JP6640842B2 - ポリシリコンチップ回収アセンブリ、及びポリシリコン洗浄装置からポリシリコンチップを回収する方法 - Google Patents

Description

関連出願の相互参照
本出願は、２０１４年９月３０日出願の米国特許仮出願第６２／０５７，５６８号に対する優先権及びその全ての利益を主張するものであり、その内容は、本明細書において参照としてその全体を組み込まれる。

本明細書において、ポリシリコンチップ回収アセンブリ、及びポリシリコン洗浄装置からポリシリコンチップを回収する方法が、開示されている。

整流器、トランジスタ、フォトトランジスタ、コンピュータチップなどの電子構成要素は、非常に高純度の単結晶シリコンを必要とする。商業的プロセスにおいて、この単結晶シリコンは、最初に、加熱したシリコン素子にシランを化学蒸着することにより、多結晶シリコン（本明細書においてはポリシリコンとも称される）インゴットを形成することによって準備される。これらの多結晶シリコンインゴットはその後、様々な方法により単結晶シリコンに変換される。

全プロセスにわたり、多結晶シリコン体は、全プロセスにおいて多結晶シリコン体に影響する汚染物質を低減するために、洗浄される。洗浄の一方法としては、多結晶シリコン体を、酸又は多結晶シリコン体を洗浄するのに好適な他の流体に接触させるように構成された、ウォッシュベンチチャンバ内に多結晶シリコン体を配置することが挙げられる。このようなプロセスにおいて、ポリシリコンチップが生成される。凝集塊において、ポリシリコンチップは貴重であり、ウォッシュベンチチャンバの底部に堆積する、より小さなチップを回収するために様々な試みが行われてきた。このような試みは、チップを手動により掬うか、又は真空などを使用してチップを回収することによって行われてきた。

上記の手動によるチップの回収プロセスは、一部のチップがこの方法では回収できないために、本質的に最適未満の収量を生じることになる。このプロセスはまた、メンテナンス要員を必要とし、これがコストを増大させ、対処すべき安全上の問題を生じる。更に、いずれかの手動プロセスにおいては、なんらかの汚染効果も考慮しなくてはならない。

本発明の一実施形態において、ポリシリコンチップ回収アセンブリは、複数のポリシリコン体を洗浄するように構成された、ポリシリコン洗浄装置を含む。洗浄中に、ポリシリコン体から生成される複数のポリシリコンチップが含まれ、複数のポリシリコンチップそれぞれは、０．１ｍｍ〜２５．０ｍｍの最長寸法長さを有する。ポリシリコン洗浄装置から主要チップドレインラインへと複数のポリシリコンチップを導くように構成された、ポリシリコン装置ドレインラインが更に含まれ、主要チップドレインラインは、ポリシリコン装置ドレインラインから下方向に傾斜するように向けられている。主要チップドレインラインに流体連結され、主要チップドレインラインに流体を注入して、主要チップドレインラインを通じて複数のポリシリコンチップを推進するように構成された、流体源が更に含まれる。

本発明の別の代表的な実施形態において、ポリシリコン洗浄装置からポリシリコンチップを回収する方法が提示される。方法は、ポリシリコン洗浄装置から、少なくとも１つのポリシリコン装置ドレインラインを通じて複数のポリシリコンチップを流す工程を含み、複数のポリシリコンチップそれぞれが、０．１ｍｍ〜２５．０ｍｍの最大長さ寸法を有する。方法はまた、複数のポリシリコンチップを、ポリシリコン装置ドレインラインを通じて、下方に傾斜するように向けられた主要チップドレインラインへと導く工程を含む。方法は、流体により、主要チップドレインラインを介して、チップ回収タンクへと複数のポリシリコンチップを推進する工程を更に含む。

ポリシリコンチップ回収アセンブリ１０を示す。

図１を参照すると、ポリシリコンチップ回収アセンブリ１０が概略的に例示されている。ポリシリコンチップ回収アセンブリ１０は一般的に、ポリシリコン洗浄装置１２内で洗浄プロセスにかけられたポリシリコンチップを回収し、導き、及びパッケージングするために利用される。ポリシリコン洗浄装置１２は、例えば、塩酸などの流体で洗浄するために、少なくとも１つの、しかしながら典型的には複数のポリシリコン体１４を封入するように構成された、いずれかのチャンバを指す。

ポリシリコン洗浄装置１２内のポリシリコン体１４の洗浄プロセス中において、複数のポリシリコンチップ１６が生成される。ポリシリコンチップ１６は、約０．１ｍｍ〜約２５．０ｍｍの範囲の最長寸法長さを有する比較的細かい粒子である。ポリシリコンチップ１６は典型的には、洗浄流体によりより大きなポリシリコン体１４をすすぐこと、及びポリシリコン洗浄装置１２を流すことにより、ポリシリコン洗浄装置１２の底部で集まる。本明細書において開示されるポリシリコンチップ回収アセンブリ１０の実施形態は、ポリシリコンチップ１６の回収を容易にする、自動化したシステム及び方法に関する。自動化したシステム及び方法は、手動のチップ回収プロセスと比べて、数多くの利益をもたらす。特に、ポリシリコン洗浄装置１２の底部の、ポリシリコンチップ１６を回収するための、メンテナンス要員を使わないことにより、この要員に伴う、安全、ダウンタイム、及びコストの問題が低減する。更に、自動化したシステム及び方法によりポリシリコン生成物の高い収量が達成されると同時に、単純にポリシリコンチップ１６を吸うことを含む、いくつかの手動の方法において本質的に存在する、汚染が低減される。

上記のように、洗浄プロセスにおいて、ポリシリコンチップ１６は、重力でポリシリコン洗浄装置１２の底部に向かう。ポリシリコン洗浄装置１２の底部付近には、ポリシリコンチップ１６をポリシリコン洗浄装置１２から、主要チップドレインライン２０へと導くように構成された、少なくとも１つのポリシリコン装置ドレインライン１８がある。いくつかの実施形態において、複数のポリシリコン装置ドレインラインが含まれ、ポリシリコンチップを、単一の主要チップドレインライン、又は複数の主要チップドレインラインへと導いてもよい。この説明の目的のため、単一のポリシリコン装置ドレインライン、及び単一の主要チップドレインラインについて記載する。

ポリシリコン装置ドレインライン１８は、いずれかの形状構成で形成されてもよく、ポリシリコンチップ１６を主要チップドレインライン２０に流すように位置付けられる。ポリシリコンチップ１６をより完全に流すようにするために、ポリシリコン装置ドレインライン１８内、又はその上流に流体が使用されてもよいが、ポリシリコン洗浄装置１２内の洗浄プロセスの湿潤特性により、これは必要でない場合がある。

主要チップドレインライン２０は、両端が開いており、その間に包囲された内部を含む構造である。いずれかの好適な形状の断面が使用されてもよいが、主要チップドレインライン２０の特定の形状にかかわらず、主要チップドレインライン２０は、下向きの角度で方向付けられ、よってポリシリコン洗浄装置１２及びポリシリコン装置ドレインライン１８から傾斜している。特に、主要チップドレインライン２０の第１端部２２付近で、ポリシリコンチップ１６を主要チップドレインライン２０へと放出する、ポリシリコン装置ドレインライン１８の放出部は、第１高さに位置している。主要チップドレインライン２０は、ポリシリコンチップ１６を主要チップドレインライン２０の第２端部２４へと導くように、向けられており、第２端部２４は、第１高さよりも低い高さに配置されている。したがって、主要チップドレインライン２０は、ポリシリコンチップ１６を、高い場所から低い場所へと導く。いくつかの実施形態において、主要チップドレインライン２０は、ビル構造物の１つ以上の階を通じてポリシリコンチップ１６を導く。主要チップドレインライン２０の少なくとも一部は、線形に配置されており、約４．２ｃｍ／ｍ〜約１２．５ｃｍ／ｍ（約０．５インチ／フィート〜約１．５インチ／フィート）の割合で下方に傾斜している。一実施形態において、主要チップドレインライン２０の全長は線形である。他の実施形態において、主要チップドレインライン２０の一部のみが線形である。上記のように、主要チップドレインライン２０は、任意の好適な断面形状で形成されてもよい。一実施形態において、主要チップドレインライン２０は、約８センチメートル〜約２０センチメートル（約３インチ〜約８インチ）の直径を有する円形の断面を有する、円筒（例えば、チューブ）である。一実施形態において、直径は約１５センチメートル（６インチ）である。任意の好適な材料を使用して、主要チップドレインライン２０を形成することができる。１つの代表的な実施形態は、プラスチックを含む。

