JP6625122B2 - プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 - Google Patents
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Description
X(t)=A(t)cos(ωt+θ0) ・・・ (1)
ただし、A(t):ある時刻tにおける振幅、
θ0:初期位相
X(t)=A(t)cosωt・cosθ0−A(t)sinωt・sinθ0・・・(2)
I(t)=A(t)cosθ0 ・・・ (3)
Q(t)=A(t)sinθ0 ・・・ (4)
X(t)=I(t)cosωt−Q(t)sinωt ・・・ (5)
次に、変形例1について説明する。変形例1に係るプラズマ処理装置は、プラズマ処理を実行する前に、搬送波群とは異なる他の搬送波群を生成する点を除き、上記一実施形態に係るプラズマ処理装置1と同様の構成を有する。したがって、変形例1では、上記一実施形態と共通する構成要素には、同一の参照符号を用いるとともに、その詳細な説明は省略する。
次に、変形例2について説明する。変形例2に係るプラズマ処理装置は、プラズマ処理を実行する前に、搬送波群に含まれる複数の搬送波の中の少なくとも1つの搬送波を生成する点を除き、上記一実施形態に係るプラズマ処理装置1と同様の構成を有する。したがって、変形例2では、上記一実施形態と共通する構成要素には、同一の参照符号を用いるとともに、その詳細な説明は省略する。
12 処理容器
14 ステージ
16 搬送波群生成部
18 アンテナ
20 誘電体窓
30 スロット板
38 ガス供給系
100 制御部
101 コントローラ
102 ユーザインタフェース
103 記憶部
Claims (12)
- 処理容器と、
所定の中心周波数を中心とする所定の周波数帯域に属する周波数であって、互いに異なる周波数をそれぞれ有する複数の搬送波から成る搬送波群を生成する搬送波群生成部と、
前記搬送波群を用いて、前記処理容器内にプラズマを生成するプラズマ生成部と
を備え、
前記搬送波群生成部は、前記搬送波群の反射波のパワーが極小となる周波数が、前記搬送波群に含まれる複数の搬送波のうち、いずれかの搬送波の周波数と一致するように、前記搬送波群を生成することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 各前記搬送波の周波数が一定の間隔で複数存在することを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記搬送波群は、波形データを量子化して逆フーリエ変換することで得られるIデータおよびQデータを用いて、互いに90°位相が異なる搬送波を変調することによって、生成されることを特徴とする請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置。
- 各前記搬送波の周波数は、時間の経過に関わらず一定であることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記複数の搬送波の振幅は、同一であることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 各前記搬送波の振幅は、時間の経過に関わらず一定であることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記複数の搬送波のうち、前記所定の周波数帯域において周波数が隣り合う少なくとも2つの搬送波は、位相が異なることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記複数の搬送波のうち、前記所定の周波数帯域において周波数が隣り合う少なくとも2つの搬送波は、位相が90°異なることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記搬送波群の反射波の周波数スペクトルを検出する検出部と、
前記搬送波群生成部を制御して、前記周波数スペクトルの極小値に対応する前記反射波の周波数である極小反射周波数が前記所定の周波数帯域内に存在するように、前記所定の周波数帯域の幅を決定する制御部と
をさらに備えたことを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。 - 前記搬送波群生成部は、前記プラズマにより被処理体に対してプラズマ処理を実行する前に、前記所定の中心周波数を中心とする前記所定の周波数帯域に属する周波数であって、互いに異なる周波数をそれぞれ有する複数の搬送波から成る他の搬送波群を生成し、
前記プラズマ生成部は、前記他の搬送波群を用いて、前記処理容器内にプラズマを生成し、
前記他の搬送波群に含まれる各前記搬送波の振幅は、時間の経過と共に変動し、当該振幅の極大値は、前記搬送波群に含まれる各前記搬送波の振幅よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。 - 前記搬送波群生成部は、前記プラズマにより被処理体に対してプラズマ処理を実行する前に、前記搬送波群に含まれる前記複数の搬送波の中の少なくとも1つの搬送波を生成し、
前記プラズマ生成部は、前記少なくとも1つの搬送波を用いて、前記処理容器内にプラズマを生成し、
前記少なくとも1つの搬送波の振幅は、前記プラズマ処理が実行される場合の前記少なくとも1つの搬送波の振幅よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。 - 所定の中心周波数を中心とする所定の周波数帯域に属する周波数であって、互いに異なる周波数をそれぞれ有する複数の搬送波から成る搬送波群を生成し、
前記搬送波群を用いて、処理容器内にプラズマを生成する
ことを含み、
前記搬送波群を生成する処理は、前記搬送波群の反射波のパワーが極小となる周波数が、前記搬送波群に含まれる複数の搬送波のうち、いずれかの搬送波の周波数と一致するように、前記搬送波群を生成することを特徴とするプラズマ処理方法。
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JP2002313743A (ja) * | 2001-04-19 | 2002-10-25 | Sharp Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法、それらを用いて作製した薄膜、基板および半導体装置 |
JP3969081B2 (ja) * | 2001-12-14 | 2007-08-29 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP2005044793A (ja) * | 2003-07-04 | 2005-02-17 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
US8974868B2 (en) * | 2005-03-21 | 2015-03-10 | Tokyo Electron Limited | Post deposition plasma cleaning system and method |
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JP4732057B2 (ja) * | 2005-07-29 | 2011-07-27 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置および処理方法 |
JP4677918B2 (ja) * | 2006-02-09 | 2011-04-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
WO2008026531A1 (fr) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | National University Corporation Nagoya University | Procédé de traitement d'oxydation par plasma |
JP2008060429A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Toshiba Corp | 基板のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP5026916B2 (ja) * | 2007-10-19 | 2012-09-19 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
JP5320260B2 (ja) * | 2009-10-29 | 2013-10-23 | 日本放送協会 | Ofdm信号送信装置 |
JP2011190479A (ja) * | 2010-03-12 | 2011-09-29 | Toshiba Corp | 半導体製造装置、ターゲットの表面処理方法、及びプログラム |
JP2012109080A (ja) * | 2010-11-16 | 2012-06-07 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
KR101910678B1 (ko) * | 2010-11-17 | 2018-10-22 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
JP5740246B2 (ja) * | 2011-08-15 | 2015-06-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP5847496B2 (ja) * | 2011-09-01 | 2016-01-20 | 株式会社日立国際電気 | プラズマ生成用電源装置及びプラズマ生成パラメータ設定方法 |
JP5817906B2 (ja) * | 2012-02-23 | 2015-11-18 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、および高周波発生器 |
US20130278140A1 (en) * | 2012-04-19 | 2013-10-24 | Luxim Corporation | Electrodeless plasma lamp utilizing acoustic modulation |
JP6144917B2 (ja) * | 2013-01-17 | 2017-06-07 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置の運転方法 |
JP5725574B2 (ja) * | 2013-03-05 | 2015-05-27 | 東京エレクトロン株式会社 | マイクロ波導波装置、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
TWI739335B (zh) * | 2015-05-12 | 2021-09-11 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 電漿處理裝置及電漿處理方法 |
JP6643034B2 (ja) * | 2015-10-09 | 2020-02-12 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US9859101B2 (en) * | 2016-05-10 | 2018-01-02 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
JP6698560B2 (ja) * | 2017-02-01 | 2020-05-27 | 東京エレクトロン株式会社 | マイクロ波プラズマ源、マイクロ波プラズマ処理装置、およびプラズマ処理方法 |
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