JP6639949B2 - 半導体レーザモジュール及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体レーザモジュール及びその製造方法に係り、特に光ファイバを通して半導体レーザ素子から出射されるレーザ光を出力する半導体レーザモジュール及びその製造方法に関するものである。

光ファイバを通して半導体レーザ素子から出射されるレーザ光を出力する半導体レーザモジュールにおいては、光ファイバを保持するフェルールを上下のケースの間に挟み込んでフェルール及び光ファイバを固定している（例えば、特許文献１参照）。すなわち、上下のケースにフェルールを保持するための溝を形成し、上下のケースを重ね合わせることによりこの溝の中にフェルールを保持して固定する。

このような半導体レーザモジュールにおいては、半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を光ファイバに光学的に結合させるために、光ファイバ及びこれを保持するフェルールを半導体レーザモジュール内に正確に配置する必要がある。フェルールを所定の位置に正確に固定するためには、上述した上下のケースの溝の形状を精度よく形成する必要があるが、このような溝の形成は加工が難しく、製造コストも高くなってしまう。

また、フェルールを上下のケースで挟み込んだ際に、フェルールの位置がわずかにでもずれてしまうと、調心された光ファイバの光軸がずれてしまい、レーザ光が光ファイバのコアに入射せずに漏れ光となることも考えられる。そのような場合、漏れ光による発熱で光ファイバの被覆や光ファイバを固定する接着材などが損傷を受ける危険性が生じる。さらに、フェルールを上下のケースで挟み込む際にフェルールに傷がつく可能性もある。

特開２０００−５６１９０号公報

本発明は、このような従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、光ファイバの光軸のずれやフェルールの損傷が生じにくい半導体レーザモジュールを提供することを第１の目的とする。

また、本発明は、光ファイバの光軸のずれやフェルールの損傷が生じにくい半導体レーザモジュールを安価かつ簡単に製造することができる半導体レーザモジュールの製造方法を提供することを第２の目的とする。

本発明の第１の態様によれば、光ファイバの光軸のずれやフェルールの損傷が生じにくい半導体レーザモジュールが提供される。この半導体レーザモジュールは、底板と、レーザ光を出射可能な半導体レーザ素子と、上記半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を集光可能な集光レンズと、上記半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を伝搬する光ファイバと、上記光ファイバを保持するフェルールと、上記半導体レーザ素子と上記集光レンズとを内側に収容する枠部とを備えている。上記半導体レーザ素子及び集光レンズは、上記底板上に配置される。上記枠部には、上記フェルールを外側に延出させる開口部が形成されている。さらに、上記半導体レーザモジュールは、上記枠部の上記開口部を覆うキャップ部材と、上記枠部の内側の空間を封止するための封止樹脂とを備えている。上記キャップ部材には、上記フェルールが挿通される挿通孔が形成されている。上記封止樹脂は、上記フェルールと上記キャップ部材との間、上記キャップ部材と上記底板との間、及び上記キャップ部材と上記枠部との間に設けられる。

このような構成により、枠部の内側の空間で光ファイバ及びフェルールを底板に固定することができるので、フェルールを固定するための溝や孔を枠部に形成する必要がなくなる。枠部に形成される開口部は、フェルールを外側に延出させることができれば十分であるため、精度の高い寸法合わせが要求されず、作製が容易である。キャップ部材は、この枠部の開口部を覆うものであり、フェルールを固定するものではない。したがって、キャップ部材に形成される挿通孔もフェルールを挿通させることができれば十分であるため、精度の高い寸法合わせが要求されない。また、フェルールは、固定のために他の部材により挟まれることがないため、フェルールに保持される光ファイバの光軸がずれにくく、またフェルール自体も傷つきにくい。

上記半導体レーザモジュールは、上記枠部の上方を覆う蓋部をさらに備えていてもよく、この蓋部の内面は金めっきされていることが好ましい。また、上記蓋部は、鉄や銅、アルミニウム、ステンレスなどの金属で形成されていることが好ましく、熱伝導率の高い金属（銅やアルミニウム）により形成されることが好ましい。

