JP6636885B2 - 還元触媒および還元反応装置 - Google Patents

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Description

本発明の実施形態は、還元触媒および還元反応装置に関するものである。
エネルギー問題や環境問題の観点から、植物のように光エネルギーによってCOを効率よく還元することが求められている。植物は、Zスキームと呼ばれる光エネルギーを2段階で励起するシステムを用いる。このようなシステムの光化学反応によって、植物は水(HO)を酸化することで電子を得て二酸化炭素(CO)を還元してセルロースや糖類を合成している。
しかしながら、人工的に光化学反応によって犠牲試薬を用いずに水から電子を得てCOを分解する技術は非常に効率が低いものしか知られていない。
例えば、光化学反応装置として、HOを酸化して酸素(O)を生成する酸化反応用電極と、COを還元して炭素化合物を生成する還元反応用電極とを備えるものが知られている。このような装置において、酸化反応用電極は光触媒の表面にHOを酸化する酸化触媒を具備し、光エネルギーによって電位を得る。還元反応用電極は光触媒の表面にCOを還元する還元触媒を具備し、酸化反応用電極と電線で接続される。還元反応用電極は、酸化反応用電極からCOの還元電位を得ることで、COを還元して還元された生成物を生成することができる。このように、可視光を用いて光触媒でCOの還元を行うために必要な電位を得るために、植物を模倣したZスキーム型の人工光合成システムを用いることが検討されている。
しかしながら、このような装置では、太陽エネルギー変換効率は、0.04%程度と非常に低いのが一般的である。これは、可視光で励起する光触媒のエネルギー効率が低いことに原因があると考えられる。また、還元反応用電極が電線によって酸化反応用電極に接続されるため、その配線抵抗により電気(電流)を取り出す効率が低下し、結果として効率が低くなることも原因であろう。
また、反応の電位を得るためにシリコン太陽電池を用いて、その両面に触媒を設けて反応を起こす装置が検討されている。このような装置において、太陽エネルギー変換効率は約2.5%と高い効率が達成できる場合がある。また、このような装置は配線不要の構造とすることができるため、大型化が容易である。
しかし、このような装置では、COの還元反応に成功した例は知られていない。また、COの還元反応進行させるために、酸化電極側で発生した正の電荷を持ったイオンや還元電極側で発生した負の電荷を持ったイオンを対極に移動させる必要があるのでさらなる工夫が必要である。特に、HOを電子供与剤とする酸化還元反応において犠牲剤を使用しないためには、プロトン(水素イオン(H))あるいは水酸化物イオン(OH)の移動が必須である。
そのほか、各種の金属電極におけるCO還元活性が報告されている。CO還元反応では、COに電子とプロトンとが反応することで、例えば一酸化炭素(CO)、ギ酸(HCOOH)、メタノール(CHOH)、またはメタン(CH)等の炭化水素が生成される。還元反応により生成される炭化水素は、還元反応により得られる電子数に応じて異なる。例えば、一酸化炭素およびギ酸は2電子、メタノールは6電子、メタンは8電子による反応で生成される。また、いずれの炭化水素を生成する反応においても、標準酸化還元電位は水素イオンを還元して水素を生成する反応とほぼ同等である。しかし、実際には最初の1電子の還元反応に大きな過電圧(過大なエネルギー)が必要であり、その還元反応が進みにくくなる。また、多電子還元反応になるほど、高いファラデー効率で還元反応を進めることが難しくなる。選択的に高い効率で目的の炭化水素を生成するCO還元反応を行うためには、高活性な電極触媒が必要となる。
また、基板上に有機分子を介して貴金属触媒を固定した電極を用いてCO還元反応を行う方法も知られている。より具体的には、基板材料にSiなどを用いると、この基板が、光を吸収し、電荷分離して電子を発生する。そして、発生した電子が基板上の有機分子を介してAuなどの貴金属触媒に伝達され、貴金属触媒上でCO還元が行われる。このような方法によれば比較的高い反応効率が達成されるが、より高い反応効率が得られる触媒が求められている。
特開2011−094194号公報
S. Y. Reece, et al., Science. vol.334. pp.645 (2011) Y. Hori, et al., Electrochim. Acta. 1994, 39, 1833 Yu Sun, et al., Chem. Lett. 2012, 41, 328
反応効率の高い還元技術を有する還元触媒および還元反応装置を提供する。
実施形態による還元触媒は、導電体と、前記導電体の表面に有機修飾基からなる有機層を備え、前記有機修飾基が、含窒素複素環を含むことを特徴とするものである。
また、実施形態による還元方法は、前記還元触媒を含む還元電極を電解液に接触させる工程と、
前記電解液に低分子炭素化合物を導入し、導入された前記低分子炭素化合物を前記電極によって還元する工程と、
を含むものである。
また、実施形態による還元反応装置は、
酸化電極と、
前記還元触媒を具備する還元電極と、
前記酸化電極および前記還元電極に接続された電源素子と、
を具備することを特徴とするものである。
実施形態に係る還元触媒の構成を示す図。 別の実施形態に係る還元触媒の構成を示す図。 実施形態に係る光化学反応セルの構造を示す断面図。 実施形態に係る光化学反応セルの動作原理の一例を示す断面図。 実施形態に係る光化学反応セルの動作原理の他の例を示す断面図。 実施形態に係る光化学反応装置の構造を示す断面図。 実施形態に係る光化学反応装置の構造を示す断面図。 実施形態に係る光化学反応装置の他の構造を示す断面図。 実施形態に係る光化学反応装置のさらに他の構造を示す断面図。
本実施形態を以下に図面を参照して説明する。図面において、同一部分には同一の参照符号を付す。また、重複した説明は、必要に応じて行う。
1.還元触媒
第1の本実施形態に係る還元触媒について図を用いて説明すると以下の通りである。
第1の実施形態に係る還元触媒は、導電層102と、その表面に有機層104とを具備するものである。ここで導電層102は集電体101によって支持されていてもよい。そして、有機層104は、導電層102上に存在する有機修飾基103で構成されている。
集電体101は、例えばステンレス基板であるが、電気伝導性を有していれば限定されるものではなく、コスト、加工性等を勘案して適宜選択することができる。集電体101の表面には、金属層または酸化物層で構成される導電層102が形成される。導電層102が金属層で構成される場合、導電層102はAu、Ag、Cu、Pt、Pd、Zn、Fe、Ti、Sn、In、Hg、BiおよびNiからなる群から選択される金属の中から少なくとも1つを含む金属層で構成される。一方、導電層102が酸化物層で構成される場合、導電層102は酸化銀(AgO)、酸化銅(CuO)、酸化タンタル(Ta)、酸化チタン(TiO)、酸化ジルコニウム(ZrO)、酸化アルミニウム(Al)、酸化ケイ素(SiO)、酸化亜鉛(ZnO)、スズドープ酸化インジウム(ITO)、またはフッ素ドープ酸化スズ(FTO)等を含む酸化物層で構成される。また、導電層102はステンレス基板表面の酸化被膜層であってもよい。また、導電層102を構成する金属が、集電体101を兼ねてもよい。
なお、ITOやFTO等の透明導電膜を除き、酸化物層は一般に絶縁体である。トンネル電流による導通を確保するため、酸化物層の膜厚は10nm以下にすることが好ましく、5nm以下にすることがより好ましい。
また、導電層が金属層である場合、その金属層を金属微粒子で構成することができる。このとき、金属微粒子そのものが、還元触媒と機能する場合がある。
金属微粒子は、ナノ微粒子であると高い触媒活性効率を有する。このため、金属微粒子の平均粒径は、例えば300nm以下であることが好ましい。これは、金属微粒子の平均粒径が300nmを超えると、金属微粒子の活性効率が著しく低下してしまうためである。また、金属微粒子の平均粒径は、1nm以上150nm以下であることがより好ましい。この上限は、上記活性効率を考慮したものである。一方、下限は、微粒子製造プロセスの困難性を考慮したものである。
なお、金属微粒子として、平均粒径が50nm以下の微粒子を単独で用いてもよいが、この微粒子からなる一次粒子の凝集体(二次粒子)を用いてもよい。
集電体101表面に導電層102を形成する方法は、スパッタ法、蒸着法、またはALD(Atomic Layer Deposition)法等の既知の真空成膜方法を用いることができる。
なお、ITOやFTO等の透明導電膜を除き、酸化物層は一般に絶縁体である。トンネル電流による導通を確保するため、酸化物層の膜厚は10nm以下にすることが好ましく、5nm以下にすることがより好ましい。
有機層104は、例えば導電層102表面に有機修飾基103の前駆体化合物が化学的に吸着して反応し、自己組織化によって形成される単層膜である。このような結合は、前駆体化合物に含まれていたヘテロ基に含まれるヘテロ原子が、導電層表面に結合することで形成される。このような結合を形成するヘテロ原子としては、イオウ、酸素、窒素などが代表的なものであるが、イオウであることが好ましい。また、ヘテロ基は、チオール基、ジスルフィド基、チオシアネート基、で置換された炭化水素基であることが好ましい。
実施形態において、有機修飾基は含窒素複素環を含むものである。図1においては、一例としてビピリジン骨格を含む有機修飾基が示されているが、これに限定されるものではない。
含窒素複素環としては、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、キノリン環、キノキサリン環、などが挙げられ、また、これらが単結合で結合されたビピリジン構造が挙げられる。これらの中では、ピリジン環またはビピリジン構造が好ましい。
より具体的には、前記有機修飾基が、下記一般式(A)または(B):
(式中、Rはそれぞれ独立に水素、炭素数1〜6の炭化水素基、炭素数0〜6のヘテロ基からなる群から選択される基であり、二つのRが相互に炭素数1〜6の炭化水素鎖で結合して環状構造を形成していてもよく、
Rのうち少なくとも一つはヘテロ炭化水素基であって、前記有機修飾基は前記ヘテロ炭化水素基に含まれるヘテロ原子を介して前記導電層と結合し得る基を有している。)
で表される構造を含むことが好ましい。ここでヘテロ基とは、イオウ、窒素、または酸素などのヘテロ原子を含む基であり、メルカプトアルキル基などのヘテロ炭化水素基や、チオール基などの炭素を含まないヘテロ原子含有基を包含するものである。
このような有機修飾基のうち、一般式(A)で表される、ビピリジン構造を有するものが好ましいが、特に下記一般式(A−1)〜(A−4):
(式中、R’は、−H、−CH、−CH−SH、−CH−S=SH、−CH−S−、および−CH−S=S−からなる群から選択される基であり、
R’のうち少なくとも一つは−CH−S−または−CH−S=S−であって、前記有機修飾基は前記−CH−S−または−CH−S=S−を介して前記導電体と結合し得る)
で表される構造のいずれかの構造を含む有機修飾基を含むものが好ましい。
このような有機修飾基を形成することができる前駆体として、前記一般式(A)で表されるものの例には以下のものがあげられる。
5,5’−ビス(メルカプトメチル)−2,2’−ビピリジン、
4,5’−ビス(メルカプトメチル)−2,2’−ビピリジン
3,5’−ビス(メルカプトメチル)−2,2’−ビピリジン
5−(メルカプトメチル)−5’−(メルカプトエチル)−2,2’−ビピリジン
5−(メルカプトメチル)−4’−(メルカプトエチル)−2,2’−ビピリジン
4−(メルカプトメチル),5’−(メルカプトエチル)−2,2’−ビピリジン
