JP6613090B2 - 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 - Google Patents
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Description
本発明は、電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置に関する。
現在、電子写真感光体は電荷発生機能（電荷発生層）と電荷輸送機能（電荷輸送層）とをそれぞれ別々の層に分担させた機能分離型積層感光体が一般的である。
電荷発生機能を有する電荷発生物質に関しては、像露光手段としてよく用いられている半導体レーザーの発振波長が６５０〜８２０ｎｍと長波長であるため、これらの長波長の光に高い感度を有する電荷発生物質の開発が進められている。
フタロシアニン顔料は、こうした長波長領域までの光に高い感度を有する電荷発生物質として有効である。特にオキシチタニウムフタロシアニンやガリウムフタロシアニンは、優れた感度特性を有しており、これまでに様々な結晶形や改良製法が報告されている。
特許文献１には、極性有機溶剤を含有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が開示されている。Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどを変換溶剤に使用することにより結晶内に取り込まれ、優れた感度特性を有する結晶が得られている。
一方、電荷輸送機能を分担する電荷輸送層としては、電荷輸送機能を有することと電子写真感光体の最表面に位置することから、機械的強度と放電劣化の少ないことが求められている。従って、高モビリティ−な電荷輸送物質の開発、および機械的強度と放電に強い樹脂の開発が進められている。
特に、感光体の繰り返し使用での削れによる電荷輸送層の薄膜化によって電界強度が上昇し、かぶり（本来トナーが現像されるべきでない部分に、薄くトナーが現像されてしまう現象）が発生することが問題となっている。
特許文献２には、耐摩耗性に優れたポリカーボネート共重合体が記載され、耐摩耗性に優れた感光体が得られている。
以上、電子写真感光体に関して、様々な改善が試みられている。しかしながら、特許文献１に記載の感光体は、生成したフォトキャリアが感光層に残存しやすく、その残留フォトキャリアが起点となって、かぶりや黒点といった画像欠陥を起こしやすいという課題があった。
そして、近年のさらなる高画質対応、トナー消費量抑制の観点から更なるかぶりの改善が望まれている。
そして、近年のさらなる高画質対応、トナー消費量抑制の観点から更なるかぶりの改善が望まれている。
本発明の目的は、機能分離型積層感光体の電荷発生層中の電荷発生物質の改良、および電荷輸送層の改良により、電荷輸送層が感光体の繰り返し使用により薄膜化してもかぶりを十分に抑えた高品質な画像を出力可能な電子写真感光体およびその製造方法を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、上記電子写真感光体を有する電子写真装置、プロセスカートリッジを提供することにある。
また、本発明の他の目的は、上記電子写真感光体を有する電子写真装置、プロセスカートリッジを提供することにある。
本発明は、支持体、および該支持体上に電荷発生層と電荷輸送層とを有する電子写真感光体において、
該電荷発生層が、有機化合物を結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶を含有し、
該電荷輸送層が、下記式（１）および（２）で示される構造単位を有するポリカーボネート樹脂を含有し、
上記式（１）中のＲ１１〜Ｒ１８および式（２）中のＲ２１〜Ｒ２８は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子、または、アルコキシ基を示す。式（２）中のＸは、
を示す。ここで、Ｒ３１及びＲ３２は、水素原子、無置換のアルキル基、無置換のアリール基、並びにＲ３１及びＲ３２が結合して炭素環を形成するのに必要な基から選ばれるいずれかを示す。
前記有機化合物の含有量が、前記ガリウムフタロシアニンに対して０．３質量％以上１．５質量％以下であり、
前記有機化合物がＮ−メチルホルムアミド、Ｎ−プロピルホルムアミド、Ｎ−ビニルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドンからなる群より選択される少なくとも１種の化合物であることを特徴とする電子写真感光体である。
該電荷発生層が、有機化合物を結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶を含有し、
該電荷輸送層が、下記式（１）および（２）で示される構造単位を有するポリカーボネート樹脂を含有し、
前記有機化合物の含有量が、前記ガリウムフタロシアニンに対して０．３質量％以上１．５質量％以下であり、
前記有機化合物がＮ−メチルホルムアミド、Ｎ−プロピルホルムアミド、Ｎ−ビニルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドンからなる群より選択される少なくとも１種の化合物であることを特徴とする電子写真感光体である。
また、本発明は、上記電子写真感光体の製造方法において、該電荷輸送層が、双極子モーメント１．０Ｄ以下の溶媒を使用して形成されたものであることを特徴とする電子写真感光体の製造方法である。
また、本発明は、上記電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、および、クリーニング手段からなる群より選ばれる少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジである。
また、本発明は、上記電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、および、クリーニング手段からなる群より選ばれる少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジである。
また、本発明は、上記電子写真感光体、ならびに、帯電手段、露光手段、現像手段、および、転写手段を有することを特徴とする電子写真装置である。
本発明によれば、かぶりを十分に抑えた高品質な画像を出力可能な電子写真感光体およびその製造方法、ならびに、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供することができる。
本発明の電子写真感光体は、上記のとおり、支持体、該支持体上に電荷発生層と電荷輸送層とを有する。
該電荷発生層が、有機化合物を結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶を含有し、該有機化合物が、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ−プロピルホルムアミド、Ｎ−ビニルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドンからなる群より選択される少なくとも１種の化合物である。そして、該有機化合物の含有量が、ガリウムフタロシアニン結晶中のガリウムフタロシアニンに対して０．１質量％以上２．０質量％以下である。
さらに、該電荷輸送層が、下記式（１）および（２）で示される構造単位を有するポリカーボネート樹脂を含有することを特徴とする。
上記式（１）中のＲ１１〜Ｒ１８および式（２）中のＲ２１〜Ｒ２８は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子、または、アルコキシ基を示す。式（２）中のＸは、
該電荷発生層が、有機化合物を結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶を含有し、該有機化合物が、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ−プロピルホルムアミド、Ｎ−ビニルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドンからなる群より選択される少なくとも１種の化合物である。そして、該有機化合物の含有量が、ガリウムフタロシアニン結晶中のガリウムフタロシアニンに対して０．１質量％以上２．０質量％以下である。
さらに、該電荷輸送層が、下記式（１）および（２）で示される構造単位を有するポリカーボネート樹脂を含有することを特徴とする。
また、前記式（２）で示される構造単位が、下記式（４）〜（７）のいずれかで示される構造単位であることが好ましい。
また上記式（１）および（２）で示される構造単位を有するポリカーボネート樹脂は、下記式（８）および（９）で示されるビスフェノール
（上記式（８）中のＲ１１〜Ｒ１８および式（９）中のＲ２１〜Ｒ２８は、それぞれ上記式（１）、（２）におけるものと同義である。）
をホスゲン、炭酸エステルあるいはクロロホルメートと反応して得られる。
をホスゲン、炭酸エステルあるいはクロロホルメートと反応して得られる。
上記式（８）で示されるビスフェノールの好ましい例を以下に示すが、本発明はこれらに限られるものではない。
４，４′−ジヒドロキシビフェニル、
４，４′−ジヒドロキシ−３，３′−ジメチルビフェニル、
４，４′−ジヒドロキシ−２，２′−ジメチルビフェニル、
４，４′−ジヒドロキシ−３，３′，５−トリメチルビフェニル、
４，４′−ジヒドロキシ−３，３′，５，５′−テトラメチルビフェニル、
４，４′−ジヒドロキシ−３，３′−ジブチルビフェニル、
４，４′−ジヒドロキシ−３，３′−ジシクロヘキシルビフェニル、
３，３′−ジフルオロ−４，４′−ジヒドロキシビフェニル、
４，４′−ジヒドロキシ−３，３′−ジフェニルビフェニル。
４，４′−ジヒドロキシビフェニル、
４，４′−ジヒドロキシ−３，３′−ジメチルビフェニル、
４，４′−ジヒドロキシ−２，２′−ジメチルビフェニル、
４，４′−ジヒドロキシ−３，３′，５−トリメチルビフェニル、
４，４′−ジヒドロキシ−３，３′，５，５′−テトラメチルビフェニル、
４，４′−ジヒドロキシ−３，３′−ジブチルビフェニル、
４，４′−ジヒドロキシ−３，３′−ジシクロヘキシルビフェニル、
３，３′−ジフルオロ−４，４′−ジヒドロキシビフェニル、
４，４′−ジヒドロキシ−３，３′−ジフェニルビフェニル。
上記式（９）で示されるビスフェノール化合物としては、例えば、
ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、
ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、
ビス（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニル）メタン、
ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）メタン、
ビス（４−ヒドロキシフェニル）エーテル、
ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）エーテル、
ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）エーテル、
ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン、
ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）スルホン、
ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホキシド、
ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）スルホキシド、
ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルファイド、
ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）スルファイド、
ビス（４−ヒドロキシフェニル）ケトン、
ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）ケトン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、
１，１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）エタン、
１，１−ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）エタン、
１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）エタン、
１，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、
１，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）エタン、