主要チップドレインライン２０内のポリシリコンチップ１６の連続的な移動を促進するために、流体源２６は、主要チップドレインライン２０に流体連通し、これは、主要チップドレインライン２０の内部に流体を注入して、内部を通じてポリシリコンチップ１６を推進するように構成されている。一実施形態において、流体は、脱イオン水を含む。流体は、約０．６Ｌ／秒〜約１．３Ｌ／秒（約１０ガロン／分〜約２０ガロン／分）の体積流量で主要チップドレインライン２０に供給される。この流量と、正確な上記の主要チップドレインライン２０の傾斜範囲との組み合わせにより、ポリシリコンチップ１６は、主要チップドレインライン２０のいずれの場所においても停滞しないことが確実となる。

主要チップドレインライン２０の第２端部２４付近には、チップ回収タンク２８がある。チップ回収タンク２８は、主要チップドレインライン２０を通じ、その外部へと導かれる、ポリシリコンチップ１６を受けとるように位置付けられる。特に、第２端部２４における、主要チップドレインライン２０の放出部は、ポリシリコンチップ１６を、チップ回収タンク２８内に方向付けるように構成されている。チップ回収タンク２８は、すすぎ流体を分配して内部に配置されたポリシリコンチップ１６と接触させる、すすぎシステム３０を含む。上記のように、ポリシリコンチップ１６は、ポリシリコン洗浄装置１２内で、塩酸などの洗浄流体に暴露される。このプロセスは、ポリシリコンチップ１６の酸性ｐＨレベルを生じる。すすぎシステム３０から分配されるすすぎ流体は、ポリシリコンチップ１６のｐＨレベルを中和する。

チップ回収タンク２８内における、ポリシリコンチップ１６の回収及び中和が完了した後、ポリシリコンチップ１６は、チップ誘導ライン３２を通じて、チップ回収タンク２８の外へと導かれる。チップ誘導ライン３２は、チップ回収タンク２８の出口３４から、コンベア３６へと延びている。チップ誘導ライン３２に沿って、弁アセンブリ３８が存在し、ポリシリコンチップ１６、加えて、チップ誘導ライン３２を通じてポリシリコンチップ１６を推進する流体（例えば、流体源２６からの流体及び／又はすすぎ流体）の流れを調節する。弁アセンブリ３８は、第１弁４０及び第２弁４２など、複数の弁を含む。チップ誘導ライン３２に沿って、第１弁４０と、第２弁４２との間に、チップ誘導ライン３２と流体連通するパージライン４４が配置されている。パージライン４４は、例えば、水などの、パージ流体の流れを調節する、パージ弁４６を内部に含む。上記で例示され、説明された実施形態は２つの弁を含むが、任意の数の複数の弁が弁アセンブリ３８内に含まれてもよく、少なくとも１つの弁が、パージライン４４のチップ誘導ライン３２への流体連結部の上流に位置し、少なくとも１つの弁がこのような流体連結部の下流に位置するようなかたちで、パージ４４が任意の位置でチップ誘導ライン３２と流体連通することが、理解される。

