JP6627600B2 - パワーモジュールの製造方法 - Google Patents
パワーモジュールの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6627600B2 JP6627600B2 JP2016057990A JP2016057990A JP6627600B2 JP 6627600 B2 JP6627600 B2 JP 6627600B2 JP 2016057990 A JP2016057990 A JP 2016057990A JP 2016057990 A JP2016057990 A JP 2016057990A JP 6627600 B2 JP6627600 B2 JP 6627600B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- power module
- circuit
- lead frame
- semiconductor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
- H01L2224/401—Disposition
- H01L2224/40135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/40137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
また、このようにして製造されたパワーモジュールにおいては、パワーモジュールの使用環境において、パワーモジュール用基板とリードフレームとの線膨張係数の差により、回路層とリードフレームとの間に熱伸縮差が生じても、リードフレームの屈曲部が伸縮して回路接合部と電極接合部との間隔が伸縮可能であるので、その伸縮差を吸収できる。したがって、リードフレームと半導体素子、リードフレームと回路層とのそれぞれに生じる残留応力を低減でき、冷熱サイクルにおける接合信頼性を向上できる。
図1は、本発明に係る第1実施形態のパワーモジュールの製造方法により製造されるパワーモジュール101を示している。この図1に示すパワーモジュール101は、パワーモジュール用基板10と、このパワーモジュール用基板10に搭載された半導体素子50と、リードフレーム60A〜60Bとを備え、半導体素子50とパワーモジュール用基板10とが、樹脂モールド70により樹脂封止されたものである。そして、このパワーモジュール101は、例えば図1に示すように、パワーモジュール101の露出面(パワーモジュール用基板10の露出面)をヒートシンク80の表面に押し付けて固定された状態で使用される。
セラミックス基板11は、回路層12と金属層13との間の電気的接続を防止するものであり、AlN(窒化アルミニウム)、Si3N4(窒化珪素)、Al2O3(アルミナ)等のセラミックス材料により形成され、例えば0.2mm〜1.5mmの厚みとされている。
このような半導体素子50には、上部に上部電極部51が設けられ、下部に下部電極部52が設けられており、下部電極部52が回路層12の第2層22の上面に銀焼結により接合されることで、半導体素子50が回路層12の上面に搭載されている。また、半導体素子50の上部電極部51は、リードフレーム60A,60Bを介して回路層12の回路電極部15に接続される。
リードフレーム60A〜60Cは全体が帯板状に設けられるが、リードフレーム60A〜60Cのうち、回路層12と半導体素子50との間を接続するリードフレーム60A,60Bは、回路層12の回路電極部15と接合される回路接合部61と、半導体素子50の上部電極部51と接合される電極接合部62と、これら回路接合部61と電極接合部62との間をつないで設けられる屈曲部63とを備える形状とされている。回路接合部61と電極接合部62とは平板状に設けられ、その接合面となる下面は平坦面に形成されるが、屈曲部63は、図1に示すように、リードフレーム60A,60Bを厚み方向Tに複数回折り返すことによりその厚み方向Tとリードフレーム60A,60Bの長さ方向Wにおいて回路接合部61と電極接合部62との間隔を伸縮可能に設けられている。すなわち、屈曲部63は、帯板形状を厚み方向Tに複数回折り曲げることにより、長さ方向Wに山形状と谷形状とが組み合わされて形成されており、屈曲部63の山形状と谷形状の幅が縮んだり拡がったりすることで、厚み方向T及び長さ方向Wに伸縮可能に設けられている。
また、パワーモジュール101には、半導体素子50とパワーモジュール用基板10とが、放熱板30の裏面30c側を除いて樹脂モールド70により樹脂封止されることにより一体化されている。なお、リードフレーム60A〜60Cのうち、外部接続用のリードフレーム60A,60Cは、その一部が樹脂モールド70の外部へと突出するように設けられている。樹脂モールド70としては、例えばSiO2フィラー入りのエポキシ系樹脂等を用いることができ、例えばトランスファーモールドにより成形される。
(基板形成工程(S11))
セラミックス基板11の各面にろう材を介して回路層12の第1層21となるアルミニウム板と金属層13となるアルミニウム板とを積層し、これらの積層体を積層方向に加圧した状態で加熱することにより、セラミックス基板11の一方の面に第1層21を形成するとともに、セラミックス基板11の他方の面に金属層13を形成する。次いで、第1層21に第2層となる銅板を積層し、金属層13に放熱板30となる銅板を積層し、これらの積層体を積層方向に加圧した状態で加熱することにより、第1層21に重ねて第2層22を形成するとともに、金属層13に重ねて放熱板30を形成して、第1層21と第2層22、金属層13と放熱板30とが一体に接合されたパワーモジュール用基板10を形成する。
そして、このようにして製造されたパワーモジュール用基板10に、図2(a)に示すように、半導体素子50を搭載する。半導体素子50は、回路層12の第2層22の上面に銀焼結により接合する。
