JP6614942B2 - 溶射部材の溶射膜の再形成方法 - Google Patents

溶射部材の溶射膜の再形成方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6614942B2
JP6614942B2 JP2015234278A JP2015234278A JP6614942B2 JP 6614942 B2 JP6614942 B2 JP 6614942B2 JP 2015234278 A JP2015234278 A JP 2015234278A JP 2015234278 A JP2015234278 A JP 2015234278A JP 6614942 B2 JP6614942 B2 JP 6614942B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
sprayed film
sprayed
film
stripping solution
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2015234278A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2017101274A (ja
Inventor
正規 千葉
直行 金山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NGK Spark Plug Co Ltd
Original Assignee
NGK Spark Plug Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NGK Spark Plug Co Ltd filed Critical NGK Spark Plug Co Ltd
Priority to JP2015234278A priority Critical patent/JP6614942B2/ja
Publication of JP2017101274A publication Critical patent/JP2017101274A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6614942B2 publication Critical patent/JP6614942B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Coating By Spraying Or Casting (AREA)

Description

本発明は、基材の表面を被覆する溶射膜を備えた溶射部材において溶射膜を再形成する方法に関する。
半導体デバイス、液晶デバイスなどを製造する場合、Siウエハやガラス基板に形成された所定の膜をFなどのハロゲン系の腐食性ガスを用いプラズマ環境下で処理するドライエッチングなどの工程が存在する。そこで、近年、半導体デバイス、液晶デバイスなどの製造装置において、プラズマ環境下で腐食ガスに曝される、静電チャックにおけるSiウエハなどの載置台部材等の各種部材に、Alなどの金属材料からなる基材の耐食を防止するために、基材の表面に耐食性を有するセラミックスからなる溶射膜を形成することがある。
しかしながら、溶射膜は、長年に亘って使用すれば腐食して劣化し、製造装置において特性が十分に発揮できなくなることがある。そこで、劣化した溶射膜を機械加工によって除去し、基体の表面に新たな溶射膜を形成することがある。
なお、特許文献1には、薄膜形成、プラズマ処理プロセスに使用される防着板、チャンバーなどの部材を被膜する部分安定化ジルコニア溶射膜を、温度100℃〜300℃、湿度50%以上の環境下に置くことにより、水熱劣化を利用位して除去することが記載されている。また、特許文献1には、従来の技術として、薬液によるエッチング、ブラスト等により溶射膜を剥離することも記載されている。
特開2004−346374号公報
しかしながら、溶射膜の厚さは一様ではなくバラツキがあり、基板は溝及び丸みのある角部などの構造を有する。そのため、基板に損傷を与えことなく、機械加工によって溶射膜を除去することは困難である。
また、上記特許文献1に記載された防着板、チャンバーなどの部材と比較して、Siウエハなどの載置台部材は、SiCウエハと接する表面形状が直接プロセスに影響するので、高い形状精度が求められる。しかし、従来の薬液によるエッチングでは、溶射膜を剥離した後の基材の表面に与える損傷が大きく、表面の形状精度が大きく劣化する。
