な感光性基を有するとともに、加水分解反応に対して触媒作用を有する官能基を有さず、前記側鎖(2)は、前記感光性基を除去するための加水分解反応に対して触媒作用を有する官能基を有する、高分子膜材料である。
芳香族環としては、ベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられ、脂肪族環としては、シクロヘキサン環などが挙げられる。なお、これらの芳香族環または脂肪族環は、置換基を有していてもよい。
連結基としては、共有結合である場合、単結合、-O-、-COO-、-OCO-、-N=N-、-NO=N-、-C=C-、-CO-C=C-、-CH=N-、-N=CH-、アルキレン基などが挙げられる。水素結合である場合、カルボキシ基同士の水素結合などが挙げられる。
高分子膜材料における共重合体または高分子複合体は、感光性基を有するとともに、液晶構造を形成可能である構造を有する、感光性液晶高分子である。
例えば、加水分解反応に対して触媒作用を有する官能基は、酸性官能基であるカルボキシ基、スルホ基などが挙げられ、好ましくはカルボキシ基であってもよい。これらの酸性官能基は、公知または慣用の知識により組みあわせて、加水分解反応に対する触媒として用いることができるとともに、水素結合性を有しているため、水素結合による二量化によりメソゲン構造を形成することが可能である。
本発明の第2の構成は、前記高分子膜材料を得るために用いられる高分子膜形成材料であって、側鎖(3)と側鎖(2)とを備える共重合体、または側鎖(3)を備える重合体と側鎖(2)を備える重合体とを含む高分子複合体を含み、前記側鎖(3)は、前記側鎖(1)の少なくとも一部を構成する。
例えば、側鎖(3)は、(i-a)加水分解性基を有しているか、または(i-b)縮合反応により加水分解性基を導入可能な縮合性基を有している。また、側鎖(3)は、(ii-a)前記加水分解性基の加水分解により除去可能な感光性基を有しているか、または(ii-b)縮合反応により前記感光性基を導入可能な縮合性基を有している。さらに、側鎖(3)は、(iii-a)液晶構造を形成可能である構造を有しているか、または(iii-b)縮合反応により液晶構造を形成可能である構造を導入可能な縮合性基を有している。
前記側鎖(3)と前記低分子化合物は、互いに縮合反応可能な縮合性基を有している。これらの縮合性基は、公知または慣用の知識により組みあわせて、縮合反応に用いることができる。
本発明の第3の構成は、第1の構成である高分子膜材料を含む高分子膜を形成する膜形成工程、
得られた高分子膜に前記液晶構造を異方的に配向可能な光を照射する照射工程、
光が照射された高分子膜を加熱し、未配向の液晶構造を配向させるための第1の加熱工程、および
前記感光性基を加水分解反応により除去するための第2の加熱工程、
を少なくとも備える、液晶高分子膜の製造方法である。
膜形成工程では、第1の構成である高分子膜材料を有機溶媒に溶解した溶液を用いて支持体上に製膜を行ってもよく、第2の構成である高分子膜形成材料を有機溶媒に溶解した溶液を用いて支持体上に製膜を行った後に、縮合反応工程を行ってもよい。
第2の構成の高分子膜形成材料を用いる場合、製膜前に縮合反応を行い、第1の構成の高分子膜材料として製膜を行ってもよいし、製膜後の膜に縮合反応を行う縮合反応工程を行ってもよい。製膜後に縮合反応を行う場合、縮合反応工程において、第2の構成の高分子膜形成材料の製膜後に得られた膜において、高分子化合物と低分子化合物を縮合反応させて、第1の構成である高分子膜材料を含む高分子膜を形成する。
光照射工程では、第1の構成である高分子膜材料中の感光性液晶高分子に、当該感光性液晶高分子中の液晶構造を異方的に配向可能な光を照射する。このような光は、直線偏光であっても、楕円偏光であってもよく、直線偏光が好ましい。光照射工程により、軸選択的な光反応による異方性を生じた膜となる。
第1の加熱工程では、光照射後、光を照射した膜を加熱する加熱工程が行われる。軸選択的な光異性化による異方性を生じた膜を加熱すると、加熱により膜中の液晶高分子が分子運動を行うことが可能となり、材料自体が液晶性を有することから、光照射後の分子運動によって膜中において光異性化を起こした側鎖に沿って配向が誘起される。