5,5’−ビス(メルカプトエチル)−2,2’−ビピリジン
て5,5’−ビス(メルカプトプロピル)−2,2’−ビピリジン
5−(メルカプトメチル)−5’−(メルカプトプロピル)−2,2’−ビピリジン
5−(メルカプトプロピル)−5’−(メルカプトエチル)−2,2’−ビピリジン
5,5’−ビス(メルカプトメチル)−2,2’−ビピリジン
3,8’−ビス(メルカプトメチル)−1,10’−フェナントロリン
3,8’−ビス(メルカプトメチル)−5,6−ジヒドロ−1,10’−フェナントロリン
2,5’−ビス(メルカプトメチル)−5−メチル−5H−シクロペンタ[2,1−b:3,4−b’]ジピリジン
1,2−ビス((3−メルカプトメチル)−2−ピリジル)1−メチル−エタン
4,4’−ビス(メルカプトメチル)−2,2’−ビピリジン
3,8’−ビス(メルカプトメチル)−1,10’−フェナントロリン
3,8’−ビス(メルカプトメチル)−5,6−ジヒドロ−1,10’−フェナントロリン
2,5’−ビス(メルカプトメチル)−5−メチル−5H−シクロペンタ[2,1−b:3,4−b’]ジピリジン
1,2−ビス((3−メルカプトメチル)−2ピリジル)1−メチル−エタン
また、前記一般式(B)で表されるものの例には下記のものが挙げられる。
3−メルカプトメチルピリジン
3−メルカプトピリジン
4−メルカプトメチルピリジン
4−メルカプトピリジン
このような構成を有する還元触媒が高い反応効率を達成できる理由は、完全には解明されていないが、以下のようなメカニズムにより反応効率が改善されていると考えられる。
含窒素複素環(窒素を有する複素環)とヘテロ基を有する有機修飾基の前駆体を導電層に反応させると、自己組織化によって、有機修飾基が緻密に配向される。このような触媒によってCOなどを還元させると、ひとつのCO2に、含窒素環に含まれる窒素が複数寄与して、還元に必要な電子が良好に供給されると考えられる。さらに、有機修飾基が緻密に配向しているので、導電層表面における、還元に伴う水素の発生が抑えられ、気泡発生による反応阻害が抑制されるものと考えられる。
実施形態における還元触媒を用いてCOを還元させた場合、一酸化炭素(CO)、ギ酸(HCOOH)、ホルムアルデヒド(HCHO)、およびメタノール(CHOH)に変換される。また、COは、酢酸(CHCOOH)、アセトアルデヒド(CHCHO)、およびエタノール(CHCHOH)に変換される場合もある。また、COは、シュウ酸((COOH))、グリオキシル酸(C)、グリコールアルデヒド(C)、エチレングリコール(HOCHCHOH)に変換される場合もある。なお、実施形態による還元触媒は、典型的にはCO2の還元反応に寄与するものであるが、ギ酸やホルムアルデヒドなどの還元反応にも利用可能である。したがって、一時的にCOを還元し、その反応生成物をさらに還元することもできる。
図2に示された実施形態では、集電体101の表面(導電層102)上にスペーサー層106を介して金属微粒子107(導電体)が固定され、金属微粒子107の表面上に有機層104が形成される。そして、金属微粒子107において、COの還元反応が行われる。これにより、反応効率の高いCOの還元反応を達成することができる。以下に、本実施形態について詳細に説明する。
図2は、第2の実施形態に係る還元触媒の構成の一例を詳細に示す図である。図2に示すように、本実施形態に係る還元触媒は、COなどの低分子炭素化合物を電気化学的に還元する電極の一部とすることができるものであり、集電体101、導電層102、スペーサー層106、金属微粒子107(導電体)、および有機層104で構成される積層体を備える。金属微粒子107はスペーサー層106を介して集電体101に接続され、金属微粒子107の表面には還元反応を促進するための有機層104が配置される。
集電体101は、第1の実施形態と同様のものを用いることができる。集電体101表面には導電層102が形成されていてもよい。導電層102も第1の実施形態と同様に形成することができる。なお、この実施形態における導電層は、後述する導電体である金属微粒子と集電タイトの電気的接合を確保するためのものである。
第2の実施形態において、スペーサー層106は、集電体101表面またはその表面に形成された導電層102に化学的に結合し得る有機基により構成される。スペーサー層106は、集電体101表面に有機化合物が化学吸着し、自己組織化することによって形成される単層膜である。そして、スペーサー層106は、集電体101に金属微粒子107を固定化するとともに電気的に接続する機能を有する。
スペーサー層106は、ヘテロ原子を含んでもよい炭化水素基、例えば長鎖アルキル基106Aと、その末端に結合された反応性官能基106Bおよび106Cとを有する。
炭化水素基106A(図2においてはアルキレン基)は、その鎖長が長くなるほど集電体101または導電層102に対して緻密で配向がそろった分子層を得ることができる。このため、炭化水素基106Aの鎖長を長くすることで、金属微粒子107の固定化やスペーサー層106の耐久性が向上する。その一方で、炭化水素基106Aのアルキル鎖長を著しく長くすると、スペーサー層106におけるトンネル電流の抵抗が増加し、電極抵抗が増加する。したがって、炭化水素基106Aのアルキル鎖長は炭素数2〜16が好ましい。
反応性官能基106B(図2においては、−S−基)は、炭化水素基106Aの一方の末端に形成される。反応性官能基106Bは、集電体101または導電層102に対して親和性を有し、それと化学的に反応して結合し得る。このため、スペーサー層106は、集電体101または導電層102上に固定化される。導電層102が金属層である場合、反応性官能基106Bはチオール基、ジスルフィド基、またはチオシアネート基等の共有結合が可能な官能基であることが好ましい。その中でも結合力が優れていることからチオール基がより好ましい。一方、導電層102が酸化物層またはステンレス基板表面の酸化被膜層で構成される場合、反応性官能基106Bはカルボン酸基、ホスホン酸基、リン酸エステル基、またはアルコキシシリル基等の共有結合が可能な官能基であることが好ましい。その中でも結合力が優れていることからホスホン酸基がより好ましい。
反応性官能基106C(図2においては−NH基)は、長鎖アルキル基106Aの他方の末端に形成される。反応性官能基106Cは、金属微粒子107に対して親和性を有し、金属微粒子107と化学的に反応して結合し得る。このため、反応性官能基106Cは、スペーサー層106の表面に金属微粒子107を固定化させる。反応性官能基106Cは、チオール基、ジスルフィド基、またはチオシアネート基等の共有結合が可能な官能基が好ましい。その中でも結合力が優れていることからチオール基がより好ましい。
金属微粒子107(導電体)は、スペーサー層106の表面(反応性官能基106C)に化学的に結合し得る。金属微粒子107は、その表面の一部に電荷をもった有機分子(反応性官能基)を備えることで帯電する。金属微粒子107の表面の電荷は、粒子間に静電的反発を発生させ、ナノ粒子サイズの微粒子同士が凝集して粗大化することを防止することができる。
金属微粒子107の表面の電荷と反応性官能基106Cの電荷とを用いて、スペーサー層106の表面に金属微粒子107を静電的引力(静電結合)により固定化することもできる。より具体的には、金属微粒子107の表面にカルボキシル基の負の電荷が備わっている場合、反応性官能基106Cとしてアミノ基または4級窒素カチオンを選択することで金属微粒子107を固定化することができる。反対に、金属微粒子107の表面にアミノ基または4級窒素カチオンの正の電荷が備わっている場合、反応性官能基106Cとしてカルボキシル基を選択することで金属微粒子107を固定化することができる。
金属微粒子107の表面の電荷は、金属微粒子107の製造方法に起因した有機分子による電荷、または製造後の処理に起因した有機分子による電荷を付与することができる。例えば、液層から金属微粒子107を還元して析出する際にクエン酸等の還元剤を使用すると、金属微粒子107表面にクエン酸が付与され、金属微粒子107表面は負の電荷を帯びる。そして、負の電荷を帯びた金属微粒子107の表面にアミノ基を有する分子を静電結合させると、金属微粒子107表面は正の電荷を帯びる。一方、金属微粒子107の表面にチオール等の共有結合性の反応基を有するアミン分子を反応させても正の電荷を帯びる。すなわち、チオール等の共有結合性の反応基を有するアミン分子は、金属微粒子107の表面の電荷の有無、また電荷の正負によらず用いることができる。
金属微粒子107は、CO還元反応を活性化する触媒としても機能し得るものであり、Au、Ag、Cu、Pt、Zn、Fe、Ti、Sn、In、BiおよびNiの中から少なくとも1つの元素を含む金属である。金属微粒子107としては、市販の金属を適宜選択することができ、これらのなかでも触媒活性の高いAuまたはAgを選択することが好ましい。
金属微粒子107は、ナノ微粒子であると高い触媒活性を有する。このため、金属微粒子107の平均粒径は、例えば300nm以下であることが好ましい。これは、金属微粒子107の平均粒径が300nmを超えると、金属微粒子107の活性効率が著しく低下してしまうためである。
また、金属微粒子107の平均粒径は、1nm以上150nm以下であることがより好ましい。この上限は、上記活性を考慮したものである。一方、下限は、微粒子製造プロセスの困難性を考慮したものである。すなわち、金属微粒子107の平均粒径を0.5nm未満にすると、微粒子製造プロセスの制御が困難となり、微粒子製造コストが高くなる。
なお、金属微粒子107として、平均粒径が50nm以下の微粒子を単独で用いてもよいが、この微粒子からなる一次粒子の凝集体(二次粒子)を用いてもよい。
金属微粒子107の平均粒径の算出方法は、動的光散乱法による粒度分布測定で行うことができる。動的光散乱法とは、金属微粒子107を分散した溶液にレーザー光を照射し、拡散係数を反映した散乱光のゆらぎを検出することで、ストークス・アインシュタイン式を利用して粒子径を測定する方法である。粒子径ごとの出現比率をもとめた頻度分布において、最も大きい粒子径または分布の極大値がモード径となり、これを平均粒子径とする。
有機層104は、金属微粒子107の表面に化学的に結合し得る。有機層104は、第1の実施形態と同様に形成させることができる。
前記のスペーサー層106を構成する有機分子としては、10−カルボキシ−1−デカンチオール、7−カルボキシ−1−ヘプタンチオール、5−カルボキシ−1−ペンタンチオール、3−カルボキシ−1−プロパンチオール、メルカプト酢酸、10−カルボキシデシル−ジスルフィド、7−カルボキシヘプチル−ジスルフィド、5−カルボキシペンチル−ジスルフィド、4,4´−ジチオジブタン酸、11−アミノ−1−ウンデカンチオール、8−アミノ−1−オクタンチオール、6−アミノ−1−ヘキサンチオール、11−メルカプトウンデカン−1−トリメチルアンモニウムクロライド、11−メルカプトウンデカン−1−スルホン酸ナトリウム、11−メルカプトウンデカン−1−ホスホン、1,2−エタンジチオール、1,3−プロパンジチオール、1,4−ブタンジチオール、1,5−ペンタンジチオール、1,6−ヘキサンジチオール、1,7−ヘプタンジチオール、1,8−オクタンジチオール、1,9−ノナンジチオール、1,10−デカンジチオール、1,11−ウンデカンジチオール、1,12−ドデカンジチオール、1,13−トリデカンジチオール、1,14−テトラデカンジチオール、1,15−ペンタデカンジチオール、1,16−ヘキサデカンジチオール酸等が挙げられる。