そこで、金属基板に損傷を与えることなく、セラミックス溶射膜を簡易に除去することが可能な溶射部材の溶射膜の再形成方法を提供することを目的とする。
本発明の溶射部材の溶射膜の再形成方法は、表面がアルミナ又はアルミナ-チタニアからなるセラミックス溶射膜で被膜されたアルミニウム合金からなる金属基体を、硝酸を含む強酸を10%以上20%以下含有する水溶液に、30℃以上50℃以下の雰囲気で、48時間以上120時間以下浸漬し、前記セラミックス溶射膜を剥離させる工程と、前記金属基体の表面を研磨する工程と、前記表面にセラミックス粉末を溶射して新たなセラミックス溶射膜を形成する工程とを備えることを特徴とする。
本発明の溶射部材の溶射膜の再形成方法によれば、強酸を10%以上20%以下含有する水溶液に、30℃以上50℃以下の雰囲気で、48時間以上120時間以下浸漬することにより、金属基板からセラミックス溶射膜を剥離させている。従来の技術のようにセラミックス溶射膜を機械加工で除去するものでなく化学的に剥離するので、溶射膜の除去時に金属基板に損傷を与えることがない。さらに、除去作業の大幅な低減を図ることができる。
強酸の水溶液に浸漬されると金属基板の表面が酸化して酸化膜が形成されるが、この酸化膜は非常に薄い。そのため、サンドブラストなどで研磨して酸化膜を除去すれば、金属基板の元の形状は維持され、新たなセラミックス溶射膜を形成することより、元と同じ製造装置で再使用することが可能となる。
溶射部材を剥離液に浸漬した状態を示す模式断面図。
本発明の実施形態に係る溶射部材の溶射膜の再形成方法について説明する。
図1に示すように、溶射部材10は、基体11と、基体11の表面に形成された溶射膜12とから構成されている。溶射部材10は、他に、基体11と溶射膜12との間に形成された電極、電極に接続される端子などを備えるものであってもよい。
溶射部材10は、内部に埋設された電極に電圧が印加されることによって発生するクーロン力により、基板を載置面である基体11の表面に吸引する静電チャックであってもよい。また、溶射部材10は、内部に埋設された発熱抵抗体によって、載置面である基体11の表面に載置された基板を加熱するヒータであってもよい。また、溶射部材10は、ヒータ機能付きの静電チャックであってもよい。
溶射部材10は、基体11の表面上に溶射によって溶射膜12が形成されている。溶射膜12の厚さは、例えば200μm以上600μm以下であり、部位に応じて相違するものであってもよい。
本実施形態において、基体11は、強酸に溶ける金属からなる略円板状の部材である。例えば、基体11は、アルミニウム合金からなる。また、基体11の形状は、多角形板状、楕円板状などの種々の形状であってもよい。
溶射部材10の下面(図1においては上側の面)の中央部を除く表面、すなわち、上面(図1においては下側の面)、側周面及び裏面の外周部にはセラミックス粉末が溶射されてなる溶射膜12が形成されている。
本実施形態において、溶射膜12は、アルミナ(Al)からなっている。ただし、溶射膜12は、絶縁性セラミックスであるアルミナ−チタニア(Al −TiO )からなるものであってもよい。
基体11は、その上面外周部に小さな溝11aが形成されており、その下面外周縁11bは丸みを帯びている。そして、基体11のこれらの形状に沿って溶射膜12が形成されている。
このような溶射部材10は、長年に亘って使用すれば溶射膜12は腐食して劣化し、製造装置における特性が十分に発揮できなくなる。そこで、製造が困難であるため高価であり、使用による劣化もない基体11を用いて、溶射膜12を新たなものに置き換えて溶射部材10とすることが、資源の有効利用及びコストの観点から好ましい。
そのためには、劣化した溶射膜12を、基体11を損傷させることなく、除去する必要がある。発明者は、このような溶射膜12の除去を行うことが可能な方策を長年に亘って研究することにより、強酸の水溶液からなる剥離液21に溶射部材10を浸漬させればよいことを見出した。
本実施形態においては、剥離液21は、硝酸(HNO)を10%以上20%以下を含有する水溶液である。ただし、剥離液21は、水に替えて、又は水と混合して過酸化水素水(H)を加えてもよい。
