JP6627989B2 - 電流センサ及び電流センサユニット - Google Patents
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Description
本発明は、電流により発生する磁界の強さを検出することにより、電流の大きさを検出する電流センサに関する。
特許文献1は、被測定導体に流れる被測定電流の大きさを検出する電流センサを開示する。この電流センサは、被測定電流が流れる被測定導体と、被測定導体に対して固定配置された磁電変換素子と、磁電変換素子を磁気遮蔽する磁気シールド体とを備える。磁気シールド体は、被測定導体と磁電変換素子とを内側に囲む環状取り囲み部を有し、環状取り囲み部には、磁気飽和を抑制する空隙が形成されている。磁気シールド部には、内部の被測定導体から生じた被測定磁界が集磁されると共に、外部磁界が集磁される。これにより、外乱磁界の影響を低減することができる。
特許文献2は、バスバーに流れる電流の大きさを検出する電流センサを開示する。バスバーは、その厚さ方向の異なる位置に配置された平行な2本のラインを備える。電流センサは2つのホール素子を備える。2つのホール素子は、バスバーの厚さ方向に2本のラインに挟まれるように配置され、2本のラインに流れる電流に応じて発生する磁界の強さを各々に検出する。そして、電流センサは、2つのホール素子の出力電圧を差動増幅する。これにより、外乱磁界の影響を低減することができる。
本発明は、外乱磁界による影響を低減することができる電流センサ及び電流センサユニットを提供することを目的とする。
本発明の電流センサは、測定対象の電流の大きさに応じた出力信号を出力する電流センサである。この電流センサは、分岐されて形成された第1流路部と第2流路部であって、測定対象の電流の一部が流れる第1流路部と、電流の一部以外の電流が流れる第2流路部とを有する導体と、第1流路部に流れる電流により発生する第1磁界の強さを検出する第1磁気素子と、第2流路部に流れる電流により発生する第2磁界の強さを検出する第2磁気素子と、第1流路部と第2流路部との間で、かつ、第1磁気素子と第2磁気素子との間に配置され、磁性体材料を含む磁気シールド体とを備える。
また、本発明の電流センサユニットは上記の複数の電流センサを備える。複数の電流センサは、各導体が並行に配列されるように配置される。
本発明によれば、電流センサ及び電流センサユニットにおいて、外乱磁界による影響を低減することができる。
以下、添付の図面を参照して本発明に係る電流センサの実施形態を説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
(実施形態1)
以下、実施形態1に係る電流センサを図1A〜図8Dを用いて説明する。
以下、実施形態1に係る電流センサを図1A〜図8Dを用いて説明する。
1.構成
図1Aは、実施形態1に係る電流センサの外観を示す斜視図であり、図1Bは、図1Aに示す電流センサをIB−IB線矢印方向から見た断面図である。図2Aは、実施形態1に係る電流センサ(筐体省略)の外観を示す斜視図であり、図2Bは、図2Aに示す電流センサ(筐体省略)をIIB−IIB線矢印方向から見た断面図である。図3は、図2Aに示す電流センサにおける導体の外観を示す斜視図である。図1A〜図3において、X軸方向は後述する導体110の幅方向であり、Y軸方向は導体110の長さ方向であり、Z軸方向は導体110の厚さ方向である。
図1Aは、実施形態1に係る電流センサの外観を示す斜視図であり、図1Bは、図1Aに示す電流センサをIB−IB線矢印方向から見た断面図である。図2Aは、実施形態1に係る電流センサ(筐体省略)の外観を示す斜視図であり、図2Bは、図2Aに示す電流センサ(筐体省略)をIIB−IIB線矢印方向から見た断面図である。図3は、図2Aに示す電流センサにおける導体の外観を示す斜視図である。図1A〜図3において、X軸方向は後述する導体110の幅方向であり、Y軸方向は導体110の長さ方向であり、Z軸方向は導体110の厚さ方向である。
図1A〜図2Bに示すように、本実施形態1に係る電流センサ100は、導体110と磁気センサユニット160とを備える。
図2A及び図3に示すように、導体110は板状の導体から構成される。導体110の長さ方向(Y軸方向)における両端部には、電流センサ100の固定及び電気的接続のための固定用孔110hが形成されている。
導体110は、長さ方向(Y軸方向)における一部分(途中)において、第1流路部110aと第2流路部110bとに分岐される。第1流路部110aと第2流路部110bとは、導体110の幅方向(X軸方向)に並んでいる。第1流路部110aと第2流路部110bとの間には、スリット110sが形成されている。スリット110sは、導体110の幅方向(X軸方向)において導体110の略中央に位置している。第1流路部110aは、導体110の一方の面側(+Z方向側)に突出しており、第2流路部110bは、導体110の他方の面側(−Z方向側)に突出している。
図3に示すように、第1流路部110aは、導体110の一方の面に直交するように当該一方の面から突出する第1突出部111a及び第2突出部112aと、導体110の長さ方向(Y軸方向)に延在し、第1突出部111aと第2突出部112aとを繋ぐ第1延在部113aとを有する。
より具体的には、第1流路部110aにおいて、第1突出部111aは、スリット110sの長手方向の一端側の一側方に連接される一端を有すると共に、導体110の一方の面から他方の面とは反対側に向かって突出する。第1延在部113aは、第1突出部111aの他端に連接される一端を有すると共に、導体110の長手方向(Y軸方向)に延在する。第2突出部112aは、第1延在部113aの他端に連接される一端を有すると共に、スリット110sの長手方向の他端側の一側方に連接される他端を有する。第1流路部110aは、導体110の幅方向から見たときに略U字形状になる。
同様に、第2流路部110bは、導体110の他方の面に直交するように当該他方の面から突出する第3突出部111b及び第4突出部112bと、導体110の長さ方向(Y軸方向)に延在し、第3突出部111bと第4突出部112bとを繋ぐ第2延在部113bとを有する。第2流路部110bにおける第3突出部111bと第4突出部112bと第2延在部113bとの間の位置関係は、第1流路部110aにおける第1突出部111aと第2突出部112aと第1延在部113aとの間の位置関係と同様である。
導体110において、第1流路部110aと第2流路部110bとは互いに逆方向に突出する。これにより、第1流路部110aと第2流路部110bとによって空間が形成される。この空間には磁気センサユニット160が配置される。
導体110の材料としては、銅、銀、アルミニウム若しくは鉄などの金属、又はこれらの金属を含む合金などが用いられてもよい。また、導体110には、表面処理が施されていてもよい。たとえば、ニッケル、錫、銀若しくは銅などの金属、又はこれらの金属を含む合金からなる、少なくとも1層のめっき層が、導体110の表面に設けられていてもよい。また、導体110は、鋳造、切削加工又はプレス加工などにより形成されてもよい。
図1A〜図2Bに示すように、磁気センサユニット160は、筐体165内に、第1磁気センサ120a及び第2磁気センサ120b、並びに増幅部130等の電子部品を搭載した基板140と、第1磁気シールド部150a及び第2磁気シールド部150bとを備える。
筐体165は、例えば、略直方体状の外形を有する樹脂モールドである。筐体165は、第1流路部110aの第1延在部113a(図3)及び第2流路部110bの第2延在部113bが筐体165内部で基板140等の上記各部と共に固定されるように成形されている。これにより、第1流路部110aに対する第1磁気センサ120aの位置、及び、第2流路部110bに対する第2磁気センサ120bの位置の設定が容易となる。
筐体165は、電気絶縁性を有する材料からなる。例えば、筐体165は、PPS(ポリフェニレンサルファイド)などのエンジニアリングプラスチックで形成されている。PPSは、耐熱性が高いため、導体110の発熱を考慮した場合、筐体165の材料として好ましい。
基板140は、筐体165内に固定されている。基板140は、プリント配線板であり、ガラスエポキシ又はアルミナなどの基材と、基材の表面上に設けられた銅などの金属箔がパターニングされて形成された配線とから構成されている。
基板140には、第1磁気センサ120a及び第2磁気センサ120b、並びに増幅部130といった電子部品が実装されている。これらの電子部品は、樹脂パッケージされていてもよく、又は、シリコーン樹脂若しくはエポキシ樹脂などでポッティングされていてもよい。
