JP6636516B2 - 超音波トランスデューサ素子、及び超音波撮像装置 - Google Patents
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 19
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 49
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 12
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 11
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YYKGPKANRUPGGV-UHFFFAOYSA-N CC1=CC(CC2)=C2CC1 Chemical compound CC1=CC(CC2)=C2CC1 YYKGPKANRUPGGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010028980 Neoplasm Diseases 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/24—Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B06—GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS IN GENERAL
- B06B—METHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
- B06B1/00—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency
- B06B1/02—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy
- B06B1/0292—Electrostatic transducers, e.g. electret-type
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
- B81B3/0035—Constitution or structural means for controlling the movement of the flexible or deformable elements
- B81B3/0037—For increasing stroke, i.e. achieve large displacement of actuated parts
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R19/00—Electrostatic transducers
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R31/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of transducers or diaphragms therefor
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- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
- A61B8/00—Diagnosis using ultrasonic, sonic or infrasonic waves
- A61B8/44—Constructional features of the ultrasonic, sonic or infrasonic diagnostic device
- A61B8/4483—Constructional features of the ultrasonic, sonic or infrasonic diagnostic device characterised by features of the ultrasound transducer
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/02—Sensors
- B81B2201/0271—Resonators; ultrasonic resonators
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
- B81B2203/03—Static structures
- B81B2203/0315—Cavities
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2207/00—Microstructural systems or auxiliary parts thereof
- B81B2207/05—Arrays
- B81B2207/053—Arrays of movable structures
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
- G01N29/22—Details, e.g. general constructional or apparatus details
- G01N29/24—Probes
- G01N29/2406—Electrostatic or capacitive probes, e.g. electret or cMUT-probes
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
- H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
