JP6616699B2 - 電力変換装置およびパワーモジュールの熱抵抗計測方法 - Google Patents
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Description
続いて、素子(チップ)加熱のためのドレイン−ソース電圧(Vds)およびドレイン−ソース電流(Ids)を素子(サンプル)へ印加する。(ステップS2)
続いて、通電中のゲート電圧(Vgs)を測定する。(ステップS3)
ステップS3で計測したゲート電圧(Vgs)から傾き(dVgs/dt)を算出する。(ステップS4)
続いて、ステップS4で算出した傾き(dVgs/dt)の正負を判定する。傾き(dVgs/dt)が負の場合、すなわちdVgs/dt<0の場合は、ゲート−ソース間電圧が減少していることになるため、測定を停止し、ステップS1へ戻り、通電条件(Vds,Ids)を設定し直す。
続いて、素子加熱前後の素子温度変化量を加熱電力(p)で除すことにより、すなわち、(ΔTj−ΔTc)/pの値を算出することにより、素子(サンプル)の熱抵抗Rj−cを算出する。(ステップS7)
以上の方法により、複数のMOSFETが内蔵されたパワーモジュールを有する電力変換装置について、素子間発熱バラつきを生じさせずに熱抵抗を精度良く計測することができる。
Claims (6)
- パワーモジュールと、
前記パワーモジュールの熱抵抗を計測する熱抵抗計測部と、
前記パワーモジュールのゲート電圧を制御する制御部と、を備える電力変換装置であって、
前記パワーモジュールは、ソースおよびドレインを共通ノードとして互いに並列に接続された複数の半導体素子を有し、
前記制御部は、前記複数の半導体素子のドレイン−ソース間に所定のパルス電圧を印加することにより前記複数の半導体素子の各々を加熱するための電力を当該複数の半導体素子に印加し、
前記複数の半導体素子のゲート−ソース間電圧を測定して得られた結果に基づいて前記熱抵抗計測部の動作を制御し、
前記所定のパルス電圧を印加中に前記ゲート−ソース間電圧が減少する場合、前記熱抵抗計測部の動作を停止する機能を有することを特徴とする電力変換装置。 - パワーモジュールと、
前記パワーモジュールの熱抵抗を計測する熱抵抗計測部と、
前記パワーモジュールのゲート電圧を制御する制御部と、を備える電力変換装置であって、
前記パワーモジュールは、ソースおよびドレインを共通ノードとして互いに並列に接続された複数の半導体素子を有し、
前記制御部は、前記複数の半導体素子のドレイン−ソース間に所定のパルス電圧を印加することにより前記複数の半導体素子の各々を加熱するための電力を当該複数の半導体素子に印加し、
前記複数の半導体素子のゲート−ソース間電圧を測定して得られた結果に基づいて前記熱抵抗計測部の動作を制御し、
前記所定のパルス電圧を印加中に前記ゲート−ソース間電圧が一定もしくは増加する場合、前記所定のパルス電圧の印加を一定時間継続した後、前記熱抵抗計測部により前記パワーモジュールの熱抵抗を算出することを特徴とする電力変換装置。 - パワーモジュールと、
前記パワーモジュールの熱抵抗を計測する熱抵抗計測部と、
前記パワーモジュールのゲート電圧を制御する制御部と、を備える電力変換装置であって、
前記パワーモジュールは、ソースおよびドレインを共通ノードとして互いに並列に接続された複数の半導体素子を有し、
前記制御部は、前記複数の半導体素子のドレイン−ソース間に所定のパルス電圧を印加することにより前記複数の半導体素子の各々を加熱するための電力を当該複数の半導体素子に印加し、
前記複数の半導体素子のゲート−ソース間電圧を測定して得られた結果に基づいて前記熱抵抗計測部の動作を制御し、
前記パワーモジュールは、U相、V相、W相の上下アームに各々半導体素子を配置した三相交流型のパワーモジュールであり、