本実施形態では、第1磁気センサ120a及び第2磁気センサ120bの各々は、樹脂パッケージされ、主面を有する直方体形状を有する。第1磁気センサ120a及び第2磁気センサ120bの各々は、例えばそれぞれの主面に並行な方向に感度軸を有する。この場合、第1磁気センサ120a及び第2磁気センサ120bとして、HSOP(High-Power Small Outline Package)部品や、LQFP(Low Profile Quad Flat Package)部品を用い、これらの部品を実装する基板140は、XY平面に沿って配置される。基板140において、第1及び第2磁気センサ120a,120bは、それぞれの感度軸の方向が適宜、許容誤差の範囲内で、導体110の幅方向(第1磁気センサ120aが+X方向、第2磁気センサ120bが−X方向)に並行となるように配置される。
第1磁気センサ120aは、幅方向(X軸方向)において第1流路部110a側に位置している。第2磁気センサ120bは、幅方向(X軸方向)において第2流路部110b側に位置している。これにより、第1磁気センサ120aは、第1流路部110aに流れる電流により発生する第1磁界の強さを検出し、第2磁気センサ120bは、第2流路部110bに流れる電流により発生する第2磁界の強さを検出する。すなわち、第1磁気センサ120a及び第2磁気センサ120bは、導体110に流れる電流により発生する磁界の強さを検出する。
なお、第1流路部110aと第2流路部110bとの間のスリット110sは、導体110の幅方向(X軸方向)において、第1磁気センサ120aと第2磁気センサ120bとの中間に位置する。スリット110sの幅は、これらの磁気センサに入力される磁界の強さを調整するために適宜調整されてもよい。
第1磁気シールド部150aは、第1中央側壁部151aと、第1連接壁部152aと、第1外側壁部153aとを有する。これらの第1中央側壁部151a、第1連接壁部152a及び第1外側壁部153aの各々は、平板形状を有する。第1中央側壁部151aと第1外側壁部153aは並行し、互いに対向している。第1連接壁部152aは、第1中央側壁部151aと連接されるとともに、第1外側壁部153aとも連接されている。すなわち、導体110の厚さ方向において、第1中央側壁部151aの側縁部と第1外側壁部153aの側縁部は、第1連接壁部152aによって連結されている。これにより、第1磁気シールド部150aはその断面がU字状の形状を有する。
第1磁気シールド部150aは、第1流路部110a及び第1磁気センサ120aをU字状に囲い、かつ、第1連接壁部152aが第1流路部110aと平行になるように、配置されている。
具体的には、第1中央側壁部151aは、導体110の主面と交差するように、かつ、第1流路部110aと第2流路部110bとの間のスリット110sに、導体110の厚さ方向に沿って延びるように配置されている。さらに、第1中央側壁部151aは、第1磁気センサ120aと第2磁気センサ120bとの間に配置されている。第1外側壁部153aは、導体110の主面と交差するように、かつ、第1流路部110a及び第1磁気センサ120aを介して第1中央側壁部151aと対向するように配置されている。第1連接壁部152aは、導体110の主面と平行で、かつ、第1流路部110aを介して第1磁気センサ120aと対向するように配置されている。
同様に、第2磁気シールド部150bは、第2中央側壁部151bと、第2連接壁部152bと、第2外側壁部153bとを有する。これらの第2中央側壁部151b、第2連接壁部152b及び第2外側壁部153bの各々は、平板形状を有する。第2中央側壁部151bと第2外側壁部153bは互いに対向している。第2連接壁部152bは、第2中央側壁部151bと連接されるとともに、第2外側壁部153bとも連接されている。すなわち、第2中央側壁部151bと第2外側壁部153bは、第2連接壁部152bによって連結されている。これにより、第2磁気シールド部150bはその断面がU字状の形状を有する。
第2磁気シールド部150bは、第2流路部110b及び第2磁気センサ120bをU字状に囲い、かつ、第2連接壁部152bが第2流路部110bと平行になるように、配置されている。
具体的には、第2中央側壁部151bは、導体110の主面と交差するように、かつ、第1流路部110aと第2流路部110bとの間のスリット110sに、配置されている。さらに、第2中央側壁部151bは、第1磁気センサ120aと第2磁気センサ120bとの間に配置されている。
第2外側壁部153bは、導体110の主面と交差するように、かつ、第2流路部110b及び第2磁気センサ120bを介して第2中央側壁部151bと対向するように配置されている。第2連接壁部152bは、導体110の主面と平行で、かつ、第2流路部110bを介して第2磁気センサ120bと対向するように設けられている。
なお、第2磁気シールド部150bの第2中央側壁部151bは、第1磁気シールド部150aの第1中央側壁部151aよりも第2流路部110b及び第2磁気センサ120b側に配置されてもよいし、第1中央側壁部151aよりも第1流路部110a及び第1磁気センサ120a側に配置されてもよい。
以上のことから、図1Bに示すように、導体110の長手方向に対して直交する断面において、第1磁気センサ120aと第2磁気センサ120bは、スリット110sを介して対向するように、一方側と他方側にそれぞれ配置されることにより、導体110の幅方向に並んで配置される。第1流路部110aの第1延在部113aと第2流路部110bの第2延在部113bとは(図3参照)、スリット110sを介して一方側と他方側であって、且つ、導体110の主面に沿って並行配置された基板140を介して上方側と下方側にそれぞれ配置される。
また、上述のとおり、第1磁気シールド部150aは、第1流路部110a及び第1磁気センサ120aをU字状に囲うことにより、第1磁気センサ120aは、第1流路部110aと当該U字状の開口部との間に配置される。同様に、第2磁気シールド150bは、第2流路部110b及び第2磁気センサ120bをU字状に囲うことにより、第2磁気センサ120bは、第2流路部110bと当該U字状の開口部との間に配置される。その結果、第1中央側壁部151aと第2中央側壁部151bは、導体110の幅方向に対向しつつ並行に配置される。
第1磁気シールド部150a及び第2磁気シールド部150bの各々の材料には、種々の磁性体材料を用いることが可能である。例えば、第1磁気シールド部150a及び第2磁気シールド部150bの各々の材料には、PBパーマロイ、PCパーマロイ、42Ni、方向性電磁鋼板、無方向性電磁鋼板、鉄などの軟磁性体材料を用いてもよい。PBパーマロイ、PCパーマロイ、42Niなどの透磁率が高い材料を用いることにより、磁気シールド効果を高めることができる。また、磁気シールド内の磁界が大きいときには、無方向性電磁鋼板、鉄などの磁気飽和時の磁界の大きさが大きい材料を用いればよい。また、第1磁気シールド部150a及び第2磁気シールド部150bの各々は、複数の層を有し、各層に異なる材料を用いてもよい。
図4は、電流センサ100における磁気センサユニット160の電気的な構成を示すブロック図である。図4に示すように、本実施形態に係る電流センサ100において、第1磁気センサ120a及び第2磁気センサ120bの各々は、4つのAMR(Anisotropic Magneto Resistance)素子などの磁気抵抗素子からなるホイートストンブリッジ型のブリッジ回路を有する。すなわち、第1磁気センサ120a及び第2磁気センサ120bの各々において、2つの磁気抵抗素子MR1とMR2の直列回路と、2つの磁気抵抗素子MR3とMR4の直列回路とが並列に接続されている。第1磁気センサ120a及び第2磁気センサ120bの各々は、電源電圧Vddで定電圧駆動される。なお、第1磁気センサ120a及び第2磁気センサ120bの駆動方法としては、定電流駆動、パルス駆動などが用いられてもよい。
第1磁気センサ120a及び第2磁気センサ120bの各々は、2つの磁気抵抗素子からなるハーフブリッジ回路を有していてもよい。また、第1磁気センサ120a及び第2磁気センサ120bの各々は、AMR素子に代えて、GMR(Giant Magneto Resistance)、TMR(Tunnel Magneto Resistance)、BMR(Balistic MagnetoResistance)、CMR(Colossal Magneto Resistance)などの磁気抵抗素子を有していてもよい。また、第1磁気センサ120a及び第2磁気センサ120bとして、ホール素子を有する磁気センサ、磁気インピーダンス効果を利用するMI(Magneto Impedance)素子を有する磁気センサ又はフラックスゲート型磁気センサなどを用いることができる。