- H03H9/174—Membranes
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Description
特許文献2:特開2009−182838号公報
特許文献3:特開2012−004926号公報
下部電極101の上層に絶縁膜106,103,107に囲まれた空洞層(空洞部)102が形成されている。絶縁膜106は、下部電極101と空洞層(空洞部)102を隔て、空洞層102の上層の絶縁膜107と上部電極104により、メンブレン105が構成される。
空洞層102の側面を囲む絶縁膜103は複数層の絶縁膜で構成され、垂直接線M,M’を境界としてメンブレン105を構成する絶縁膜107と区分けされて、メンブレン105の振動を支持する固定部となる。
このような場合に、送信する超音波の圧力を増大させるためには、メンブレンの最大振幅を増大させれば良い。しかし、メンブレンを振動させるための駆動電圧を大きくする必要があり、上下電極に挟まれる絶縁膜の絶縁破壊や、CMUTを使用中に、電極から絶縁膜に電荷が注入され絶縁膜がチャージアップするという問題が発生する可能性がある。絶縁膜がチャージアップすると、絶縁膜に帯電した電荷により、上下電極間の電界が遮蔽され、最適な駆動ができなくなるという問題が生じる。
しかしながら、これらの方法を用いたとしても、メンブレン面積のうち50%程度を有効利用できるに留まっている。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
本発明によれば、CMUT素子のメンブレンの可動部の撓みを抑制し、かつメンブレンの振動面積を増加させることで、駆動電圧の増大の抑制と超音波の送信音圧の増大を両立することができる。
図2(a)は、図2(b)におけるB−B’断面図を示している。基板301上の下部電極101、上部電極104、および第1、第2の空洞層102,305の位置関係の1例を示す。
また、絶縁膜1035、1034、1033にはこれらの膜を貫通するウェットエッチング孔201が形成されている。このウェットエッチング孔201は、空洞層102、305を形成するために形成されたものであり、空洞層の形成後、絶縁膜1036によって埋め込まれている。202、203はそれぞれ下部電極101、上部電極104へ電圧を供給するためのパッド開口部である。
ただし、第2空洞層305の内周の輪郭線204は、第1空洞層102の上面から見て、第1空洞層102の外形の輪郭の内側に位置することが必要である。
続いて、図7(a),(b)に示すように、犠牲層501、シリコン酸化膜からなる絶縁膜1032を覆うように、プラズマCVD法によりシリコン酸化膜からなる絶縁膜1033を200nm堆積する。
引続き、図11(a),(b)に示すように、犠牲層901、シリコン酸化膜からなる絶縁膜1034を覆うように、プラズマCVD法によりシリコン酸化膜からなる絶縁膜1035を200nm堆積する。
その後、図13(a),(b)に示すように、ウェットエッチング穴201を介して、犠牲層901、501を水酸化カリウムでウェットエッチングすることにより、空洞層305,102を形成する。
引き続き、図15(a),(b)に示すように、フォトリソグラフィ技術とドライエッチング技術を使用して、シリコン酸化膜からなる絶縁膜1036、1035、1034、1033、1032を貫通する下部電極101、上部電極104へのパッド開口部202,203を形成する。 以上のようにして、本実施例1におけるCMUT素子を形成することができる。
第1空洞層102が矩形状の場合、可動部304の振動を規定する固定部は第1空洞層102の長手方向の両側面の固定部であるため、その部分のみに第2空洞層を設ければ、接続部3031、3032が変形し、可動部304の撓みを抑制することが可能となり、メンブレンの所定の振幅比以上の振動面積を増加させることができる。
なお、実施例2、3においても、柔軟部材層1501、または第2空洞層305の外周の輪郭線205が第1空洞層102の外形の輪郭とほぼ一致している例を示している。しかし、これは必ずしも一致させる必要はなく、第1空洞層102の外形の輪郭の近傍であれば、外側に位置しても、内側に位置してもよい。
ただし、柔軟部材層1501、または第2空洞層305の内周の輪郭線204は、第1空洞層102の上面から見て、第1空洞層102の外形の輪郭の内側に位置することが必要である。
まず図20及び図21を参照して、本実施形態の超音波撮像装置の構成を説明する。図20は、超音波撮像装置の全体構成を示す斜視図、図21は、超音波撮像装置の機能を示すブロック図である。
超音波探触子2002は、被検体に接触させて被検体との間で超音波を送受波する装置であり、多数のトランスデューサ素子を1次元または2次元アレイ状に配置した構造を有する超音波トランスデューサ2007と、音響レンズやバッキング材などを備えている。本実施形態の超音波撮像装置では、超音波トランスデューサ2007は、例えばCMUT素子を数百個〜1万個程度の範囲で1次元または2次元アレイ状に配置して構成されている。
なお図20では、一例として、本体2005の底部に車輪を備えた可動式の超音波撮像装置を示しているが、本実施形態は、検査室に固定された超音波撮像装置、ノート型やボックス型などの携帯型超音波撮像装置、その他、公知の超音波撮像装置に適用することができる。
超音波送受信回路2111は、超音波探触子2002から超音波を送波するための駆動電圧を発生させたり、超音波探触子2002からエコー信号を受信するもので、遅延回路、フィルタ、ゲイン調整回路などを備えている。