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（３−ブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（３，５−ジフルオロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパン、
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、
２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、
２，２−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、
２，２−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、
２，２−ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、
２，２−ビス（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、
２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、
２，２−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、
２，２−ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、
２，２−ビス（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、
２，２−ビス（３−ブロモ−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、
２，２−ビス（３，５−ジフルオロ−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、
２，２−ビス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、
２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、
２，２−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）ブタン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（３−シクロ−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（３−ブロモ−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（３，５−ジフルオロ−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）シクロヘキサン、
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）アダマンタン
及び
１，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）アダマンタン
等が挙げられ、これらを２種類以上併用することも可能である。
ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、
ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、
ビス（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニル）メタン、
ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）メタン、
ビス（４−ヒドロキシフェニル）エーテル、
ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）エーテル、
ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）エーテル、
ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン、
ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）スルホン、
ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホキシド、
ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）スルホキシド、
ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルファイド、
ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）スルファイド、
ビス（４−ヒドロキシフェニル）ケトン、
ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）ケトン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、
１，１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）エタン、
１，１−ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）エタン、
１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）エタン、
１，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、
１，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）エタン、
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（３−ブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（３，５−ジフルオロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパン、
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、
２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、
２，２−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、
２，２−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、
２，２−ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、
２，２−ビス（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、
２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、
２，２−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、
２，２−ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、
２，２−ビス（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、
２，２−ビス（３−ブロモ−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、
２，２−ビス（３，５−ジフルオロ−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、
２，２−ビス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、
２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、
２，２−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）ブタン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（３−シクロ−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（３−ブロモ−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（３，５−ジフルオロ−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）シクロヘキサン、
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）アダマンタン
及び
１，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）アダマンタン
等が挙げられ、これらを２種類以上併用することも可能である。
本発明において用いられるポリカーボネート樹脂の極限粘度は０．３〜２．０デシリットル／グラムが好ましい。
本発明において用いられるポリカーボネート樹脂には、通常末端停止剤あるいは分子量調節剤が使用され、これらの例としては１価のフェノール性水酸基を有する化合物が挙げられる。通常のフェノール、ｐ−第三ブチルフェノール及びトリブロモフェノール等の他に長鎖アルキルフェノール、脂肪族カルボン酸クロライド、脂肪族カルボン酸、ヒドロキシ安息香酸アルキルエステル、ヒドロキシフェニルアルキル酸エステル及びアルキルエーテルフェノール等が挙げられる。
末端停止剤あるいは分子量調節剤の使用量は、用いる全てのビスフェノール１００モルに対して、１００〜０．２モル、好ましくは５０〜２モルであり、２種類以上の化合物を併用することも当然に可能である。
更に分岐化剤を上記のビスフェノール系化合物に対して０．０１〜３モル％、特に０．１〜１．０モル％の範囲で併用して分岐化ポリカーボネート樹脂とすることができる。分岐化剤としては、フロログルシン、２，６−ジメチル−２，４，６−トリ（ヒドロキシフェニル）ヘプテン−３、４，６−ジメチル−２，４，６−トリ（４−ヒドロキシフェニル）ヘプテン−２、１，３，５−トリ（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾール、１，１，１−トリ（４−ヒドロキシフェニル）エタン、２，６−ビス（２−ヒドロキシ−５−メチルベンジル）−４−メチルフェノール、α，α’，α”−トリ（４−ヒドロキシフェニル）１，３，５−トリイソプロピルベンゼン等のポリヒドロキシ化合物及び３，３−ビス（４−ヒドロキシアリール）オキシインドール、５−クロロイサチン及び５，７−ジクロロイサチン、５−ブロモイサチン等が挙げられる。
上記式（１）および（２）で示される構造単位を有するポリカーボネート樹脂の具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限られるものではない。構造単位の量比はモル比を示す。
本発明のガリウムフタロシアニン結晶に含まれる前記有機化合物は複数種であってよく、含有量はトータルでガリウムフタロシアニン結晶中のガリウムフタロシアニンに対して０．１質量％以上２．０質量％以下である。
また、前記有機化合物の含有量が、ガリウムフタロシアニン結晶中のガリウムフタロシアニンに対して０．１質量％以上１．９質量％以下であることが好ましい。
また、前記有機化合物の含有量が、ガリウムフタロシアニン結晶中のガリウムフタロシアニンに対して０．３質量％以上１．５質量％以下であることがより好ましい。
また、前記有機化合物がＮ−メチルホルムアミド、Ｎ−プロピルホルムアミド、またはＮ−ビニルホルムアミドであることが好ましい。
ガリウムフタロシアニン結晶の中でも、優れた感度を有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶、クロロガリウムフタロシアニン結晶、ブロモガリウムフタロシアニン結晶、ヨードガリウムフタロシアニン結晶が、本発明が有効に作用し、好ましい。中でもヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶、クロロガリウムフタロシアニン結晶が特に好ましい。ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶は、ガリウム原子が軸配位子としてヒドロキシ基を有するものである。ブロモガリウムフタロシアニン結晶は、ガリウム原子が軸配位子として臭素原子を有するものである。ヨードガリウムフタロシアニン結晶は、ガリウム原子が軸配位子としてヨウ素原子を有するものである。
ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の中でも、ＣｕＫα線のＸ線回折におけるブラッグ角２θにおいて７．４°±０．３°および２８．３°±０．３°にピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶であることが高感度の点でより好ましい。