また、1−(2−メルカプトエチル)−3−アミノメチルイミダゾリウムブロミド、1−(3−メルカプトプロピル)−3−アミノメチルイミダゾリウムブロミド、1−(4−メルカプトブチル)−3−アミノメチルイミダゾリウムブロミド、1−(5−メルカプトペンチル)−3−アミノメチルイミダゾリウムブロミド、1−(6−メルカプトへキシル)−3−アミノメチルイミダゾリウムブロミド、1−(8−メルカプトオクチル)−3−アミノメチルイミダゾリウムブロミド、1−(9−メルカプトノニル)−3−アミノメチルイミダゾリウムブロミド、1−(10−メルカプトデシル)−3−アミノメチルイミダゾリウムブロミド、1−(11−メルカプトウンデシル)−3−アミノメチルイミダゾリウムブロミド、1−(12−メルカプトドデシル)−3−アミノメチルイミダゾリウムブロミド、
1−(2−メルカプトエチル)−3−(2−アミノエチル)−イミダゾリウムブロミド、1−(2−メルカプトエチル)−3−(3−アミノプロピル)−イミダゾリウムブロミド、1−(2−メルカプトエチル)−3−(4−アミノブチル)−イミダゾリウムブロミド、1−(2−メルカプトエチル)−3−(5−アミノペンチル)−イミダゾリウムブロミド、1−(2−メルカプトエチル)−3−(6−アミノヘキシル)−イミダゾリウムブロミド、1−(2−メルカプトエチル)−3−(8−アミノオクチル)−イミダゾリウムブロミド、1−(2−メルカプトエチル)−3−(9−アミノノニル)−イミダゾリウムブロミド、1−(2−メルカプトエチル)−3−(10−アミノデシル)−イミダゾリウムブロミド、1−(2−メルカプトエチル)−3−(11−アミノウンデシル)−イミダゾリウムブロミド、1−(2−メルカプトエチル)−3−(12−アミノドデシル)−イミダゾリウムブロミド、
1−(4−メルカプトブチル)−3−(2−N−メチルアミノエチル)−イミダゾリウムブロミド、1−(6−メルカプトヘキシル)−3−(3−N,N−ジメチルアミノプロピル)−イミダゾリウムブロミド、1−(8−メルカプトヘキシル)−3−(4−N,N−エチルメチルアミノブチル)−イミダゾリウムブロミド、
1−(2−メルカプトエチル)−4−アミノメチルピリジニウムブロミド、1−(3−メルカプトプロピル)−4−アミノメチルピリジニウムブロミド、1−(4−メルカプトブチル)−4−アミノメチルピリジニウムブロミド、1−(5−メルカプトペンチル)−4−アミノメチルピリジニウムブロミド、1−(6−メルカプトへキシル)−4−アミノメチルピリジニウムブロミド、1−(8−メルカプトオクチル)−4−アミノメチルピリジニウムブロミド、1−(9−メルカプトノニル)−4−アミノメチルピリジニウムブロミド、1−(10−メルカプトデシル)−4−アミノメチルピリジニウムブロミド、1−(11−メルカプトウンデシル)−4−アミノメチルピリジニウムブロミド、1−(12−メルカプトドデシル)−4−アミノメチルピリジニウムブロミド、1−(2−メルカプトエチル)−4−(2−アミノエチル)−ピリジニウムブロミド、1−(2−メルカプトエチル)−4−(3−アミノプロピル)−ピリジニウムブロミド、1−(2−メルカプトエチル)−4−(4−アミノブチル)−ピリジニウムブロミド、1−(2−メルカプトエチル)−4−(5−アミノペンチル)−ピリジニウムブロミド、1−(2−メルカプトエチル)−4−(6−アミノヘキシル)−ピリジニウムブロミド、1−(2−メルカプトエチル)−4−(8−アミノオクチル)−ピリジニウムブロミド、1−(2−メルカプトエチル)−4−(9−アミノノニル)−ピリジニウムブロミド、1−(2−メルカプトエチル)−4−(10−アミノデシル)−ピリジニウムブロミド、1−(2−メルカプトエチル)−4−(11−アミノウンデシル)−ピリジニウムブロミド、1−(2−メルカプトエチル)−4−(12−アミノドデシル)−ピリジニウムブロミド、
1−(5−メルカプトペンチル)−4−(3−N−メチルアミノプロピル)−ピリジニウムブロミド、1−(9−メルカプトノニル)−4−(4−N,N−ジメチルアミノブチル)−ピリジニウムブロミド、1−(11−メルカプトウンデシル)−4−(6−N,N−エチルメチルアミノヘキシル)ピリジニウムブロミド、
1−(2−メルカプトエチル)−1−アミノメチルピロリジニウムブロミド、1−(3−メルカプトプロピル)−1−アミノメチルピロリジニウムブロミド、1−(4−メルカプトブチル)−1−アミノメチルピロリジニウムブロミド、1−(5−メルカプトペンチル)−1−アミノメチルピロリジニウムブロミド、1−(6−メルカプトへキシル)−1−アミノメチルピロリジニウムブロミド、1−(8−メルカプトオクチル)−1−アミノメチルピロリジニウムブロミド、1−(9−メルカプトノニル)−1−アミノメチルピロリジニウムブロミド、1−(10−メルカプトデシル)−1−アミノメチルピロリジニウムブロミド、1−(11−メルカプトウンデシル)−1−アミノメチルピロリジニウムブロミド、1−(12−メルカプトドデシル)−1−アミノメチルピロリジニウムブロミド、1−(2−メルカプトエチル)−1−(2−アミノエチル)−ピロリジニウムブロミド、1−(2−メルカプトエチル)−1−(3−アミノプロピル)−ピロリジニウムブロミド、1−(2−メルカプトエチル)−1−(4−アミノブチル)−ピロリジニウムブロミド、1−(2−メルカプトエチル)−1−(6−アミノヘキシル)−ピロリジニウムブロミド、1−(2−メルカプトエチル)−1−(8−アミノオクチル)−ピロリジニウムブロミド、1−(2−メルカプトエチル)−1−(9−アミノノニル)−ピロリジニウムブロミド、1−(2−メルカプトエチル)−1−(10−アミノデシル)−ピロリジニウムブロミド、1−(2−メルカプトエチル)−1−(11−アミノウンデシル)−ピロリジニウムブロミド、1−(2−メルカプトエチル)−1−(12−アミノドデシル)−ピロリジニウムブロミド、
1−(2−メルカプトエチル)−1−アミノメチルピペリジニウムブロミド、1−(3−メルカプトプロピル)−1−アミノメチルピペリジニウムブロミド、1−(4−メルカプトブチル)−1−アミノメチルピペリジニウムブロミド、1−(5−メルカプトペンチル)−1−アミノメチルピペリジニウムブロミド、1−(6−メルカプトへキシル)−1−アミノメチルピペリジニウムブロミド、1−(8−メルカプトオクチル)−1−アミノメチルピペリジニウムブロミド、1−(9−メルカプトノニル)−1−アミノメチルピペリジニウムブロミド、1−(10−メルカプトデシル)−1−アミノメチルピペリジニウムブロミド、1−(11−メルカプトウンデシル)−1−アミノメチルピペリジニウムブロミド、1−(12−メルカプトドデシル)−1−アミノメチルピペリジニウムブロミド、1−(2−メルカプトエチル)−1−(2−アミノエチル)−ピペリジニウムブロミド、1−(2−メルカプトエチル)−1−(3−アミノプロピル)−ピペリジニウムブロミド、1−(2−メルカプトエチル)−1−(4−アミノブチル)−ピペリジニウムブロミド、1−(2−メルカプトエチル)−1−(6−アミノヘキシル)−ピペリジニウムブロミド、1−(2−メルカプトエチル)−1−(8−アミノオクチル)−ピペリジニウムブロミド、1−(2−メルカプトエチル)−1−(9−アミノノニル)−ピペリジニウムブロミド、1−(2−メルカプトエチル)−1−(10−アミノデシル)−ピペリジニウムブロミド、1−(2−メルカプトエチル)−1−(11−アミノウンデシル)−ピペリジニウムブロミド、1−(2−メルカプトエチル)−1−(12−アミノドデシル)−ピペリジニウムブロミド、
1−メルカプトエチル−2−(N−アミノメチル−N,N−ジメチルアンモニウム)ブロミド、1−メルカプトプロピル−3−(N−アミノメチル−N,N−ジメチルアンモニウム)ブロミド、1−メルカプトブチル−4−(N−アミノメチル−N,N−ジメチルアンモニウム)ブロミド、1−メルカプトペンチル−5−(N−アミノメチル−N,N−ジメチルアンモニウム)ブロミド、1−メルカプトヘキシル−6−(N−アミノメチル−N,N−ジメチルアンモニウム)ブロミド、1−メルカプトオクチル−8−(N−アミノメチル−N,N−ジメチルアンモニウム)ブロミド、1−メルカプトノニル−9−(N−アミノメチル−N,N−ジメチルアンモニウム)ブロミド、1−メルカプトデシル−10−(N−アミノメチル−N,N−ジメチルアンモニウム)ブロミド、1−メルカプトウンデシル−11−(N−アミノメチル−N,N−ジメチルアンモニウム)ブロミド、1−メルカプトドデシル−12−(N−アミノメチル−N,N−ジメチルアンモニウム)ブロミド、1−メルカプトエチル−2−(N−(2−アミノエチル)−N,N−ジメチルアンモニウム)ブロミド、1−メルカプトエチル−2−(N−(3−アミノプロピル)−N,N−ジメチルアンモニウム)ブロミド、1−メルカプトエチル−2−(N−(4−アミノブチル)−N,N−ジメチルアンモニウム)ブロミド、1−メルカプトエチル−2−(N−(5−アミノペンチル)−N,N−ジメチルアンモニウム)ブロミド、1−メルカプトエチル−2−(N−(6−アミノヘキシル)−N,N−ジメチルアンモニウム)ブロミド、1−メルカプトエチル−2−(N−(8−アミノオクチル)−N,N−ジメチルアンモニウム)ブロミド、1−メルカプトエチル−2−(N−(8−アミノオクチル)−N,N−ジメチルアンモニウム)ブロミド、1−メルカプトエチル−2−(N−(9−アミノノニル)−N,N−ジメチルアンモニウム)ブロミド、1−メルカプトエチル−2−(N−(10−アミノデカン)−N,N−ジメチルアンモニウム)ブロミド、1−メルカプトエチル−2−(N−(11−アミノウンデカン)−N,N−ジメチルアンモニウム)ブロミド、1−メルカプトエチル−2−(N−(12−アミノドデカン)−N,N−ジメチルアンモニウム)ブロミド、1−メルカプトエチル−2−(N−アミノメチル−N,N−メチルエチルアンモニウム)ブロミド、5,5’−ビス(メルカプトメチル)−2,2’−ビピリジン、3−メルカプトピリジン、4−メルカプトピリジン
等を用いることもできる。
なお、アミノ化合物はフッ酸、塩酸、臭酸、ヨウ酸、硫酸、硝酸、または燐酸等の塩を形成してもよい。また、アンモニウム塩、イミダゾリウム塩、ピリジニウム塩、ピロリジニウム塩、ピペリジニウム塩等の第4級窒素カチオンの対アニオンは、フッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、HCO 、BF 、PF 、CFCOO、CFSO 、NO 、SCN、N(CN) 、C(CN) (CFSO、ビス(トリフルオロメトキシスルホニル)イミドアニオン、ビス(トリフルオロメトキシスルホニル)イミドアニオン、ビス(パーフルオロエチルスルホニル)イミドアニオン等であってもよい。
さらに、第2の実施形態において、スペーサー層106は、有機修飾層104と同様の構成とすることができる。すなわち、第1の実施形態における有機修飾層104をそのままスペーサー層106とすることもできる。したがって、前記前駆体化合物でスペーサー層106を形成させることができる。
このような第2の実施形態による還元触媒は、例えば以下の方法で製造することができる。
まず、導電層102の表面にスペーサー層106を形成する方法としては、既知の方法を用いることができる。例えば、集電体101に対して親和性がある有機分子が溶解された溶液に集電体101を接触させる方法、高真空中で有機分子を蒸発させて成膜する方法、スプレー等によって有機分子を噴霧する方法等が挙げられる。
有機分子が溶解された溶液に集電体101を接触させる方法では、集電体101に化学吸着した有機分子が、吸着分子同士のファンデルワールス力や疎水性相互作用によって、自発的に集合体を形成する。そして、吸着分子が緻密に集合することで、配向がそろった単分子層(Self−Assembled Monolayer:SAM)が形成される。
有機分子を溶解する溶媒は、有機分子を溶解することができれば限定されるものではない。例えば、有機分子を溶解する溶媒としては、エタノール等のアルコール、またはトルエンもしくはヘキサン等の芳香族あるいは脂肪族の有機溶媒が挙げられる。有機分子の溶解性や取扱いの容易さ等から、エタノールを用いることが好ましい。
集電体101の表面(導電層102)にスペーサー層106を形成する方法の一例を、以下により詳細に説明する。