信号処理回路2112は、受信したエコー信号に対し、LOG圧縮、深度補正等の補正や画像作成等に必要な処理を行うもので、DSC(デジタルスキャンコンバータ)、カラードプラ回路、FFT解析部などを含んでいてもよい。信号処理回路2112による信号処理は、アナログ信号処理及びデジタル信号処理のいずれも可能であり、一部はソフトウェアで実現でき、またASIC(application specific integrated circuit)やFPGA(field-programmable gate array)で実現することも可能である。
102、305 空洞層
103 固定部(絶縁膜)
104 上部電極
105 メンブレン
106,107 絶縁膜
201 ウェットエッチング孔
202 下部電極への開口部
203 上部電極への開口部
204 可動部を囲む境界となる第2空洞層の輪郭線
205 接続部を囲む境界となる第2空洞層の輪郭線
301 基板
302 固定部
3031、3032 接続部
304 可動部
305 第2空洞層
306 実施例3における2列の第2空洞層を接続する第2空洞層
401 電圧印加時における実施例1の変位形状
402 電圧印加時における従来のCMUTの変位形状
403 実施例1の変位形状に生じた屈曲
501 犠牲層
1031,1032,1033,1034、1035、1036 絶縁膜
1501 柔軟部材
2001 超音波撮像装置
2002 超音波探触子
2003 表示部
2004 操作部
2005 本体部
2006 プローブ接続部
2007 超音波トランスデューサ
2111 超音波送受信部
2112 信号処理部
2113 制御部
2114 メモリ部
2115 電源装置
2116 補助装置
Claims (6)
- 基板と、
前記基板の第1主面上に形成された下部電極と、
前記下部電極上に形成された第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜上に形成された第1空洞層と、
前記第1空洞層上に形成された第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜上に形成され、上面からみて前記第1空洞層と重なる位置に配置された上部電極と、
前記上部電極上に形成された第3絶縁膜と、
前記第3絶縁膜上に形成された第2空洞層と、
前記第2空洞層上に形成された第4絶縁膜と、
前記基板の第1主面の上面からみて、
前記第1空洞層外周を取り囲む前記第2、3、4絶縁膜より成る固定部と、
前記第1空洞層上に形成された前記第2、3、4絶縁膜と前記上部電極より成るメンブレンにおいて、前記第2空洞層より内側の領域になる可動部と、
前記可動部と前記固定部を接続する前記第2、3、4絶縁膜より成る接続部として、第1接続部と、該第1接続部と間隔を隔てて積層して配置された第2接続部とを有し、
前記第1接続部と前記第2接続部の間に前記第2空洞層を有し、
前記第2空洞層は、前記基板の第1主面の上面からみて前記第1空洞層と比較して、その内周部は前記第1空洞層と重なる位置に配置され、及びその外周部の一部、または全てが前記第1空洞層の外形の輪郭より外側の領域に配置されていることを特徴とする超音波トランスデューサ素子。 - 基板と、
前記基板の第1主面上に形成された下部電極と、
前記下部電極上に形成された第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜上に形成された第1空洞層と、
前記第1空洞層上に形成された第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜上に形成され、上面からみて前記第1空洞層と重なる位置に配置された上部電極と、
前記上部電極上に形成された第3絶縁膜と、
前記第3絶縁膜上に形成された絶縁膜より弾性率の低い材料層と、
前記材料層上に形成された第4絶縁膜と、
前記基板の第1主面の上面からみて、
前記第1空洞層外周を取り囲む前記第2、3、4絶縁膜より成る固定部と、
前記第1空洞層上に形成された前記第2、3、4絶縁膜と前記上部電極より成るメンブレンにおいて、前記材料層より内側の領域になる可動部と、
前記可動部と前記固定部を接続する前記第2、3、4絶縁膜より成る接続部として、第1接続部と、該第1接続部と間隔を隔てて積層して配置された第2接続部とを有し、
前記第1接続部と前記第2接続部の間に両接続部と比較して弾性率の低い前記材料層を有し、
絶縁膜より弾性率の低い前記材料層は、前記基板の第1主面の上面からみて前記第1空洞層と比較して、その内周部は前記第1空洞層と重なる位置に配置され、及びその外周部の一部、または全てが前記第1空洞層の外形の輪郭より外側の領域に配置されていることを特徴とする超音波トランスデューサ素子。 - 前記第2の空洞層は、前記基板の第1主面の上面からみて前記第1空洞層の対向する2辺に沿って少なくとも2列の帯状に、かつ前記第1空洞層と重なる位置に、配置されていることを特徴とする請求項1に記載の超音波トランスデューサ素子。
- 前記両接続部と比較して弾性率の低い材料層は、前記基板の第1主面の上面からみて前記第1空洞層の対向する2辺に沿って少なくとも2列の帯状に、かつ前記第1空洞層と重なる位置に、配置されていることを特徴とする請求項2に記載の超音波トランスデューサ素子。
- 請求項1乃至4のいずれかの請求項に記載の超音波トランスデューサ素子において、
前記基板の第1主面の上面からみて前記第1空洞層の外形形状が矩形、円形、または六角形であることを特徴とする超音波トランスデューサ素子。 - 請求項1乃至5のいずれかの請求項に記載の超音波トランスデューサ素子を1次元または2次元アレイ状に配置した超音波トランスデューサを備えた超音波探触子を有することを特徴とする超音波撮像装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2015/066236 WO2016194208A1 (ja) | 2015-06-04 | 2015-06-04 | 超音波トランスデューサ素子、その製造方法及び超音波撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2016194208A1 JPWO2016194208A1 (ja) | 2018-05-24 |