クロロガリウムフタロシアニン結晶の中でも、ＣｕＫα線のＸ線回折におけるブラッグ角２θ±０．２°において７．４°、１６．６°、２５．５°および２８．３°にピークを有するクロロガリウムフタロシアニン結晶であることが高感度の点でより好ましい。
有機化合物を結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶の製造方法について説明する。
本発明の有機化合物を結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶は、ガリウムフタロシアニンを有機化合物を含む溶剤に加えて湿式ミリング処理することにより、ガリウムフタロシアニンの結晶変換を行う工程で得られる。有機化合物を含んだ溶剤を用いてミリング処理することにより得られる。湿式ミリング処理に用いるガリウムフタロシアニンは、アシッドペースティング法により、または乾式ミリング処理することにより得られたガリウムフタロシアニンであることが好ましい。
ここで行う湿式ミリング処理とは、例えば、ガラスビーズ、スチールビーズ、アルミナボールなどの分散剤とともにサンドミル、ボールミルなどのミリング装置を用いて行う処理である。湿式ミリング時間は、３０〜３０００時間程度が好ましい。特に好ましい方法は、１０〜１００時間おきにサンプルをとり、ＮＭＲ測定によりガリウムフタロシアニン結晶中の有機化合物の含有量を確認することである。湿式ミリング処理で用いる分散剤の量は、質量基準でガリウムフタロシアニンの１０〜５０倍が好ましい。
有機化合物の使用量は、質量基準でガリウムフタロシアニン結晶の５〜３０倍が好ましい。
本発明の有機化合物を結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶は、ガリウムフタロシアニンを有機化合物を含む溶剤に加えて湿式ミリング処理することにより、ガリウムフタロシアニンの結晶変換を行う工程で得られる。有機化合物を含んだ溶剤を用いてミリング処理することにより得られる。湿式ミリング処理に用いるガリウムフタロシアニンは、アシッドペースティング法により、または乾式ミリング処理することにより得られたガリウムフタロシアニンであることが好ましい。
ここで行う湿式ミリング処理とは、例えば、ガラスビーズ、スチールビーズ、アルミナボールなどの分散剤とともにサンドミル、ボールミルなどのミリング装置を用いて行う処理である。湿式ミリング時間は、３０〜３０００時間程度が好ましい。特に好ましい方法は、１０〜１００時間おきにサンプルをとり、ＮＭＲ測定によりガリウムフタロシアニン結晶中の有機化合物の含有量を確認することである。湿式ミリング処理で用いる分散剤の量は、質量基準でガリウムフタロシアニンの１０〜５０倍が好ましい。
有機化合物の使用量は、質量基準でガリウムフタロシアニン結晶の５〜３０倍が好ましい。
本発明のガリウムフタロシアニン結晶が有機化合物を結晶内に含有しているかどうかについて、本発明においては、得られたガリウムフタロシアニン結晶をＮＭＲ測定することにより決定した。
本発明の電子写真感光体に含有されるガリウムフタロシアニン結晶のＸ線回折およびＮＭＲの測定は、以下の条件で行ったものである。
［粉末Ｘ線回折測定］
使用測定機：理学電気（株）製、Ｘ線回折装置ＲＩＮＴ−ＴＴＲＩＩ
Ｘ線管球：Ｃｕ
管電圧：５０ＫＶ
管電流：３００ｍＡ
スキャン方法：２θ／θスキャン
スキャン速度：４．０°／ｍｉｎ
サンプリング間隔：０．０２°
スタート角度（２θ）：５．０°
ストップ角度（２θ）：４０．０°
アタッチメント：標準試料ホルダー
フィルター：不使用
インシデントモノクロメーター：使用
カウンターモノクロメーター：不使用
発散スリット：開放
発散縦制限スリット：１０．００ｍｍ
散乱スリット：開放
受光スリット：開放
平板モノクロメーター：使用
カウンター：シンチレーションカウンター
［ＮＭＲ測定］
使用測定器：ＢＲＵＫＥＲ製、ＡＶＡＮＣＥIII ５００
溶媒：重硫酸（Ｄ２ＳＯ４）
［粉末Ｘ線回折測定］
使用測定機：理学電気（株）製、Ｘ線回折装置ＲＩＮＴ−ＴＴＲＩＩ
Ｘ線管球：Ｃｕ
管電圧：５０ＫＶ
管電流：３００ｍＡ
スキャン方法：２θ／θスキャン
スキャン速度：４．０°／ｍｉｎ
サンプリング間隔：０．０２°
スタート角度（２θ）：５．０°
ストップ角度（２θ）：４０．０°
アタッチメント：標準試料ホルダー
フィルター：不使用
インシデントモノクロメーター：使用
カウンターモノクロメーター：不使用
発散スリット：開放
発散縦制限スリット：１０．００ｍｍ
散乱スリット：開放
受光スリット：開放
平板モノクロメーター：使用
カウンター：シンチレーションカウンター
［ＮＭＲ測定］
使用測定器：ＢＲＵＫＥＲ製、ＡＶＡＮＣＥIII ５００
溶媒：重硫酸（Ｄ２ＳＯ４）
本発明の感光層は、
有機化合物を結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶を含有する電荷発生層と
上記式（１）および（２）で示される構造単位を有するポリカーボネート樹脂を含有した電荷輸送層とを積層した積層型感光体である。また、電荷発生層と電荷輸送層の積層関係は電荷発生層が下層である。
有機化合物を結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶を含有する電荷発生層と
上記式（１）および（２）で示される構造単位を有するポリカーボネート樹脂を含有した電荷輸送層とを積層した積層型感光体である。また、電荷発生層と電荷輸送層の積層関係は電荷発生層が下層である。
本発明に用いられる支持体は、導電性を有するもの（導電性支持体）が好ましい。例えば、アルミニウムやステンレスなどの金属や合金、あるいは導電層を設けた金属、合金、プラスチックおよび紙などが挙げられ、形状としては円筒状またはフィルム状などが挙げられる。
本発明において、支持体と感光層の間には、バリア機能と接着機能を持つ下引き層（中間層とも呼ばれる。）を設けることもできる。
下引き層の材料としては、ポリビニルアルコール、ポリエチレンオキシド、エチルセルロース、メチルセルロース、カゼイン、ポリアミド、にかわおよびゼラチンなどが用いられる。下引き層は、上記材料を含有する下引き層用塗布液を支持体上に塗布して塗膜を形成し、塗膜を乾燥させて形成することができる。また、抵抗制御剤として金属酸化物を添加することもある。
下引き層の膜厚は０．３〜５．０μｍであることが好ましい。
下引き層の材料としては、ポリビニルアルコール、ポリエチレンオキシド、エチルセルロース、メチルセルロース、カゼイン、ポリアミド、にかわおよびゼラチンなどが用いられる。下引き層は、上記材料を含有する下引き層用塗布液を支持体上に塗布して塗膜を形成し、塗膜を乾燥させて形成することができる。また、抵抗制御剤として金属酸化物を添加することもある。
下引き層の膜厚は０．３〜５．０μｍであることが好ましい。
さらに、支持体と下引き層との間に、支持体のムラや欠陥の被覆、干渉縞防止を目的とした導電層を設けることが好適である。
導電層は、カーボンブラック、金属粒子および金属酸化物などの導電性粒子を、結着樹脂中に分散して形成することができる。
導電層の膜厚は５〜４０μｍであることが好ましく、特には１０〜３０μｍであることが好ましい。
導電層は、カーボンブラック、金属粒子および金属酸化物などの導電性粒子を、結着樹脂中に分散して形成することができる。
導電層の膜厚は５〜４０μｍであることが好ましく、特には１０〜３０μｍであることが好ましい。
電荷発生層は、有機化合物を結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶を結着樹脂とともに溶剤に分散させることによって調製された電荷発生層用塗布液を塗布し、得られた塗膜を乾燥させることによって形成することができる。
電荷発生層の膜厚は、０．０５〜１μｍであることが好ましく、０．１〜０．３μｍであることがより好ましい。
電荷発生層の膜厚は、０．０５〜１μｍであることが好ましく、０．１〜０．３μｍであることがより好ましい。
電荷発生層における該有機化合物を含有したガリウムフタロシアニン結晶の含有量は、電荷発生層の全質量に対して４０質量％以上８５質量％以下であることが好ましく、６０質量％以上８０質量％以下であることがより好ましい。
電荷発生層に用いる結着樹脂としては、例えば、ポリエステル、アクリル樹脂、ポリカーボネート、ポリビニルブチラール、ポリスチレン、ポリビニルアセテート、ポリスルホン、アクリロニトリル共重合体およびポリビニルベンザールなどの樹脂が挙げられる。これらの中でも、ガリウムフタロシアニン結晶の分散性の観点から、ポリビニルブチラール、ポリビニルベンザールが好ましい。
電荷輸送層は、電荷輸送物質と上記式（１）および（２）で示される構造単位を有するポリカーボネート樹脂を溶剤中に溶解させた電荷輸送層用塗布液を塗布し、得られた塗膜を乾燥させて形成することができる。また、電荷輸送層にトナーの転写効率を上げる目的で離型剤、汚れなどを防止する目的で指紋付着防止剤、削れを防止する目的でフィラー、およびドラム表面の潤滑性を上げる目的で滑剤などを添加しても良い。
本発明による電子写真感光体の電荷輸送層の作製に使用する溶媒としては、
アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶剤、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル系溶剤；
トルエン、キシレン、クロロベンゼンなどの芳香族炭化水素溶剤；
１，４−ジオキサン、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶剤；
ハロゲン原子で置換されたクロロホルムなどの炭化水素溶剤；
などが用いられる。これら溶剤は、単独で使用してもよく、２種類以上を混合して使用してもよい。これらの溶剤のなかでも、双極子モーメント１．０Ｄ以下の溶媒が好ましく、キシレン、メチラール（ジメトキシメタン）がより好ましい。
アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶剤、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル系溶剤；
トルエン、キシレン、クロロベンゼンなどの芳香族炭化水素溶剤；
１，４−ジオキサン、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶剤；
ハロゲン原子で置換されたクロロホルムなどの炭化水素溶剤；
などが用いられる。これら溶剤は、単独で使用してもよく、２種類以上を混合して使用してもよい。これらの溶剤のなかでも、双極子モーメント１．０Ｄ以下の溶媒が好ましく、キシレン、メチラール（ジメトキシメタン）がより好ましい。
電荷輸送層を形成する際、これらの溶剤を、上記式（１）および（２）で示される構造単位を有するポリカーボネート樹脂および電荷輸送物質と組み合せて用いることにより、塗工性に優れ、繰り返し使用時にもかぶりを生じにくい電子写真感光体が得られる。
電荷輸送層の膜厚は、５〜４０μｍであることが好ましく、特には７〜２５μｍであることが好ましい。
電荷輸送物質の含有量は、電荷輸送層の全質量に対して２０〜８０質量％であることが好ましく、特には３０〜６０質量％であることが好ましい。
電荷輸送物質の含有量は、電荷輸送層の全質量に対して２０〜８０質量％であることが好ましく、特には３０〜６０質量％であることが好ましい。
電荷輸送物質としては、各種のトリアリールアミン化合物、ヒドラゾン化合物、スチルベン化合物、ピラゾリン化合物、オキサゾール化合物、チアゾール化合物およびトリアリルメタン化合物などが挙げられる。これらの中でも電荷輸送物質としては、トリアリールアミン化合物が好ましい。
各層の塗布方法としては、浸漬塗布法（ディッピング法）、スプレーコーティング法、スピンナーコーティング法、ビードコーティング法、ブレードコーティング法およびビームコーティング法などの塗布方法を用いることができる。
図１は、本発明の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の一例を示す図である。
１は円筒状（ドラム状）の電子写真感光体であり、軸２を中心に矢印方向に所定の周速度（プロセススピード）をもって回転駆動される。
１は円筒状（ドラム状）の電子写真感光体であり、軸２を中心に矢印方向に所定の周速度（プロセススピード）をもって回転駆動される。
電子写真感光体１の表面は、回転過程において、帯電手段３により、正または負の所定電位に帯電される。次いで、帯電された電子写真感光体１の表面には、像露光手段（不図示）から像露光光４が照射され、目的の画像情報に対応した静電潜像が形成されていく。像露光光４は、例えば、スリット露光やレーザービーム走査露光などの像露光手段から出力される、目的の画像情報の時系列電気デジタル画像信号に対応して強度変調された光である。
電子写真感光体１の表面に形成された静電潜像は、現像手段５内に収容されたトナーで現像（正規現像または反転現像）され、電子写真感光体１の表面にはトナー像が形成される。電子写真感光体１の表面に形成されたトナー像は、転写手段６により、転写材７に転写されていく。このとき、転写手段６には、バイアス電源（不図示）からトナーの保有電荷とは逆極性のバイアス電圧が印加される。また、転写材７が紙である場合、転写材７は給紙部（不図示）から取り出されて、電子写真感光体１と転写手段６との間に電子写真感光体１の回転と同期して給送される。
電子写真感光体１からトナー像が転写された転写材７は、電子写真感光体１の表面から分離されて、像定着手段８へ搬送されて、トナー像の定着処理を受けることにより、画像形成物（プリント、コピー）として電子写真装置の外へプリントアウトされる。
転写材７にトナー像を転写した後の電子写真感光体１の表面は、クリーニング手段９により、トナー（転写残りトナー）などの付着物の除去を受けて清浄される。近年、クリーナレスシステムも開発され、転写残りトナーを直接、現像器などで除去することもできる。さらに、電子写真感光体１の表面は、前露光手段（不図示）からの前露光光１０により除電処理された後、繰り返し画像形成に使用される。なお、帯電手段３が帯電ローラーなどを用いた接触帯電手段である場合は、前露光手段は必ずしも必要ではない。
本発明においては、上述の電子写真感光体１、帯電手段３、およびクリーニング手段９などの構成要素のうち、複数の構成要素を容器に納めて一体に支持してプロセスカートリッジを形成してもよい。そして、このプロセスカートリッジを電子写真装置本体に対して着脱自在に構成することができる。例えば、帯電手段３、現像手段５およびクリーニング手段９から選択される少なくとも１つを電子写真感光体１とともに一体に支持してカートリッジ化して、電子写真装置本体のレールなどの案内手段１２を用いて電子写真装置本体に着脱自在なプロセスカートリッジ１１とすることができる。
像露光光４は、電子写真装置が複写機やプリンターである場合には、原稿からの反射光や透過光であってもよい。または、センサーで原稿を読み取り、信号化し、この信号に従って行われるレーザービームの走査、ＬＥＤアレイの駆動もしくは液晶シャッターアレイの駆動などにより放射される光であってもよい。
本発明の電子写真感光体１は、レーザービームプリンター、ＣＲＴプリンター、ＬＥＤプリンター、ＦＡＸ、液晶プリンターおよびレーザー製版などの電子写真応用分野にも幅広く適用することができる。
以下に、具体的な実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。以下に記載の「部」は、「質量部」を意味する。ただし、本発明は、これらに限定されるものではない。なお、実施例および比較例の電子写真感光体の各層の膜厚は、渦電流式膜厚計（Ｆｉｓｃｈｅｒｓｃｏｐｅ、フィッシャーインスツルメント社製）で求め、または、単位面積当たりの質量から比重換算で求めた。
〔合成例１〕
窒素フローの雰囲気下、フタロニトリル５．４６部およびα−クロロナフタレン４５部を反応釜に投入した後、加熱し、温度３０℃まで昇温させた後、この温度を維持した。次に、この温度（３０℃）で三塩化ガリウム３．７５部を投入した。投入時の混合液の水分値は１５０ｐｐｍであった。その後、温度２００℃まで昇温させた。次に、窒素フローの雰囲気下、温度２００℃で４．５時間反応させた後、冷却し、温度１５０℃に達したときに生成物を濾過した。得られた濾過物をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを用いて温度１４０℃で２時間分散洗浄した後、濾過した。得られた濾過物をメタノールで洗浄した後、乾燥させ、クロロガリウムフタロシアニン顔料を４．６５部（収率７１％）得た。
窒素フローの雰囲気下、フタロニトリル５．４６部およびα−クロロナフタレン４５部を反応釜に投入した後、加熱し、温度３０℃まで昇温させた後、この温度を維持した。次に、この温度（３０℃）で三塩化ガリウム３．７５部を投入した。投入時の混合液の水分値は１５０ｐｐｍであった。その後、温度２００℃まで昇温させた。次に、窒素フローの雰囲気下、温度２００℃で４．５時間反応させた後、冷却し、温度１５０℃に達したときに生成物を濾過した。得られた濾過物をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを用いて温度１４０℃で２時間分散洗浄した後、濾過した。得られた濾過物をメタノールで洗浄した後、乾燥させ、クロロガリウムフタロシアニン顔料を４．６５部（収率７１％）得た。
〔合成例２〕
合成例１で得られたクロロガリウムフタロシアニン顔料４．６５部を、温度１０℃で濃硫酸１３９．５部に溶解させ、攪拌下、氷水６２０部中に滴下して再析出させて、フィルタープレスを用いて濾過した。得られたウエットケーキ（濾過物）を２％アンモニア水で分散洗浄した後、フィルタープレスを用いて濾過した。次いで、得られたウエットケーキ（濾過物）をイオン交換水で分散洗浄した後、フィルタープレスを用いた濾過を３回繰り返し、その後、固形分２３％のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料（含水ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料）を得た（アシッドペースティング処理）。
合成例１で得られたクロロガリウムフタロシアニン顔料４．６５部を、温度１０℃で濃硫酸１３９．５部に溶解させ、攪拌下、氷水６２０部中に滴下して再析出させて、フィルタープレスを用いて濾過した。得られたウエットケーキ（濾過物）を２％アンモニア水で分散洗浄した後、フィルタープレスを用いて濾過した。次いで、得られたウエットケーキ（濾過物）をイオン交換水で分散洗浄した後、フィルタープレスを用いた濾過を３回繰り返し、その後、固形分２３％のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料（含水ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料）を得た（アシッドペースティング処理）。
次に得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料（含水ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料）６．６ｋｇをハイパー・ドライ乾燥機（商品名：ＨＤ−０６Ｒ、周波数（発振周波数）：２４５５ＭＨｚ±１５ＭＨｚ、日本バイオコン（株）製）を用いて以下のように乾燥させた。
得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を、専用円形プラスチックトレイにフィルタープレスより取り出したままの固まりの状態（含水ケーキ厚４ｃｍ以下）で載せ、遠赤外線はオフ、乾燥機の内壁の温度は５０℃になるように設定した。そして、マイクロ波照射時は真空ポンプとリークバルブを調整し、真空度を４．０〜１０．０ｋＰａに調整した。
得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を、専用円形プラスチックトレイにフィルタープレスより取り出したままの固まりの状態（含水ケーキ厚４ｃｍ以下）で載せ、遠赤外線はオフ、乾燥機の内壁の温度は５０℃になるように設定した。そして、マイクロ波照射時は真空ポンプとリークバルブを調整し、真空度を４．０〜１０．０ｋＰａに調整した。
まず、第１工程として、４．８ｋＷのマイクロ波をヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に５０分間照射し、次に、マイクロ波を一旦切ってリークバルブを一旦閉じて２ｋＰａ以下の高真空にした。この時点でのヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の固形分は８８％であった。
第２工程として、リークバルブを調整し、真空度（乾燥機内の圧力）を前記設定値内（４．０〜１０．０ｋＰａ）に調整した後、１．２ｋＷのマイクロ波をヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に５分間照射し、また、マイクロ波を一旦切ってリークバルブを一旦閉じて２ｋＰａ以下の高真空にした。この第２工程をさらに１回繰り返した（計２回）。この時点でのヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の固形分は９８％であった。
さらに第３工程として、第２工程でのマイクロ波を１．２ｋＷから０．８ｋＷに代えた以外は第２工程と同様にしてマイクロ波照射を行った。この第３工程をさらに１回繰り返した（計２回）。
さらに第４工程として、リークバルブを調整し、真空度（乾燥機内の圧力）を前記設定値内（４．０〜１０．０ｋＰａ）に復圧した後、０．４ｋＷのマイクロ波をヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料に３分間照射し、また、マイクロ波を一旦切ってリークバルブを一旦閉じて２ｋＰａ以下の高真空にした。この第４工程をさらに７回繰り返した（計８回）。
以上、合計３時間で、含水率１％以下のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を１．５２ｋｇ得た。
以上、合計３時間で、含水率１％以下のヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料を１．５２ｋｇ得た。
〔実施例１−１〕
合成例２で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン０．５部、および、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１０部を、直径０．８ｍｍのガラスビーズ２０部とともにボールミルでミリング処理を室温（２３℃）下、１２０ｒｐｍの条件で４００時間行った。この分散液からヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを用いて取り出し、濾過し、濾過器上をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。濾取物を真空乾燥させて、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４５部得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図を図２に示す。
また、ＮＭＲ測定により、本実施例で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対してＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが１．４質量％含有されていることが確認された。
合成例２で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン０．５部、および、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１０部を、直径０．８ｍｍのガラスビーズ２０部とともにボールミルでミリング処理を室温（２３℃）下、１２０ｒｐｍの条件で４００時間行った。この分散液からヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを用いて取り出し、濾過し、濾過器上をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。濾取物を真空乾燥させて、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４５部得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図を図２に示す。
また、ＮＭＲ測定により、本実施例で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対してＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが１．４質量％含有されていることが確認された。
〔実施例１−２〕
実施例１−１において、ミリング処理時間を４００時間から２０００時間に変更した以外は、実施例１−１と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４３部得た。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折は、図２と同様であった。
また、ＮＭＲ測定により、本実施例で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対してＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが０．８質量％含有されていることが確認された。
実施例１−１において、ミリング処理時間を４００時間から２０００時間に変更した以外は、実施例１−１と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４３部得た。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折は、図２と同様であった。
また、ＮＭＲ測定により、本実施例で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対してＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが０．８質量％含有されていることが確認された。