上記キャップ部材は、上記レーザ光を透過する材料で形成されていることが好ましい。また、上記封止樹脂は、上記レーザ光を透過する材料で形成されていることが好ましい。このような構成により、キャップ部材や封止樹脂がレーザ光を吸収しにくくなるので、キャップ部材や封止樹脂の発火や焼損を防止することができる。

この場合において、上記キャップ部材の表面に第１の反射層を形成し、上記キャップ部材を透過した上記レーザ光を反射してもよい。また、上記封止樹脂の表面に第２の反射層を形成し、上記封止樹脂を透過した上記レーザ光を反射してもよい。このような反射層を形成することにより、漏れ光がキャップ部材や封止樹脂から外部に漏れることを防止することができる。

上記枠部の内側の底板の表面に、上記レーザ光を吸収可能な光吸収部を配置することが好ましい。このような光吸収部によって枠部の内側の空間で生じた漏れ光を吸収することができる。

上記枠部の内側の空間を気密封止するために、上記枠部と上記底板との間にパッキンを配置してもよく、あるいは、上記枠部を樹脂により上記底板に固定してもよい。

本発明の第２の態様によれば、光ファイバの光軸のずれやフェルールの損傷が生じにくい半導体レーザモジュールを安価かつ簡単に製造することができる半導体レーザモジュールの製造方法が提供される。この方法では、レーザ光を出射可能な半導体レーザ素子と、上記半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を集光可能な集光レンズとをカバー体の内部に収容しつつ、該カバー体に形成された開口部から上記光ファイバを保持するフェルールを外側に延出させた状態で、上記カバー体を底板上に固定する。キャップ部材に形成された挿通孔に上記フェルールを挿通して、上記キャップ部材で上記カバー体の上記開口部を覆う。上記フェルールと上記キャップ部材との間、上記キャップ部材と上記底板との間、及び上記キャップ部材と上記カバー体との間を封止樹脂により封止する。

このようにすることで、カバー体の内側の空間で光ファイバ及びフェルールを底板に固定することができるので、フェルールを固定するための溝や孔を枠部に形成する必要がなくなる。カバー体に形成される開口部は、フェルールを外側に延出させることができれば十分であるため、精度の高い寸法合わせが要求されず、作製が容易である。キャップ部材は、このカバー体の開口部を覆うものであり、フェルールを固定するものではない。したがって、キャップ部材に形成される挿通孔もフェルールを挿通させることができれば十分であるため、精度の高い寸法合わせが要求されない。また、フェルールは、固定のために他の部材により挟まれることがないため、フェルールに保持される光ファイバの光軸がずれにくく、またフェルール自体も傷つきにくい。したがって、本発明に係る半導体レーザモジュールの製造方法によれば、光ファイバの光軸のずれやフェルールの損傷が生じにくい半導体レーザモジュールを安価かつ簡単に製造することができる。

また、従来の方法においてドライ洗浄を行う場合には、ドライ洗浄が完了しなければ上下のケースを閉じることができないが、本発明に係る半導体レーザモジュールの製造方法によれば、カバー体に形成される開口部をキャップ部材で覆う前であれば、カバー体を底板上に固定した後にカバー体の内側の空間をドライ洗浄することが可能である。したがって、本発明によれば、従来の方法よりも半導体レーザモジュール内の空間の清浄度をより高く維持することができる。なお、このようなドライ洗浄の方法には、プラズマ洗浄やＵＶオゾン洗浄が含まれる。

上記レーザ光を透過する材料で上記キャップ部材を形成することが好ましい。また、上記レーザ光を透過する材料で上記封止樹脂を形成することが好ましい。このようにすることで、キャップ部材や封止樹脂がレーザ光を吸収しにくくなるので、キャップ部材や封止樹脂の発火や焼損を防止することができる。

この場合において、上記キャップ部材の表面に、上記キャップ部材を透過した上記レーザ光を反射する第１の反射層を形成してもよい。また、上記封止樹脂の表面に、上記封止樹脂を透過した上記レーザ光を反射する第２の反射層を形成してもよい。このような反射層を形成することにより、漏れ光がキャップ部材や封止樹脂から外部に漏れることを防止することができる。

本発明によれば、ファイバの光軸のずれやフェルールの損傷が生じにくい半導体レーザモジュールが提供される。また、本発明によれば、光ファイバの光軸のずれやフェルールの損傷が生じにくい半導体レーザモジュールを安価かつ簡単に製造することができる半導体レーザモジュールの製造方法が提供される。

本発明の第１の実施形態における半導体レーザモジュールを示す断面図である。 図１のＡ−Ａ'線断面図である。 図１の半導体レーザモジュールの右側面図である。 図１の半導体レーザモジュールにおけるカバー体を示す正面図である。 図４のカバー体の平面図である。 図４のカバー体の右側面図である。 図１の半導体レーザモジュールのキャップ部材を示す斜視図である。 図１の半導体レーザモジュールを製造する工程を説明する断面図である。 図１の半導体レーザモジュールを製造する工程を説明する断面図である。 図１の半導体レーザモジュールを製造する工程を説明する断面図である。 図１の半導体レーザモジュールを製造する工程を説明する断面図である。 図１の半導体レーザモジュールを製造する工程を説明する断面図である。 図１の半導体レーザモジュールの変形例を示す拡大断面図である。 本発明の第２の実施形態における半導体レーザモジュールを示す断面図である。 図１４のＢ−Ｂ'線断面図である。 本発明の第３の実施形態における半導体レーザモジュールを示す断面図である。 本発明の第４の実施形態における半導体レーザモジュールを示す断面図である。

以下、本発明に係る半導体レーザモジュールの実施形態について図１から図１７を参照して詳細に説明する。なお、図１から図１７において、同一又は相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。また、図１から図１７においては、各構成要素の縮尺や寸法が誇張されて示されている場合や一部の構成要素が省略されている場合がある。

図１は、本発明の第１の実施形態における半導体レーザモジュール１を模式的に示す縦断面図、図２は、図１のＡ−Ａ'線断面図、図３は、右側面図である。図１から図３に示すように、本実施形態における半導体レーザモジュール１は、底板１０と、底板１０の上面１０Ａに固定されたカバー体１２と、底板１０の上面１０Ａに配置されたサブマウント１４と、サブマウント１４上に載置された高出力の半導体レーザ素子１６とを備えている。半導体レーザ素子１６としては、例えば数Ｗ〜２０Ｗの高出力のレーザダイオードを使用することができる。図示はしないが、底板１０の底面にはヒートシンクが接続される。

また、半導体レーザモジュール１は、底板１０の上面１０Ａに配置されたレンズマウント１８と、レンズマウント１８上に配置された集光レンズ２０と、半導体レーザ素子１６から出射されたレーザ光をカバー体１２の外部に伝搬する光ファイバ２２と、光ファイバ２２の端部を保持するフェルール２４と、底板１０の上面１０Ａに配置されたフェルール固定部２６とを備えている。フェルール２４は、フェルール固定部２６によって底板１０に固定されている。このフェルール２４の固定位置は、半導体レーザ素子１６から出射され集光レンズ２０により集光されたレーザ光がフェルール２４に保持された光ファイバ２２の端部に光学的に結合されるような位置に設定される。

図４はカバー体１２を示す正面図、図５は平面図、図６は右側面図である。図４から図６に示すように、カバー体１２は、ハット（帽子）のような形状をしており、ＸＹ平面に延びるフランジ部１２１と、フランジ部１２１からＺ方向に延びる側壁１２２〜１２５（枠部）と、ＸＹ平面に延びて側壁１２２〜１２５の上方を覆う蓋部１２６とを含んでいる。図５に示すように、フランジ部１２１には、カバー体１２を固定するネジを挿通させるためのネジ孔１２７が形成されている。なお、カバー体１２は、任意の材料から形成することができるが、銅やアルミニウム、ステンレスなど熱伝導率の高い金属をカバー体１２として用いることが好ましく、さらにカバー体１２の内面は金めっきされていることが好ましい。