また、剥離液21は、適宜な添加剤を添加したものであってもよい。添加剤として、例えば、ポリエチレングリコール、オクチルフェニルエーテル、及びこれらの重合物などの界面活性剤を添加してもよい。これにより、溶射膜12への浸透性の向上、及び基体11との反応性(ぬれ性)の向上という効果を奏する。また、添加剤として、有機防食剤を添加してもよい。
溶射部材10の下面には、端子を接着剤で固定している穴などが設けられているため、必要な範囲においてポリイミドフィルムなどからなるマスキング材22を貼り付けてマスキングを行う。また、基体11の外周部にOリングを配置した塩化ビニール製樹脂盤を密着させてもよい。
マスキング材22を下面に貼り付けた溶射部材10を上下逆にして、浴槽23を入れた剥離液21に浸漬させる。
剥離液21の温度は、30℃以上50℃以下である。剥離液21の温度が、30℃未満であると、剥離が完了するまで10日以上を要し現実的なプロセスではなくなる。また、50℃を超えると、基体11及び剥離液21の取り扱い作業の安全性が悪化するおそれがあるからである。
浸漬時間は、48時間以上120時間以下である。浸漬時間が、48時間未満であると、溶射膜12が完全に剥離していないおそれがあり、120時間を超えると溶射膜12は既に確実に完全に剥離しており、これ以上浸漬することは無意味であるからである。
溶射膜12が基体11から剥離したことを目視で確認した後、基体11を取り出し、水洗いする。
アルミニウムからなる基体11の表面には、剥離液21による酸化によって極薄い酸化膜が形成されている。このような酸化膜が存在すると導電性が劣るので、サンドブラストなどによって研磨加工を行って、酸化膜を除去する。
なお、絶縁性が要求される部分は研磨加工を行わないでおき、この部分は酸化膜により絶縁性を向上させることが可能となる。
基体11は、その表面の極薄い部分を除いて剥離液21による影響を受けないので、元の形状がそのまま残る。そのため、基体11の形状を整えるための機械加工などは必要としない。溶射部材10が元々使用されていた製造装置と同じ製造装置で、溶射部材10を再使用することが可能となる。
ただし、基体11に追加工などを行って、元の溶射部材10が使用されていた製造装置とは異なる機種などに適したものとしてもよい。
その後、剥離した溶射膜12を形成したときと同様にして、セラミックス粉末を溶射して新たな溶射膜12を形成する。ただし、剥離した溶射膜12と新たな溶射膜12とは、原材料であるセラミックス粉末の種類、粒径、或いは厚さなどが相違していてもよい。
(実施例1)
基体11として、アルミニウム合金(6061)からなり、直径300mm、厚さ60mmの円板状のものを用意した。そして、この基体11の上面と側周面にアルミナ(Al)粉末を溶射し、厚さ250μmの溶射膜12を形成して、溶射部材10を作製した。
剥離液21として、硝酸(HNO)15%水溶液に0.1%ポリエチレングリコール、オクチルフェニルエーテルを添加したものを用意した。剥離液21の温度は50℃とした。
この剥離液21を浴槽23に入れ、溶射部材10を剥離液21に浸漬させた。
浸漬開始から24時間経過したとき、そして、その後12時間経過するごとに、溶射膜12が基体11から剥離しているか否かを目視で確認した。
浸漬開始から48時間経過したときに、溶射膜12が基体11から剥離していることを目視で確認したので、基体11を剥離液21から取り出し、水洗いした。
溶射膜12が剥離した後の基体11は、溶射膜12を形成する前の基体11と同じく、各寸法の寸法公差が全てJISB0405−1991の中級に入るものであった。
(実施例2)
基体11として、アルミニウム合金(6061)からなり、直径300mm、厚さ20mmの円板状のものを用意した。そして、この基体11の上面と側周面にアルミナ(Al)粉末を溶射し、厚さ350μmの溶射膜12を形成して、溶射部材10を作製した。
剥離液21として、実施例1と同じものを用意した。剥離液21の温度は30℃とした。
この剥離液21を浴槽23に入れ、溶射部材10を剥離液21に浸漬させた。
浸漬開始から120時間経過したとき、溶射膜12が基体11から剥離したことを目視で確認したので、基体11を剥離液21から取り出し、水洗いした。
溶射膜12が剥離した後の基体11は、溶射膜12を形成する前の基体11と同じく、各寸法の寸法公差が全てJISB0405−1991の中級に入るものであった。
(実施例3)