第2の加熱工程では、第1の構成である高分子膜材料の加水分解反応により除去可能な感光性基を有する側鎖を加水分解反応させることによって、共重合体または高分子複合体中の重合体から感光性基を除去する。
本発明の第4の構成は、第1の構成である高分子膜材料を用いた液晶高分子膜であって、加水分解反応により感光性基が除去された共重合体または高分子複合体で構成され、光学的異方性を有するか、液晶配向能を有するか、または、液晶配向能および光学的異方性を有する液晶高分子膜である。該膜に、液晶分子が接触すると膜の異方性により、液晶分子の配向を誘起する液晶配向膜として機能する。
本発明の第5の構成は、第4の構成である液晶高分子膜をその等方相転移温度以上で加熱する第3の加熱工程、
第3の加熱工程の後の膜上に、共重合体または高分子複合体中の重合体が有する加水分解反応後の側鎖と縮合反応可能な縮合性基を有する低分子化合物を塗布する塗布工程、
縮合反応を行い、加水分解反応により除去可能な感光性基を形成する縮合反応工程、
縮合反応後の膜に液晶構造を異方的に配向可能な光を照射する照射工程、
光が照射された高分子膜を加熱し、未配向の液晶構造を配向させるための第1の加熱工程、および
前記感光性基を加水分解反応により除去するための第2の加熱工程、
を少なくとも備える、液晶高分子膜の再配向方法である。
第3の加熱工程では、光学的異方性を有するか、液晶配向能を有するか、または、液晶配向能および光学的異方性を有する液晶高分子膜に対して、この液晶高分子膜を構成する共重合体または高分子複合体の等方相転移温度以上に加熱する。この加熱により、異方的に配向していた液晶構造のランダム配向が誘起され、配向は等方的となる。
塗布工程では、共重合体または高分子複合体中の重合体が有する加水分解反応後の側鎖と縮合反応可能な縮合性基を有する低分子化合物を有機溶媒に溶解した溶液を用いて、第3の加熱工程後の高分子膜上に製膜を行う。低分子化合物の溶液を製膜する際に、印刷法やプリンターを用いてパターニング塗布を行えば、塗布した領域のみ液晶配向層や位相差を生じた層を形成することも可能である。
縮合反応工程では、互いに縮合反応可能な縮合性基を有している、共重合体または高分子複合体中の重合体と低分子化合物との縮合反応により、再度感光性液晶高分子を形成することが可能である。縮合反応工程は、前記液晶高分子膜の製造方法における縮合反応工程と同様にして行ってもよい。
4-ヒドロキシベンズアルデヒドと6-クロロ-1-ヘキサノールを、アルカリ条件下で加熱することにより、4-(6-ヒドロキシヘキシルオキシ)ベンズアルデヒドを合成した。この生成物にp-トルエンスルホン酸の存在下でメタクリル酸を大過剰加えてエステル化反応させ、化学式1-1に示される単量体1を合成した。
単量体1とp-アニシジンを脱水縮合させて化学式1-2に示される単量体2を合成した。
4-ヒドロキシ安息香酸と6-クロロ-1-ヘキサノールを、アルカリ条件下で加熱することにより、4-(6-ヒドロキシヘキシルオキシ)安息香酸を合成した。次いでこの生成物にp-トルエンスルホン酸の存在下でメタクリル酸を大過剰加えてエステル化反応させ、化学式1-3に示される単量体3を合成した。
単量体1と単量体3のモル比が単量体1:単量体3=20:80となるように単量体1と単量体3をTHF(テトラヒドロフラン)中に溶解し、反応開始剤としてAIBN(アゾビスイソブチロニトリル)を添加して重合することにより共重合体1を得た。この共重合体1は50℃から132℃の温度範囲で液晶性を呈した。また、可視光域にほとんど吸収を示さなかった。
単量体1と単量体3のモル比が単量体1:単量体3=10:90となるように単量体1と単量体3をTHF中に溶解し、反応開始剤としてAIBNを添加して重合することにより共重合体2を得た。この共重合体2は58℃から149℃の温度範囲で液晶性を呈した。また、可視光域にほとんど吸収を示さなかった。
単量体1と単量体3のモル比が単量体1:単量体3=30:70となるように単量体1と単量体3をTHF中に溶解し、反応開始剤としてAIBNを添加して重合することにより共重合体3を得た。この共重合体3は45℃から103℃の温度範囲で液晶性を呈した。また、可視光域にほとんど吸収を示さなかった。