ポリシリコンチップ１６がチップ回収タンク２８内にある間、チップ回収タンク２８は１５〜３０％の高さまで水を充填されている。第１弁４０及び第２弁４２は、同時に開き、チップ／水スラリーは、コンベア３６内のチップ誘導ライン３２を通じて放出される。第１の遅延の後、すすぎシステム３０のノズルが開いて、チップ回収タンク２８に水を噴霧し、チップ誘導ライン３２を通じて、チップ回収タンク２８から残っているチップを流す。第２の遅延の後、すすぎシステム３０のノズルが、水の噴霧を停止する。第３の遅延の後、第１弁４０が閉じて、その後パージ弁４６が開き、パージライン４４を通じ、第２弁４２を通じ、その後、コンベア３６へと水を流す。第４の遅延の後、パージ弁４６が閉じて、その後弁４２が閉じる。上記のプロセスは、最大限の数のポリシリコンチップ１６を、チップ回収タンク２８から出すように導き、弁アセンブリ３８内の目詰まり又は損傷の可能性を低減する。

上記のように、一度ポリシリコンチップ１６がチップ誘導ライン３２、及び弁アセンブリ３８をこれに沿って通過すると、ポリシリコンチップ１６は、コンベア３６上に導かれる。コンベア３６は、動作中に、ポリシリコンチップ１６を脱水するように構成されている。一実施形態において、コンベア３６自体の少なくとも一部が、振動コンベアである。別の実施形態において、コンベア３６は流体が通過するのを可能にする単純なスクリーンである。コンベア３６は、上方の角度に向けられてもよい。一実施形態において、角度は、約５°〜約１０°の範囲である。コンベア３６と関連する脱水システムは、最大約９５％の流体を除去するように構成されている。代表的な実施形態において、脱水システムは、約７５％〜約９５％の流体を除去する。ポリシリコンチップ１６を更に脱水するため、コンベア３６は、ポリシリコンチップ１６を、単純に、コンベア３６の一部であるか、又は別個の構成要素若しくはアセンブリであり得る、振動コンベアへと導く。

ポリシリコンチップ１６はその後、コンベア３６から、乾燥機４８へと導かれる。乾燥機４８は、ポリシリコンチップ１６を加熱し、内部のチップを除湿するように構成された、高温の内部チャンバを含む。ポリシリコンチップ１６を所望のレベルまで加熱及び除湿するため、少なくとも１つの温度センサー、及び少なくとも１つの湿度センサーが、乾燥機４８内に配置されている。センサーは、乾燥機４８内の温度及び湿度をモニタリングする。乾燥機４８は、センサーが、既定の所望レベル内である温度及び湿度レベルを十分に検出するまで、動作し続ける。一実施形態において、乾燥機４８は、約１１５Ｆ°〜約２２０Ｆ°の範囲の、既定温度を検出するまで、動作する。加えて、動作は、約５％〜約２５％の既定湿度を検出するまで継続してもよい。既定のパラメータを検出すると、乾燥機は、パッケージングユニット５０へとポリシリコンチップ１６を分配する。一実施形態において、パッケージングユニット５０は、既定の重量が得られたときに操作者に通知する、はかりの上に配置される。

有利なことに、本明細書において記載されるポリシリコンチップ回収アセンブリ１０及び方法の実施形態は、収量、安全性、システム全体におけるオンラインタイム、利益に対して好ましい効果をもたらす一方で、汚染を低減する。

本明細書に開示する方法は、少なくとも以下の実施形態を含む。

実施形態１：ポリシリコンチップ回収アセンブリは、複数のポリシリコン体を洗浄するように構成された、ポリシリコン洗浄装置を含む。また、洗浄中に、ポリシリコン体から生成される複数のポリシリコンチップが含まれ、複数のポリシリコンチップそれぞれは、０．１ｍｍ〜２５．０ｍｍの最長寸法長さを有する。ポリシリコン洗浄装置から主要チップドレインラインへと複数のポリシリコンチップを導くように構成された、ポリシリコン装置ドレインラインが更に含まれ、主要チップドレインラインは、ポリシリコン装置ドレインラインから下方向に傾斜するように向けられている。主要チップドレインラインに流体連結され、主要チップドレインラインに流体を注入して、主要チップドレインラインを通じて複数のポリシリコンチップを推進するように構成された、流体源が更に含まれる。