有機分子が溶解されたエタノール溶液が用意され、導電層102が形成された集電体101が数分から数時間浸漬される。これにより、集電体101の表面上にスペーサー層106が形成される。有機分子の濃度、浸漬時間、および浸漬温度等の条件は、単分子層の形成状態に影響するため、有機分子の構造等に応じて適宜変更してもよい。
例えば、濃度に関して、有機分子の濃度が低濃度の場合、単分子層が形成されるまでに時間がかかる。一方、高濃度過ぎてしまう場合、単分子層上に過剰な分子が積層吸着する恐れがある。このため、有機分子の濃度は、0.1mM以上100mM以下であることが好ましく、1mM以上10mM以下であることがより好ましい。また、浸漬時間に関して、有機分子の吸着は数分で完了するが、緻密で配向の揃った単分子層を形成するためには長時間を必要とする。このため、浸漬時間は、1分以上100時間以下であることが好ましく、12時間以上72時間以下であることが好ましい。浸漬温度は、緻密で配向がそろった単分子の形成に影響を与える。このため、溶媒の蒸気圧および沸点等を勘案して、浸漬温度は室温以上60℃以下であることが望ましい。
スペーサー層106の形成を確認する方法としては、既知の方法を用いることができる。
例えば、電気化学的な方法として、サイクリックボルタンメトリ法により評価することができる。より具体的には、1mMのヘキサシアノ鉄(III)カリウム(K[Fe(CN)])または1mMのヘキサアンミンルテニウム(III)クロライド([Ru(NH]Cl)が溶解された0.2M塩化カリウム(KCl)水溶液中において、スペーサー層106を吸着する工程の前後の集電体101の電気化学的な応答を測定し比較する。これにより、スペーサー層106の形成によってヘキサシアノ鉄(III)アニオンおよびヘキサアンミンルテニウム(III)カチオンの電気化学的な酸化還元反応による反応電流の減少を観測することができる。これは、集電体101上にスペーサー層106が形成されたことでヘキサシアノ鉄(III)アニオンおよびヘキサアンミンルテニウム(III)カチオンの酸化還元反応が阻害されたことによるものである。これにより、スペーサー層106の形成を間接的に確認できる。
また、表面分析方法として、反射法を用いたフーリエ変換赤外分光光度計(FT−IR)を使用することで評価することができる。これにより、集電体101表面上の薄膜および分子吸着種の赤外スペクトルを高感度に測定できる。すなわち、有機分子の構造、特に官能基の情報を知ることができる。また、X線光電子分光(XPS)を用いれば、スペーサー層106および有機層104にアニオンが備わっている場合、そのアニオンの組成が測定できる。また、接触角計を用いれば、水の濡れ性の違いからスペーサー層106の有無が測定できる。
スペーサー層106の表面に金属微粒子107を固定する方法としては、既知の方法を用いることができる。例えば、金属微粒子107の粒子を分散させた溶液にスペーサー層106が形成された集電体101を浸漬することで、スペーサー層106の反応性官能基106Cと金属微粒子107の表面(有機分子108)とが反応して固定される。
金属微粒子107を分散させる溶液は、金属微粒子107が安定して分散していれば限定されるものではない。例えば金属微粒子107を分散させる溶液としては、水、エタノール、またはトルエン等が挙げられる。取扱いの容易さから、水またはエタノールを用いることが好ましい。
スペーサー層106の表面に金属微粒子107を固定する方法の一例を、以下により詳細に説明する。金属微粒子107が分散された水溶液が用意され、スペーサー層106が形成された集電体101が数時間浸漬される。これにより、スペーサー層106の表面上に金属微粒子107を固定することができる。金属微粒子107が分散された溶液の濃度、浸漬時間、および浸漬温度等の条件は、金属微粒子107の合成方法および安定性に依存するため、分散溶液ごとに適宜変更してもよい。
例えば、濃度に関して、金属微粒子107の濃度が低濃度の場合、金属微粒子107を固定するのに時間がかかる。一方、高濃度過ぎてしまう場合、金属微粒子107が凝集して金属微粒子107がスペーサー層106に固定できない恐れがある。また、浸漬時間に関して、長時間を維持したほうが十分に金属微粒子107を固定できる。このため、1時間以上50時間以下が好ましく、5時間以上24時間以下が好ましい。浸漬温度は高くすると、金属微粒子107の分散安定性が低下して金属微粒子107が凝集する恐れがある。金属微粒子107が凝集した場合、スペーサー層106の表面に均一に金属微粒子107を固定することが困難となる。このため、浸漬温度は、室温以上35℃以下であることが好ましい。
スペーサー層106の表面上に金属微粒子107が固定されていることを確認する方法としては、既知の方法を用いることができる。
例えば、電気化学的な方法として、サイクリックボルタンメトリ法により評価することができる。より具体的には、1mMのヘキサシアノ鉄(III)カリウム(K[Fe(CN)])または1mMのヘキサアンミンルテニウム(III)クロライド([Ru(NH]Cl)が溶解された0.2M塩化カリウム(KCl)水溶液中において、金属微粒子107を固定する工程の前後の集電体101の電気化学的な応答を測定し比較する。これにより、金属微粒子107の固定によってヘキサシアノ鉄(III)アニオンおよびヘキサアンミンルテニウム(III)カチオンの電気化学的な酸化還元反応による反応電流の増加を観測することができる。これは、スペーサー層106上に金属微粒子107が固定されたことでヘキサシアノ鉄(III)アニオンおよびヘキサアンミンルテニウム(III)カチオンの酸化還元反応が行われたことによるものである。これにより、金属微粒子107の固定を間接的に確認できる。
また、表面分析方法として、走査型電子顕微鏡(SEM)、透過型電子顕微鏡(TEM)、原子間力電子顕微鏡(AFM)、または走査透過型電子顕微鏡(STEM)で直接観察することができる。また、金属の組成は、エネルギー分散型X線分析(EDX)、または電子線マイクロアナライザ(EPMA)、X線光電子分光(XPS)等で評価することができる。
金属微粒子107の表面に有機層104を形成する方法としては、既知の方法を用いることができる。例えば、金属微粒子107に対して親和性のある前駆体化合物が溶解された溶液に金属微粒子107を接触させることで、金属微粒子107の表面と前駆体化合物とが反応する。
前駆体化合物が溶解される溶媒は、前駆体化合物を溶解することができれば限定されるものではない。例えば前駆体化合物が溶解される溶媒としては、エタノール等のアルコール、またはトルエンもしくはヘキサン等の芳香族あるいは脂肪族の有機溶媒が挙げられる。前駆体化合物の溶解性および取扱いの容易さ等から、エタノールを用いることが好ましい。
金属微粒子107の表面に前駆体化合物を反応させる方法の一例を、以下に詳細に説明する。前駆体化合物が溶解されたエタノール溶液に、金属微粒子107を数分から数時間浸漬する。これにより、金属微粒子107の表面上に有機層を形成することができる。前駆体化合物の濃度、浸漬時間、および浸漬温度等の条件は、有機層104の形成状態に影響するため、前駆体化合物の構造等で適宜変更してもよい。
例えば、濃度に関して、前駆体化合物の濃度が低濃度の場合、有機層を形成するのに時間がかかる。一方、高濃度過ぎてしまう場合、有機層に過剰な分子が積層吸着する恐れがある。このため、濃度は、0.1mM以上100mM以下であることが好ましく、1mM以上10mM以下であることが好ましい。また、浸漬時間に関して、前駆体化合物の吸着は数分のうちに完了するが、緻密で配向のそろった有機層を形成するためには長い時間が必要である。このため、浸漬時間は、1分以上100時間以下であることが好ましく、12時間以上72時間以下であることがより好ましい。浸漬温度は緻密で配向のそろった有機層104の形成に影響を与える。このため、溶媒の蒸気圧および沸点等を勘案して室温以上60℃以下であることが好ましい。
また、有機層104上に、金属微粒子107をさらに積層することも可能である。金属微粒子107をさらに積層する場合、金属微粒子107を固定する工程と、有機層104を形成する工程とを繰り返すことで、金属微粒子107の量を増やすことができる。このとき、前駆体化合物としては、金属微粒子に結合し得る反応性基を二つ以上有するものを用いる。
金属微粒子107と有機層104とをさらに積層する方法の一例を、以下により詳細に説明する。
前駆体化合物は、二つ以上の反応性基を有する。従って有機層を形成させた後、有機層の表面には反応性基が多数存在するために、金属微粒子を接触させることで、有機層の表面に金属微粒子が担持される。また、前駆体化合物に第4級アンモニウムなどのカチオンを含む材料を用いた場合、金属微粒子107を構成する元素を含むアニオン水溶液を接触させる、電気化学的な還元または水素ガスによる還元を行うことで、有機層の表面に金属微粒子107である金属ナノ粒子を担持することができる。
このような方法により金属微粒子を形成させる場合、金属微粒子107としては、AuまたはPtを選択することができる。また、AuまたはPtを含むアニオンの原料としては、テトラクロロ金(III)酸ナトリウム2水和物(Na[AuCl]2HO)、塩化金(III)酸カリウム(K[AuCl])、テトラクロロ白金酸(II)カリウム(K[PtCl])、ヘキサクロロ白金酸(IV)カリウム(K[PtCl])等の塩が挙げられる。
より具体的には、有機層を有する金属微粒子107を備えた基板をAuまたはPtを含むアニオンが溶解された溶液に浸漬して、アニオン交換を行うことができる。このアニオン交換は、AuやPtを含むアニオンで構成された塩の濃度が0.1mM以上100mM以下である水溶液中において、アニオン交換時間を30分以上2時間以下として行うことができる。これにより、有機層104に、AuまたはPtを含むアニオンが静電的に結合し得る。
その後、この基板をアルカリ性水溶液中に浸漬させて電気化学的に還元する、またはHガスを溶解させた水溶液中に浸漬させて還元をする。電気化学的に還元する場合、濃度が0.5Mである炭酸水素ナトリウム水溶液中で定電位還元電解を行う。この電解条件としては、基板を作用極とし、参照極を銀塩化銀、対極をPtとする三電極式セルにおいて、作用極に−0.5Vの電位が1時間程度印加される。また、Hガスを溶解させた水溶液中に浸漬させて還元をする場合、1時間程度浸漬すればよい。これにより、有機層表面に、金属微粒子107を形成することができる。
その後、上記方法により有機層表面に析出させたAuまたはPtナノ粒子(金属微粒子107)の表面を、さらに有機修飾基103で修飾することができる。
このようにして、金属微粒子107をさらに積層する場合、有機層表面に金属微粒子107を析出する工程と、有機層104を形成させる工程とを繰り返すことで、金属微粒子107の担持量を増やすことができる。
本実施形態では、集電体101の表面(導電層102)上にスペーサー層106を介して金属微粒子107が固定され、金属微粒子107の表面上に有機層104が形成される。そして、金属微粒子107において、COの還元反応が行われる。これにより、以下の効果を得ることができる。
金属微粒子107を形成することで、平板状の金属層からなる還元触媒よりも反応面積(表面積)を大きくすることができる。また、第1の実施形態により単位面積あたりの有機修飾基を増大させることができる。その結果、COの還元反応効率を高くすることができる。
2.光化学反応セル
以下に図3〜5を用いて、本実施形態に係る還元触媒を用いた光化学反応セルについて説明する。
図3は、本実施形態に係る光化学反応セルの構造を示す断面図である。図3に示すように、本実施形態に係る光化学反応セルは、基板11、反射層12、還元電極層13、多接合型太陽電池17、酸化電極層18、酸化触媒層19、および還元触媒層20で構成される積層体を備える。