ここで、図１及び図３に示すように、カバー体１２のフランジ部１２１に対応する底板１０の部分には、柔軟性のある材料（例えばシリコンゴム）からなるパッキン３０が配置されている。このパッキン３０上にカバー体１２のフランジ部１２１が置かれ、固定用のネジ１３０をフランジ部１２１のネジ孔１２７に挿通させて底板１０に螺合させることでカバー体１２が底板１０に固定される。カバー体１２の内側の空間Ｓは、カバー体１２のフランジ部１２１と底板１０の上面１０Ａとの間に配置されたパッキン３０によって封止され、この内側空間にサブマウント１４、半導体レーザ素子１６、レンズマウント１８、集光レンズ２０、フェルール固定部２６が収容される。

図６に示すように、カバー体１２の側壁１２３には、側壁１２３の下端から上方に向かって延びる開口部１２８が形成されており、この開口部１２８が形成されている部分には、フランジ部１２１が形成されていない（図５及び図６参照）。図１及び図２に示すように、フェルール固定部２６により固定されたフェルール２４は、この開口部１２８を通ってカバー体１２の外側に延出している。この開口部１２８は、柔軟性のある材料（例えばシリコンゴム）からなるキャップ部材４０によって覆われている。

図７は、キャップ部材４０の斜視図である。図７に示すように、キャップ部材４０は、開口部１２８よりも小さな外形を有する第１の部分４１と、開口部１２８よりも大きな外形を有する第２の部分４２とを有している。図１に示すように、キャップ部材４０の第１の部分４１は、側壁１２３に形成された開口部１２８に挿入されており、第２の部分４２はカバー体１２の外側に位置している。このように、キャップ部材４０は、側壁１２３に形成された開口部１２８をカバー体１２の外側から覆うように配置されている。図１及び図２に示すように、キャップ部材４０とカバー体１２の側壁１２３との間には、例えば常温硬化樹脂（例えばシリコーン樹脂）からなる樹脂５１が設けられており、キャップ部材４０と底板１０との間には、例えば常温硬化樹脂（例えばシリコーン樹脂）からなる樹脂５２が設けられている。

キャップ部材４０には、フェルール２４が挿通される挿通孔４３が形成されている。この挿通孔４３の内径は、フェルール２４の外径よりも大きくなっている。図１に示すように、挿通孔４３の内周面とフェルール２４の外周面との間には、例えば常温硬化樹脂（例えばシリコーン樹脂）からなる樹脂５３が設けられている。このように、上述したキャップ部材４０とカバー体１２の側壁１２３との間の樹脂５１、キャップ部材４０と底板１０との間の樹脂５２、及び挿通孔４３の内周面とフェルール２４の外周面との間の樹脂５３によってカバー体１２の内側の空間Ｓが封止されている。

次に、上述した半導体レーザモジュール１の製造方法について図８から図１２を参照して説明する。まず、図８に示すように、底板１０上にサブマウント１４を固定し、このサブマウント１４上に半導体レーザ素子１６を実装する。また、底板１０上にレンズマウント１８を固定し、このレンズマウント１８上に集光レンズ２０を配置する。さらに、底板１０上にフェルール固定部２６を固定する。また、光ファイバ２２の端部にフェルール２４を取り付けて、フェルール２４によって光ファイバ２２の端部を保持する。

そして、半導体レーザ素子１６からレーザ光を出射させつつフェルール２４を移動させて、集光レンズ２０により集光されるレーザ光が光ファイバ２２に光学的に結合するように光ファイバ２２の位置決めを行い（アクティブ調心）、光ファイバ２２が高精度に位置決めされた状態でフェルール２４をフェルール固定部２６上に固定する。