増幅部130は、第1磁気センサ120aの出力電圧と第2磁気センサ120bの出力電圧とを差動増幅して、電流センサ100の出力電圧として出力する。増幅部130は、複数の増幅器130a、130b、130cを備える。
増幅器130aのマイナス入力端子は、第1磁気センサ120aにおける磁気抵抗素子MR3と磁気抵抗素子MR4との間の接続点に接続されており、増幅器130aのプラス入力端子は、第1磁気センサ120aにおける磁気抵抗素子MR1と磁気抵抗素子MR2との間の接続点に接続されている。増幅器130aは、第1磁気センサ120aの出力電圧を増幅する。
増幅器130bのマイナス入力端子は、第2磁気センサ120bにおける磁気抵抗素子MR3と磁気抵抗素子MR4との間の接続点に接続されており、増幅器130bのプラス入力端子は、第2磁気センサ120bにおける磁気抵抗素子MR1と磁気抵抗素子MR2との間の接続点に接続されている。増幅器130bは、第2磁気センサ120bの出力電圧を増幅する。
増幅器130cのマイナス入力端子は、増幅器130aの出力端子に接続されており、増幅器130cのプラス入力端子は、増幅器130bの出力端子に接続されている。増幅器130cは、増幅器130aの出力電圧と増幅器130bの出力電圧とを差動増幅する。
2.動作
以上のように構成された電流センサ100について、その動作を以下に説明する。
以上のように構成された電流センサ100について、その動作を以下に説明する。
2.1.動作の概要
図5は、電流センサ100において観測される磁界を説明するための図である。図5は、図2AのIIB−IIB線矢印方向から見た電流センサ100の断面を示す。図5には、説明の便宜上、電流センサ100における第1流路部110a及び第2流路部110b、第1磁気センサ120a及び第2磁気センサ120b、並びに第1磁気シールド部150a及び第2磁気シールド部150bのみが示されている。
図5は、電流センサ100において観測される磁界を説明するための図である。図5は、図2AのIIB−IIB線矢印方向から見た電流センサ100の断面を示す。図5には、説明の便宜上、電流センサ100における第1流路部110a及び第2流路部110b、第1磁気センサ120a及び第2磁気センサ120b、並びに第1磁気シールド部150a及び第2磁気シールド部150bのみが示されている。
導体110において長さ方向(Y軸方向)に測定対象の電流が流れると、この電流は、第1流路部110aと第2流路部110bとに分流される。すなわち、第1流路部110aには測定対象の電流における一部の電流が流れ、第2流路部110bには測定対象の電流における残りの電流が流れる。
図5に示すように、第1流路部110aに流れる電流I1により、第1流路部110aを周回する第1磁界H1が発生する。第1磁界H1は、第1磁気シールド部150aにおける第1外側壁部153a、第1連接壁部152a及び第1中央側壁部151aに集磁され、第1磁気センサ120aに導かれる。第1磁気センサ120aは、第1磁界H1の強さを検出し、第1磁界H1の強さに応じた電圧を出力する。第1磁気シールド部150aにより、第1磁気センサ120aに入力される磁束密度強度が、第1磁気シールド部150aを用いない場合よりも増大する(なお、「磁束密度強度」は、磁束密度のベクトル場における所定方向(例えば感度軸方向)の成分の絶対値をいうこととする)。
また、第2流路部110bに流れる電流I2により、第2流路部110bを周回する第2磁界H2が発生する。第2磁界H2は、第2磁気シールド部150bにおける第2外側壁部153b、第2連接壁部152b及び第2中央側壁部151bに集磁され、第2磁気センサ120bに導かれる。第2磁気センサ120bは、第2磁界H2の強さを検出し、第2磁界の強さに応じた電圧を出力する。
増幅部130は、第1磁気センサ120aの出力電圧と第2磁気センサ120bの出力電圧とを差動増幅する。これにより、電流センサ100は、導体110に流れる電流の大きさに応じた電圧を出力する。
このように、本実施形態の電流センサ100は、第1磁気センサ120aの出力電圧と第2磁気センサ120bの出力電圧とを差動増幅する。これにより、1つの磁気センサを用いる場合と比較して、検出感度を高めることができる。また、本実施形態では、差動増幅を採用することにより、隣接して配置された導体に流れる電流により発生する磁界等の外乱磁界によるコモンモードノイズを低減することができる。これにより、本実施形態の電流センサ100は、導体110を流れる測定対象の電流に対する感度を高めつつ、外乱磁界の影響を低減することができる。
ここで、本開示に至った経緯を説明する。本開示では、外乱磁界による影響をより低減することを課題とする。また、本開示では、導体110を流れる測定対象の電流に対する感度をより高めることを課題とする。このような課題を解決するために、本願発明者は、当初、図6に示すような電流センサの構成を検討した。
図6に示す電流センサ100Xでは、分岐されて形成された第1流路部110a及び第2流路部110bを有する導体110と、第1磁気センサ120a及び第2磁気センサ120bと、増幅部130(図示省略)とを、特許文献2に開示されたような略環状の磁気シールド部150Xで囲っている。磁気シールド部150Xには、磁気飽和を抑制するためのギャップ155Xが形成されている。
磁気シールド部150Xにおける第1磁気シールド部150aXは、第1流路部110aに流れる電流I1により発生する第1磁界(信号磁界)H1を集磁する。集磁された第1磁界H1は、ギャップ155Xにおいて磁気シールド部150Xの内部を横切ることにより、第1流路部110aを周回する。この際、第1磁界H1に応じた磁束の一部は、磁気抵抗が低い第2磁気シールド部150bXに集磁される。第1磁気センサ120aは、ギャップ155Xにおいて磁気シールド部150Xの内部を横切る第1磁界(信号磁界)H1を検出する。
同様に、磁気シールド部150Xにおける第2磁気シールド部150bXは、第2流路部110bに流れる電流I2により発生する第2磁界(信号磁界)H2を集磁する。集磁された第2磁界H2は、ギャップ155Xにおいて磁気シールド部150Xの内部を横切ることにより、第2流路部110bを周回する。この際、第2磁界H2に応じた磁束の一部は、磁気抵抗が低い第2磁気シールド部150bXに集磁され、残りは第1磁気シールド部150aXに集磁される。第2磁気センサ120bは、ギャップ155Xにおいて磁気シールド部150Xの内部を横切る第2磁界(信号磁界)H2を検出する。
このような磁気シールド部150Xの構成では、集磁した第1磁界及び第2磁界(信号磁界)により磁気飽和(磁性体内の磁束密度強度が大きくなり、透磁率が低下した状態)が生じてしまい、外乱磁界のシールド効果が損なわれてしまう。磁気飽和を防ぐためには、磁気シールドの厚みを厚くするか、ギャップを大きくする手法があるが、何れの手法も装置の大型化を招くので好ましくない。
また、ギャップ155Xにおいて磁気シールド部150Xの内部を横切る第1磁界H1の向きと第2磁界H2の向きとは逆向きとなるため、第1磁界H1と第2磁界H2とは互いに弱め合う。そのため、第1磁気センサ120a及び第2磁気センサ120bに入力される磁界(信号磁界)が弱くなってしまい、測定対象の電流に対する感度が低下してしまう。
本願発明者は、上記の問題点を解決するため、以下の磁場解析を行った。
図7は、図3に示す導体110の通電時の磁場解析の結果を示し、VII−VII線を含むZX平面におけるX方向の磁束密度強度コンター図(磁束密度の等値分布図)である。この磁場解析では、導体110に500Aの電流を流した。
図7の解析結果によれば、X方向における第1流路部110aと第2流路部110bとの間の領域Rにおいて、磁束密度強度(磁界の大きさ)が小さいことがわかる。領域Rでは、第1流路部110aに流れる電流により発生する第1磁界(信号磁界)による磁束の向きと、第2流路部110bに流れる電流により発生する第2磁界(信号磁界)による磁束の向きとが逆向きとなる(図5の領域Rを参照)。このため、第1磁界と第2磁界とが互いに打ち消し合って信号磁界の磁束密度強度が小さくなる。