単量体1と単量体3のモル比が単量体1:単量体3=40:60となるように単量体1と単量体3をTHF中に溶解し、反応開始剤としてAIBNを添加して重合することにより共重合体4を得た。この共重合体4は35℃から93℃の温度範囲で液晶性を呈した。また、400nm付近にわずかな吸収を示した。
単量体1と単量体3のモル比が単量体1:単量体3=50:50となるように単量体1と単量体3をTHF中に溶解し、反応開始剤としてAIBNを添加して重合することにより共重合体5を得た。この共重合体5は液晶性を示さなかった。また、400nm付近に弱い吸収を示した。
単量体2と単量体3のモル比が単量体2:単量体3=20:80となるように単量体2と単量体3をTHF中に溶解し、反応開始剤としてAIBNを添加して重合することにより共重合体6を得た。この共重合体6は70℃から143℃の温度範囲で液晶性を呈した。また、400nm付近に弱い吸収を示した。
単量体2と単量体3のモル比が単量体2:単量体3=30:70となるように単量体2と単量体3をTHF中に溶解し、反応開始剤としてAIBNを添加して重合することにより共重合体7を得た。この共重合体7は45℃から139℃の温度範囲で液晶性を呈した。また、400nm付近に弱い吸収を示した。
単量体2と単量体3のモル比が単量体2:単量体3=40:60となるように単量体2と単量体3をTHF中に溶解し、反応開始剤としてAIBNを添加して重合することにより共重合体8を得た。この共重合体8は31℃から126℃の温度範囲で液晶性を呈した。また、400nm付近に弱い吸収を示した。
単量体1をTHF中に溶解し、反応開始剤としてAIBNを添加して重合することにより重合体9を得た。この重合体9は液晶性を示さなかった。また、可視光域に全く吸収を示さなかった。
単量体2をTHF中に溶解し、反応開始剤としてAIBNを添加して重合することにより重合体10を得た。この重合体10は45℃から127℃の温度範囲で液晶性を呈した。また、400nm付近に弱い吸収を示した。
単量体3をTHF中に溶解し、反応開始剤としてAIBNを添加して重合することにより重合体11を得た。この重合体11は143℃から177℃の温度範囲で液晶性を呈した。また、可視光域に全く吸収を示さなかった。
化合物1として、市販のp-アニシジン(東京化成工業(株)製)をエタノールの再結晶法により精製したものを使用した。この化合物1は、エーテル類、アルコール類、アセトンなど一般的な溶媒に溶解性を有していた。
共重合体1と化合物1とをモル比が共重合体1:化合物1=1:2となるようにTHFに溶解し、溶液を調整した。この溶液を石英基板上にスピンコーターを用いて約0.2μmの厚みとなるように塗布した。この基板を室温で乾燥した後、100℃で10分間加熱し、脱水縮合させることにより感光性の液晶高分子膜を形成した。続いて、この基板に超高圧水銀ランプからの紫外線を365nmのバンドパスフィルターと偏光子を通して直線偏光性の紫外線とし、20J/cm2照射した。照射後、130℃で10分間第1の加熱工程を行い、さらに125℃で100分間第2の加熱工程を行った。
ここでの二色比は下記式1で定義される。
DR=(A⊥-A||)/(A⊥+A||)・・・式1
(式1中、A⊥は照射した偏光紫外線と偏光UV-visスペクトル測定時の検出光の電界ベクトルの向きが垂直な時の吸収、A||は照射した偏光紫外線と偏光UV-visスペクトル測定時の検出光の電界ベクトルの向きが平行な時の吸収を表す。)
次に、第2の加熱工程前後の偏光UV-vis吸収スペクトルと二色比の変化を図3に示す。安息香酸基由来の262nmの二色性はほぼ維持された状態でベンジリデンアニリン基由来の335nmの吸収はほとんど消失していることから、安息香酸基の配向を維持した状態で感光性基であるベンジリデンアニリン基が分解消失していることがわかる。この基板を、偏光板クロスニコル下で観察したところ、複屈折性を生じていることを確認した。
次に第2の加熱工程後の基板に紫外線を20J/cm2照射した際の偏光UV-vis吸収スペクトルの変化を図4に示す。紫外線を照射してもスペクトルに変化が見られないことからこのフィルムは紫外線に対して耐光性があることがわかる。
共重合体2と化合物1を用い、偏光紫外線の照射量は20J/cm2、第1の加熱工程の加熱温度を150℃の条件で、その他の条件は実施例1と同様にして、表1に示す実施例2のフィルムを得た。