基体11として、実施例2と同じものを用意した。そして、この基体11の上面と側周面にアルミナ−チタニア(Al−TiO)粉末を溶射し、厚さ350μmの溶射膜12を形成して、溶射部材10を作製した。
剥離液21として、実施例1と同じものを用意した。剥離液21の温度は40℃とした。
この剥離液21を浴槽23に入れ、溶射部材10を剥離液21に浸漬させた。
浸漬開始から60時間経過したとき、溶射膜12が基体11から剥離したことを目視で確認したので、基体11を剥離液21から取り出し、水洗いした。
溶射膜12が剥離した後の基体11は、溶射膜12を形成する前の基体11と同じく、各寸法の寸法公差が全てJISB0405−1991の中級に入るものであった。
(実施例4)
基体11として、アルミニウム合金(SUS304)からなり、直径300mm、厚さ25mmの円板状のものを用意した。そして、この基体11の上面と側周面にアルミナ(Al)粉末を溶射し、厚さ250μmの溶射膜12を形成して、溶射部材10を作製した。
剥離液21として、実施例1と同じものを用意した。剥離液21の温度は50℃とした。
この剥離液21を浴槽23に入れ、溶射部材10を剥離液21に浸漬させた。
浸漬開始から48時間経過したとき、溶射膜12が基体11から剥離したことを目視で確認したので、基体11を剥離液21から取り出し、水洗いした。
溶射膜12が剥離した後の基体11は、溶射膜12を形成する前の基体11と同じく、各寸法の寸法公差が全てJISB0405−1991の中級に入るものであった。
(実施例5)
溶射部材10として、実施例4と同じものを作製した。
剥離液21として、王水(HCl−HNO)15%水溶液に0.1%ポリエチレングリコール、オクチルフェニルエーテルを添加したものを用意した。剥離液21の温度は50℃とした。
この剥離液21を浴槽23に入れ、溶射部材10を剥離液21に浸漬させた。
浸漬開始から48時間経過したとき、溶射膜12が基体11から剥離したことを目視で確認したので、基体11を剥離液21から取り出し、水洗いした。
溶射膜12が剥離した後の基体11は、溶射膜12を形成する前の基体11と同じく、各寸法の寸法公差が全てJISB0405−1991の中級に入るものであった。
(実施例6)
溶射部材10として、実施例1と同じものを作製した。
剥離液21として、硝酸(HNO)を過酸化水素水(H)を加えて15%溶液としたものに、0.1%ポリエチレングリコール、オクチルフェニルエーテルを添加したものを用意した。剥離液21の温度は50℃とした。
この剥離液21を浴槽23に入れ、溶射部材10を剥離液21に浸漬させた。
浸漬開始から48時間経過したとき、溶射膜12が基体11から剥離したことを目視で確認したので、基体11を剥離液21から取り出し、水洗いした。
溶射膜12が剥離した後の基体11は、溶射膜12を形成する前の基体11と同じく、各寸法の寸法公差が全てJISB0405−1991の中級に入るものであった。
(比較例1)
溶射部材10及び剥離液21として、実施例1と同じものを作製した。ただし、剥離液21の温度は20℃とした。
この剥離液21を浴槽23に入れ、溶射部材10を剥離液21に浸漬させた。
浸漬開始から120時間経過したとき、基体11を剥離液21から取り出し、水洗いした。溶射膜12は基体11から完全には剥離しなかった。そのため、残存した溶射膜を加工手段により除去を行った。その結果、溶射膜12が完全に除去された後の基体11は、各寸法の寸法公差がJISB0405−1991の中級に入らなかった。
(比較例2)
溶射部材10として、実施例4と同じものを作製した。
剥離液21として、硝酸(HNO3)5%水溶液に0.1%ポリエチレングリコール、オクチルフェニルエーテルを添加したものを用意した。剥離液21の温度は50℃とした。
この剥離液21を浴槽23に入れ、溶射部材10を剥離液21に浸漬させた。
浸漬開始から120時間経過したとき、基体11を剥離液21から取り出し、水洗いした。溶射膜12は基体11から完全には剥離しなかった。そのため、残存した溶射膜を加工手段により除去を行った。その結果、溶射膜12が完全に除去された後の基体11は、各寸法の寸法公差がJISB0405−1991の中級に入らなかった。
実施例1から実施例6及び比較例1,2の結果を表1にまとめた。
10…溶射部材、 11…基体(金属基体)、 12…溶射膜(セラミックス溶射膜)、 21…剥離液(強酸の水溶液)、 22…マスキング材、 23…浴槽。