〔実施例１−３〕
実施例１−１において、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１０部をジメチルスルホキシド１０部に、ミリング処理時間を４００時間から１００時間に変更した以外は、実施例１−１と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４０部得た。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折は、図２と同様であった。
また、ＮＭＲ測定により、本実施例で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対してジメチルスルホキシドが２．０質量％含有されていることが確認された。
実施例１−１において、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１０部をジメチルスルホキシド１０部に、ミリング処理時間を４００時間から１００時間に変更した以外は、実施例１−１と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４０部得た。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折は、図２と同様であった。
また、ＮＭＲ測定により、本実施例で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対してジメチルスルホキシドが２．０質量％含有されていることが確認された。
〔実施例１−４〕
実施例１−３において、ミリング処理時間を１００時間から２０００時間に変更した以外は、実施例１−３と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．３９部得た。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折は、図２と同様であった。
また、ＮＭＲ測定により、本実施例で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対してジメチルスルホキシドが０．７質量％含有されていることが確認された。
実施例１−３において、ミリング処理時間を１００時間から２０００時間に変更した以外は、実施例１−３と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．３９部得た。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折は、図２と同様であった。
また、ＮＭＲ測定により、本実施例で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対してジメチルスルホキシドが０．７質量％含有されていることが確認された。
〔実施例１−５〕
実施例１−１において、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１０部をＮ−メチルホルムアミド１０部に、ミリング処理時間を４００時間から２００時間に変更した以外は、実施例１−１と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４５部得た。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折は、図２と同様であった。
また、ＮＭＲ測定により、本実施例で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対してＮ−メチルホルムアミドが１．２質量％含有されていることが確認された。
実施例１−１において、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１０部をＮ−メチルホルムアミド１０部に、ミリング処理時間を４００時間から２００時間に変更した以外は、実施例１−１と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４５部得た。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折は、図２と同様であった。
また、ＮＭＲ測定により、本実施例で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対してＮ−メチルホルムアミドが１．２質量％含有されていることが確認された。
〔実施例１−６〕
実施例１−５において、ミリング処理時間を２００時間から１０００時間に変更した以外は、実施例１−５と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４３部得た。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折は、図２と同様であった。
また、ＮＭＲ測定により、本実施例で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対してＮ−メチルホルムアミドが０．５質量％含有されていることが確認された。
実施例１−５において、ミリング処理時間を２００時間から１０００時間に変更した以外は、実施例１−５と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４３部得た。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折は、図２と同様であった。
また、ＮＭＲ測定により、本実施例で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対してＮ−メチルホルムアミドが０．５質量％含有されていることが確認された。
〔実施例１−７〕
実施例１−１において、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１０部をＮ−プロピルホルムアミド１０部に、ミリング処理時間を４００時間から３００時間に変更した以外は、実施例１−１と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４５部得た。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折は、図２と同様であった。
また、ＮＭＲ測定により、本実施例で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対してＮ−プロピルホルムアミドが１．６質量％含有されていることが確認された。
実施例１−１において、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１０部をＮ−プロピルホルムアミド１０部に、ミリング処理時間を４００時間から３００時間に変更した以外は、実施例１−１と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４５部得た。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折は、図２と同様であった。
また、ＮＭＲ測定により、本実施例で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対してＮ−プロピルホルムアミドが１．６質量％含有されていることが確認された。
〔実施例１−８〕
実施例１−７において、ミリング処理時間を３００時間から１０００時間に変更した以外は、実施例１−７と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４３部得た。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折は、図２と同様であった。
また、ＮＭＲ測定により、本実施例で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対してＮ−プロピルホルムアミドが０．９質量％含有されていることが確認された。
実施例１−７において、ミリング処理時間を３００時間から１０００時間に変更した以外は、実施例１−７と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４３部得た。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折は、図２と同様であった。
また、ＮＭＲ測定により、本実施例で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対してＮ−プロピルホルムアミドが０．９質量％含有されていることが確認された。
〔実施例１−９〕
実施例１−１において、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１０部をＮ−ビニルホルムアミド１０部に、ミリング処理時間を４００時間から２００時間に変更した以外は、実施例１−１と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４５部得た。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折は、図２と同様であった。
また、ＮＭＲ測定により、本実施例で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対してＮ−ビニルホルムアミドが１．８質量％含有されていることが確認された。
実施例１−１において、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１０部をＮ−ビニルホルムアミド１０部に、ミリング処理時間を４００時間から２００時間に変更した以外は、実施例１−１と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４５部得た。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折は、図２と同様であった。
また、ＮＭＲ測定により、本実施例で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対してＮ−ビニルホルムアミドが１．８質量％含有されていることが確認された。
〔実施例１−１０〕
実施例１−９において、ミリング処理時間を２００時間から６００時間に変更した以外は、実施例１−９と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４５部得た。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折は、図２と同様であった。
また、ＮＭＲ測定により、本実施例で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対してＮ−ビニルホルムアミドが１．５質量％含有されていることが確認された。
実施例１−９において、ミリング処理時間を２００時間から６００時間に変更した以外は、実施例１−９と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４５部得た。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折は、図２と同様であった。
また、ＮＭＲ測定により、本実施例で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対してＮ−ビニルホルムアミドが１．５質量％含有されていることが確認された。
〔実施例１−１１〕
実施例１−１において、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１０部をＮ−メチル−２−ピロリドン１０部に、ミリング処理時間を４００時間から８００時間に変更した以外は、実施例１−１と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４４部得た。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折は、図２と同様であった。
また、ＮＭＲ測定により、本実施例で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対してＮ−メチル−２−ピロリドンが１．４質量％含有されていることが確認された。
実施例１−１において、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１０部をＮ−メチル−２−ピロリドン１０部に、ミリング処理時間を４００時間から８００時間に変更した以外は、実施例１−１と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４４部得た。得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折は、図２と同様であった。
また、ＮＭＲ測定により、本実施例で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対してＮ−メチル−２−ピロリドンが１．４質量％含有されていることが確認された。
