JP6635273B2 - 改善された感度を有するmemsマイクロフォン - Google Patents
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Description
BC : バイアス回路
CC : 充電回路
CLCC : 閉ループ制御回路
MCAP : MEMS キャパシタ
MEMS : MEMSキャパシタを備えるMEMS部品
MM : MEMSマイクロフォン
R : 抵抗
R1,R2,R3: 抵抗
S : 感度
S1,S2,S3: スイッチ
SCC : 傾斜制御回路
SG : 傾斜発生器
SO : 信号出力
T : 温度
T1, T2, ...,TN : 閾値温度
TS : 温度センサ
V : 電圧
V1,V2,V3: 電圧
VB : 電圧バッファ
Vbias : 充電回路を制御するバイアス電圧
Voffset : オフセット電圧
Vsg : 傾斜発生器の出力電圧
Claims (12)
- 改善された感度を有するMEMSマイクロフォン(MM)であって、
1つの可変キャパシタンスを有する1つのMEMSキャパシタ(MCAP)と、
前記MEMSキャパシタ(MCAP)を充電するために設けられた1つの充電回路(CC)と、
前記充電回路(CC)に印加されるバイアス電圧Vbiasを生成するために設けられた1つのバイアス回路(BC)と、
を備え、
前記バイアス回路(BC)は、1つの閉ループ制御回路(CLCC)を備え、
前記バイアス電圧Vbiasは、温度区間ごとに異なる傾斜の温度依存性を有する、
ことを特徴とするMEMSマイクロフォン。 - 前記閉ループ制御回路(CLCC)は、1つの温度センサ(TS)を備えることを特徴とする、請求項1に記載のMEMSマイクロフォン。
- 前記温度センサ(TS)は、PTAT電圧Vsenを出力することを特徴とする、請求項2に記載のMEMSマイクロフォン。
- 前記閉ループ制御回路(CLCC)は、1つの傾斜発生器(SG)を備えることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれか1項に記載のMEMSマイクロフォン。
- 前記傾斜発生器(SG)は、1つのコンパレータおよび複数の、1つの抵抗(R)および1つのスイッチ(S)から成る直列接続体を備えることを特徴とする、請求項4に記載のMEMSマイクロフォン。
- 前記閉ループ制御回路(CLCC)は、1つの傾斜制御回路(SCC)を備えることを特徴とする、請求項1乃至5のいずれか1項に記載のMEMSマイクロフォン。
- 前記傾斜制御回路(SCC)は、複数のコンパレータを備えることを特徴とする、請求項6に記載のMEMSマイクロフォン。
- 前記充電回路(CC)は、1つのチャージポンプを備えることを特徴とする、請求項1乃至7のいずれか1項に記載のMEMSマイクロフォン。
- 請求項4又は5に記載のMEMSマイクロフォンにおいて、
前記傾斜発生器(SG)は、直線性の電圧Vsgを発生し、
前記Vsgの傾斜は、所与の温度で前記MEMSマイクロフォン(MM)の感度の温度依存性−S(t)の負の傾斜にほぼ比例している、
ことを特徴とするMEMSマイクロフォン。 - 前記バイアス電圧は、複数の温度に依存しない電圧および複数の温度に依存する電圧から選択された複数の電圧の合計であることを特徴とする、請求項1乃至9のいずれか1項に記載のMEMSマイクロフォン。
- 前記バイアス回路(BC)は、前記MEMSマイクロフォン(MM)の1つのASICの一部分であることを特徴とする、請求項1乃至10のいずれか1項に記載のMEMSマイクロフォン。
- 前記MEMSマイクロフォンは、直線パラメータ(複数)を格納するための、1つの不揮発性メモリを備えることを特徴とする、請求項1乃至11のいずれか1項に記載のMEMSマイクロフォン。
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