実施形態２：流体が脱イオン水を含む、実施形態１に記載のシステム。

実施形態３：流体が、約０．６Ｌ／秒〜約１．３Ｌ／秒（１０ガロン／分〜２０ガロン／分）で主要チップドレインラインへと導かれる、実施形態１又は２に記載のシステム。

実施形態４：主要チップドレインラインの下向きの傾斜は、４．２センチメートル／メートル〜１２．５センチメートル／メートル（０．５インチ／フィート〜１．５インチ／フィート）である、実施形態１〜３のいずれか１つに記載のシステム。

実施形態５：ポリシリコン洗浄装置と主要チップドレインラインとの間で延びる複数のポリシリコン装置ドレインラインを更に備える、実施形態１〜４のいずれか１つに記載のシステム。

実施形態６：主要チップドレインラインはプラスチックチューブを備える、実施形態１〜５のいずれか１つに記載のシステム。

実施形態７：プラスチックチューブは、８センチメートル〜２０センチメートル（３インチ〜８インチ）の直径を有する、実施形態１〜６のいずれか１つに記載のシステム。

実施形態８：チップ回収タンクを更に備え、主要チップドレインラインはチップ回収タンク付近に出口を備え、出口は、複数のポリシリコンチップをチップ回収タンク内へと方向付けるように構成されている、実施形態１〜７のいずれか１つに記載のシステム。

実施形態９：チップ回収タンクは、複数のチップのｐＨレベルを中和するために、すすぎ流体を分配して複数のポリシリコンチップと接触させるように構成された、すすぎシステムを備える、実施形態１〜８のいずれか１つに記載のシステム。

実施形態１０：チップ回収タンクは、チップ回収タンクから出るようにすすぎ流体を導くように構成された排出ドレインラインを備える、実施形態１〜９のいずれか１つに記載のシステム。

チップ回収タンクの出口と、コンベアとの間に延びる、チップ誘導ラインを更に備える、実施形態１〜１０のいずれか１つに記載のシステム。

実施形態１２：コンベアが振動コンベアを備える、実施形態１〜１１のいずれか１つに記載のシステム。

実施形態１３：コンベアは、５°〜１０°の角度で上方に傾斜するように、角度を付けられており、分配される流体の最大９５％を除去するように構成された脱水システムを含む、実施形態１〜１２のいずれか１つに記載のシステム。

実施形態１４：チップ誘導ラインは、第１弁及び第２弁を備える、実施形態１〜１３のいずれか１つに記載のシステム。

実施形態１５：第１弁と第２弁との間の位置で、チップ誘導ラインと流体連結するパージラインを更に備える、実施形態１〜１４のいずれか１つに記載のシステム。

実施形態１６：コンベアから複数のポリシリコンチップを受けとるように構成された乾燥機を更に備え、乾燥機は温度センサー及び湿度センサーを備える、実施形態１〜１５のいずれか１つに記載のシステム。

実施形態１７：プロセスにより予め定められるように、１１５Ｆ°〜２２０Ｆ°の温度が温度センサーにより検出され、５％〜２５％の湿度レベルが湿度センサーにより検出される際に、乾燥機が複数のチップをパッケージングユニットに分配する、実施形態１〜１６のいずれか１つに記載のシステム。

実施形態１８：ポリシリコン洗浄装置からポリシリコンチップを回収する方法が提示される。方法は、ポリシリコン洗浄装置から、少なくとも１つのポリシリコン装置ドレインラインを通じて複数のポリシリコンチップを流す工程を含み、複数のポリシリコンチップそれぞれが、０．１ｍｍ〜２５．０ｍｍの最大寸法長さを有する。方法はまた、複数のポリシリコンチップを、ポリシリコン装置ドレインラインを通じて、下方に傾斜するように向けられた主要チップドレインラインへと導く工程を含む。方法は、流体により、主要チップドレインラインを介して、チップ回収タンクへと複数のポリシリコンチップを推進する工程を更に含む。

実施形態１９：複数のポリシリコンチップの移動方向に対して上向きの角度で配置されたコンベアに複数のポリシリコンチップを導く工程と、コンベアから乾燥機へと複数のポリシリコンチップを導く工程とを更に含む、実施形態１８に記載の方法。