〔実施例１−１２〕
合成例１で得られたクロロガリウムフタロシアニン０．５部、および、直径０．８ｍｍのガラスビーズ２０部とともにボールミルで乾式ミリング処理を室温（２３℃）下で４０時間行った。そこにＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１０部を加え湿式ミリング処理を室温（２３℃）下で１００時間行った。
この分散液からガリウムフタロシアニン結晶をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを用いて取り出し、濾過し、濾過器上をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。濾取物を真空乾燥させて、クロロガリウムフタロシアニン結晶を０．４４部得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図を図３に示す。
また、ＮＭＲ測定により、本実施例で得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、クロロガリウムフタロシアニンに対して、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが１．０質量％含有されていることが確認された。
合成例１で得られたクロロガリウムフタロシアニン０．５部、および、直径０．８ｍｍのガラスビーズ２０部とともにボールミルで乾式ミリング処理を室温（２３℃）下で４０時間行った。そこにＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１０部を加え湿式ミリング処理を室温（２３℃）下で１００時間行った。
この分散液からガリウムフタロシアニン結晶をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを用いて取り出し、濾過し、濾過器上をテトラヒドロフランで十分に洗浄した。濾取物を真空乾燥させて、クロロガリウムフタロシアニン結晶を０．４４部得た。得られた結晶の粉末Ｘ線回折図を図３に示す。
また、ＮＭＲ測定により、本実施例で得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、クロロガリウムフタロシアニンに対して、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが１．０質量％含有されていることが確認された。
〔実施例１−１３〕
実施例１−１２において、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１０部をＮ−メチルホルムアミド１０部に変更した以外は、実施例１−１２と同様に処理し、クロロガリウムフタロシアニン結晶を０．４５部得た。得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折は、図３と同様であった。
また、ＮＭＲ測定により、本実施例で得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、クロロガリウムフタロシアニンに対してＮ−メチルホルムアミドが１．５質量％含有されていることが確認された。
実施例１−１２において、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１０部をＮ−メチルホルムアミド１０部に変更した以外は、実施例１−１２と同様に処理し、クロロガリウムフタロシアニン結晶を０．４５部得た。得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折は、図３と同様であった。
また、ＮＭＲ測定により、本実施例で得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、クロロガリウムフタロシアニンに対してＮ−メチルホルムアミドが１．５質量％含有されていることが確認された。
〔実施例１−１４〕
実施例１−１において、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１０部をジメチルスルホキシド１０部に、湿式ミリング処理時間を４００時間から１４０時間に変更した以外は、実施例１−１と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４１部得た。こうして得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折は、図２と同様であった。
また、ＮＭＲ測定により、本実施例で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対してジメチルスルホキシドが１．９質量％含有されていることが確認された。
実施例１−１において、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１０部をジメチルスルホキシド１０部に、湿式ミリング処理時間を４００時間から１４０時間に変更した以外は、実施例１−１と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４１部得た。こうして得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線回折は、図２と同様であった。
また、ＮＭＲ測定により、本実施例で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対してジメチルスルホキシドが１．９質量％含有されていることが確認された。
〔比較例１−１〕
実施例１−１において、湿式ミリング処理時間を４００時間から４８時間に変更した以外は、実施例１−１と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４６部得た。
また、ＮＭＲ測定により、本比較例で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対してＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが２．１質量％含有されていることが確認された。
実施例１−１において、湿式ミリング処理時間を４００時間から４８時間に変更した以外は、実施例１−１と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４６部得た。
また、ＮＭＲ測定により、本比較例で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対してＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが２．１質量％含有されていることが確認された。
〔比較例１−２〕
実施例１−３において、湿式ミリング処理時間を１００時間から４８時間に変更した以外は、実施例１−３と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４１部得た。
また、ＮＭＲ測定により、本比較例で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対してジメチルスルホキシドが２．１質量％含有されていることが確認された。
実施例１−３において、湿式ミリング処理時間を１００時間から４８時間に変更した以外は、実施例１−３と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４１部得た。
また、ＮＭＲ測定により、本比較例で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対してジメチルスルホキシドが２．１質量％含有されていることが確認された。
〔比較例１−３〕
実施例１−１１において、湿式ミリング処理時間を８００時間から４８時間に変更した以外は、実施例１−１１と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４４部得た。
また、ＮＭＲ測定により、本比較例で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対してＮ−メチル−２−ピロリドンが３．０質量％含有されていることが確認された。
実施例１−１１において、湿式ミリング処理時間を８００時間から４８時間に変更した以外は、実施例１−１１と同様に処理し、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を０．４４部得た。
また、ＮＭＲ測定により、本比較例で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶内に、プロトン比率から換算し、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対してＮ−メチル−２−ピロリドンが３．０質量％含有されていることが確認された。
〔実施例２−１〕
酸化スズで被覆した硫酸バリウム粒子（商品名：パストランＰＣ１、三井金属鉱業（株）製）６０部、酸化チタン粒子（商品名：ＴＩＴＡＮＩＸ ＪＲ、テイカ（株）製）１５部、レゾール型フェノール樹脂（商品名：フェノライト Ｊ−３２５、大日本インキ化学工業（株）製、固形分７０質量％）４３部、シリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ、東レシリコーン（株）製）０．０１５部、シリコーン樹脂（商品名：トスパール１２０、東芝シリコーン（株）製）３．６部、２−メトキシ−１−プロパノール ５０部、メタノール ５０部を２０時間、ボールミルで分散処理することによって、導電層用塗布液を調製した。
この導電層用塗布液を、支持体としてのアルミニウムシリンダー上に浸漬塗布し、得られた塗膜を３０分間１４０℃で乾燥させることによって、膜厚が１５μｍの導電層を形成した。
酸化スズで被覆した硫酸バリウム粒子（商品名：パストランＰＣ１、三井金属鉱業（株）製）６０部、酸化チタン粒子（商品名：ＴＩＴＡＮＩＸ ＪＲ、テイカ（株）製）１５部、レゾール型フェノール樹脂（商品名：フェノライト Ｊ−３２５、大日本インキ化学工業（株）製、固形分７０質量％）４３部、シリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ、東レシリコーン（株）製）０．０１５部、シリコーン樹脂（商品名：トスパール１２０、東芝シリコーン（株）製）３．６部、２−メトキシ−１−プロパノール ５０部、メタノール ５０部を２０時間、ボールミルで分散処理することによって、導電層用塗布液を調製した。
この導電層用塗布液を、支持体としてのアルミニウムシリンダー上に浸漬塗布し、得られた塗膜を３０分間１４０℃で乾燥させることによって、膜厚が１５μｍの導電層を形成した。
次に、共重合ナイロン樹脂（商品名：アミランＣＭ８０００、東レ（株）製）１０部およびメトキシメチル化６ナイロン樹脂（商品名：トレジンＥＦ−３０Ｔ、帝国化学（株）製）３０部を、メタノール４００部／ｎ−ブタノール２００部の混合溶剤に溶解させることによって、下引き層用塗布液を調製した。
この下引き層用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を乾燥させることによって、膜厚が０．７μｍの下引き層を形成した。
この下引き層用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を乾燥させることによって、膜厚が０．７μｍの下引き層を形成した。
次に、実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶（電荷発生物質）１０部、ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学工業（株）製）５部、および、シクロヘキサノン２５０部を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、６時間分散処理し、これに酢酸エチル２５０部を加えて希釈することによって、電荷発生層用塗布液を調製した。
この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を１０分間１００℃で乾燥させることによって、膜厚が０．２２μｍの電荷発生層を形成した。
この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を１０分間１００℃で乾燥させることによって、膜厚が０．２２μｍの電荷発生層を形成した。
次に、下記式（ＣＴＭ−１）で示される化合物（電荷輸送物質）６部、下記式（ＣＴＭ−２）で示される化合物（電荷輸送物質）３部、例示化合物（５）に示すポリカーボネート樹脂１０部を、テトラヒドロフラン７０部およびトルエン２０部に溶解させることによって、電荷輸送層用塗布液を調製した。
この電荷輸送層用塗布液を電荷発生層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を１時間１２５℃で乾燥させることによって、膜厚が１５．５μｍの電荷輸送層を形成した。