Claims (1)

  1. 表面がアルミナ又はアルミナ-チタニアからなるセラミックス溶射膜で被膜されたアルミニウム合金からなる金属基体を、硝酸を含む強酸を10%以上20%以下含有する水溶液に、30℃以上50℃以下の雰囲気で、48時間以上120時間以下浸漬し、前記セラミックス溶射膜を剥離させる工程と、
    前記金属基体の表面を研磨する工程と、
    前記表面にセラミックス粉末を溶射して新たなセラミックス溶射膜を形成する工程とを備えることを特徴とする溶射部材の溶射膜の再形成方法。
JP2015234278A 2015-11-30 2015-11-30 溶射部材の溶射膜の再形成方法 Active JP6614942B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015234278A JP6614942B2 (ja) 2015-11-30 2015-11-30 溶射部材の溶射膜の再形成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015234278A JP6614942B2 (ja) 2015-11-30 2015-11-30 溶射部材の溶射膜の再形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017101274A JP2017101274A (ja) 2017-06-08
JP6614942B2 true JP6614942B2 (ja) 2019-12-04

Family

ID=59017885

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015234278A Active JP6614942B2 (ja) 2015-11-30 2015-11-30 溶射部材の溶射膜の再形成方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6614942B2 (ja)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2971369B2 (ja) * 1995-08-31 1999-11-02 トーカロ株式会社 静電チャック部材およびその製造方法
US6379749B2 (en) * 2000-01-20 2002-04-30 General Electric Company Method of removing ceramic coatings
JP2003253482A (ja) * 2002-03-01 2003-09-10 Ngk Insulators Ltd チタン系膜及びチタン酸化物の除去方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2017101274A (ja) 2017-06-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102098926B1 (ko) 반도체 적용을 위한 희토류 옥사이드 기반 내침식성 코팅
TWI693651B (zh) 用以清洗電漿處理室元件的溼式清洗程序
JP5293211B2 (ja) 静電チャックおよび静電チャックの製造方法
CN106399896A (zh) 钇基喷涂涂层和制造方法
TW201343386A (zh) 陶瓷塗佈環及塗施陶瓷塗層的製程
JP5708648B2 (ja) サポート基板
US20150309474A1 (en) Process for manufacturing a strengthened timepiece component and corresponding timepiece component and timepiece
US10192680B2 (en) Planar transformer components comprising electrophoretically deposited coating
TWI242245B (en) Component for plasma etching device and the making method
TWI511189B (zh) 化學處理以減少含碳化矽之半導體處理部件中加工引起的次表面損壞
JP6614942B2 (ja) 溶射部材の溶射膜の再形成方法
JP2007530788A (ja) 半導体被覆基板の製造方法
CN102513314A (zh) 具有氧化钇包覆层的工件的污染物的处理方法
JP2002176023A (ja) フッ素系樹脂被覆石英ガラス治具及びその製造方法
TWI679702B (zh) 用於處理腔室中的腔室部件以及處理腔室部件的方法
JP4994719B2 (ja) 陽極酸化被膜剥離液及び陽極酸化被膜の剥離方法
KR20190027636A (ko) 쿼츠 표면 코팅을 위한 쿼츠 표면 처리 방법
KR20090121527A (ko) 실리콘 웨이퍼 재생방법 및 그 재생장치
CN102513313B (zh) 具有碳化硅包覆层的喷淋头的污染物处理方法
JP2003055070A (ja) セラミックス部材の洗浄方法
JP2004119475A (ja) プラズマ処理装置内部品の製造方法及びプラズマ処理装置内部品
TWI757320B (zh) 矽構件之調節方法
JPH06158358A (ja) アルミニウム合金のデバーリング液および精密バリ取り方法
TW550702B (en) Resin coating material for semiconductor device processing and the manufacturing method thereof
JP2012094562A (ja) 半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180509

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190326

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190409

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190605

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20191015

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20191105

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6614942

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250