詳細は後述するが、光化学反応セルにおける還元触媒層20として、上述したCO還元触媒が適用される。
基板11の表面上には、反射層12、還元電極層13、多接合型太陽電池17、酸化電極層18、および酸化触媒層19が形成される。一方、基板11の裏面上には、還元触媒層20が形成される。
基板11は、光化学反応セルを支持し、その機械的強度を増すために設けられる。基板11は、導電性を有し、例えばAu、Ag、Cu、Pt、Zn、Fe、Ti、Sn、In,BiまたはNi等の金属板、もしくはそれらを少なくとも1つ含む例えばSUSのような合金板で構成される。または、基板11は、導電性の樹脂等で構成されてもよい。また、基板11は、SiまたはGe等の半導体基板で構成されてもよい。なお、後述するように、基板11は、イオン交換膜で構成されてもよい。
反射層12は、基板11の表面上に形成される。反射層12は、光反射が可能な材料で構成され、例えば金属層、または半導体多層膜からなる分布型ブラッグ反射層で構成される。この反射層12は、基板11と多接合型太陽電池17との間に形成されることで、多接合型太陽電池17で吸収できなかった光を反射させて再び多接合型太陽電池17に入射させる。これにより、多接合型太陽電池17における光吸収率を向上させることができる。
還元電極層13は、反射層12上に形成される。還元電極層13は、多接合型太陽電池17のn型半導体層(後述するn型のアモルファスシリコン層14a)面上に形成される。このため、還元電極層13は、n型半導体層とオーミック接触が可能な材料で構成されることが好ましい。還元電極層13は、例えば、Ag、Au、Al、またはCu等の金属、もしくはそれらを少なくとも1つ含む合金で構成される。または、還元電極層13は、ITO(Indium Tin Oxide)または酸化亜鉛(ZnO)、FTO(フッ素ドープ酸化スズ)、AZO(アルミニウムドープ酸化亜鉛)、またはATO(アンチモンドープ酸化スズ)等の透明導電性酸化物で構成される。また、還元電極層13は、例えば金属と透明導電性酸化物とが積層された構造、金属とその他導電性材料とが複合された構造、または透明導電性酸化物とその他導電性材料とが複合された構造で構成されてもよい。
多接合型太陽電池17は、還元電極層13上に形成され、第1太陽電池14、第2太陽電池15、および第3太陽電池16で構成される。第1太陽電池14、第2太陽電池15、および第3太陽電池16はそれぞれ、pin接合半導体を使用した太陽電池であり、光の吸収波長が異なる。これらを平面状に積層することで、多接合型太陽電池17は、太陽光の幅広い波長の光を吸収することができ、太陽光エネルギーをより効率良く利用することが可能となる。また、各太陽電池は直列に接続されているため高い開放電圧を得ることができる。
より具体的には、第1太陽電池14は、下部側から順に形成されたn型のアモルファスシリコン(a−Si)層14a、真性(intrinsic)のアモルファスシリコンゲルマニウム(a−SiGe)層14b、p型の微結晶シリコン(μc−Si)層14cで構成される。ここで、a−SiGe層14bは、400nm程度の短波長領域の光を吸収する層である。すなわち、第1太陽電池14は、短波長領域の光エネルギーによって、電荷分離が生じる。
また、第2太陽電池15は、下部側から順に形成されたn型のa−Si層15a、真性(intrinsic)のa−SiGe層15b、p型のμc−Si層15cで構成される。ここで、a−SiGe層15bは、600nm程度の中間波長領域の光を吸収する層である。すなわち、第2太陽電池15は、中間波長領域の光エネルギーによって、電荷分離が生じる。
また、第3太陽電池16は、下部側から順に形成されたn型のa−Si層16a、真性(intrinsic)のa−Si層16b、p型のμc−Si層16cで構成される。ここで、a−Si層16bは、700nm程度の長波長領域の光を吸収する層である。すなわち、第3太陽電池16は、長波長領域の光エネルギーによって、電荷分離が生じる。
このように、多接合型太陽電池17は、各波長領域の光によって電荷分離が生じる。すなわち、正孔が正極側(表面側)に、電子が負極側(裏面側)に分離する。これにより、多接合型太陽電池17は、起電力を発生させる。
なお、上記において、3つの太陽電池の積層構造で構成される多接合型太陽電池17を例に説明したが、これに限らない。多接合型太陽電池17は、2つまたは4つ以上の太陽電池の積層構造から構成されてもよい。または、多接合型太陽電池17の代わりに、1つの太陽電池を用いてもよい。また、pin接合半導体を使用した太陽電池について説明したが、pn接合型半導体を使用した太陽電池であってもよい。また、半導体層として、SiおよびGeで構成される例を示したが、これに限らず、化合物半導体系、例えばGaAs、GaInP、AlGaInP、CdTe、CuInGaSeで構成されてもよい。さらに、単結晶、多結晶、アモルファス状の種々の形態を適用することができる。
酸化触媒層19は、酸化電極層18上に形成される。酸化触媒層19は、多接合型太陽電池17の正極側に形成される。酸化触媒層では、電解液の水素イオン濃度が7よりも低い場合(pH<7)、HOを酸化してOとHを生成する。一方、電解液の水素イオン濃度が7よりも大きい場合(pH>7)、OHを酸化してOとHOを生成する。このため、酸化触媒層19は、酸化反応をするための活性化エネルギーを減少させる材料で構成される。言い換えると、HOまたはOHを酸化して電子を引き抜く反応をする際の過電圧を低下させる材料で構成される。このような材料として、酸化マンガン(Mn−O)、酸化イリジウム(Ir−O)、酸化ニッケル(Ni−O)、酸化コバルト(Co−O)、酸化鉄(Fe−O)、酸化スズ(Sn−O)、酸化インジウム(In−O)、または酸化ルテニウム(Ru−O)等の二元系金属酸化物、Ni−Co−O、La−Co−O、Ni−La−O、Sr−Fe−O等の三元系金属酸化物、Pb−Ru−Ir−O、La−Sr−Co−O等の四元系金属酸化物、もしくは、Ru錯体またはFe錯体等の金属錯体が挙げられる。また、酸化触媒層19の形態としては薄膜状に限らず、格子状、粒子状、ワイヤー状であってもよい。
また、本例において、照射光は、酸化電極層18と同様、酸化触媒層19を通過して多接合型太陽電池17に到達する。このため、光照射面側に配置される酸化触媒層19は、照射光に対して光透過性を有する。より具体的には、照射面側の酸化触媒層19の透過性は、照射光の照射量の少なくとも10%以上、より望ましくは30%以上である。
還元触媒層20は、基板11の裏面上に形成される。還元触媒層20は、多接合型太陽電池17の負極側に形成され、COを還元して炭素化合物(例えば、一酸化炭素、ギ酸、ホルムアルデヒド、メタン、メタノール、酢酸、アセトアルデヒド、エタノール、エチレングリコール等)を生成する。このため、還元触媒層20は、COを還元するための活性化エネルギーを減少させる材料で構成される。
このような還元触媒層20として、上述した還元触媒が適用される。すなわち、還元触媒層20は、導電層および有機修飾基からなる有機層を含む積層体を備える。
また、多接合型太陽電池17の表面上、または光照射面側の電極層と触媒層との間(本例では、酸化電極層18と酸化触媒層19との間)に保護層を配置してもよい。保護層は、導電性を有するとともに、酸化還元反応において多接合型太陽電池17の腐食を防止する。その結果、多接合型太陽電池17の寿命を延ばすことができる。また、保護層は、必要に応じて光透過性を有する。保護層としては、例えばTiO、ZrO、Al、SiO、またはHfO等の誘電体薄膜が挙げられる。また、その膜厚は、トンネル効果により導電性を得るため、好ましくは10nm以下、より好ましくは5nm以下である。
図4は、本実施形態に係る光化学反応セルの動作原理の一例を示す断面図である。図5は、本実施形態に係る光化学反応セルの動作原理の他の例を示す断面図である。ここでは、反射層12、還元電極層13、および酸化電極層18は省略している。
図4および図5に示すように、表面側から光が入射すると、入射光は酸化触媒層19および酸化電極層18を通過し、多接合型太陽電池17に到達する。多接合型太陽電池17は、光を吸収すると、光励起電子およびそれと対になる正孔を生成し、それらを分離する。すなわち、各太陽電池(第1太陽電池14、第2太陽電池15、および第3太陽電池16)において、n型の半導体層側(還元触媒層20側)に光励起電子が移動し、p型の半導体層側(酸化触媒層19側)に光励起電子の対として発生した正孔が移動する、電荷分離が生じる。これにより、多接合型太陽電池17に起電力が発生する。
このように、多接合型太陽電池17内で発生した光励起電子は負極である還元触媒層20での還元反応に使用され、正孔は正極である酸化触媒層19での酸化反応に使用される。これにより、図4に示すように、酸化触媒層19付近では(1)式、還元触媒層20付近では(2)式の反応が生じる。ただし、(1)式および(2)式は、電解液の水素イオン濃度が7よりも小さい酸性溶液である場合の反応である。
2HO → 4H+O+4e ・・・(1)
2CO+4H+4e → 2CO+2HO ・・・(2)
(1)式に示すように、酸化触媒層19付近において、HOが酸化されてOとHおよび電子が生成される。そして、酸化触媒層19側で生成されたHは、後述するイオン移動経路を介して還元触媒層20側に移動する。
(2)式に示すように、還元触媒層20付近において、COが移動してきたHと電子で還元されて、一酸化炭素(CO)とHOが生成される。
一方、図5に示すように、電解液の水素イオン濃度が7よりも大きい塩基性溶液である場合、酸化触媒層19付近では(3)式、還元触媒層20付近では(4)式の反応が生じる。
4OH → O+2HO+4e ・・・(3)
2CO+2HO+4e → 2CO+4OH ・・・(4)
(4)式に示すように、還元触媒層20付近において、COはHOとともに電子を受け取る還元反応をし、一酸化炭素(CO)とOHが生成される。そして、還元触媒層20側で生成されたOHは、後述するイオン移動経路を介して酸化触媒層19側に移動する。
(3)式に示すように、酸化触媒層19付近において、OHが酸化されてOとHOと電子が生成される。
このとき、多接合型太陽電池17は、酸化触媒層19で生じる酸化反応の標準酸化還元電位と還元触媒層20で生じる還元反応の標準酸化還元電位との電位差以上の開放電圧を有する必要がある。例えば、反応溶液の水素イオン濃度(pH)=0の場合、(1)式における酸化反応の標準酸化還元電位は+1.23[V]であり、(2)式における還元反応の標準酸化還元電位は−0.1[V]である。このため、多接合型太陽電池17の開放電圧は、1.33[V]以上の必要がある。なお、より好ましくは、開放電圧は過電圧を含めた電位差以上の必要がある。より具体的には、例えば(1)式における酸化反応および(2)式における還元反応の過電圧がそれぞれ0.2[V]である場合、開放電圧は1.73[V]以上であることが好ましい。
(2)式および(4)式に示すCOからCOへの還元反応だけでなく、COからHCOOH、HCHO、CH、CHOH、COH、HOCHCHOH等への還元反応は、Hを消費もしくはOHを生成する反応である。このため、酸化触媒層19で生成したHが対極の還元触媒層20へ移動できない場合、あるいは還元触媒層20で生成したOHが対極の酸化触媒層19へ移動できない場合、全体の反応の効率が低いものとなる。これに対し、本実施形態に係る光化学反応装置では、HあるいはOHを移動させるイオン移動経路を形成することで、HあるいはOHの輸送を改善して高い光反応効率を実現するものである。
3.光化学反応装置
以下に図6乃至図10を用いて、本実施形態に係る光化学反応セルを用いた光化学反応装置について説明する。