このようにして、円筒状（ドラム状）の本実施例の電子写真感光体を作製した。
このようにして、円筒状（ドラム状）の本実施例の電子写真感光体を作製した。
〔実施例２−２〕
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例１−２で得られたヒドロキシガリウム結晶に変更した。さらに、例示化合物（５）に示すポリカーボネート樹脂を例示化合物（１）に示すポリカーボネート樹脂に変更した以外は、実施例２−１と同様にして本実施例の電子写真感光体を作製した。
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例１−２で得られたヒドロキシガリウム結晶に変更した。さらに、例示化合物（５）に示すポリカーボネート樹脂を例示化合物（１）に示すポリカーボネート樹脂に変更した以外は、実施例２−１と同様にして本実施例の電子写真感光体を作製した。
〔実施例２−３〕
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例１−３で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した以外は、実施例２−１と同様にして本実施例の電子写真感光体を作製した。
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例１−３で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した以外は、実施例２−１と同様にして本実施例の電子写真感光体を作製した。
〔実施例２−４〕
実施例２−３において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例１−４で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。さらに、例示化合物（５）に示すポリカーボネート樹脂を例示化合物（２）に示すポリカーボネート樹脂に変更した以外は、実施例２−３と同様にして本実施例の電子写真感光体を作製した。
実施例２−３において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例１−４で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。さらに、例示化合物（５）に示すポリカーボネート樹脂を例示化合物（２）に示すポリカーボネート樹脂に変更した以外は、実施例２−３と同様にして本実施例の電子写真感光体を作製した。
〔実施例２−５〕
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例１−５で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。さらに、例示化合物（５）に示すポリカーボネート樹脂を例示化合物（１）に示すポリカーボネート樹脂に変更し、溶媒をテトラヒドロフラン（双極子モーメント１．３６Ｄ）からｏ−キシレン（双極子モーメント０．５Ｄ）に、トルエン（双極子モーメント０．３６Ｄ）からジメトキシメタン（双極子モーメント０．９１Ｄ）に変更した以外は、実施例２−１と同様にして本実施例の電子写真感光体を作製した。
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例１−５で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。さらに、例示化合物（５）に示すポリカーボネート樹脂を例示化合物（１）に示すポリカーボネート樹脂に変更し、溶媒をテトラヒドロフラン（双極子モーメント１．３６Ｄ）からｏ−キシレン（双極子モーメント０．５Ｄ）に、トルエン（双極子モーメント０．３６Ｄ）からジメトキシメタン（双極子モーメント０．９１Ｄ）に変更した以外は、実施例２−１と同様にして本実施例の電子写真感光体を作製した。
〔実施例２−６〕
実施例２−５において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１−５で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例１−６で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。また、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（１）に示すポリカーボネート樹脂を例示化合物（４）に示すポリカーボネート樹脂に変更した以外は、実施例２−５と同様にして本実施例の電子写真感光体を作製した。
実施例２−５において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１−５で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例１−６で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。また、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（１）に示すポリカーボネート樹脂を例示化合物（４）に示すポリカーボネート樹脂に変更した以外は、実施例２−５と同様にして本実施例の電子写真感光体を作製した。
〔実施例２−７〕
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例１−７で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。さらに、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（５）に示すポリカーボネート樹脂を例示化合物（３）に示すポリカーボネート樹脂に変更した以外は、実施例２−１と同様にして本実施例の電子写真感光体を作製した。
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例１−７で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。さらに、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（５）に示すポリカーボネート樹脂を例示化合物（３）に示すポリカーボネート樹脂に変更した以外は、実施例２−１と同様にして本実施例の電子写真感光体を作製した。
〔実施例２−８〕
実施例２−５において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例１−８で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。さらに、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（１）に示すポリカーボネート樹脂を例示化合物（５）に示すポリカーボネート樹脂に変更した以外は、実施例２−５と同様にして本実施例の電子写真感光体を作製した。
実施例２−５において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例１−８で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。さらに、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（１）に示すポリカーボネート樹脂を例示化合物（５）に示すポリカーボネート樹脂に変更した以外は、実施例２−５と同様にして本実施例の電子写真感光体を作製した。
〔実施例２−９〕
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例１−９で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。さらに、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（５）に示すポリカーボネート樹脂を例示化合物（１）に示すポリカーボネート樹脂に変更した以外は、実施例２−１と同様にして本実施例の電子写真感光体を作製した。
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例１−９で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。さらに、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（５）に示すポリカーボネート樹脂を例示化合物（１）に示すポリカーボネート樹脂に変更した以外は、実施例２−１と同様にして本実施例の電子写真感光体を作製した。
〔実施例２−１０〕
実施例２−５において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例１−１０で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。さらに、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（１）に示すポリカーボネート樹脂１０部を５部に変更し、例示化合物（３）に示すポリカーボネート樹脂を５部追加した以外は、実施例２−５と同様にして本実施例の電子写真感光体を作製した。
実施例２−５において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例１−１０で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。さらに、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（１）に示すポリカーボネート樹脂１０部を５部に変更し、例示化合物（３）に示すポリカーボネート樹脂を５部追加した以外は、実施例２−５と同様にして本実施例の電子写真感光体を作製した。
〔実施例２−１１〕
実施例２−５において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例１−１１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した以外は、実施例２−５と同様にして本実施例の電子写真感光体を作製した。
実施例２−５において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例１−１１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した以外は、実施例２−５と同様にして本実施例の電子写真感光体を作製した。
〔実施例２−１２〕
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例１−１２で得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶に変更した。さらに、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（５）に示すポリカーボネート樹脂１部を例示化合物（１）に示すポリカーボネート樹脂に変更した以外は、実施例２−１と同様にして本実施例の電子写真感光体を作製した。
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例１−１２で得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶に変更した。さらに、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（５）に示すポリカーボネート樹脂１部を例示化合物（１）に示すポリカーボネート樹脂に変更した以外は、実施例２−１と同様にして本実施例の電子写真感光体を作製した。
〔実施例２−１３〕
実施例２−５において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例１−１３で得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶に変更した。さらに、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（１）に示すポリカーボネート樹脂を例示化合物（５）に示すポリカーボネート樹脂に変更した以外は、実施例２−５と同様にして本実施例の電子写真感光体を作製した。
実施例２−５において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例１−１３で得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶に変更した。さらに、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物（１）に示すポリカーボネート樹脂を例示化合物（５）に示すポリカーボネート樹脂に変更した以外は、実施例２−５と同様にして本実施例の電子写真感光体を作製した。
〔実施例２−１４〕