次に、図９に示すように、底板１０上のカバー体１２のフランジ部１２１に対応する位置にパッキン３０を配置する。そして、図１０に示すように、カバー体１２のフランジ部１２１がパッキン３０上に位置するようにカバー体１２を配置し、ネジ１３０によってカバー体１２を底板１０上に固定する。これにより、半導体レーザ素子１６と集光レンズ２０とフェルール固定部２６とがカバー体１２の内部に収容され、カバー体１２に形成された開口部１２８からフェルール２４が外側に延出した状態となる。

そして、図１１に示すように、カバー体１２の開口部１２８の周囲、フェルール２４の外周面の一部、及び底板１０の一部に封止樹脂５１〜５３を塗布する。このとき封止樹脂５１〜５３としては常温硬化樹脂を用いることが好ましい。

次に、図１２に示すように、光ファイバ２２の端部からキャップ部材４０の挿通孔４３に光ファイバ２２を挿通させ、さらにフェルール２４を挿通させて、カバー体１２の外側からキャップ部材４０でカバー体１２の開口部１２８を覆う。この状態で封止樹脂５１〜５３を硬化させてキャップ部材４０を固定する。これにより、図１に示す半導体レーザモジュール１が完成する。

このように、本実施形態では、カバー体１２の内側の空間Ｓに配置されたフェルール固定部２６を介して光ファイバ２２及びフェルール２４を底板１０に固定することができるので、フェルール２４を固定するための溝や孔をカバー体１２に形成する必要がない。カバー体１２の側壁１２３に形成される開口部１２８は、フェルール２４を外側に延出させることができれば十分であるため、精度の高い寸法合わせが要求されず、作製が容易である。また、キャップ部材４０は、このカバー体１２の開口部１２８を覆うものであり、フェルール２４を固定するものではない。したがって、キャップ部材４０に形成される挿通孔４３もフェルール２４を挿通させることができれば十分であるため、精度の高い寸法合わせが要求されない。このように、フェルール２４は、固定のために他の部材により挟まれることがないため、フェルール２４に保持される光ファイバ２２の光軸がずれにくく、またフェルール２４自体も傷つきにくい。したがって、光ファイバ２２の光軸のずれやフェルール２４の損傷が生じにくい半導体レーザモジュール１を安価かつ簡単に製造することができる。

また、従来の方法においてプラズマ洗浄などのドライ洗浄を行う場合には、ドライ洗浄が完了しなければ上下のケースを閉じることができないが、本実施形態によれば、キャップ部材４０で開口部１２８を覆う前であれば、カバー体１２を底板１０上に固定した後にカバー体１２の内側の空間Ｓをドライ洗浄することが可能である。したがって、本実施形態によれば、従来の方法よりも半導体レーザモジュール１内の空間Ｓの清浄度をより高く維持することができる。

ここで、カバー体１２の内部の空間Ｓで漏れ光が生じると、この漏れ光がキャップ部材４０や樹脂５１〜５３に吸収されて発熱し、発火や焼損してしまうことが考えられるので、キャップ部材４０や樹脂５１〜５３は、半導体レーザ素子１６から出射されるレーザ光を透過する材料で形成されていることが好ましい。この場合には、キャップ部材４０や樹脂５１〜５３がレーザ光を吸収しにくくなるため発火や焼損を防止することができる。なお、キャップ部材４０及び樹脂５１〜５３のレーザ光の透過率は９８％以上であることが好ましい。

キャップ部材４０や樹脂５１〜５３がレーザ光に対して透過性を有する場合には、キャップ部材４０や樹脂５１〜５３から漏れ光が外部に漏れることになるが、漏れ光のパワーが大きい場合には、外部に漏れた光によって事故が起きる可能性がある。このため、図１３に示すように、レーザ光を透過する材料でキャップ部材４０を形成した場合には、キャップ部材４０の外表面にレーザ光を反射する反射層６１（第１の反射層）を形成することが好ましい。同様に、レーザ光を透過する材料で樹脂５１〜５３を形成した場合には、樹脂５１〜５３の外表面にレーザ光を反射する反射層６２（第２の反射層）を形成することが好ましい。このような反射層６１，６２を形成することにより、漏れ光がキャップ部材４０や樹脂５１〜５３から外部に漏れることを防止することができる。なお、このような反射層６１，６２は、例えば金や銀、白金などから形成され、金属のスパッタやペーストの焼結、金属フィルムの積層により一体的に形成することができる。例えば、レーザ光を透過するシリコンゴムでキャップ部材４０及び樹脂５１〜５３を形成し、これらの外表面に金スパッタを施した場合、１５０Ｗのレーザ光を光ファイバ２２に集光したときの外部に対する漏れ光の発生量は合格基準（０．１ｍＷ未満）を満たす０．０ｍＷとなり、樹脂５１〜５３の最高温度は合格基準（５０℃未満）を満たす３２℃となった。

図１４は、本発明の第２の実施形態における半導体レーザモジュール２０１を示す断面図、図１５は、図１４のＢ−Ｂ'線断面図である。図１４及び図１５に示すように、本実施形態の半導体レーザモジュール２０１は、底板１０の上面１０Ａに形成された光吸収部２１０を備えており、この光吸収部２１０によってカバー体１２の内側の空間Ｓで生じた漏れ光を吸収するようになっている。本実施形態では、図１５に示すように、集光レンズ２０の近傍に光吸収部２１０が配置されている。

このような光吸収部２１０は、底板１０の上面１０Ａの一部に黒アルマイト加工処理又はレイデント処理（商標）を施すことによって形成することができる。あるいは、光吸収部２１０をグラファイトシートにより構成してもよく、一般的な金属よりも比較的吸収率の高い鉄やクロムなどの金属製の部材により構成することもできる。

図１６は、本発明の第３の実施形態における半導体レーザモジュール３０１を示す断面図である。上述した第１及び第２の実施形態では、カバー体１２と底板１０との間にパッキン３０を配置し、ネジ１３０を使ってカバー体１２を底板１０に固定した例を説明したが、本実施形態では、カバー体３１２が樹脂３１０により直接底板１０に固定されている。本実施形態におけるカバー体３１２は、Ｚ方向に延びる側壁４２２（枠部）と、ＸＹ平面に延びて側壁４２２の上方を覆う蓋部４２６とを含んでいる。なお、樹脂３１０としては例えば常温硬化樹脂や１００℃以下で硬化する樹脂を用いることができる。

本実施形態では、カバー体１２を底板１０上に配置した後、樹脂３１０を塗布し、樹脂３１０を硬化させることによりカバー体１２を底板１０上に固定している。なお、樹脂３１０を塗布した後にカバー体１２を底板１０上に配置してもよい。

図１７は、本発明の第４の実施形態における半導体レーザモジュール５０１を示す断面図である。上述した第１の実施形態においては、側壁１２３の開口部１２８に挿入される第１の部分４１を有するキャップ部材４０を用いた例を説明したが、本実施形態におけるキャップ部材５４０は、側壁１２３の開口部１２８に挿入される部分を有していない。このキャップ部材５４０は、開口部１２８よりも大きな外形を有しており、カバー体１２の外側に位置している。キャップ部材５４０には、フェルール２４が挿通される挿通孔５４３が形成されており、この挿通孔５４３の内径は、フェルール２４の外径よりも大きくなっている。このように、キャップ部材５４０は、側壁１２３に形成された開口部１２８をカバー体１２の外側から覆っている。

キャップ部材５４０とカバー体１２の側壁１２３との間、挿通孔５４３の内周面とフェルール２４の外周面との間、キャップ部材５４０と底板１０との間には、例えば常温硬化樹脂からなる樹脂５５１が設けられている。このような樹脂５５１によってカバー体１２の内側の空間Ｓが封止されている。このような構成によっても第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。