次いで、図2(b)に示すように、半導体素子50が搭載されたパワーモジュール用基板10の回路層12の回路電極部15にリードフレーム60A,60Bの回路接合部61を超音波接合により接合する。この際、リードフレーム60A,60Bは、屈曲部63を撓ませた状態として半導体素子50の上部電極部51にリードフレーム60A,60Bの電極接合部62を重ねて配置し、電極接合部62を半導体素子50の上部電極部51に向けて付勢し、電極接合部62と上部電極部51とを接触させた状態で、回路電極部15と回路接合部61との接合を行う。
リードフレーム接合工程(S14)後においては、リードフレーム60A,60Bの回路接合部61は回路層12の回路電極部15に接合されているが、電極接合部62は半導体素子50の上部電極部51に向けて付勢されているだけであるので、電極接合部62を上部電極部51よりも上側に持ち上げることができ、屈曲部63が撓むことで、上部電極部51に向けて付勢された状態の電極接合部62を容易に持ち上げることができる。
そこで、まず図2(c)に示すように、電極接合部62と上部電極部51との間に隙間をあけて、上部電極部51と電極接合部62との間にはんだ箔42を挟み込む。そして、はんだ箔42を上部電極部51と電極接合部62との間に挟み込だ状態で加熱することにより、上部電極部51と電極接合部62とをはんだ材41を介して接合し、回路層12の回路電極部15と半導体素子50の上部電極部51との間をリードフレーム60A,60Bにより電気的に接続して、パワーモジュール101を製造する。
なお、図示は省略するが、半導体素子50のゲート端子等の配線は、ワイヤーボンディング等により行う。
そして、このようにして製造されたパワーモジュール101に、樹脂を流し込むことにより、半導体素子50とパワーモジュール用基板10とを樹脂モールド70により樹脂封止する。
リードフレームによる付勢力が強すぎると、配線接続工程(S14)時においてはんだ箔が溶融した際に、電極接合部62と上部電極部51との間からはんだ材41が流れ出しやすくなるが、図4に示すように、突起部64を設けておくことで、電極接合部62と上部電極部51との間にはんだ材41を介在させる隙間を確保しておくことができる。したがって、はんだ材41が流れ出すことを防止でき、電極接合部62と上部電極部51との接合を強固に行うことができ、パワーモジュールの接合信頼性を向上できる。
なお、図5に示すリードフレーム60Eのように、リブ形状部65を設けることで、リードフレームの補強を行うこともできる。
例えば、上記実施形態のパワーモジュール101では、パワーモジュール用基板10に平板状の放熱板30を備えており、放熱板30を介してヒートシンク80に固定される構成とされていたが、放熱板30を設けることなく、金属層13とヒートシンク80とを直接固定する構成とすることもできる。
11 セラミックス基板
12 回路層
13 金属層
21 第1層
22 第2層
30 放熱板
41 はんだ材
42 はんだ箔
50 半導体素子
51 上部電極部
55 ゲート端子
60A〜60E,90 リードフレーム
61 回路接合部
62 電極接合部
63 屈曲部
64 突起部
65 リブ形状部
70 樹脂モールド
80 ヒートシンク
101,103 パワーモジュール
Claims (3)
- セラミックス基板の一方の面に回路層が形成されたパワーモジュール用基板の前記回路層の上面に半導体素子が搭載され、前記回路層の回路電極部と前記半導体素子の上部電極部とを接続状態にするリードフレームが設けられてなるパワーモジュールを製造する方法であって、
前記リードフレームに、前記回路電極部と接合される回路接合部と、前記上部電極部と接合される電極接合部と、前記回路接合部と前記電極接合部との間に該リードフレームを厚み方向に複数回折り返すことにより前記厚み方向と該リードフレームの長さ方向において前記電極接合部と前記回路接合部との間隔を伸縮可能とする屈曲部とを設けておき、
前記回路層の上面に搭載された前記半導体素子の前記上部電極部に前記電極接合部を接触させて付勢した状態で、前記回路電極部に前記回路接合部を接合するリードフレーム接合工程と、
前記リードフレーム接合工程後に、前記上部電極部と前記電極接合部との間にはんだ箔を挟み込んで加熱することにより前記上部電極部と前記電極接合部とを接合する配線接続工程とを備えるパワーモジュールの製造方法。 - 前記リードフレームに、前記電極接合部から前記上部電極部側に突出して、前記上部電極部の一部に当接する突起部を設けておくことを特徴とする請求項1に記載のパワーモジュールの製造方法。
- 前記配線接続工程後に、前記半導体素子と前記パワーモジュール用基板とを樹脂モールドにより樹脂封止する封止工程を備えることを特徴とする請求項1又は2に記載のパワーモジュールの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016057990A JP6627600B2 (ja) | 2016-03-23 | 2016-03-23 | パワーモジュールの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016057990A JP6627600B2 (ja) | 2016-03-23 | 2016-03-23 | パワーモジュールの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017174927A JP2017174927A (ja) | 2017-09-28 |
JP6627600B2 true JP6627600B2 (ja) | 2020-01-08 |
Family
ID=59973179
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016057990A Active JP6627600B2 (ja) | 2016-03-23 | 2016-03-23 | パワーモジュールの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6627600B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3703118B1 (en) * | 2017-10-26 | 2022-05-18 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP6752981B2 (ja) * | 2017-10-26 | 2020-09-09 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