実施例２−６において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例１−１４で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した以外は、実施例２−６と同様にして本実施例の電子写真感光体を作製した。
実施例２−６において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を実施例１−１４で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した以外は、実施例２−６と同様にして本実施例の電子写真感光体を作製した。
〔比較例２−１〕
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を比較例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。さらに、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物５に示すポリカーボネート樹脂を比較化合物１に示すポリカーボネート樹脂に変更した以外は、実施例２−１と同様にして本比較例の電子写真感光体を作製した。
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を比較例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。さらに、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物５に示すポリカーボネート樹脂を比較化合物１に示すポリカーボネート樹脂に変更した以外は、実施例２−１と同様にして本比較例の電子写真感光体を作製した。
〔比較例２−２〕
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を比較例１−２で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。さらに、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物５に示すポリカーボネート樹脂を比較化合物１に示すポリカーボネート樹脂に変更した以外は、実施例２−１と同様にして本比較例の電子写真感光体を作製した。
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を比較例１−２で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。さらに、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物５に示すポリカーボネート樹脂を比較化合物１に示すポリカーボネート樹脂に変更した以外は、実施例２−１と同様にして本比較例の電子写真感光体を作製した。
〔比較例２−３〕
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を比較例１−３で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。さらに、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物５に示すポリカーボネート樹脂を比較化合物１に示すポリカーボネート樹脂に変更した以外は、実施例２−１と同様にして本比較例の電子写真感光体を作製した。
実施例２−１において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を比較例１−３で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。さらに、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物５に示すポリカーボネート樹脂を比較化合物１に示すポリカーボネート樹脂に変更した以外は、実施例２−１と同様にして本比較例の電子写真感光体を作製した。
〔比較例２−４〕
実施例２−３において、電荷輸送層用塗布液を調製する際の（例示化合物５）に示すポリカーボネート樹脂を（比較化合物１）に示すポリカーボネート樹脂に変更した以外は、実施例２−３と同様にして本比較例の電子写真感光体を作製した。
実施例２−３において、電荷輸送層用塗布液を調製する際の（例示化合物５）に示すポリカーボネート樹脂を（比較化合物１）に示すポリカーボネート樹脂に変更した以外は、実施例２−３と同様にして本比較例の電子写真感光体を作製した。
〔比較例２−５〕
実施例２−３において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を比較例１−２で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。さらに、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物５に示すポリカーボネート樹脂を例示化合物７に示すポリカーボネート樹脂に変更したこと以外は、実施例２−３と同様にして本比較例の電子写真感光体を作製した。
実施例２−３において、電荷発生層用塗布液を調製する際の実施例１−１で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を比較例１−２で得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶に変更した。さらに、電荷輸送層用塗布液を調製する際の例示化合物５に示すポリカーボネート樹脂を例示化合物７に示すポリカーボネート樹脂に変更したこと以外は、実施例２−３と同様にして本比較例の電子写真感光体を作製した。
〔比較例２−６〕
実施例２−１１において、電荷輸送層用塗布液を調製する際の（例示化合物１）を（比較化合物１）に変更した以外は、実施例２−１１と同様にして本比較例の電子写真感光体を作製した。
実施例２−１１において、電荷輸送層用塗布液を調製する際の（例示化合物１）を（比較化合物１）に変更した以外は、実施例２−１１と同様にして本比較例の電子写真感光体を作製した。
〔実施例２−１〜２−１４および比較例２−１〜２−６の評価〕
実施例２−１〜２−１４および比較例２−１〜２−６で作製した電子写真感光体について、１０，０００枚繰り返し使用後の出力画像におけるかぶり評価を行った。
評価装置としては、ヒューレッドパッカード社製レーザービームプリンターＣＰ−４５２５を、電子写真感光体の帯電電位（暗部電位）を調整できるように改造し、暗部電位を−４５０Ｖに設定して用いた。評価は、温度２３℃、相対湿度５０％環境下で行った。
実施例２−１〜２−１４および比較例２−１〜２−６で作製した電子写真感光体について、１０，０００枚繰り返し使用後の出力画像におけるかぶり評価を行った。
評価装置としては、ヒューレッドパッカード社製レーザービームプリンターＣＰ−４５２５を、電子写真感光体の帯電電位（暗部電位）を調整できるように改造し、暗部電位を−４５０Ｖに設定して用いた。評価は、温度２３℃、相対湿度５０％環境下で行った。
＜かぶり評価＞
Ａ４サイズの普通紙を用い、印字比率４％のテストチャートによる画像出力を１０，０００枚行い、その後、白べた画像を出力して、かぶりの画像ランク評価を行った。画像ランクはＡＡ、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇでランク分けした。ＡＡが最も良いことを示す。Ａ〜Ｄまでは本発明の効果が得られているレベルとした。実施例および比較例の評価結果を表１に示す。
Ａ４サイズの普通紙を用い、印字比率４％のテストチャートによる画像出力を１０，０００枚行い、その後、白べた画像を出力して、かぶりの画像ランク評価を行った。画像ランクはＡＡ、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇでランク分けした。ＡＡが最も良いことを示す。Ａ〜Ｄまでは本発明の効果が得られているレベルとした。実施例および比較例の評価結果を表１に示す。
１ 電子写真感光体
２ 軸
３ 帯電手段
４ 像露光光
５ 現像手段
６ 転写手段
７ 転写材
８ 像定着手段
９ クリーニング手段
１０ 前露光光
１１ プロセスカートリッジ
１２ 案内手段
２ 軸
３ 帯電手段
４ 像露光光
５ 現像手段
６ 転写手段
７ 転写材
８ 像定着手段
９ クリーニング手段
１０ 前露光光
１１ プロセスカートリッジ
１２ 案内手段
Claims (8)
- 支持体および該支持体上に電荷発生層と電荷輸送層とを有する電子写真感光体において、
該電荷発生層が、有機化合物を結晶内に含有するガリウムフタロシアニン結晶を含有し、
該電荷輸送層が、下記式（１）および（２）で示される構造単位を有するポリカーボネート樹脂を含有し、
前記有機化合物の含有量が、前記ガリウムフタロシアニンに対して０．３質量％以上１．５質量％以下であり、
前記有機化合物がＮ−メチルホルムアミド、Ｎ−プロピルホルムアミド、Ｎ−ビニルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドンからなる群より選択される少なくとも１種の化合物であることを特徴とする電子写真感光体。 - 前記式（２）で示される構造単位が、下記式（４）〜（７）のいずれかで示される構造単位である請求項１に記載の電子写真感光体。
- 前記ガリウムフタロシアニン結晶が、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶である請求項１または２に記載の電子写真感光体。
- 前記ガリウムフタロシアニン結晶が、クロロガリウムフタロシアニン結晶である請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子写真感光体。
- 請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子写真感光体の製造方法において、
該電荷輸送層が、双極子モーメント１．０Ｄ以下の溶媒を使用して形成されたものであることを特徴とする電子写真感光体の製造方法。 - 前記双極子モーメント１．０Ｄ以下の溶媒が、キシレン、ジメトキシメタンからなる群より選択される少なくとも１種である請求項５に記載の電子写真感光体の製造方法。
- 請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
- 請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子写真感光体、ならびに、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有する電子写真装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US14/878,208 US9563139B2 (en) | 2014-11-05 | 2015-10-08 | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus |
| CN201510736551.9A CN105573075A (zh) | 2014-11-05 | 2015-11-03 | 电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备 |
| DE102015118868.6A DE102015118868A1 (de) | 2014-11-05 | 2015-11-04 | Elektrophotographisches lichtempfindliches Element, Verfahrenskartusche und elektrophotographisches Gerät |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014225221 | 2014-11-05 | ||
| JP2014225221 | 2014-11-05 |
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|---|---|
| JP2016095494A JP2016095494A (ja) | 2016-05-26 |
| JP6613090B2 true JP6613090B2 (ja) | 2019-11-27 |
Family
ID=56071729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015187184A Active JP6613090B2 (ja) | 2014-11-05 | 2015-09-24 | 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6613090B2 (ja) |
-
2015
- 2015-09-24 JP JP2015187184A patent/JP6613090B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2016095494A (ja) | 2016-05-26 |
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