共重合体3と化合物1を用い、偏光紫外線の照射量は4J/cm2、第1の加熱工程の加熱温度を120℃の条件で、その他の条件は実施例1と同様にして、表1に示す実施例3のフィルムを得た。
共重合体4と化合物1を用い、偏光紫外線の照射量は3J/cm2、第1の加熱工程の加熱温度を113℃の条件で、その他の条件は実施例1と同様にして、表1に示す実施例4のフィルムを得た。
共重合体5と化合物1を用い、偏光紫外線の照射量は4J/cm2、第1の加熱工程の加熱温度を107℃の条件で、その他の条件は実施例1と同様にして、表1に示す実施例5のフィルムを得た。
共重合体6をTHFに溶解し、溶液を調整した。この溶液を石英基板上にスピンコーターを用いて約0.2μmの厚みとなるように塗布した。続いて、この基板に超高圧水銀ランプからの紫外線を365nmのバンドパスフィルターと偏光子を通して直線偏光性の紫外線とし、20J/cm2照射すると、安息香酸基由来の262nmの吸収には二色比はほとんど生じず、ベンジリデンアニリン基由来の335nmには二色性が生じた。
照射後、基板を130℃で10分間第1の加熱工程を行うと、協調的な再配向により安息香酸基由来の262nmの吸収において二色性が増幅したフィルムが作製された。
さらに基板を125℃で100分間第2の加熱工程を行うと、安息香酸基由来の262nmの二色性はほぼ維持された状態でベンジリデンアニリン基由来の335nmの吸収はほとんど消失した。この基板を、偏光板クロスニコル下で観察したところ、複屈折性を生じていることを確認した。
作製したフィルムに紫外線を20J/cm2照射したがスペクトルに変化はなかった。
共重合体7を用い、偏光紫外線の照射量は4J/cm2、第1の加熱工程の加熱温度を120℃の条件で、その他の条件は実施例6と同様にして、表1に示す実施例7のフィルムを得た。
共重合体8を用い、偏光紫外線の照射量は3J/cm2、第1の加熱工程の加熱温度を113℃の条件で、その他の条件は実施例6と同様にして、表1に示す実施例8のフィルムを得た。
重合体9、重合体11および化合物1を、重合体9と重合体11のモル比が重合体9:重合体11=20:80、重合体9と化合物1のモル比が重合体9:化合物1=1:2となるように用い、偏光紫外線の照射量は20J/cm2、第1の加熱工程の加熱温度を130℃の条件で、その他の条件は実施例1と同様にして、表1に示す実施例9のフィルムを得た。
重合体10と重合体11を、重合体10と重合体11のモル比が重合体10:重合体11=20:80となるように用い、偏光紫外線の照射量は20J/cm2、第1の加熱工程の加熱温度を130℃の条件で、その他の条件は実施例6と同様にして、表1に示す実施例10のフィルムを得た。
共重合体1をTHFに溶解し、溶液を調製した。この溶液を石英基板上にスピンコーターを用いて約0.2μmの厚みとなるよう塗布した。次いで、化合物1をメタノールに溶解して溶液とし、その溶液を共重合体1の膜上にインクジェットプリンターを用いてパターン塗布した。この基板を室温で乾燥した後、100℃で10分間加熱し、脱水縮合させることにより感光性液晶高分子を形成した。続いて、この基板に超高圧水銀ランプからの紫外線を365nmのバンドパスフィルターと偏光子を通して直線偏光性の紫外線とし、20J/cm2照射した。照射後、130℃で10分間第1の加熱工程を行い、さらに125℃で100分間第2の加熱工程を行った。
次に第2の加熱工程後の基板に紫外線を20J/cm2照射しても前記パターンを維持していたことから、このパターン化したフィルムは紫外線に対して耐光性があることがわかった。
また、このような膜を形成した2枚のガラス基板を対向させセルを作製し、基板間に液晶材料(「E7」、メルク製)を充填し、100℃で加熱後、冷却した。このようにして作製した液晶セルでは、充填した液晶材料が配向していることを確認した。
重合体9と化合物1を、重合体9と化合物1のモル比が重合体9:化合物1=1:2となるように用い、その他の条件は実施例1と同様にして、表1に示す比較例1のフィルムを得た。
重合体10と化合物1を、重合体10と化合物1のモル比が重合体10:化合物1=1:2となるように用い、その他の条件は実施例1と同様にして、表1に示す比較例2のフィルムを得た。
重合体11と化合物1を、重合体11と化合物1のモル比が重合体11:化合物1=1:2となるように用い、その他の条件は実施例1と同様にして、表1に示す比較例3のフィルムを得た。
重合体9を用い、その他の条件は実施例6と同様にして、表1に示す比較例4のフィルムを得た。
重合体10を用い、その他の条件は実施例6と同様にして、表1に示す比較例5のフィルムを得た。
重合体11を用い、その他の条件は実施例6と同様にして、表1に示す比較例6のフィルムを得た。
Claims (10)
- 側鎖(1)と側鎖(2)とを備える共重合体、または側鎖(1)を備える重合体と側鎖(2)を備える重合体とを含む高分子複合体を含む光配向性の高分子膜材料であって、
前記側鎖(1)および(2)は、それぞれ、メソゲン基を有し、または二量化によりメソゲン構造を形成可能であり、
前記側鎖(1)は、加水分解反応により除去可能な感光性基を有するとともに、加水分解反応に対して触媒作用を有する官能基を有さず、下記式(1)で表される側鎖構造を有し、
前記側鎖(2)は、前記感光性基を除去するための加水分解反応に対して触媒作用を有する官能基として、カルボキシ基およびスルホ基からなる群から選択される少なくとも一種の官能基を有し、
前記共重合体または重合体は、ポリアクリレート系、ポリメタクリレート系、ポリビニル系、ポリシロキサン系、ポリエーテル系、およびポリマロネート系からなる群から選択される主鎖を有する、高分子膜材料。 - 請求項1に記載の高分子膜材料であって、式(1)中、Qが-HC=N-または-N=CH-を表す、高分子膜材料。
- 請求項1~3のいずれか一項に記載の高分子膜材料を得るために用いられる高分子膜形成材料であって、
側鎖(3)と側鎖(2)とを備える共重合体、または側鎖(3)を備える重合体と側鎖(2)を備える重合体とを含む高分子複合体を含み、
前記側鎖(3)は、前記側鎖(1)の少なくとも一部を構成し、縮合反応により感光性基を形成可能であるとともに、加水分解反応により前記形成された感光性基を除去可能であり、
前記側鎖(2)は、前記感光性基を除去するための加水分解反応に対して触媒作用を有する官能基として、カルボキシ基およびスルホ基からなる群から選択される少なくとも一種の官能基を有する、高分子膜形成材料。 - 請求項4または5に記載の高分子膜形成材料において、さらに前記側鎖(3)と縮合反応可能な縮合性基を有する低分子化合物を含む高分子膜形成材料。
- 請求項1~3のいずれか一項に記載の高分子膜材料を含む高分子膜を形成する膜形成工程、
得られた高分子膜に前記メソゲン基および/またはメソゲン構造を異方的に配向可能な光を照射する照射工程、
光が照射された高分子膜を加熱し、未配向のメソゲン基および/またはメソゲン構造を配向させるための第1の加熱工程、および
前記感光性基を加水分解反応により除去するための第2の加熱工程、
を少なくとも備える、液晶高分子膜の製造方法。 - 請求項1~3のいずれか一項に記載の高分子膜材料を用いた液晶高分子膜であって、加水分解反応により前記感光性基が除去された共重合体または高分子複合体で構成され、メソゲン基および/またはメソゲン構造の分子配向により、光学的異方性を有するか、液晶配向能を有するか、または、液晶配向能および光学的異方性を有する液晶高分子膜。
- 請求項9に記載の液晶高分子膜を再配向する方法であって、
前記液晶高分子膜をその等方相転移温度以上で加熱する第3の加熱工程、
第3の加熱工程の後の膜上に、共重合体または高分子複合体中の重合体が有する加水分解反応後の側鎖と縮合反応可能な縮合性基を有する低分子化合物を塗布する塗布工程、
縮合反応を行い、加水分解反応により除去可能な感光性基を形成する縮合反応工程、
縮合反応後の膜にメソゲン基および/またはメソゲン構造を異方的に配向可能な光を照射する照射工程、
光が照射された高分子膜を加熱し、未配向のメソゲン基および/またはメソゲン構造を配向させるための第1の加熱工程、および
前記感光性基を加水分解反応により除去するための第2の加熱工程、
を少なくとも備える、液晶高分子膜の再配向方法。
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