前記制御部は、前記上下アームのうち一方のアームのU相、V相、W相のいずれかに接続された第1の半導体素子をオンとし、他方のアームのU相、V相、W相のいずれかに接続された第2の半導体素子をオンとなるようにゲート電圧を印加し、
前記第1の半導体素子および前記第2の半導体素子に所定のドレイン−ソース電流が流れるように前記第2の半導体素子のゲートへパルス電圧を周期的に印加し、
前記第1の半導体素子のドレイン−ソース間電圧が所定の値になるようにゲート電圧を印加し、
前記第1の半導体素子のゲート−ソース間電圧を測定して得られた結果に基づいて前記熱抵抗計測部の動作を制御し、
前記第1の半導体素子のゲート−ソース間電圧が減少する場合、前記第2の半導体素子のゲートをオフにして、前記熱抵抗計測部の動作を停止する機能を有することを特徴とする電力変換装置。 - ソースおよびドレインを共通ノードとして互いに並列に接続された複数の半導体素子を有するパワーモジュールの熱抵抗計測方法であって、
前記複数の半導体素子のドレイン−ソース間に所定のパルス電圧を印加することにより前記複数の半導体素子の各々を加熱するための電力を当該複数の半導体素子に印加し、
前記複数の半導体素子のゲート−ソース間電圧を測定して得られた結果に基づいて熱抵抗計測の可否を判定し、
前記所定のパルス電圧を印加中に前記ゲート−ソース間電圧が減少する場合、前記パワーモジュールの熱抵抗計測を停止することを特徴とするパワーモジュールの熱抵抗計測方法。 - ソースおよびドレインを共通ノードとして互いに並列に接続された複数の半導体素子を有するパワーモジュールの熱抵抗計測方法であって、
前記複数の半導体素子のドレイン−ソース間に所定のパルス電圧を印加することにより前記複数の半導体素子の各々を加熱するための電力を当該複数の半導体素子に印加し、
前記複数の半導体素子のゲート−ソース間電圧を測定して得られた結果に基づいて熱抵抗計測の可否を判定し、
前記所定のパルス電圧を印加中に前記ゲート−ソース間電圧が一定もしくは増加する場合、前記所定のパルス電圧の印加を一定時間継続した後、前記パワーモジュールの熱抵抗を算出することを特徴とするパワーモジュールの熱抵抗計測方法。 - ソースおよびドレインを共通ノードとして互いに並列に接続された複数の半導体素子を有するパワーモジュールの熱抵抗計測方法であって、
前記複数の半導体素子のドレイン−ソース間に所定のパルス電圧を印加することにより前記複数の半導体素子の各々を加熱するための電力を当該複数の半導体素子に印加し、
前記複数の半導体素子のゲート−ソース間電圧を測定して得られた結果に基づいて熱抵抗計測の可否を判定し、
前記パワーモジュールは、U相、V相、W相の上下アームに各々半導体素子を配置した三相交流型のパワーモジュールであり、
前記上下アームのうち一方のアームのU相、V相、W相のいずれかに接続された第1の半導体素子をオンとし、他方のアームのU相、V相、W相のいずれかに接続された第2の半導体素子をオンとなるようにゲート電圧を印加し、
前記第1の半導体素子および前記第2の半導体素子に所定のドレイン−ソース電流が流れるように前記第2の半導体素子のゲートへパルス電圧を周期的に印加し、
前記第1の半導体素子のドレイン−ソース間電圧が所定の値になるようにゲート電圧を印加し、
前記第1の半導体素子のゲート−ソース間電圧を測定して得られた結果に基づいて熱抵抗計測の可否を判定し、
前記第1の半導体素子のゲート電圧が減少する場合、前記第2の半導体素子のゲートをオフにして、前記パワーモジュールの熱抵抗計測を停止することを特徴とするパワーモジュールの熱抵抗計測方法。
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