この解析結果より、本願発明者は、領域Rでは、磁束密度強度が小さくなることから、磁性体が磁気飽和することを抑制することができる(すなわち、磁性体内の磁束密度強度を小さくして、透磁率の低下を抑制することができる)と考えた。そして、本願発明者は、磁性体の磁気飽和が抑制される第1流路部110aと第2流路部110bとの間の領域に、磁気シールド部を設けることを考案した。さらに、本願発明者は、第1流路部110a及び第2流路部110bの各々を磁気シールド体でU字状に囲うことを考案した。
次に、本願発明者は、本開示の電流センサにおける磁気シールド部の効果を検証するため、以下の磁場解析を行った。
図8Aは、図3に示す導体110に、さらに本実施形態の第1磁気シールド部150a及び第2磁気シールド部150bを配置した構成を示す図である。第1磁気シールド部150a及び第2磁気シールド部150bの材料はケイ素鋼とし、これらの厚さは1mmとした。
図8Bは、図8Aに示す構成における導体110の通電時の磁場解析の結果を示し、VIII−VIII線を含むZX平面における第1磁気シールド部150a及び第2磁気シールド部150bのみの磁束密度強度コンター図である。図8Cは、図8BにおけるA−B線における磁束密度の大きさを示すグラフである。図8Dは、図8Aに示す構成における導体110の通電時の磁場解析の結果を示し、VIII−VIII線を含むZX平面におけるX方向の磁束密度強度コンター図である。この磁場解析でも、導体110に500Aの電流を流した。
図8B及び図8Cの解析結果によれば、第1磁気シールド部150aにおいて、第1中央側壁部151aにおける磁束が第1連接壁部152a及び第1外側壁部153aにおける磁束よりも小さいことがわかる。また、第2磁気シールド部150bの第2中央側壁部151bにおける磁束が第2連接壁部152b及び第2外側壁部153bにおける磁束よりも小さいことがわかる。上述したように、第1流路部110aと第2流路部110bとの間の領域では、第1流路部110aに流れる電流により発生する第1磁界(信号磁界)による磁束の向きと、第2流路部110bに流れる電流により発生する第2磁界(信号磁界)による磁束の向きとが逆向きとなる。このため、第1磁界と第2磁界とが互いに打ち消し合って信号磁界の磁束密度強度が小さくなる。そのため、第1流路部110aと第2流路部110bとの間の領域では、磁性体が磁気飽和することを抑制することができる。
本実施形態では、第1磁気シールド部150aの第1中央側壁部151a及び第2磁気シールド部150bの第2中央側壁部151bが、磁性体の磁気飽和が抑制される第1流路部110aと第2流路部110bとの間の領域に配置されている。そのため、第1中央側壁部151a及び第2中央側壁部151bの磁気飽和を抑制でき、第1中央側壁部151a及び第2中央側壁部151bの透磁率の低下および外乱磁界の集磁能力の低減を抑制できる。そのため、外乱磁界は、第1中央側壁部151a及び第2中央側壁部151bに集磁されて、第1磁気センサ120a及び第2磁気センサ120bに入力されることが抑制される。これより、磁気飽和が抑制された状態で、外乱磁界の影響を低減することができる。
図8Dの解析結果によれば、第1磁気シールド部150aに囲まれた領域R1、及び、第2磁気シールド部150bに囲まれた領域R2における信号磁界(の磁束密度強度)が強いことがわかる。第1磁気シールド部150aにおける第1外側壁部153a、第1連接壁部152a及び第1中央側壁部151aが、第1流路部110aをU字状に囲い、第1流路部110aに流れる電流により発生する第1磁界(信号磁界)を集磁して領域R1に導く。この領域R1に第1磁気センサ120aを配置することにより、第1磁気センサ120aに入力される第1磁界(信号磁界)を強めることができる。このことは、第2磁気シールド部150bについての領域R2における信号磁界についても同様である。そのため、導体を流れる測定対象の電流に対する感度を高めることができる。
また、図8Dの解析結果によれば、第1磁気シールド部150a及び第2磁気シールド部150bの外側における信号磁界(の磁束密度強度)が減少していることがわかる。これは、第1磁気シールド部150aにおける第1外側壁部153a、第1連接壁部152a及び第1中央側壁部151aが第1磁界(信号磁界)を集磁し、第2磁気シールド部150bにおける第2外側壁部153b、第2連接壁部152b及び第2中央側壁部151bが、第2磁界(信号磁界)を集磁するためである。そのため、信号磁界が外乱磁界として外部に放出されることを抑制することができる。
3.まとめ
以上説明したように、本実施形態の電流センサ100では、第1磁気シールド部150aの第1中央側壁部151a、及び、第2磁気シールド部150bの第2中央側壁部151bが、第1流路部110aと第2流路部110bとの間に、かつ、第1磁気センサ120aと第2磁気センサ120bとの間に配置される。
以上説明したように、本実施形態の電流センサ100では、第1磁気シールド部150aの第1中央側壁部151a、及び、第2磁気シールド部150bの第2中央側壁部151bが、第1流路部110aと第2流路部110bとの間に、かつ、第1磁気センサ120aと第2磁気センサ120bとの間に配置される。
このように、本実施形態では、第1中央側壁部151a及び第2中央側壁部151bが、磁性体の磁気飽和が抑制される第1流路部110aと第2流路部110bとの間の領域に配置される。そのため、第1中央側壁部151a及び第2中央側壁部151bの磁気飽和を抑制でき、第1中央側壁部151a及び第2中央側壁部151bの磁気飽和による外乱磁界の集磁能力の低減を抑制できる。そのため、外乱磁界は、第1中央側壁部151a及び第2中央側壁部151bに集磁されて、第1磁気センサ120a及び第2磁気センサ120bに入力されることが抑制される。これより、磁気飽和が抑制された状態で、外乱磁界の影響を低減することができる。
また、本実施形態の電流センサ100では、第1磁気シールド部150aが、第1中央側壁部151aに加えてさらに第1連接壁部152aと第1外側壁部153aとを有し、断面がU字状をなす。第1連接壁部152aは、第1流路部110aを介して第1磁気センサ120aと対向するように配置され、第1中央側壁部151aと連接されている。第1外側壁部153aは、第1流路部110a及び第1磁気センサ120aを介して第1中央側壁部151aと対向するように配置され、第1連接壁部152aと連接されている。
これにより、本実施形態の電流センサ100では、第1磁気シールド部150aにおける第1外側壁部153a、第1連接壁部152a及び第1中央側壁部151aが、第1流路部110aをU字状に囲い、第1流路部110aに流れる電流により発生する第1磁界(信号磁界)を集磁して第1磁気センサ120aに導く。これより、第1磁気センサ120aに入力される第1磁界(信号磁界)を強めることができる。そのため、導体110を流れる測定対象の電流に対する感度をさらに高めることができる。
また、第1磁気シールド部150aにおける第1外側壁部153a、第1連接壁部152a及び第1中央側壁部151aが第1磁界(信号磁界)を集磁するため、第1磁界(信号磁界)が外乱磁界として外部に放出されることを抑制することができる。
また、本実施形態の電流センサ100では、第2磁気シールド部150bも、第1磁気シールド部150aと同様の構成を有し、同様の機能を有する。
なお、本実施形態では、第1流路部110aの寸法(長さ、幅、厚さ、断面積)と、第2流路部110bの寸法(長さ、幅、厚さ、断面積)とは略同じであってもよい。これにより、第1流路部110aと第2流路部110bとに分流する電流の大きさが同一となり、第1流路部110a付近に配置された第1磁気センサ120aに印加される磁界と、第2流路部110b付近に配置された第2磁気センサ120bに印加される磁界とを略同一とすることができる。
さらに、第1磁気シールド部150aの第1中央側壁部151aに集磁される磁界と、第2磁気シールド部150bの第2中央側壁部151bに集磁される磁界とを略同一とすることができる。これより、第1及び第2中央側壁部151a,151b間で透磁率が異なることで一方のみに集磁され、一方が先に磁気飽和するような場合に比べて、第1中央側壁部151a及び第2中央側壁部151bにおける磁気飽和の抑制効果を高めることができ、外乱磁界による影響を低減する効果を高めることができる。
(実施形態1の変形例1)
実施形態1の変形例1に係る電流センサ100は、第1磁気シールド部及び第2磁気シールド部の形状が、実施形態1に係る電流センサ100と異なる。
実施形態1の変形例1に係る電流センサ100は、第1磁気シールド部及び第2磁気シールド部の形状が、実施形態1に係る電流センサ100と異なる。
図9Aは、実施形態1の変形例1に係る電流センサ(筐体省略)の外観を示す斜視図であり、図9Bは、図9Aに示す電流センサ(筐体省略)をIXB−IXB線矢印方向から見た断面図である。
図9A及び図9Bに示すように、変形例1の電流センサ100における磁気センサユニット160Aでは、第1磁気シールド部150aAにおいて、第1中央側壁部151aと第1連接壁部152aとが連接する部分155a、及び、第1連接壁部152aと第1外側壁部153aとが連接する部分156aが円弧状に形成されている。また、第2磁気シールド部150bAにおいて、第2中央側壁部151bと第2連接壁部152bとが連接する部分155b、及び、第2連接壁部152bと第2外側壁部153bとが連接する部分156bが円弧状に形成されている。
ここで、本来、空間において、導体に流れる電流により発生する磁界の軌道は、円又は楕円である。変形例1の電流センサ100によれば、第1磁気シールド部150aA及び第2磁気シールド部150bAに集磁される磁界の軌道を、本来の軌道に近づけることができ、集磁効率を高めることができる。
(実施形態1の変形例2)
実施形態1では、磁気センサの主面に水平な方向に感度軸を有する磁気センサを用いたが、実施形態1の変形例2では、磁気センサの主面に垂直な方向に感度軸を有する磁気センサを用いる。
実施形態1では、磁気センサの主面に水平な方向に感度軸を有する磁気センサを用いたが、実施形態1の変形例2では、磁気センサの主面に垂直な方向に感度軸を有する磁気センサを用いる。
図10Aは、実施形態1の変形例2に係る電流センサ(筐体省略)の外観を示す斜視図であり、図10Bは、図10Aに示す電流センサ(筐体省略)をXB−XB線矢印方向から見た断面図である。
図10A及び図10Bに示すように、変形例2の電流センサ100における磁気センサユニット160Bは、第1磁気センサ120a及び第2磁気センサ120bに代えて第1磁気センサ220a及び第2磁気センサ220bを備え、基板140に代えて基板140Bを備える。
第1磁気センサ220a及び第2磁気センサ220bの各々は、樹脂パッケージされ、主面を有する直方体形状を有する。第1磁気センサ220a及び第2磁気センサ220bの各々は、主面に垂直な方向に感度軸を有する。この場合、第1磁気センサ220a及び第2磁気センサ220bとして、SIP(Single Inline Package)部品を用い、これらの部品を実装する基板140Bは、導体110の長さ方向(Y方向)に交差するように配置される。このように、磁気センサの感度軸により、磁気センサの部品形状や、磁気センサの配置位置を定める基板の配置を適宜変更してもよい。
なお、変形例2の電流センサ100の導体210は、長さ方向(Y軸方向)における一部分において、第1流路部210aと第2流路部210bとに分岐されている。第1流路部210aと第2流路部210bとは、導体110の幅方向(X軸方向)に並んでおり、第1流路部210aと第2流路部210bとの間には、スリット210sが形成されている。第1流路部210a及び第2流路部110bの各々は、フラットな形状を有する。
(実施形態2)
実施形態2に係る電流センサでは、第1磁気シールド部及び第2磁気シールド部の形状が、実施形態1に係る電流センサ100と異なる。
実施形態2に係る電流センサでは、第1磁気シールド部及び第2磁気シールド部の形状が、実施形態1に係る電流センサ100と異なる。
図11Aは、実施形態2に係る電流センサ(筐体省略)の外観を示す斜視図であり、図11Bは、図11Aに示す電流センサ(筐体省略)をXIB−XIB線矢印方向から見た断面図である。
図11A及び図11Bに示すように、実施形態2の電流センサ200における磁気センサユニット260は、第1磁気シールド部150a及び第2磁気シールド部150bに代えて第1磁気シールド部250a及び第2磁気シールド部250bを備える。
第1磁気シールド部250aは、第1外側壁部153aを備えず、上記した第1中央側壁部151aと第1連接壁部152aのみを備える。すなわち、第1磁気シールド部250aはその断面がL字状の形状を有する。
第2磁気シールド部250bは、第2外側壁部153bを備えず、上記した第2中央側壁部151bと第2連接壁部152bのみを備える。すなわち、第2磁気シールド部250bはその断面がL字状の形状を有する。
このように、本実施形態の電流センサ200でも、第1中央側壁部151a及び第2中央側壁部151bが、磁性体の磁気飽和が抑制される第1流路部110aと第2流路部110bとの間の領域に配置される。そのため、第1中央側壁部151a及び第2中央側壁部151bの磁気飽和による外乱磁界の集磁能力の低減を抑制できる。これにより、第1磁気センサ120a及び第2磁気センサ120bにおいて、磁気飽和が抑制された状態で、外乱磁界の影響を低減することができる。
また、本実施形態の電流センサ200では、第1磁気シールド部150aにおける第1連接壁部152a及び第1中央側壁部151aが、第1流路部110aをL字状に囲い、第1流路部110aに流れる電流により発生する第1磁界(信号磁界)を集磁して第1磁気センサ120aに導く。これより、第1磁気センサ120aに入力される第1磁界(信号磁界)を強めることができる。そのため、導体110を流れる測定対象の電流に対する感度をさらに高めることができる。
また、第1磁気シールド部150aにおける第1連接壁部152a及び第1中央側壁部151aが第1磁界(信号磁界)を集磁するため、第1磁界(信号磁界)が外乱磁界として外部に放出されることを抑制することができる。
また、本実施形態の電流センサ200では、第2磁気シールド部150bにおける第2連接壁部152b及び第2中央側壁部151bも、第1磁気シールド部150aにおける第1連接壁部152a及び第1中央側壁部151aと同様の機能を有する。
(実施形態2の変形例)
実施形態2に係る電流センサでは、第1磁気シールド部及び第2磁気シールド部の2つ磁気シールド部を備えた。実施形態2の変形例に係る電流センサでは、1つの磁気シールド部を備える。
実施形態2に係る電流センサでは、第1磁気シールド部及び第2磁気シールド部の2つ磁気シールド部を備えた。実施形態2の変形例に係る電流センサでは、1つの磁気シールド部を備える。
図12Aは、実施形態2の変形例に係る電流センサ(筐体省略)の外観を示す斜視図であり、図12Bは、図12Aに示す電流センサ(筐体省略)をXIIB−XIIB線矢印方向から見た断面図である。
図12A及び図12Bに示すように、変形例の電流センサ200における磁気センサユニット260Aは、第1磁気シールド部250a及び第2磁気シールド部250bに代えて磁気シールド部250を備える。
磁気シールド部250は、中央側壁部251と、上記した第1連接壁部152a及び第2連接壁部152bとを有する。中央側壁部251は、平板形状を有し、第1連接壁部152aと第2連接壁部152bとを連結する。磁気シールド部250は、第1流路部110a及び第1磁気センサ120aをL字状に囲い、かつ、第1連接壁部152aが第1流路部110aと平行になるように、配置されている。また、磁気シールド部250は、第2流路部110b及び第2磁気センサ120bをL字状に囲い、かつ、第2連接壁部152bが第2流路部110bと平行になるように、配置されている。
具体的には、中央側壁部251は、導体110の主面と交差するように、かつ、第1流路部110aと第2流路部110bとの間のスリット110sに、配置されている。さらに、中央側壁部251aは、第1磁気センサ120aと第2磁気センサ120bとの間に配置されている。
以上のように、本変形例の電流センサ200では、磁気シールド部250において、第1連接壁部152aと中央側壁部251と第2連接壁部152bとが、一体的に連接されている。本変形例の電流センサ200でも、中央側壁部251が、磁性体の磁気飽和が抑制される第1流路部110aと第2流路部110bとの間の領域に配置される。そのため、中央側壁部251の磁気飽和による外乱磁界の集磁能力の低減を抑制できる。これにより、第1磁気センサ120a及び第2磁気センサ120bにおいて、磁気飽和が抑制された状態で、外乱磁界の影響を低減することができる。
(実施形態3)
実施形態3に係る電流センサでは、磁気シールド部の形状が、実施形態2の変形例に係る電流センサ200と異なる。
実施形態3に係る電流センサでは、磁気シールド部の形状が、実施形態2の変形例に係る電流センサ200と異なる。
図13Aは、実施形態3に係る電流センサ(筐体省略)の外観を示す斜視図であり、図13Bは、図13Aに示す電流センサ(筐体省略)をXIIIB−XIIIB線矢印方向から見た断面図である。
図12A及び図12Bに示すように、実施形態3の電流センサ300における磁気センサユニット360は、磁気シールド部250に代えて磁気シールド部350を備える。
磁気シールド部350は、第1連接壁部152a及び第2連接壁部152bを備えず、上記した中央側壁部251に相当する部分のみを備える。すなわち、磁気シールド部350はその断面がI字状の形状を有する。
以上のように、本実施形態の電流センサ300において、磁気シールド部350は、磁性体材料からなる一つの部材で構成される。本実施形態の電流センサ300でも、磁気シールド部350が、磁性体の磁気飽和が抑制される第1流路部110aと第2流路部110bとの間の領域に配置される。そのため、磁気シールド部350の磁気飽和による外乱磁界の集磁能力の低減を抑制できる。これにより、第1磁気センサ120a及び第2磁気センサ120bにおいて、磁気飽和が抑制された状態で、外乱磁界の影響を低減することができる。
(実施形態4)
実施形態4に係る電流センサは、第1磁気シールド部及び第2磁気シールド部の配置位置が、実施形態1に係る電流センサ100と異なる。また、電流センサにおける磁気センサの感度軸方向も、実施形態1とは異なる。
実施形態4に係る電流センサは、第1磁気シールド部及び第2磁気シールド部の配置位置が、実施形態1に係る電流センサ100と異なる。また、電流センサにおける磁気センサの感度軸方向も、実施形態1とは異なる。
図14Aは、実施形態4に係る電流センサ(筐体省略)の外観を示す斜視図であり、図14Bは、図14Aに示す電流センサ(筐体省略)をXIVB−XIVB線矢印方向から見た断面図である。
図14A及び図14Bに示すように、実施形態4の電流センサ400における磁気センサユニット460は、上記した第1磁気センサ220a及び第2磁気センサ220b、並びに増幅部130等の電子部品を搭載した基板440a、440bと、第1磁気シールド部450a及び第2磁気シールド部450bとを備える。
上述したように、第1磁気センサ220a及び第2磁気センサ220bの各々は、SIP(Single Inline Package)部品形状を有し、これらの部品は2つの基板440a、440bの各々に実装される。基板440a、440bは、導体110の長さ方向(Y方向)に交差するように配置される。
本実施形態において、第1及び第2磁気センサ220a、220bは、それぞれの感度軸方向が適宜許容誤差の範囲内で、Z軸方向(導体110の厚さ方向)に並行となるように、各基板440a、440b上に配置される。
第1磁気シールド部450aは、第1中央側壁部451aと、第1連接壁部452aと、第1外側壁部453aとを有する。これらの第1中央側壁部451a、第1連接壁部452a及び第1外側壁部453aの各々は、平板形状を有する。第1中央側壁部451aと第1外側壁部453aは互いに対向している。第1連接壁部452aは、第1中央側壁部451aと連接されるとともに、第1外側壁部453aとも連接されている。すなわち、第1中央側壁部451aと第1外側壁部453aは、第1連接壁部452aによって連結されている。これにより、第1磁気シールド部450aはその断面がU字状の形状を有する。
第1磁気シールド部450aは、第1流路部110a及び第1磁気センサ220aをU字状に囲い、かつ、第1中央側壁部451a及び第1外側壁部453aが第1流路部110aと平行になるように、配置されている。
具体的には、第1中央側壁部451aは、導体110の主面と平行になるように、かつ、第1流路部110aと第2流路部110bとの間、及び第1磁気センサ220aと第2磁気センサ220bとの間に配置されている。第1外側壁部453aは、導体110の主面と平行になるように、かつ、第1流路部110a及び第1磁気センサ220aを介して第1中央側壁部451aと対向するように配置されている。第1連接壁部452aは、導体110の主面と交差するように、かつ、第1流路部110aを介して第1磁気センサ220aと対向するように配置されている。
同様に、第2磁気シールド部450bは、第2中央側壁部451bと、第2連接壁部452bと、第2外側壁部453bとを有する。これらの第2中央側壁部451b、第2連接壁部452b及び第2外側壁部453bの各々は、平板形状を有する。第2中央側壁部451bと第2外側壁部453bは互いに対向している。第2連接壁部452bは、第2中央側壁部451bと連接されるとともに、第2外側壁部453bとも連接されている。すなわち、第2中央側壁部451bと第2外側壁部453bは、第2連接壁部452bによって連結されている。これにより、第2磁気シールド部450bはその断面がU字状の形状を有する。
第2磁気シールド部450bは、第2流路部110b及び第2磁気センサ220bをU字状に囲い、かつ、第2中央側壁部451b及び第2外側壁部453bが第2流路部110bと平行になるように、配置されている。
具体的には、第2中央側壁部451bは、導体110の主面と平行になるように、かつ、第1流路部110aと第2流路部110bとの間、及び第1磁気センサ220aと第2磁気センサ220bとの間に配置されている。
第2外側壁部453bは、導体110の主面と平行になるように、かつ、第2流路部110b及び第2磁気センサ220bを介して第2中央側壁部451bと対向するように配置されている。第2連接壁部452bは、導体110の主面と交差するように、かつ、第2流路部110bを介して第2磁気センサ220bと対向するように設けられている。
なお、第2磁気シールド部450bの第2中央側壁部251bは、第1磁気シールド部450aの第1中央側壁部451aよりも第2流路部110b及び第2磁気センサ220b側に配置されてもよいし、第1中央側壁部451aよりも第1流路部110a及び第1磁気センサ220a側に配置されてもよい。
本実施形態でも、本願発明者は、磁気シールド部の効果を検証するため、実施形態1と同様の磁場解析を行った。
図15Aは、図3に示す導体110に、さらに本実施形態の第1磁気シールド部450a及び第2磁気シールド部450bを配置した構成を示す図である。第1磁気シールド部450a及び第2磁気シールド部450bの材料はケイ素鋼とし、これらの厚さは1.0mmとした。
図15Bは、図15Aに示す構成における導体110の通電時の磁場解析の結果を示し、XV−XV線を含むZX平面における第1磁気シールド部450a及び第2磁気シールド部450bのみの、Z方向(即ち感度軸方向)の磁束密度強度コンター図である。図15Cは、図15BにおけるA−B線における磁束密度の大きさを示すグラフである。図15Dは、図15Aに示す構成における導体110の通電時の磁場解析の結果を示し、XV−XV線を含むZX平面におけるX方向の磁束密度強度コンター図である。この磁場解析でも、導体110に500Aの電流を流した。
本磁場解析でも、以下に示すように、実施形態1における磁場解析と同様の結果が得られた。
図15B及び図15Cの解析結果によれば、第1磁気シールド部450aでは、第1中央側壁部451aにおける磁束が第1連接壁部452a及び第1外側壁部453aにおける磁束よりも小さいことがわかる。また、第2磁気シールド部450bでは、第2中央側壁部451bにおける磁束が第2連接壁部452b及び第2外側壁部453bにおける磁束よりも小さいことがわかる。
本実施形態の電流センサ400でも、第1中央側壁部451a及び第2中央側壁部451bが、磁性体の磁気飽和が抑制される第1流路部110aと第2流路部110bとの間の領域に配置されている。そのため、第1中央側壁部451a及び第2中央側壁部451bの磁気飽和による外乱磁界の集磁能力の低減を抑制できる。これにより、第1磁気センサ220a及び第2磁気センサ220bにおいて、磁気飽和が抑制された状態で、外乱磁界の影響を低減することができる。
次に、図15Dの解析結果によれば、第1磁気シールド部450aに囲まれた領域R1、及び、第2磁気シールド部450bに囲まれた領域R2における信号磁界の磁束密度強度が強いことがわかる。
このように、本実施形態の電流センサ400でも、第1磁気シールド部450aにおける第1外側壁部453a、第1連接壁部452a及び第1中央側壁部451aが、第1流路部110aをU字状に囲い、第1流路部110aに流れる電流により発生する第1磁界(信号磁界)を集磁して第1磁気センサ220aに導く。これより、第1磁気センサ220aに入力される第1磁界(信号磁界)を強めることができる。このことは、第2磁気シールド部450bに囲われる領域における信号磁界についても同様である。そのため、導体110を流れる測定対象の電流に対する感度をさらに高めることができる。
また、図15Dの解析結果によれば、第1磁気シールド部450a及び第2磁気シールド部450bの外側における信号磁界の磁束密度強度が減少していることがわかる。
このように、本実施形態の電流センサ400でも、第1磁気シールド部450aにおける第1外側壁部453a、第1連接壁部452a及び第1中央側壁部451aが第1磁界(信号磁界)を集磁するため、第1磁界(信号磁界)が外乱磁界として外部に放出されることを抑制することができる。また、第2磁気シールド部450bにおける第2外側壁部453b、第2連接壁部452b及び第2中央側壁部451bが第2磁界(信号磁界)を集磁するため、第2磁界(信号磁界)が外乱磁界として外部に放出されることを抑制することができる。
(実施形態5)
実施形態5に係る電流センサでは、第1磁気シールド部及び第2磁気シールド部の形状が、実施形態4に係る電流センサ400と異なる。
実施形態5に係る電流センサでは、第1磁気シールド部及び第2磁気シールド部の形状が、実施形態4に係る電流センサ400と異なる。
図16Aは、実施形態5に係る電流センサ(筐体省略)の外観を示す斜視図であり、図16Bは、図16Aに示す電流センサ(筐体省略)をXVIB−XVIB線矢印方向から見た断面図である。
図16A及び図16Bに示すように、実施形態5の電流センサ500における磁気センサユニット560は、第1磁気シールド部450a及び第2磁気シールド部450bに代えて第1磁気シールド部550a及び第2磁気シールド部550bを備える。
第1磁気シールド部550aは、第1外側壁部453aを備えず、上記した第1中央側壁部451aと第1連接壁部452aのみを備える。すなわち、第1磁気シールド部550aはその断面がL字状の形状を有する。
第2磁気シールド部550bは、第2外側壁部453bを備えず、上記した第2中央側壁部451bと第2連接壁部452bのみを備える。すなわち、第2磁気シールド部550bはその断面がL字状の形状を有する。
このように、本実施形態の電流センサ500でも、第1中央側壁部451a及び第2中央側壁部451bが、磁性体の磁気飽和が抑制される第1流路部110aと第2流路部110bとの間の領域に配置される。そのため、第1中央側壁部451a及び第2中央側壁部451bの磁気飽和による外乱磁界の集磁能力の低減を抑制できる。これにより、第1磁気センサ220a及び第2磁気センサ220bにおいて、磁気飽和が抑制された状態で、外乱磁界の影響を低減することができる。
また、本実施形態の電流センサ500では、第1磁気シールド部550aにおける第1連接壁部452a及び第1中央側壁部451aが、第1流路部110aをL字状に囲い、第1流路部110aに流れる電流により発生する第1磁界(信号磁界)を集磁して第1磁気センサ220aに導く。これより、第1磁気センサ220aに入力される第1磁界(信号磁界)を強めることができる。そのため、導体110を流れる測定対象の電流に対する感度をさらに高めることができる。
また、第1磁気シールド部550aにおける第1連接壁部452a及び第1中央側壁部451aが第1磁界(信号磁界)を集磁するため、第1磁界(信号磁界)が外乱磁界として外部に放出されることを抑制することができる。
また、本実施形態の電流センサ500では、第2磁気シールド部550bにおける第2連接壁部452b及び第2中央側壁部451bも、第1磁気シールド部550aにおける第1連接壁部452a及び第1中央側壁部451aと同様の機能を有する。
(実施形態5の変形例)
実施形態5に係る電流センサでは、第1磁気シールド部及び第2磁気シールド部の2つ磁気シールド部を備えた。実施形態5の変形例に係る電流センサでは、1つの磁気シールド部を備える。
実施形態5に係る電流センサでは、第1磁気シールド部及び第2磁気シールド部の2つ磁気シールド部を備えた。実施形態5の変形例に係る電流センサでは、1つの磁気シールド部を備える。
図17Aは、実施形態5の変形例に係る電流センサ(筐体省略)の外観を示す斜視図であり、図17Bは、図17Aに示す電流センサ(筐体省略)をXVIIB−XVIIB線矢印方向から見た断面図である。
図17A及び図17Bに示すように、変形例の電流センサ500における磁気センサユニット560Aは、第1磁気シールド部550a及び第2磁気シールド部550bに代えて磁気シールド部550を備える。
磁気シールド部550は、中央側壁部551と、上記した第1連接壁部452a及び第2連接壁部452bとを有する。中央側壁部551は、平板形状を有し、第1連接壁部452aと第2連接壁部452bとを連結する。磁気シールド部550は、第1流路部110a及び第1磁気センサ220aをL字状に囲い、かつ、中央側壁部551が第1流路部110aと平行になるように、配置されている。また、磁気シールド部550は、第2流路部110b及び第2磁気センサ220bをL字状に囲い、かつ、中央側壁部551が第2流路部110bと平行になるように、配置されている。
具体的には、中央側壁部551は、導体110の主面と平行になるように、かつ、第1流路部110aと第2流路部110bとの間、及び第1磁気センサ220aと第2磁気センサ220bとの間に配置されている。
このように、本変形例の電流センサ500でも、中央側壁部551が、磁性体の磁気飽和が抑制される第1流路部110aと第2流路部110bとの間の領域に配置される。そのため、中央側壁部251の磁気飽和による外乱磁界の集磁能力の低減を抑制できる。これにより、第1磁気センサ220a及び第2磁気センサ220bにおいて、磁気飽和が抑制された状態で、外乱磁界の影響を低減することができる。
(実施形態6)
実施形態6に係る電流センサでは、磁気シールド部の形状が、実施形態5の変形例に係る電流センサ500と異なる。
実施形態6に係る電流センサでは、磁気シールド部の形状が、実施形態5の変形例に係る電流センサ500と異なる。
図18Aは、実施形態6に係る電流センサ(筐体省略)の外観を示す斜視図であり、図18Bは、図18Aに示す電流センサ(筐体省略)をXVIIIB−XVIIIB線矢印方向から見た断面図である。
図18A及び図18Bに示すように、実施形態6の電流センサ600における磁気センサユニット660は、磁気シールド部550に代えて磁気シールド部650を備える。また、磁気センサユニット660は、第1磁気センサ220a及び第2磁気センサ220b、並びに増幅部130等の電子部品を搭載した基板440a、440bに代えて、上記した第1磁気センサ120a及び第2磁気センサ120b、並びに増幅部130等の電子部品を搭載した基板140を備える。
磁気シールド部650は、第1連接壁部452a及び第2連接壁部452bを備えず、上記した中央側壁部551に相当する部分のみを備える。すなわち、磁気シールド部650はその断面がI字状の形状を有する。
これより、本実施形態の電流センサ600でも、磁気シールド部650が、磁性体の磁気飽和が抑制される第1流路部110aと第2流路部110bとの間の領域に配置される。そのため、磁気シールド部650の磁気飽和による外乱磁界の集磁能力の低減を抑制できる。これにより、第1磁気センサ120a及び第2磁気センサ120bにおいて、磁気飽和が抑制された状態で、外乱磁界の影響を低減することができる。
(実施形態7)
上述した実施形態1〜6の電流センサは、例えば車載用インバータのような3相交流電流を測定する用途に好適に適用される。本実施形態では、実施形態1の電流センサ100を、3相交流電流を測定する用途に適用した例を説明する。
上述した実施形態1〜6の電流センサは、例えば車載用インバータのような3相交流電流を測定する用途に好適に適用される。本実施形態では、実施形態1の電流センサ100を、3相交流電流を測定する用途に適用した例を説明する。
図19Aは、実施形態7に係る3相交流電流を測定する電流センサユニットの外観を示す斜視図であり、図19Bは、図19Aに示す電流センサユニットをXIXB−XIXB線矢印方向から見た断面図である。図20Aは、実施形態7に係る電流センサユニット(筐体省略)の外観を示す斜視図であり、図20Bは、図20Aに示す電流センサユニット(筐体省略)をXXB−XXB線矢印方向から見た断面図である。
図19A〜図20Bに示すように、実施形態7の電流センサユニット700は、複数の電流センサ100を備える。複数の電流センサ100は、樹脂765によりモールドされ、各導体110が並行に配列されるように配置されている。特に、複数の電流センサ100は、互いに異なる電流センサ100の第1流路部110a及び第2流路部110bが並行に配列されるように、すなわち磁気センサユニット160が並行に配列されるように、配置されている。