図6は、本実施形態に係る光化学反応装置の構造を示す斜視図である。図7は、本実施形態に係る光化学反応装置の構造を示す断面図である。なお、図6において、後述するイオン移動経路は省略している。また、ここでは、電解液の水素イオン濃度が7よりも小さい酸性溶液の場合の酸化還元反応((1)式および(2)式)の例を示す。電解液の水素イオン濃度が7よりも大きい塩基性溶液の場合、上記(3)式および(4)式にて酸化還元反応が起こる
本実施形態に係る光化学反応装置は、酸化触媒層19、還元触媒層20、およびこれらの間に形成された多接合型太陽電池17の積層体で構成される光化学反応セルと、酸化触媒層19と還元触媒層20との間でイオンを移動させるイオン移動経路と、を備える例である。これにより、高い光反応効率で、酸化触媒層19側で生成されたHを還元触媒層20へと移動させることができ、このHによって還元触媒層20側で二酸化炭素を分解することができる。
図6および図7に示すように、本実施形態に係る光化学反応装置は、光化学反応セルと、光化学反応セルを内部に含む電解槽31と、イオン移動経路として電解槽31に接続された電解槽流路41とを備える。
光化学反応セルは、平板状に形成され、少なくとも基板11によって電解槽31を2つに分離する。すなわち、電解槽31は、光化学反応セルの酸化触媒層19が配置される酸化反応用電解槽45と、光化学反応セルの還元触媒層20が配置される還元反応用電解槽46とを備える。これら酸化反応用電解槽45と還元反応用電解槽46とでは、別々の電解液を供給することが可能である。
酸化反応用電解槽45には、電解液として例えばHOを含む液体が満たされている。この電解液に、酸化触媒層19が浸漬される。このような電解液としては、任意の電解質を含むものが挙げられるが、HOの酸化反応を促進するものであることが好ましい。酸化反応用電解槽45では、酸化触媒層19によってHOが酸化されてOとHが生成される。
還元反応用電解槽46には、電解液として例えばCOを含む液体が満たされている。この電解液に、還元触媒層20が浸漬される。還元触媒層20は、金属微粒子107と基材(集電体101)とがスペーサー層106を介して接続され、金属微粒子107の表面にはCO還元反応を促進する第4級窒素カチオン111が固定される。還元反応用電解槽46に満たされるCOを吸収した電解液の詳細については後述する。金属微粒子107には、還元電位が印加されている。このため、電解液成分のうち特にCOを含むイオン(例えば、炭酸水素イオン)もしくは物理的に溶解したCOが、金属微粒子107およびその表面に固定される第4級窒素カチオン111の近傍で静電的引力を受ける。その結果、COと、金属微粒子107および第4級窒素カチオン111とで、触媒/電解液の界面において電気二重層を形成する。この界面において、電荷移動反応によるCO還元反応が進行する。還元反応用電解槽46では、還元触媒層20によってCOが還元されて炭素化合物が生成される。第4級窒素カチオン111を有する金属微粒子107では、第4級窒素カチオン111および金属微粒子107とCOとの相互作用によって還元生成物が変化する。具体的には、COは、一酸化炭素(CO)、ギ酸(HCOOH)、ホルムアルデヒド(HCHO)、メタノール(CHOH)、酢酸(CHCOOH)、アセトアルデヒド(CHCHO)エタノール(CHCHOH)、およびエチレングリコール(HOCHCHOH)に変換される。また、副反応として水分(HO)が還元されて水素(H)も生成され得る。
還元反応用電解槽46における電解液は、COの還元電位を低下させ、イオン伝導性が高く、COを吸収するCO吸収剤を有することが好ましい。このような電解液として、イミダゾリウムイオンまたはピリジニウムイオン等の陽イオンと、BF またはPF 等の陰イオンとの塩からなり、幅広い温度範囲で液体状態であるイオン液体もしくはその水溶液が挙げられる。または、電解液として、エタノールアミン、イミダゾール、またはピリジン等のアミン溶液もしくはその水溶液が挙げられる。アミンは、一級アミン、二級アミン、三級アミンのいずれでもかまわない。一級アミンとしてはメチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミンなどである。アミンの炭化水素は、アルコールやハロゲンなどが置換していてもかまわない。アミンの炭化水素が置換されたものとしては、例えば、メタノールアミンやエタノールアミン、クロロメチルアミンなどである。また、不飽和結合が存在していてもかまわない。これら炭化水素は、二級アミン、三級アミンも同様である。二級アミンとしては、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジメタノールアミン、ジエタノールアミン、ジプロパノールアミン、などである。置換した炭化水素は、異なってもかまわない。これは、三級アミンでも同様である。例えば、炭化水素が異なるものとしては、メチルエチルアミン、メチルプロピルアミンなどである。三級アミンとしては、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリヘキシルアミン、トリメタノールアミン、トリエタノールアミン、トリプロパノールアミン、トリブタノールアミン、トリプロパノールアミン、トリエキサノールアミン、メチルジエチルアミン、メチルジプロピルアミンなどである。イオン液体の陽イオンとしては、1−エチル−3−メチルイミダゾリウムイオン、1−メチル−3−プロピルイミダゾリウムイオン、1−ブチル−3−メチルイミダゾールイオン、1−メチル−3−ペンチルイミダゾリウムイオン、1−ヘキシル−3−メチルイミダゾリウムイオンなどである。また、イミダゾリウムイオンの2位が置換されていてもよい。例えば、1−エチル−2,3−ジメチルイミダゾリウムイオン、1,2−ジメチル−3−プロピルイミダゾリウムイオン、1−ブチル2,3−ジメチルイミダゾリウムイオン、1,2−ジメチル−3−ペンチルイミダゾリウムイオン、1−ヘキシル−2,3−ジメチルイミダゾリウムイオンなどである。ピリジニウムイオンとしてはメチルピリジニウム、エチルピリジニウム、プロピルピリジニウム、ブチルピリジニウム、ペンチルピリジニウム、ヘキシルピリジニウム、などである。イミダゾリウムイオン、ピリジニウムイオンはともに、アルキル基が置換されてもよく、不飽和結合が存在してもよい。アニオンとしては、フッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、BF 、PF 、CFCOO、CFSO 、NO 、SCN、(CFSO、ビス(トリフルオロメトキシスルホニル)イミド、ビス(トリフルオロメトキシスルホニル)イミド、ビス(パーフルオロエチルスルホニル)イミドなどがある。また、イオン液体のカチオンとアニオンとを炭化水素で連結した双生イオンでもよい。
第4級窒素カチオン111を有する金属微粒子107では、第4級窒素カチオン111および金属微粒子107と二酸化炭素との相互作用によって還元反応が進行する。二酸化炭素が2電子還元反応すると、一酸化炭素の他にギ酸が生成される。ギ酸が2電子還元反応すると、ホルムアルデヒドが生成される。さらに、ホルムアルデヒドが2電子還元反応すると、メタノールが生成される。第4級窒素カチオン111を有する金属微粒子107によってメタノールを生成する場合、二酸化炭素以外にギ酸またはホルムアルデヒドを反応物として選択してもよい。このため、還元反応用電解槽46における電解液は、二酸化炭素、ギ酸、およびホルムアルデヒドから選択される少なくとも1つの反応物が吸収されていることが望ましい。例えば、還元反応用電解槽46における電解液として、炭酸水素ナトリウム溶液が挙げられる。
また、二酸化炭素が8電子還元反応すると、酢酸が生成される場合もある。酢酸が8電子還元反応すると、アセトアルデヒドが生成される。さらに、アセトアルデヒドが8電子還元反応すると、エタノールが生成される。第4級窒素カチオン111を有する金属微粒子107によってエタノールを生成する場合、二酸化炭素以外に酢酸またはアセトアルデヒドを反応物として選択してもよい。このため、還元反応用電解槽46における電解液は、二酸化炭素、酢酸、およびアセトアルデヒドから選択される少なくとも1つの反応物が吸収されていてもよい。
また、二酸化炭素が2電子還元反応すると、シュウ酸が生成される場合もある。シュウ酸が2電子還元反応すると、グリオキシル酸が生成される。さらにグリオキシル酸が2電子還元反応すると、グリオキサールあるいはグリコール酸が生成される。さらにグリオキサールあるいはグリコール酸が2電子還元反応すると、グリコールアルデヒドが生成される。さらにグリコールアルデヒドが2電子還元反応すると、エチレングリコールが生成される。第4級窒素カチオン111を有する金属微粒子107によってエチレングリコールを生成する場合、二酸化炭素以外にシュウ酸、グリオキシル酸、グリコールアルデヒドを反応物として選択してもよい。このため、還元反応用電解槽46における電解液は、シュウ酸、グリオキシル酸またはグリコールアルデヒドから選択される少なくとも1つの反応物が吸収されていてもよい。
上述したような二酸化炭素が還元されてギ酸、ホルムアルデヒド、およびメタノールが生成される反応と、二酸化炭素が還元されて酢酸、アセトアルデヒド、およびエタノールが生成される反応とは、有機修飾基103の密度に依存する。詳細は実施例において後述するが、例えば有機修飾基103の密度が1×1011atoms/cm以下の場合、主にギ酸、ホルムアルデヒド、およびメタノールが生成される反応が起こる。一方、例えば有機修飾基103の密度が1×1012〜1015atoms/cmの場合、ギ酸、ホルムアルデヒド、およびメタノールのほかに、酢酸、アセトアルデヒド、およびエタノールが生成される反応が起こる。特に、有機修飾基103の密度が1×1013〜1015atoms/cmの場合、主に酢酸、アセトアルデヒド、およびエタノールが生成される反応が起こる。これら有機分子の分子密度と生成物との関係は、後述する実施例に示すように、本発明者らが実験検討を重ねた結果として見出したものである。なお、スペーサー層106の分子の結合状態と分子密度を算出するため、X線光電子分光法(XPS)による分析を行った。分析条件を以下に示す。なお、検出角度とは、試料法線と検出器入力レンズ軸の成す角を示している。
使用機種 PHI社製 Quantera−SXM
照射X線源 単結晶分光AlKα線
出力 50W
分析領域 φ200μm
Pass Energy
Wide Scan−280.0eV(1.0eV/Step)
Narrow Scan−69.0eV(0.125eV/Step)
検出角度 45°
帯電中和電子銃 Ar,e共に使用
帯電補正(横軸エネルギー補正)として、C1sスペクトルのC−C/H結合成分を284.80eVに合わせた。
スペーサー層106の分子の結合密度(分子密度)は、式(i)より概算した単位面積当たりのAu原子数に対し、半定量分析結果のAu原子数で規格化したS原子数(S/Au)から式(ii)を用いて算出した。
Au(atoms/cm)=密度(g/cm)×検出深さ(nm)×N/Mw ・・・(i)
分子密度(atoms/cm)=Au(atoms/cm)×S/Au(原子数比) ・・・(ii)
ここで、密度は19.3g/cm、検出深さは5nm、Nはアボガドロ数(atoms/mol)、Mwは197g/molである。
二酸化炭素が還元されてシュウ酸、グリオキシル酸またはグリコールアルデヒド、を介してエチレングリコールが生成する反応は、電極が還元電位に保持されることで選択的に生成される。すなわち、還元電位に電極が保持されることで有機修飾基103の配向が均一に揃うようになるためエチレングリコールが生成される反応が起こる。還元電位に電極が保持される電解条件としては、電極基板を作用極とし、参照極を銀塩化銀、対極をPtとする三電極式セルにおいて、作用極に−0.8〜1.3Vの電位が5時間以上印加されることが望ましく。3時間以上保持されていることが好ましく、1時間以上保持されていることがより好ましい。有機修飾基103の配向性は、走査型トンネル顕微鏡(Scanning Tunneling Microscope: STM)を用いて観察・評価できる。