これまで本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施されてよいことは言うまでもない。

１ 半導体レーザモジュール
１０ 底板
１０Ａ 上面
１２ カバー体
１４ サブマウント
１６ 半導体レーザ素子
１８ レンズマウント
２０ 集光レンズ
２２ 光ファイバ
２４ フェルール
２６ フェルール固定部
３０ パッキン
４０ キャップ部材
４１ 第１の部分
４２ 第２の部分
４３ 挿通孔
５１〜５３ 封止樹脂
６１，６２ 反射層
１２１ フランジ部
１２２〜１２５ 側壁
１２６ 蓋部
１２７ ネジ孔
１２８ 開口部
１３０ ネジ
２０１ 半導体レーザモジュール
２１０ 光吸収部
３０１ 半導体レーザモジュール
３１２ カバー体
４２２ 側壁
４２６ 蓋部
５０１ 半導体レーザモジュール
５４０ キャップ部材
５４３ 挿通孔

Claims (13)

1. 底板と、
   レーザ光を出射可能な半導体レーザ素子であって、前記底板上に配置された半導体レーザ素子と、
   前記半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を集光可能な集光レンズであって、前記底板上に配置される集光レンズと、
   前記半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を伝搬する光ファイバと、
   前記光ファイバを保持するフェルールと、
   前記半導体レーザ素子と前記集光レンズとを内側に収容する枠部であって、前記フェルールを外側に延出させる開口部が形成された枠部と、
   前記枠部の前記開口部を覆うキャップ部材であって、前記フェルールが挿通される挿通孔が形成されたキャップ部材と、
   前記枠部の内側の空間を封止するための封止樹脂であって、前記フェルールと前記キャップ部材との間、前記キャップ部材と前記底板との間、及び前記キャップ部材と前記枠部との間に設けられる封止樹脂と、
   を備えたことを特徴とする半導体レーザモジュール。
2. 前記キャップ部材は、前記レーザ光を透過する材料で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザモジュール。
3. 前記キャップ部材の表面に形成される第１の反射層であって、前記キャップ部材を透過した前記レーザ光を反射する第１の反射層をさらに備えたことを特徴とする請求項２に記載の半導体レーザモジュール。
4. 前記封止樹脂は、前記レーザ光を透過する材料で形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体レーザモジュール。
5. 前記封止樹脂の表面に形成される第２の反射層であって、前記封止樹脂を透過した前記レーザ光を反射する第２の反射層をさらに備えたことを特徴とする請求項４に記載の半導体レーザモジュール。
6. 前記枠部の内側の底板の表面に配置された光吸収部であって、前記レーザ光を吸収可能な光吸収部をさらに備えたことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の半導体レーザモジュール。
7. 前記枠部と前記底板との間に配置されたパッキンをさらに備えたことを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体レーザモジュール。
8. 前記枠部は、樹脂により前記底板に固定されていることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体レーザモジュール。
9. レーザ光を出射可能な半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を集光可能な集光レンズとをカバー体の内部に収容しつつ、該カバー体に形成された開口部から前記光ファイバを保持するフェルールを外側に延出させた状態で、前記カバー体を底板上に固定し、
   キャップ部材に形成された挿通孔に前記フェルールを挿通して、前記キャップ部材で前記カバー体の前記開口部を覆い、
   前記フェルールと前記キャップ部材との間、前記キャップ部材と前記底板との間、及び前記キャップ部材と前記カバー体との間を封止樹脂により封止する
   ことを特徴とする半導体レーザモジュールの製造方法。
10. 前記レーザ光を透過する材料で前記キャップ部材を形成することを特徴とする請求項９に記載の半導体レーザモジュールの製造方法。
11. 前記キャップ部材の表面に、前記キャップ部材を透過した前記レーザ光を反射する第１の反射層を形成することを特徴とする請求項１０に記載の半導体レーザモジュールの製造方法。
12. 前記レーザ光を透過する材料で前記封止樹脂を形成することを特徴とする請求項９から１１のいずれか一項に記載の半導体レーザモジュールの製造方法。
13. 前記封止樹脂の表面に、前記封止樹脂を透過した前記レーザ光を反射する第２の反射層を形成することを特徴とする請求項１２に記載の半導体レーザモジュールの製造方法。

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