JP6636516B2 true JP6636516B2 (ja) | 2020-01-29 |
Family
ID=57441914
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017521459A Active JP6636516B2 (ja) | 2015-06-04 | 2015-06-04 | 超音波トランスデューサ素子、及び超音波撮像装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10610890B2 (ja) |
EP (1) | EP3306952B1 (ja) |
JP (1) | JP6636516B2 (ja) |
WO (1) | WO2016194208A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016194208A1 (ja) * | 2015-06-04 | 2016-12-08 | 株式会社日立製作所 | 超音波トランスデューサ素子、その製造方法及び超音波撮像装置 |
CN110287617B (zh) * | 2019-06-28 | 2022-09-27 | 中北大学 | 一种大功率超声换能器的设计及相关参数求解方法 |
CN111954129A (zh) | 2020-08-14 | 2020-11-17 | 美特科技(苏州)有限公司 | 一种扬声器模块 |
JP2023062603A (ja) * | 2021-10-21 | 2023-05-08 | 株式会社メムス・コア | 音響誘導型半導体素子及び音響素子集積回路 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4632853B2 (ja) | 2005-05-13 | 2011-02-16 | オリンパスメディカルシステムズ株式会社 | 静電容量型超音波振動子とその製造方法 |
CN104646260B (zh) * | 2005-10-18 | 2018-08-28 | 株式会社日立制作所 | 超声波探头 |
EP2215854A1 (en) | 2007-12-03 | 2010-08-11 | Kolo Technologies, Inc. | Stacked transducing devices |
US8483014B2 (en) | 2007-12-03 | 2013-07-09 | Kolo Technologies, Inc. | Micromachined ultrasonic transducers |
WO2009097576A2 (en) * | 2008-01-30 | 2009-08-06 | Temte John D | Interactive system and method for transacting business over a network |
JP2009182838A (ja) | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Kyoto Univ | 弾性波トランスデューサ、弾性波トランスデューサアレイ、超音波探触子、超音波撮像装置 |
JP2012004926A (ja) | 2010-06-18 | 2012-01-05 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | プローブ及び超音波診断装置 |
JP6390428B2 (ja) * | 2012-12-28 | 2018-09-19 | コニカミノルタ株式会社 | 超音波振動子セル、超音波プローブ、及び超音波振動子セルの制御方法 |
WO2016194208A1 (ja) * | 2015-06-04 | 2016-12-08 | 株式会社日立製作所 | 超音波トランスデューサ素子、その製造方法及び超音波撮像装置 |
JP6763731B2 (ja) * | 2016-09-28 | 2020-09-30 | 株式会社日立製作所 | 超音波トランスデューサ、その製造方法および超音波撮像装置 |
-
2015
- 2015-06-04 WO PCT/JP2015/066236 patent/WO2016194208A1/ja active Application Filing
- 2015-06-04 JP JP2017521459A patent/JP6636516B2/ja active Active
- 2015-06-04 US US15/579,383 patent/US10610890B2/en active Active
- 2015-06-04 EP EP15894241.7A patent/EP3306952B1/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20180161813A1 (en) | 2018-06-14 |
JPWO2016194208A1 (ja) | 2018-05-24 |
EP3306952A1 (en) | 2018-04-11 |
US10610890B2 (en) | 2020-04-07 |
WO2016194208A1 (ja) | 2016-12-08 |
EP3306952B1 (en) | 2020-11-04 |
EP3306952A4 (en) | 2019-01-09 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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