酸化反応用電解槽45と還元反応用電解槽46に満たされている電解液の温度はその使用環境に応じて同じであってもよいし、異なってもよい。例えば、還元反応用電解槽46に用いる電解液が工場から排出されたCOを含むアミン吸収液である場合、その電解液の温度は大気温度よりも高い。この場合、電解液の温度は、30℃以上150℃以下、より好ましくは40℃以上120℃以下である。
電解槽流路41は、例えば電解槽31の側方に設けられる。電解槽流路41の一方は酸化反応用電解槽45に接続され、他方は還元反応用電解槽46に接続される。すなわち、電解槽流路41は、酸化反応用電解槽45と還元反応用電解槽46とを接続している。
この電解槽流路41内の一部にはイオン交換膜43が充填され、イオン交換膜43は特定のイオンのみを通過させる。これにより、酸化反応用電解槽45と還元反応用電解槽46との間で電解液を分離しつつ、イオン交換膜43が設けられた電解槽流路41を介して特定のイオンのみを移動させることができる。すなわち、光化学反応装置は、選択的に物質を通す隔壁構造を有する。ここで、イオン交換膜43は、プロトン交換膜であり、酸化反応用電解槽45で生成されたHを還元反応用電解槽46側に移動させることができる。より具体的には、イオン交換膜43としてナフィオンまたはフレミオンのようなカチオン交換膜、ネオセプタまたはセレミオンのようなアニオン交換膜が挙げられる。
なお、イオン交換膜43の代わりに、イオンが移動でき、かつ電解液を分離できるもの、例えば塩橋のような寒天等を用いてもよい。一般に、ナフィオンに代表されるようなプロトン交換性の固体高分子膜を使用するとイオン移動の性能は良い。
また、電解槽流路41にポンプ等の循環機構42を設けてもよい。これにより、酸化反応用電解槽45と還元反応用電解槽46との間で、イオン(H)の循環を向上させることができる。また、電解槽流路41を2本設けてもよく、そのうちの少なくとも1本に設けられた循環機構42を用いて、一方の電解槽流路41を介して酸化反応用電解槽45から還元反応用電解槽46へイオンを移動させ、他方の電解槽流路41を介して還元反応用電解槽46から酸化反応用電解槽45へ移動させてもよい。また、複数の循環機構42を設けてもよい。また、イオンの拡散を低減させ、より効率よくイオンを循環させるために、複数(3個以上)の電解槽流路41を設けてもよい。また、液体を運搬することによって、発生したガスの気泡が電極表面や電解層表面にとどまることがなく、気泡による太陽光の散乱に起因する効率低下や光量分布を抑えてもよい。
また、多接合型太陽電池17の表面に光を照射することによって上昇した熱を利用して電解液に温度差を生じさせることで、イオンの拡散を低減させ、より効率よくイオンを循環させてもよい。言い換えると、イオン拡散以外の対流によってイオンの移動を促進させることができる。
一方、電解槽流路41内や電解槽31内に電解液の温度調整をする温度調整機構44を設け、温度制御によって太陽電池性能と触媒性能を制御することができる。これにより、例えば、太陽電池や触媒の性能を安定および向上させるために、反応系の温度を均一化することができる。また、システム安定のために、温度上昇を防ぐこともできる。温度制御によって、太陽電池および触媒の選択性を変化させることができ、その生成物を制御することもできる。
また、本例において、基板11の端部は、多接合太陽電池17、酸化触媒層19、および還元触媒層20の端部よりも突出しているが、これに限らない。基板11、多接合太陽電池17、酸化触媒層19、および還元触媒層20が同一面積の平板状であってもよい。
次に、本実施形態に係る光化学反応装置における変形例について説明する。
図8および図9は、本実施形態に係る光化学反応装置における変形例1および変形例2の構造を示す断面図である。なお、本実施形態に係る光化学反応装置の変形例において、主に上記構造と異なる点について説明する。
図8に示すように、本実施形態に係る光化学反応装置における変形例1は、光化学反応セルと、光化学反応セルを内部に含む電解槽31と、イオン移動経路として基板11に形成された開口部51とを備える。
開口部51は、例えば基板11の端部を酸化反応用電解槽45側から還元反応用電解槽46側まで貫通するように設けられている。これにより、開口部51は、酸化反応用電解槽45と還元反応用電解槽46とを接続している。
この開口部51内の一部にはイオン交換膜43が充填され、イオン交換膜43は特定のイオンのみを通過させる。これにより、酸化反応用電解槽45と還元反応用電解槽46との間で電解液を分離しつつ、イオン交換膜43が設けられた開口部51を介して特定のイオンのみを移動させることができる。
図9に示すように、本実施形態に係る光化学反応装置における変形例2は、光化学反応セルと、光化学反応セルを内部に含む電解槽31と、多接合型太陽電池17、酸化触媒層19、および還元触媒層20、イオン移動経路として基板11に形成された開口部51とを備える。
開口部51は、例えば基板11、多接合型太陽電池17、酸化触媒層19、および還元触媒層20を酸化反応用電解槽45側から還元反応用電解槽46側まで貫通するように設けられている。これにより、開口部51は、酸化反応用電解槽45と還元反応用電解槽46とを接続している。
この開口部51内の一部にはイオン交換膜43が充填され、イオン交換膜43は特定のイオンのみを通過させる。これにより、酸化反応用電解槽45と還元反応用電解槽46との間で電解液を分離しつつ、イオン交換膜43が設けられた開口部51を介して特定のイオンのみを移動させることができる。
なお、図9において、開口部51内の一部にイオン交換膜43が形成されているが、開口部51内を埋め込むようにイオン交換膜43が形成されてもよい。
[実施例1]
図2に示される構造の還元触媒を製造した。導電層102をAuからなる金属層とし、スペーサー層106および修飾有機分子104の前駆体化合物としてを5,5’−ビス(メルカプトメチル)−2,2’−ビピリジンを用い、金属微粒子107を平均粒子径3nmのAuとした。
(CO還元触媒の作成)
まず、ステンレス基板(150mm×250mm、厚さ150μm)で構成される集電体101の表面に、スパッタ法により、導電層102が形成される。導電層102は、面方向に均一な膜厚を有し、その膜厚は100nmである。また、導電層102は、Auで構成される金属層である。
次に、導電層102の表面に、スペーサー層106が形成される。スペーサー層106は、導電層102を10mLの5,5’−ビス(メルカプトメチル)−2,2’−ビピリジン溶液(1mMのエタノール溶液)に48時間浸漬することにより形成される。
スペーサー層106が形成されていることの確認は、スペーサー層106を形成する工程の前後の基板の電気化学的な応答を測定して比較する。より具体的には、Auが形成された基板を作用極とし、参照極をAg/AgCl電極、対極をPt電極とした三電極式セルを構築する。そして、1mMのヘキサアンミンルテニウム(III)クロライド([Ru(NH]Cl)が溶解された0.2M塩化カリウム(KCl)水溶液中において、電位範囲をAg/AgClに対して−0.5〜+0.1Vとし、走査速度100mV/secとして、ヘキサアンミンルテニウム(III)アニオンの酸化還元電流の応答を観測する。スペーサー層106の形成前はレドックス種の可逆的な酸化還元電流を観測するが、スペーサー層106の形成後は酸化還元反応を観測しない。ヘキサアンミンルテニウム(III)カチオンの電気化学的な酸化還元反応が消失したことは、スペーサー層106の形成に基づく遮蔽効果によるものだと考えられる。
次に、スペーサー層106の表面にAuで構成される金属微粒子107が固定化される。金属微粒子107は、スペーサー層106が形成された基板を金属微粒子107が分散された水溶液に12時間浸漬することにより固定化される。金属微粒子107は、粒度分布計(ゼータサイザーナノZS、マルバーン製)を用いて評価された平均粒子径が3nmのAuナノ粒子である。
金属微粒子107が固定されていることの確認は、金属微粒子107を固定する工程の前後の基板の電気化学的な応答を測定して比較する。より具体的には、スペーサー層106が形成された基板を作用極とし、参照極をAg/AgCl電極、対極をPt電極とした三電極式セルを構築する。そして、1mMのヘキサアンミンルテニウム(III)クロライド([Ru(NH]Cl)が溶解された0.2M塩化カリウム(KCl)水溶液中において、電位範囲をAg/AgClに対して−0.5〜+0.1Vとし、走査速度100mV/secとして、ヘキサアンミンルテニウム(III)アニオンの酸化還元電流の応答を観測する。金属微粒子107の固定前はスペーサー層106による遮蔽効果によってレドックス種の可逆的な酸化還元電流を観測しないが、金属微粒子107の固定後は再び酸化還元反応を観測する。ヘキサアンミンルテニウム(III)カチオンの電気化学的な酸化還元反応の観測によって、スペーサー層106表面に金属微粒子107が固定されることを確認することができる。
[実施例2〜10]
金属層を、表1に記載した材料により構成した以外は実施例1と同様に実施例2〜10の還元触媒を作製した。これらの例について、実施例1と同様に、CO還元触媒のCO還元性能を電気化学測定によって評価した。得られた結果は表1に示すとおりであった。

[実施例11〜22]
実施例11〜22におけるCO還元触媒は、導電層102をAuとし、スペーサー層106、金属微粒子107を設けずに、導電層102に有機修飾基103を直接修飾した例である。有機層の材料として、表2に記載した材料を用いた。これらの例について、実施例1と同様にCO還元触媒のCO還元性能を電気化学測定によって評価した。得られた結果は表2に示すとおりであった。
[比較例1]
比較例1におけるCO還元触媒は、導電層102をAuとし、スペーサー層106、金属微粒子107、および有機修飾基103を形成しない例である。実施例1と同様に、比較例1におけるCO還元触媒のCO還元性能を電気化学測定によって評価した。
[比較例2〜10]
導電層を、表2に記載した材料により構成した以外は実施例1と同様に比較例2〜10の還元触媒を作製した。これらの例について、実施例1と同様にCO還元触媒のCO還元性能を電気化学測定によって評価した。得られた結果は表2に示すとおりであった。
(CO還元性能の測定)
実施例1におけるCO還元触媒(CO還元電極)のCO還元性能を電気化学測定によって、以下のように評価した。
CO吸収材およびCO還元用電解液として、5%NaHCO水溶液を選択した。5%NaHCO水溶液に100%COガスをバブリングし、溶液が吸収するCO濃度が飽和に達するまでCOを溶解させた。飽和濃度に達した判断は、5%NaHCO水溶液に吸収させるCOガスの入口と出口の濃度を測定し、同じ濃度になった時点で飽和濃度とした。
CO還元触媒の還元性能の評価は、電気化学測定装置(ソーラートロン・Cell Test System、東陽テクニカ製)によって行った。CO還元電極の評価は、H型セルを用いて行い、CO還元電極を作用極とし、参照極をAg/AgCl電極、対極をPt電極とした三電極式セルを構築した。また、Pt電極は、ガラスフィルターで仕切られたセルに配置された。電解評価中は、作用極の電解室には100%COガスをバブリングし、作用極の電解室の電解液はマグネチックスターラーで800rpmの撹拌速度で撹拌した。