実施形態２０：乾燥機は温度センサー及び湿度センサーを有する、自動乾燥機ユニットであり、自動乾燥機ユニット内の温度、及び自動乾燥機ユニット内の湿度レベルをモニタリングする工程と、乾燥を向上させるために、自動乾燥機ユニット内でポリシリコンチップを回転させる工程と、温度センサーにより検出される所定の温度、及び湿度センサーにより検出される所定の湿度レベルが検出される際に、複数のポリシリコンチップをパッケージングユニットに分配する工程と、を更に含む、実施形態１８又は１９に記載の方法。

単数形の用語「ａ」、「ａｎ」、及び「ｔｈｅ」は、文脈により明白に別段の指示がない限り、複数形の指示対象を含む。「又は」は、「及び／又は」を意味する。数量に関連して使用される修飾語「約」は、記載の値を包含し、文脈により意味が決まる（例えば、特定の数量の測定値に関連する誤差範囲を含む）。「±１０％」という表記は、記載の測定値が、記載の値の−１０％の量から＋１０％の量までをとることができることを意味する。同じ構成要素又は特性を対象とする全ての範囲の端点は包含的であり、独立して組み合わせることができる（例えば、「２５重量％以下、又は５重量％〜２０重量％」という範囲は、「５重量％〜２５重量％」の範囲の端点及び全ての中間値を包含するなど）。より広い範囲に加えてより狭い範囲又はより具体的なグループを開示することは、より広い範囲又はより大きいグループの権利放棄ではない。

接尾辞「（複数可（ｓ））」は、この接尾辞が修飾するその用語の単数形及び複数形の両方を含み、それによってその用語の少なくとも１つを含むことが意図される（例えば、着色剤（複数可）は、少なくとも１つの着色剤を含む）。「必要に応じた」又は「必要に応じて」は、後述する事象又は状況が発生しても発生しなくてもよく、その説明が、事象が発生する場合及び事象が発生しない場合を含むことを意味する。特に定義しない限り、本明細書で使用する技術的及び科学的な用語は、本発明が属する技術分野における当業者によって一般的に理解されるものと同じ意味を有する。「組合せ」は、混ぜたもの、混合物、合金、反応生成物などを包含する。

全ての記載の特許、特許出願、及び他の参照文献は、全体として参照することにより本明細書に組み込まれる。しかし、本出願中の用語が、組み込まれている参照文献中の用語と矛盾又は相反する場合、本出願からの用語が、組み込まれている参照文献からの相反する用語に優先する。

典型的な実施形態について例示の目的で記載してきたが、上記の説明は、本明細書に記載の範囲に関する限定と見なされるべきではない。したがって、本明細書の趣旨及び範囲から逸脱することなく、様々な修正、改作、及び代替が、当技術分野における当業者には想到されよう。

Claims (15)