実施形態7の電流センサユニット700によれば、電流センサ100の各々において、他相の電流センサからの外乱磁界に対する耐性を高めることができる。また、電流センサ100の各々において、自身の磁界が外乱磁界として他相の電流センサに与える影響を低減できる。このため、電流センサ100間の距離をより小さく設定することができ、電流センサユニット700の小型化が可能になる。
(他の実施形態)
上記の実施形態において、第1磁気センサ120a、220aと第2磁気センサ120b、220bは、別々のパッケージに実装されていてもよいし、1つのパッケージ内に実装されていてもよい。また、第1磁気センサ120a、220aと第2磁気センサ120b、220bは、別々のICチップに集積されてもよいし、1つのICチップに集積されてもよい。第1磁気センサ120a、220a及び第2磁気センサ120b、220bが同一のICチップ上に形成されることにより、互いの特性を近づけることができる。
上記の実施形態において、第1磁気センサ120a、220aと第2磁気センサ120b、220bは、別々のパッケージに実装されていてもよいし、1つのパッケージ内に実装されていてもよい。また、第1磁気センサ120a、220aと第2磁気センサ120b、220bは、別々のICチップに集積されてもよいし、1つのICチップに集積されてもよい。第1磁気センサ120a、220a及び第2磁気センサ120b、220bが同一のICチップ上に形成されることにより、互いの特性を近づけることができる。
さらに、第1磁気センサ120a、220a及び第2磁気センサ120b、220bと共に増幅部130等の電子部品を、1つのパッケージ内に実装してもよい。
本発明は上述した実施の形態に限定されず、各実施形態において適宜、変更、置き換え、付加、省略などを行ってもよい。また、上記の実施形態で説明した各構成要素を組み合わせて、新たな実施の形態とすることも可能である。
上述した実施形態は例示であり、本発明は上記の実施形態に限定されない。本発明の範囲は上記した説明ではなく特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲またはその均等の範囲において種々の変更、置き換え、付加、省略などを行うことができる。
Claims (12)
- 測定対象の電流の大きさに応じた出力信号を出力する電流センサであって、
分岐されて形成された第1流路部と第2流路部であって、前記測定対象の電流の一部が流れる前記第1流路部と、前記電流の一部以外の電流が流れる前記第2流路部とを有する導体と、
前記第1流路部に流れる電流により発生する第1磁界の強さを検出する第1磁気素子と、
前記第2流路部に流れる電流により発生する第2磁界の強さを検出する第2磁気素子と、
前記第1流路部と前記第2流路部との間で、かつ、前記第1磁気素子と前記第2磁気素子との間に配置され、磁性体材料を含む磁気シールド体と、
を備える電流センサ。 - 前記磁気シールド体は、
前記第1流路部と前記第2流路部との間で、かつ、前記第1磁気素子と前記第2磁気素子との間に配置された中央側壁部と、
前記第1流路部を介して前記第1磁気素子と対向するように配置され、前記中央側壁部の第1側部において前記中央側壁部と連接された第1連接壁部と、
を有する請求項1に記載の電流センサ。 - 前記磁気シールド体は、前記第2流路部を介して前記第2磁気素子と対向するように配置され、前記中央側壁部の前記第1側部と反対側の第2側部において前記中央側壁部と連接された第2連接壁部をさらに有する、
請求項2に記載の電流センサ。 - 前記磁気シールド体は、第1磁気シールド部と第2磁気シールド部とを有し、
前記中央側壁部は、第1中央側壁部と、前記第1中央側壁部に対向して配置された第2中央側壁部とを有し、
前記第1磁気シールド部は、前記第1中央側壁部と、前記第1中央側壁部と連接された前記第1連接壁部とを有し、断面がL字状をなし、
前記第2磁気シールド部は、前記第2中央側壁部と、前記第2中央側壁部と連接された前記第2連接壁部とを有し、断面がL字状をなす、
請求項3に記載の電流センサ。 - 前記第1磁気シールド部は、
前記第1流路部及び前記第1磁気素子を介して前記第1中央側壁部と対向するように配置され、前記第1連接壁部と連接された第1外側壁部をさらに有し、
断面がU字状をなす、
請求項4に記載の電流センサ。 - 前記第2磁気シールド部は、
前記第2流路部及び前記第2磁気素子を介して前記第2中央側壁部と対向するように配置され、前記第2連接壁部と連接された第2外側壁部をさらに有し、
断面がU字状をなす、
請求項5に記載の電流センサ。 - 前記第1流路部は、主面を有する板形状を有し、
前記第1連接壁部は、主面を有する板形状を有し、
前記第1流路部と前記第1連接壁部は、互いの主面が並行となるように配置された、
請求項6に記載の電流センサ。 - 前記第2流路部は、主面を有する板形状を有し、
前記第2連接壁部は、主面を有する板形状を有し、
前記第2流路部と前記第2連接壁部は、互いの主面が並行となるように配置された、
請求項7に記載の電流センサ。 - 前記磁気シールド体において、前記第1連接壁部と前記中央側壁部と前記第2連接壁部とが、一体的に連接されている
請求項3に記載の電流センサ。 - 前記磁気シールド体は、磁性体材料からなる一つの部材で構成される
請求項1に記載の電流センサ。 - 請求項1〜10の何れか1項に記載の複数の電流センサを備え、
前記複数の電流センサが、各導体が並行に配列されるように配置された、
電流センサユニット。 - 前記複数の電流センサが、前記複数の電流センサのうちの第1の電流センサの第1流路部と前記第1の電流センサとは異なる第2の電流センサの第2流路部とが並行に配列されるように配置された、
請求項11に記載の電流センサユニット。
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JP7000572B2 (ja) * | 2018-07-04 | 2022-01-19 | 日立Astemo株式会社 | 電気回路装置 |
US11067606B2 (en) * | 2018-08-21 | 2021-07-20 | Cyntec Co., Ltd. | Current sensing module |
DE102019116331B4 (de) * | 2019-06-17 | 2021-02-25 | Lisa Dräxlmaier GmbH | Messvorrichtung und verfahren zum herstellen einer messvorrichtung |
DE102019121385A1 (de) * | 2019-08-07 | 2021-02-11 | Infineon Technologies Ag | Vorrichtung und verfahren zum montieren eines magnetfeldsensor-chips an einer stromschiene |
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---|---|---|---|---|
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JP6076860B2 (ja) * | 2013-08-26 | 2017-02-08 | アルプス電気株式会社 | 電流検出装置 |
US9846180B2 (en) * | 2013-12-11 | 2017-12-19 | Eaton Corporation | Current sensing assembly employing magnetic sensors |
KR20160016191A (ko) * | 2014-08-04 | 2016-02-15 | 현대모비스 주식회사 | 전류센서-전력전도체 조립체의 크기 최적화 구조 |
JP2016099292A (ja) * | 2014-11-25 | 2016-05-30 | 日立金属株式会社 | 電流検出装置、及び電流検出方法 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023277242A1 (ko) * | 2021-06-28 | 2023-01-05 | 주식회사 루텍 | 대전류 계측 장치 |
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