この電気化学測定装置において、作用極に印加される電位をAg/AgClに対して−1.2Vとなるように定電流電解を行った際の、作用極と対極に流れる電流値を測定した。電解時間は60分間とした。また、このときに発生した還元生成物の分析を行った。ガス成分(水素ガスおよび一酸化炭素ガス)はガスクロマトグラフィー(Varian Micro GC CP4900)により分析した。また、電解液に溶解する還元物としてギ酸、ホルムアルデヒド、メタノール、酢酸、アセトアルデヒド、エタノール、シュウ酸、グリオキシル酸、グリコールアルデヒド、エチレングリコールを分析した。ギ酸、酢酸、シュウ酸、グリオキシル酸はイオンクロマトグラフィー(サーモフィッシャーサイエンテフィック社製(DX−320))、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、グリコールアルデヒドは高速液体クロマトグラフィー(Waters社製(ACQUITY UPLC))、メタノール、エタノールはガスクロマトグラフ質量分析(Agilent社製(6890/5975))、エチレングリコールはガスクロマトグラフィー(Agilent社製(6890))により、それぞれ分析した。作用極において還元反応に消費される電流および生成した還元生成物の定量分析から、ファラデー効率(生成物選択率)を求めた。また、ファラデー効率の合計が100%にならないのは、投入した電子の一部が、副反応による水素の生成とジュール熱に消費されているためである。
実施例1〜22はいずれも高いCO還元性能を示し、エチレングリコール、酢酸、アセトアルデヒド、およびエタノールが多く生成され、エチレングリコールの選択性が高かった。これは有機修飾基がCO還元反応を促進するとともに選択性に寄与しているためである。
比較例1〜10は有機層(有機修飾基)を有さない例であるが、比較例1〜4はいずれもCO還元性能は低く、比較例5〜10ではいずれもCOの還元は見られなかった。なお、表中の選択率が0である項目は、測定限界以下であったことを意味する。
[実施例23]
金属層をAuにて構成し、スペーサ層および有機層の材料として5,5’−ビス(メルカプトメチル)−2,2’−ビピリジンを用い、金属微粒子として平均粒子径が3nmの粒子を用い、実施例23の還元触媒を作製した。なお、金属微粒子の平均粒子径は、粒度分布計(ゼーターサイザーナナノZS、マルバーン製)を用いて測定した。
まず、ステンレス基板(150mm×250mm、厚さ150μm)で構成される集電体101の表面に、スパッタ法により、導電層102が形成される。導電層102は、面方向に均一な膜厚を有し、その膜厚は100nmである。また、導電層102は、Auで構成される金属層である。
次に、導電層の表面に、スペーサー層が形成される。スペーサー層は、導電層102を10mLの5,5’−ビス(メルカプトメチル)−2,2’−ビピリジン溶液(1mMのエタノール溶液)に48時間浸漬することにより形成される。
スペーサー層が形成されていることの確認は、スペーサー層を形成する工程の前後の基板の電気化学的な応答を測定して比較する。より具体的には、Auが形成された基板を作用極とし、参照極をAg/AgCl電極、対極をPt電極とした三電極式セルを構築する。そして、1mMのヘキサアンミンルテニウム(III)クロライド([Ru(NH]Cl)が溶解された0.2M塩化カリウム(KCl)水溶液中において、電位範囲をAg/AgClに対して−0.5〜+0.1Vとし、走査速度100mV/secとして、ヘキサアンミンルテニウム(III)アニオンの酸化還元電流の応答を観測する。スペーサー層106の形成前はレドックス種の可逆的な酸化還元電流を観測するが、スペーサー層106の形成後は酸化還元反応を観測しない。ヘキサアンミンルテニウム(III)カチオンの電気化学的な酸化還元反応が消失したことは、スペーサー層の形成に基づく遮蔽効果によるものだと考えられる。
次に、金属微粒子が固定された集電体を10mlの5,5’−ビス(メルカプトメチル)−2,2’−ビピリジン溶液(1mMのエタノール溶液)に48時間浸漬することにより、金属微粒子の表面に有機修飾基を固定した。
金属微粒子の表面に有機修飾基が固定されていることの確認は、前述したスペーサー層が固定されることを確認する方法を用い同様に確認した。
その後、固定された金属微粒子の量を増やすために、金属微粒子の固定と有機修飾基の固定を10回くり返し行った。
[実施例24〜38]
実施例24〜38におけるCO還元触媒は、スペーサー層および有機層の材料として表3に記載したものとした以外は、実施例23と同様に行い、実施例23におけるCO還元性能を電気化学測定手法と同様に評価した。
実施例23〜38、における還元触媒の評価結果を表3に示す。
実施例23〜38はいずれも高いCO還元性能を示し、エチレングリコールを高い選択性で生成した。これは有機修飾基がCO還元反応を促進し、エチレングリコール生成の選択性に寄与しているためである。
[実施例39]
スペーサー層および有機層の材料として5,5’−ビス(メルカプトメチル)−2,2’−ビピリジンを用いた以外は実施例11と同様に還元触媒を作製した。この電極を用いて、CO吸収剤およびCO還元用電解液として5%NaHCO水溶液を用いて上述した手法によりCO還元性能を評価した。
[実施例40]
電解液としてトリエタノールアミン水溶液(50wt%水溶液、CO飽和吸収液)を用いた以外は実施例39と同様に還元触媒を作製し上述した手法によりCO還元性能を評価した。
[実施例41]
電解液として90%1−エチル−3−メチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート水溶液(EMIBF4、CO飽和吸収液)を用いた以外は実施例39と同様に還元触媒を作製し上述した手法によりCO還元性能を評価した。
[比較例11]
比較例1と同様にスペーサー有機分子、金属微粒子、修飾有機分子を有さない触媒を作製した。この触媒を用い、電解液としてトリエタノールアミン水溶液(50wt%水溶液、CO飽和吸収液)を用いた以外は実施例39と同様に還元触媒を作製し上述した手法によりCO2還元性能を評価した。
[比較例12]
比較例1と同様にスペーサー有機分子、金属微粒子、修飾有機分子を有さない触媒を作製した。この触媒を用い、電解液として90%1−エチル−3−メチルイミダゾリウムテトラフルオロボレート水溶液(EMIBF4、CO飽和吸収液)を用いた以外は実施例39と同様に還元触媒を作製し上述した手法によりCO還元性能を評価した。
実施例39〜41および比較例11、12の評価結果を表4に示す。なお、参考のため、比較例1の結果も示した。
実施例39〜41はいずれも高いCO還元性能とエチレングリコール生成の高い選択性を示した。実施例45からはイオン液体の水溶液を用いた場合に高いCO還元性能を示すことが示された。
[実施例42]
多接合太陽電池の基盤を集電体として用い、スペーサー有機分子および修飾有機分子として5,5’−ビス(メルカプトメチル)−2,2’−ビピリジニウムブロミドを用い、実施例23と同様に、CO還元触媒を作製した。
この多接合太陽電池の酸化電極層の表面に酸化触媒層を形成した。
次に、酸化ニッケルのナノ粒子をアルコール水溶液に分散し、スプレー塗布法により多接合型太陽電池の酸化電極層18に酸化触媒層19を形成した。このようにしてできた光化学セルを150mm×250mmの大きさに切りだした。
[比較例13]
多接合太陽電池の基盤を集電体として用い、スペーサー層および有機層、金属微粒子、のいずれも有しない還元触媒を作製した。
この多接合太陽電池の酸化電極層の表面に酸化触媒層を形成した。
次に、酸化ニッケルのナノ粒子をアルコール水溶液に分散し、スプレー塗布法により多接合型太陽電池の酸化電極層18に酸化触媒層19を形成した。このようにしてできた光化学セルを150mm×250mmの大きさに切りだした。
(エネルギー変換効率の測定)
実施例42と比較例13の光化学反応セルを光化学反応装置に組み込んでCO還元効率を評価した。なお、酸化側電解液には0.5M水酸化カリウム(KOH)水溶液、還元側電解液にはトリエタノールアミン水溶液(50wt%水溶液、CO飽和吸収液)を用いた。また、イオン交換膜にはアニオン交換樹脂を用いた。酸化触媒層19側からソーラーシュミレータによるAM1.5(100mW/cm)の光を照射し、還元側で発生するCOガスをガスクロマトグラフィーで定量分析する。これにより、エネルギー変換効率(照射された太陽エネルギーを分母に、生成された物質のもつギブス自由エネルギーを分子にして求めた効率)を算出した。エネルギー変換効率は下記式(5)によって算出した。
FE/SE×100 (5)
式(5)において、SEは照射された太陽光のエネルギーを示し、FEは還元生成物のもつギブス自由エネルギーを示す。
測定結果を表5に示す。
[エネルギー変換効率の評価]
比較例13におけるCO還元触媒を光化学反応装置に適用した場合、光化学反応装置におけるエネルギー変換効率は0.01%である。これに対して、実施例38におけるCO還元触媒を光化学反応装置に適用した場合、エネルギー変換効率は0.04%であり、比較例13よりも高い効率を示した。実施例42におけるCO還元触媒が、CO還元反応に対して低いエネルギーで選択的にCO還元の反応を進めることが可能であり、光エネルギーをもってしても有効であった。
17…多接合型太陽電池、19…酸化触媒層、20…還元触媒層、101…集電体、102…導電層、103…有機修飾基、106…スペーサー層、107…金属微粒子

Claims (10)

  1. 導電体と、前記導電体の表面に有機修飾基からなる有機層を備え、前記有機修飾基が、
    下記一般式(A):
    (式中、Rはそれぞれ独立に水素、炭素数1〜6の炭化水素基、炭素数0〜6のヘテロ炭化水素基からなる群から選択される基であり、二つのRが相互に炭素数1〜6の炭化水素鎖で結合して環状構造を形成していてもよく、
    Rのうち少なくとも一つはヘテロ炭化水素基であって、前記有機修飾基は前記ヘテロ炭化水素基に含まれるヘテロ原子を介して前記導電体と結合し得る基を有している。)
    で表される構造を含むことを特徴とする還元触媒。
  2. 前記ヘテロ原子がイオウ原子である、請求項に記載の還元触媒。
  3. 下記一般式(A−1)〜(A−4):
    (式中、R’は、−H、−CH、−CH−SH、−CH−S=SH、−CH−S−、−CH−S=S−からなる群から選択される基であり、
    R’のうち少なくとも一つは−CH−S−または−CH−S=S−であって、前記有機修飾基は前記−CH−S−または−CH−S=S−を介して前記導電体と結合し得る)
    で表される構造のいずれかの構造を含む、請求項1または2に記載の還元触媒。
  4. 前記導電体が、Au、Ag、Cu、Pt、Pd、Zn、Fe、Ti、Sn、In、Hg、BiおよびNiからなる群から選択される金属を含む、請求項1〜のいずれか1項に記載の還元触媒。
  5. 前記導電体が、AgO、CuO、Ta、TiO、ZrO、Al、SiO、ZnO、ITO、およびFTOからなる群から選択される酸化物を含む、請求項1〜のいずれか1項に記載の還元触媒。
  6. 請求項1〜のいずれか1項に記載の還元触媒を含む還元電極を、二酸化炭素、シュウ酸、グリオキシル酸、およびグリコールアルデヒドからなる群から選択される低分子炭素化合物を含む溶液に接触させ、前記低分子炭素化合物を前記電極によって還元する工程を含む、還元方法。
  7. 還元反応によって、エチレングリコールを生成させる、請求項に記載の還元方法。
  8. 酸化電極と、
    請求項1〜のいずれか1項に記載の還元触媒を具備する還元電極と、
    前記酸化電極および前記還元電極に接続された電源素子と、
    を具備することを特徴とする還元反応装置。
  9. 前記電源素子が、光エネルギーにより電荷分離する半導体層を具備する、請求項に記載の還元反応装置。
  10. 前記半導体層が、前記酸化電極と前記還元電極との間に形成されている、請求項に記載の還元反応装置。
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