1. 複数のポリシリコン体を洗浄するように構成された、ポリシリコン洗浄装置と、
   洗浄中に前記ポリシリコン体から生成される複数のポリシリコンチップであって、前記複数のポリシリコンチップそれぞれが、０．１ｍｍ〜２５．０ｍｍの最大寸法長さを有する、複数のポリシリコンチップと、
   前記ポリシリコン洗浄装置の底部付近に位置する、前記ポリシリコン洗浄装置から主要チップドレインラインへと前記複数のポリシリコンチップを導くように構成された、ポリシリコン装置ドレインラインであって、前記主要チップドレインラインは、前記ポリシリコン装置ドレインラインから下方に傾斜するように向けられている、ポリシリコン装置ドレインラインと、
   前記主要チップドレインラインに流体連結され、前記主要チップドレインラインに流体を注入して前記主要チップドレインラインを通じて前記複数のポリシリコンチップを推進するように構成された、流体源と、を備える、ポリシリコンチップ回収アセンブリ。
2. 前記流体が脱イオン水を含む、請求項１に記載のポリシリコンチップ回収アセンブリ。
3. 前記主要チップドレインラインの下向きの傾斜は、４．２センチメートル／メートル〜１２．５センチメートル／メートル（０．５インチ／フィート〜１．５インチ／フィート）である、請求項１又は２に記載のポリシリコンチップ回収アセンブリ。
4. 前記主要チップドレインラインはプラスチックチューブを備える、請求項１〜３のいずれか一項に記載のポリシリコンチップ回収アセンブリ。
5. 前記プラスチックチューブは、８センチメートル〜２０センチメートル（３インチ〜８インチ）の直径を含む、請求項４に記載のポリシリコンチップ回収アセンブリ。
6. チップ回収タンクを更に備え、前記主要チップドレインラインは前記チップ回収タンク付近に出口を備え、前記出口は、前記複数のポリシリコンチップを前記チップ回収タンク内へと方向付けるように構成されている、請求項１〜５のいずれか一項に記載のポリシリコンチップ回収アセンブリ。
7. 前記チップ回収タンクは、前記複数のチップのｐＨレベルを中和するために、すすぎ流体を分配して前記複数のポリシリコンチップと接触させるように構成された、すすぎシステムを備える、請求項６に記載のポリシリコンチップ回収アセンブリ。
8. 前記チップ回収タンクは、前記チップ回収タンクから出るように前記すすぎ流体を導くように構成された排出ドレインラインを備える、請求項７に記載のポリシリコンチップ回収アセンブリ。
9. 前記チップ回収タンクの出口と、コンベアとの間に延びる、チップ誘導ラインを更に備える、請求項６〜８のいずれか一項に記載のポリシリコンチップ回収アセンブリ。
10. 前記コンベアは振動コンベアを備える、請求項９に記載のポリシリコンチップ回収アセンブリ。
11. 前記コンベアは、５°〜１０°の角度で上方に傾斜するように、角度を付けられており、分配される前記流体の最大９５％を除去するように構成された脱水システムを含む、請求項９又は１０に記載のポリシリコンチップ回収アセンブリ。
12. 前記チップ誘導ラインは複数の弁を備え、前記ポリシリコンチップ回収アセンブリは、前記複数の弁の２つの間の位置で前記チップ誘導ラインと流体連結されたパージラインを更に備える、請求項９〜１１のいずれか一項に記載のポリシリコンチップ回収アセンブリ。
13. 前記コンベアから前記複数のポリシリコンチップを受けとるように構成された乾燥機を更に備え、前記乾燥機は温度センサー及び湿度センサーを備える、請求項９〜１２のいずれか一項に記載のポリシリコンチップ回収アセンブリ。
14. ポリシリコン洗浄装置からポリシリコンチップを回収する方法であって、
    ポリシリコン洗浄装置から、前記ポリシリコン洗浄装置の底部付近に位置する少なくとも１つのポリシリコン装置ドレインラインを通じて、複数のポリシリコンチップを流す工程であって、前記複数のポリシリコンチップそれぞれが、０．１ｍｍ〜２５．０ｍｍの最大寸法長さを有する、工程と、
    前記ポリシリコン装置ドレインラインを通じ、下方に傾斜するように向けられた主要チップドレインラインへと前記複数のポリシリコンチップを導く工程と、
    流体により、前記主要チップドレインラインを介して、チップ回収タンクへと前記複数のポリシリコンチップを推進する工程とを含む、方法。
15. 前記チップ回収タンクの出口から、前記複数のポリシリコンチップの移動方向に対して上向きの角度で配置されたコンベアに、前記複数のポリシリコンチップを導く工程と、
    前記コンベアから乾燥機へと前記複数のポリシリコンチップを導く工程であって、前記乾燥機は温度センサー及び湿度センサーを有する自動乾燥機ユニットである、工程と、
    前記自動乾燥機ユニット内の温度、及び自動乾燥機ユニット内の湿度レベルをモニタリングする工程と、
    乾燥を向上させるために、自動乾燥機ユニット内でポリシリコンチップを回転させる工程と、
    前記温度センサーにより検出される所定の温度、及び前記湿度センサーにより検出される所定の湿度レベルが検出された際に、前記複数のポリシリコンチップをパッケージングユニットに分配する工程と、を更に含む、請求項１４に記載の方法。