WO2019082346A1 (ja) * | 2017-10-26 | 2019-05-02 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 |
JP2022000871A (ja) * | 2018-07-31 | 2022-01-04 | 京セラ株式会社 | 電気回路基板及びパワーモジュール |
JP7167642B2 (ja) * | 2018-11-08 | 2022-11-09 | 三菱マテリアル株式会社 | 接合体、ヒートシンク付絶縁回路基板、及び、ヒートシンク |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4319591B2 (ja) * | 2004-07-15 | 2009-08-26 | 株式会社日立製作所 | 半導体パワーモジュール |
JP4972503B2 (ja) * | 2007-09-11 | 2012-07-11 | 株式会社日立製作所 | 半導体パワーモジュール |
WO2015107871A1 (ja) * | 2014-01-15 | 2015-07-23 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体装置 |
JP6133238B2 (ja) * | 2014-06-09 | 2017-05-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
-
2016
- 2016-03-23 JP JP2016057990A patent/JP6627600B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017174927A (ja) | 2017-09-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4635564B2 (ja) | 半導体装置 | |
US10727163B2 (en) | Semiconductor device | |
JP6627600B2 (ja) | パワーモジュールの製造方法 | |
JP4438489B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5572678B2 (ja) | クラッド型ベースプレートを含む半導体装置 | |
KR102300972B1 (ko) | 파워 모듈용 기판 유닛 및 파워 모듈 | |
US8963321B2 (en) | Semiconductor device including cladded base plate | |
US9899345B2 (en) | Electrode terminal, semiconductor device for electrical power, and method for manufacturing semiconductor device for electrical power | |
US10461012B2 (en) | Semiconductor module with reinforcing board | |
US20100078807A1 (en) | Power semiconductor module assembly with heat dissipating element | |
JP2014063984A (ja) | パワーモジュール用基板及びパワーモジュール | |
JP2011210822A (ja) | 冷却装置 | |
WO2011040313A1 (ja) | 半導体モジュールおよびその製造方法 | |
JP7196047B2 (ja) | 電気回路体、電力変換装置、および電気回路体の製造方法 | |
JP2008258547A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2005094842A (ja) | インバータ装置及びその製造方法 | |
JP2009076592A (ja) | 半導体素子の電極と放熱板との圧着方法 | |
JP4096741B2 (ja) | 半導体装置 | |
CN114586151A (zh) | 半导体装置、功率转换装置以及半导体装置的制造方法 | |
JPH10144967A (ja) | 冷却用熱電素子モジュール | |
TWI766791B (zh) | 雙面冷卻功率封裝結構 | |
JP2014143342A (ja) | 半導体モジュール及びその製造方法 | |
JP2015002305A (ja) | 半導体装置 | |
JP2021027146A (ja) | 半導体装置 | |
US20220320032A1 (en) | Connecting strip for discrete and power electronic devices |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180926 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190521 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190523 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190625 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191105 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191118 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6627600 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |