JP6596419B2 - 光学装置用支持装置、光学装置及びリソグラフィーシステム - Google Patents

光学装置用支持装置、光学装置及びリソグラフィーシステム Download PDF

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Description

本発明は光学装置用の支持装置、光学装置、及びリソグラフィー装置に関するものである。
一例として、リソグラフィー装置は、集積回路またはＩＣの製造において、マスク内のマスクパターンをシリコンウェハーのような基板上に結像させるために使用される。その際に、光学系によって生成される光ビームを、マスクを通して基板上に指向させる。
特に集積回路の製造において、さらに小型の構造が望まれることに後押しされて、５nmから３０nmまでの範囲内、特に１３．５nmの波長を有する光を使用するＥＵＶ（extreme ultraviolet）リソグラフィー装置が現在開発中である。「ＥＵＶ」は「極紫外線」を表す。こうしたリソグラフィー装置の場合、大部分の材料によるこうした波長の光の高吸収により、以前のような屈折光学装置、即ちレンズを使用する代わりに、反射光学装置、即ちミラーを使用しなければならない。
ミラー場（ミラーアレイとも称する）の形式でミラーを設けることが知られ、ミラー場は数十万個のミラーを具えている。ここでは、ミラーの各々が１本の軸、あるいは互いに直交するように配向された２本の軸を中心として傾斜可能である。それぞれのミラーに入射する光が、これらのミラー内への熱の流入を生じさせる。こうした熱の流入は、対応するミラーに対して機能障害または損傷をもたらし得る。
従って、米国特許出願公開第２０１１／０１８１８５２号明細書（特許文献１）は、熱伝導素子を用いて対応するミラーをヒートシンクに接続する慣例を開示している。ここでは、熱伝導素子はミラーの支持に寄与しないか、少ししか寄与しない。これらの熱伝導素子は板バネとして具体化される。これらの板バネの断面積はごく小さいにもかかわらず、対応するミラーを傾斜させるためのアクチュエータは、これらの板バネの剛性に対抗して作用しなければならない。従って、大量の電気エネルギーをアクチュエータに供給しなければならない。工程中に生じるアクチュエータの電力損失は熱の形で放出され、こうした熱は相応の冷却によって補償する必要がある。
米国特許出願公開第２０１１／０１８１８５２号明細書
本発明の目的は、光学装置用の改良された支持装置を提供することにあり、この支持装置は、特に、より小さい力の出し方による、相応により小さい電力損失による、光学素子の調整を可能にする。
この目的は、第１支持要素と第２支持要素、及び第１たわみ軸受と第２たわみ軸受を具えた、光学装置用の支持装置によって達成される。第１たわみ軸受及び第２たわみ軸受は、第１支持要素と第２支持要素とを、いずれも熱伝導性の様式で互いに接続する。さらに、第１たわみ軸受及び第２たわみ軸受は、第１支持要素を、第２支持要素に対して少なくとも１つの第１方向に可動な様式で保持する。第１支持要素が第２支持要素に対して第１方向に移動する毎に、第１たわみ軸受及び第２たわみ軸受が発生するバネ力は、部分的に、あるいは完全に互いに相殺し合う。
バネ力が部分的に、あるいは完全に互いに相殺し合うことの結果として、光学素子を動かすために必要な力が低減される。従って、アクチュエータのエネルギー消費の低減、及びこうしたエネルギー消費によって放出される熱損失の低減もなされる。従って、より小型のヒートシンクを用いることができる。さらに、より小型のアクチュエータを用いることができる。このことは、さらに小型の光学装置の製造、及びこうした光学装置によるリソグラフィー装置、特にＥＵＶリソグラフィー装置の製造を可能にする。
本発明の場合、「たわみ軸受」は、曲げによって、より具体的には弾性変形によって、第１支持要素と第２支持要素との間の相対移動を可能にするバネ装置を意味するものと理解するべきである。即ち、たわみ軸受の弾性変形が、こうした相対移動を実現する。
複数の第１たわみ軸受及び／または複数の第２たわみ軸受を設けることもできる。１つの好適例では、２つの第１たわみ軸受及び１つの第２たわみ軸受を設ける。
第１支持要素及び第２支持要素は、いずれも剛体として具体化することが好ましい。
１つの好適例によれば、第１たわみ軸受が正のバネ定数を有し、第２たわみ軸受が負のバネ定数を有する。このバネ定数ｃは
のように定義され、ここに、Ｆはバネ力であり、Δｘは第１方向へのばねのたわみである。「正の」バネ定数は、第１たわみ軸受が第１支持要素をその初期位置へ押し戻そうとすることを意味するのに対し、「負の」バネ定数は、第２たわみ軸受が第１支持要素をその初期位置外に移動させようとすることを意味する。初期位置は、第１支持要素を動かすためのアクチュエータが力を発生しない際の第１支持要素の位置に相当する。換言すれば、初期位置は第１支持要素の休止位置に相当する。
他の実施形態によれば、第１支持要素の非たわみ状態において、第１たわみ軸受及び／または第２たわみ軸受のバネ要素が、第１方向と交差する第２方向に延びる。このことが意味することは、それぞれのバネ要素のうち少なくとも１つの始端及び少なくとも１つの終端が、第２方向に延びる直線上にある、ということである。これらの始端と終端との間で、バネ要素の１つ以上の部分が、例えば第１方向に、あるいはその逆向きに屈曲することができる。本発明の場合、「交差する」は、第１方向と第２方向との間の角度が９０±４５°の間、好適には９０±３０°の間、より好適には９０±１０°の間、さらに好適には９０±３°であることを意味する。
他の好適例によれば、第１たわみ軸受及び／または第２たわみ軸受のバネ要素が第２方向に配置されている。このことの結果として、上記正のバネ定数及び／または負のバネ定数に適切な方法で影響を与えるか、これらのバネ定数を適切な方法で得ることができる。
他の好適例によれば、第１たわみ軸受のバネ要素が第２方向に直線状に延びる。これに加えて、あるいはその代わりに、第２たわみ軸受のバネ要素が、第１方向またはその逆向きに突出するねじれを有する。上記正のバネ定数及び負のバネ定数は、この方策によって適切な方法で調整することもできる。
他の好適例によれば、第１支持要素の非たわみ状態において、第１たわみ軸受のバネ要素が引っ張られ、第２たわみ軸受のバネ要素が第２支持要素に対して圧縮される。上記正のバネ定数及び負のバネ定数は、この方策によって適切な方法で調整することもできる。
他の好適例によれば、少なくとも２つの第１たわみ軸受及び少なくとも１つの第２たわみ軸受が設けられ、少なくとも１つの第２たわみ軸受が少なくとも２つの第１たわみ軸受の間に配置される。特に、これらのたわみ軸受は、次の順序：第１たわみ軸受、第２たわみ軸受、第１たわみ軸受、が生じるように、第１方向に連続して配置される。
他の実施形態によれば、第１支持要素が第２支持要素に対して第１方向に移動する間の少なくとも一部分において、第１たわみ軸受及び第２たわみ軸受が一定の力を発生する。この好適例では、第１たわみ軸受及び第２たわみ軸受の各々が、同等の力のバネとして具体化される。第１たわみ軸受及び第２たわみ軸受が発生するバネ力は、第１支持要素が第２支持要素に対して移動する間の一部分において互いに相殺し合うことが好ましい。
他の好適例によれば、第１支持要素の少なくとも一部分が、第２支持要素の第１部分と第２部分との間に配置される。第１支持要素の上記少なくとも一部分は、第１たわみ軸受により一方の側面を第１部分上に支持され、第２たわみ軸受により他方の側面を第２部分上に支持される。第２支持要素の第１部分と第２部分とは、必ずしも互いに接続する必要はない。
１つ以上の第３たわみ軸受を設けることができ、これらの第３たわみ軸受は、第１支持要素の第１方向への移動を導く。これらのバネ要素、あるいはそのバネ要素は、第１方向と交差する第２方向に延びることができる。
他の好適例によれば、第１たわみ軸受及び／または第２たわみ軸受のバネ要素が第１方向に延びる。このことが意味することは、それぞれのバネ要素のうち少なくとも１つの始端及び少なくとも１つの終端が、第１方向に延びる直線上にある、ということである。
他の好適例によれば、第１たわみ軸受及び／または第２たわみ軸受の少なくとも２つのバネ要素が、互いに対して対称に配置されている。第１たわみ軸受及び第２たわみ軸受の対称軸は、互いに同軸に配置することができる。
他の好適例によれば、第１たわみ軸受及び／または第２たわみ軸受のバネ要素が、第１方向と交差する第２方向またはその逆向きに突出するねじれを有する。ここで、第１たわみ軸受及び／または第２たわみ軸受の２つのバネ要素に、互いに対して対称なねじれを設けることができる。
他の好適例によれば、第２支持要素に対する第１支持要素の移動が直線移動である。しかし、第２支持要素に対する第１支持要素の移動が回転移動であるか、回転及び直線移動である好適例も考えられる。
他の好適例によれば、第１たわみ軸受及び／又は第２たわみ軸受のバネ要素の各々が、少なくとも１：１０の、厚さ対長さ及び幅の比率、あるいは厚さ及び幅対長さの比率を有する。一例として、この比率が少なくとも１：５０、あるいは少なくとも１：１００である。小さい厚さの結果として、こうしたバネ要素が小さい断面二次モーメントしか有さず、このことが、第１支持要素を動かすための力を小さく与えることができる理由である。平面形のバネ要素の場合、その厚さは長さに対して、及び幅に対して非常に小さい。ロッド形要素の場合、その厚さ及び幅は共に、長さに対して非常に小さい。
他の好適例の場合、上記バネ要素がロッド形、ワイヤ形、または薄膜形に具体化される。こうしたバネ要素は小さい断面二次モーメントを有する。
他の好適例によれば、上記バネ要素が互いに距離をおいて配置される。即ち、これらのバネ要素間にギャップ、特にエアギャップが存在する。この方策の結果として、一体型バネ要素との関連で同じ熱伝導の断面積を与えることもできる。しかし、間隔をおいた複数のバネ要素を利用すると、断面二次モーメントＩmultiplicityは、こうした一体型バネ要素の断面二次モーメントＩintegralに比べて低減される。数式で表現すれば、その効果は、一体型バネ要素の剛性ｃintegralが、同じ全高ｈを有する複数ｎ個の個別バネ要素から構成されるバネ要素の剛性ｃmultiplicityよりもずっと大きいこと、即ち、
ｃintegral ＞＞ ｃmultiplicity
であることから成り、このことは、
ｃ〜Ｉ
であることによれば、断面二次モーメントの比較を用いて次式のように示すことができる。
他の好適例によれば、第１たわみ軸受、第２たわみ軸受、及び／または第３たわみ軸受が、支持装置によって支持される光学素子内への熱の流入をヒートシンクに供給するように構成されている。
他の好適例によれば、第１たわみ軸受及び／または第２たわみ軸受が、金属、特に銅、銀、及び／または金を含む。その結果、たわみ軸受の高い伝導率が得られる。
さらに、光学装置が提供される。この光学装置は、光学素子、及び少なくとも１つの上述した支持装置を具えている。上記第１支持要素が光学素子に結合され、上記第２支持要素がフレームに固定して設けられる。
従って、第２支持要素がベース（基部）を形成する。同時に、第２支持要素はヒートシンクを形成し、このヒートシンクに、光学素子から第１たわみ軸受及び第２たわみ軸受を通して熱が導かれる。
さらに、リソグラフィー装置、特にＥＵＶリソグラフィー装置が提供され、このリソグラフィー装置は、少なくとも１つの上述した支持装置、あるいは少なくとも１つの上述した光学装置を具えている。
本発明の場合、各要素は複数存在し得る。従って、例えば上記支持装置は、複数の第１及び第２支持要素、あるいは複数の第１及び第２たわみ軸受を具えることができる。
さらなる好適な実施形態を、次の添付した図面を参照しながら、より詳細に説明する。
好適な実施形態による支持装置の断面図である。 図１に示す支持装置内で用いられる薄膜積層の透視図である。 図１の支持装置についての力−距離のグラフである。 他の好適な実施形態による支持装置の断面図である。 図４の支持装置についての力−距離のグラフである。 好適な実施形態によるリソグラフィー装置内の光学装置の断面図である。 １つの好適な実施形態によるリソグラフィー装置を示す図である。
特に断りのない限り、図面中の参照番号は同一または機能的に同一の要素を表す。また、図面中の表現は必ずしも原寸に比例していない。
図１に、支持装置１００、及び図６に示す光学装置のいくつかの部分を示す。光学装置６００は、図７に示すＥＵＶリソグラフィー装置７００内で用いることができる。
支持装置１００は、第１支持要素１０２及び第２支持要素１０４を具えている。第１支持要素１０２は、第２支持要素１０４に対して第１方向ｘに可動であるように設けられている。第２支持要素１０４はフレームに対して固定され、従って固定されたベースを形成する。
一例として、第１支持要素１０２は、破線で示すメカニズム１０５によって光学素子１０６に結合されている。一例として、光学素子１０６は、光１０８を反射するためのミラーとすることができる。異なる実施形態では、光学素子１０６を、第１支持要素１０２と一体の構成要素とすることができる。
支持装置１００は、２つの第１たわみ軸受１１０及び１つの第２たわみ軸受１１２をさらに具えている。好適な実施形態によれば、第２たわみ軸受１１２が第１たわみ軸受１１０どうしの間に配置されているが、この場合、他の配置の可能性も存在する。
たわみ軸受１１０、１１２の各々が、第１支持要素１０２を第２支持要素１０４に熱伝導性の様式で接続する。光学素子１０６上に光１０８が入射することの結果として、光学素子１０６内への熱の流入がある。光学素子１０６の損傷または熱変形を回避または低減するために、この熱を消散させるべきである。この熱は、最初にメカニズム１０５を通って第１支持要素１０２内に流入し、そこから、たわみ軸受１１０、１１２によって、ヒートシンクとして機能する第２支持要素１０４内に導かれる。
たわみ軸受１１０、１１２の高い熱伝導率を得るために、これらのたわみ軸受はいずれも薄膜積層として具体化することができ、これについては以下で図２に基づいてより詳細に説明する。この目的のために、図２に図１の断面Ａを示す。断面Ａは、第１たわみ軸受１１０の、第２支持要素１０４に隣接する端部を示す。
第１たわみ軸受１１０は複数のバネ要素２００を有し、その各々が薄膜形の具体例を有する。即ち、それぞれのバネ要素２００の厚さＤは、その長さＬ及び幅Ｂよりもかけ離れて小さい。一例として、厚さＤ対長さＬ及び幅Ｂの比率を１：１０以上にすることができる。一例として、このように非常に薄い薄膜は、鋼鉄、シリコン、銅、銀、または金、即ち、高い固有熱伝導率を有する材料から製造することができる。長さが大きい場合に断面積がごく小さいことにより、個別のバネ要素２００の熱抵抗はその割に高い、しかし、全体的には、複数の、例えば少なくとも２個の、少なくとも１０個の、あるいは少なくとも２０個のバネ要素２００を積層の形で用いることの結果として、第１たわみ軸受１１０については低い熱抵抗が生じる。同時に、こうした積層は高い剛性を有し、これについては以下でより詳細に説明する。
バネ要素２００はいずれも、第１方向ｘに直交する第２方向ｙに延びる。バネ要素２００は互いに平行に配置され、即ち、これらのバネ要素は、それぞれのバネ要素が延在する平面に直交する方向に間隔をおき、従って、いずれも組み合わせもギャップ２０２を形成する。一例として、支持装置１００が動作中である際に、ギャップ２０２内に高真空が存在する。複数のギャップ２０２が実現することは、第１たわみ軸受１１０の断面二次モーメント、従ってその剛性が、一体型に具体化されたたわみ軸受の場合よりも大幅に低い、ということである。
バネ要素２００は、ハンダ接合２０４によって第２支持要素１０４に接合することができる。ここで、ハンダ付けまたはロウ付けが特に問題となる。その代わりに、バネ要素２００を第２支持要素１０４に締結することを、圧接（クリンピング）によって行うことができる。従って、たわみ軸受の他方の端部は、ハンダ（または圧接）によって第１支持要素１０２に締結することができる。
従って、図２に関して以上で行った説明は、第２たわみ軸受１１２にも当てはまる。
アクチュエータ１１４は、制御装置（図示せず）に依存して、第１支持要素１０２を、第１方向ｘに、及びその逆向きに調整するように構成されている。アクチュエータ１１４は、電気機械式アクチュエータまたは圧電アクチュエータとして具体化することができる。第１支持要素１０２を調整する目的で、アクチュエータ１１４は作動力ＦBを支持要素１０２に（正の）第１方向ｘに加える。支持要素１０２を、図１に示す初期位置（休止位置とも称する）から動かす場合、反作用の力ＦRがこの力（ＦB）に対して作用する。この反作用の力は、たわみ軸受１１０、１１２の反作用の力の総和から生じる。以下に、このことを。力−距離のグラフを示す図３に基づく例示的方法で説明する。
第１方向ｘを図３中の横軸上にプロットし、力Ｆを縦軸上にプロットする。図１からわかるように、力Ｆの正方向は正の移動ｘの逆に向いている。
第１たわみ軸受１１０のバネ要素２００は、その非たわみ状態において、第１方向ｘに直交する第２方向ｙに直線状に延びる。２つの第１たわみ軸受１１０は、第１支持要素１０２の移動の調整を実行し、正のバネ定数ｃposが与えられている。即ち、正方向の位置ｘ1における、第１たわみ軸受１１０の反作用の力Ｆ110は、第１支持要素１０２を初期位置に押し戻そうとする。ここで、バネ要素２００は板バネとして機能する。
これとは対照的に、第２たわみ軸受１１２は、力Ｆの負方向に作用する反作用の力Ｆ112を発生し、この目的のために、第１支持要素１０２を位置ｘ1に調整する場合に負のバネ定数ｃnegを有する。従って、第２たわみ軸受１１２は、第１支持要素１０２が正方向ｘにたわむ場合に、アクチュエータ１１３による作動を手助けする。第２たわみ軸受１１２が発生する力Ｆ112は、作動力ＦBと同じ向きに作用する。
負のバネ定数ｃnegを得るために、第２たわみ軸受１１２のバネ要素２００はいずれも、その非たわみ状態において、その両端部１１８を第２方向ｙの直線上に置くことができるが、（正の）第１方向ｘとは逆向きのねじれ１２０を中間領域に有する。ねじれ１２０は、第２たわみ軸受１１２またはそのバネ要素２００が圧縮されることによって生じる。従って、第１たわみ軸受１１０またはそのバネ要素２００は張力を加えられる。
図３中にさらに認められるように、たわみ軸受１１０、１１２の力Ｆ110とＦ112とが部分的に相殺し合って、たわみｘ1の場合の結果的な反作用の力ＦRは力Ｆ110よりも小さくなる。換言すれば、第２たわみ軸受１１２のプレテンション（予め加えられた張力）から解放されるエネルギーを用いて、第１たわみ軸受１１０を変形させる。第１たわみ軸受１１０を変形させるために必要な作動力ＦBは相応に低減される。
一例として、反作用の力ＦRを正方向に少し与えて、この力が第１支持要素１０２を初期位置に戻す、即ち、この力が正方向に作用するようにすることができる。
他の好適な実施形態による支持装置１００を、図４に基づいて以下に説明する。
第１支持要素１０２は、第２支持要素１０４の２つの部分４０２、４０４の間に延びる部分４００を有する。
この部分４００は、一方の側面４０６を第１たわみ軸受１１０によって支持され、他方の側面４０８を第２たわみ軸受１１２によって支持される。
図１に示す好適な実施形態とは対照的に、たわみ軸受１１０．１１２のバネ要素２００は第１方向ｘに伸びて、特に、それぞれのバネ要素２００の終点は、第１方向ｘに延びる直線上にある。たわみ軸受１１０、１１２は、互いに同軸の対称軸４１０を有することができる。バネ要素２００はいずれも、対称軸４１０から離れるように外向きに屈曲することができ、この目的のために、対応するねじれ４１２を有することができる。バネ要素２００には、ねじれ４１２、４１２’を、対称軸４１０について対称に設けることができる。
図４に示す好適な実施形態によれば、たわみ軸受１１０、１１２は同等の力のバネとして具体化され、これにより、第１支持要素１０２がアクチュエータ１１４により初期位置から変位することに対抗してこれらのバネが発生する力が互いに相殺し合う。このことを図５に基づいて以下に説明する。
第２たわみ軸受１１２が発生する反作用の著からＦ112が負方向に作用する間に、第１たわみ軸受が発生する反作用の力Ｆ110は、移動の一部分５００、あるいは２つの位置ｘ1とｘ2との間の移動ｘにおいて正方向に作用する。さらに、力Ｆ110とＦ112は大きさが等しく、従って互いに相殺し合う。
従って、第１支持要素１０２をその初期位置から第１方向ｘに調整する際に、たわみ軸受１１０、１１２の変形から生じてアクチュエータ１１４の作動力ＦBに対して作用する対向力は無い。この目的のために、初期位置を例えば位置ｘ1として選択する。
従って、アクチュエータ１１４は、電力の取り込みがより小さくなり、熱出力の消散がより低くなる。また、アクチュエータ１１４はより小型の設計にすることができる。図４を参照すれば、図４に説明されることは、第３たわみ軸受４１４、４１６を設けて、これらのたわみ軸受が、第２支持要素１０４に対する第１支持要素１０２の調整移動を導くことができる、ということである。一例として、第３たわみ軸受４１４は第１支持要素１０２を部分４０２に接続し、第３たわみ軸受４１６は第１支持要素１０２を第２部分４０４に接続する。たわみ軸受４１４、４１６の各々は複数のバネ要素２００を具え、これらのバネ要素は、その非たわみ状態において第２方向ｙに直線状に延びる。
たわみ軸受１１０、１１２のように、たわみ軸受４１４、４１６は、できる限り大量の熱を、第１支持要素１０２から第２支持要素１０４へ輸送する。図１及び２に関連して行った説明は、そのバネ要素２００、あるいはこれらのバネ要素によって形成される薄膜積層についても当てはまる。
ここで、図６に、図１〜５において説明した支持装置１００の可能な用途を示す。
図６に示す好適な実施形態によれば、支持装置１００のうち２つを光学装置６００内で用いて光学素子１０６を回動させる。一例として、光学装置６００はミラーアレイとすることができ、図示する光学素子１０６がこのミラーアレイのミラーを形成する。
光学素子１０６は、軸受６０１を用いて第２支持要素１０４に対して装着され、軸受６０１は回転継手（ロータリー・ジョイント）として適切な様式で、特に玉継手として具体化される。ここで、回転点は光学素子１０６のできる限り近くにあるか、光学素子１０６内にある。
図６に示す第２支持要素１０４の複数の部分が、光学装置６００の共通ベースを形成する。
それぞれの支持装置１００の第１支持要素１０２は、メカニズム１０５によって光学素子１０６に接続される。それぞれのメカニズム１０５は、継手６０２及び第３支持要素６０４を具えている。継手６０２は、第１支持要素１０２を第３支持要素６０４に接続し、第３支持要素６０４は、ヒンジ様式で光学素子１０６に接続され、ここでは、このヒンジ様式をこれ以上詳細に図示しない。一例として、継手６０２は回転継手として具体化される。継手６０２は、特に、低い熱抵抗を有するたわみ軸受として具体化することができる。この目的のために、継手６０２は金属を含むことができる。
光学素子１０６の傾斜移動は、アクチュエータ１１４の作動によって得ることができ、第１支持要素１０２の第１方向ｘの直線移動が光学素子１０６のｚ方向を中心とした回転移動に変換される。第３支持要素６０４は、ｘｚ平面内に斜めに延びることができ、これにより、光学素子１０６のｙ方向を中心とした回転移動が追加的に得られる。
図７にリソグラフィー装置７００、特にＥＵＶリソグラフィー装置を示し、この装置では、図１〜５に示す支持装置１００のうち１つ以上、あるいは図６に示す光学装置６００のうち１つ以上を応用することができる。その代わりに、支持装置１００及び／または光学装置６００は、他の照明または投影の応用に用途を見出すこともできる。
図７に示す好適な実施形態によれば、リソグラフィー装置７００は、光形成部７０２、照明系７０４、及び投影レンズ７０６を具えている。光形成部７０２からの光（作用光）は、図７中にビーム経路として部分的に示され、例えば照明系７０４内で、ミラー場７０８のあるミラー上に導かれ、このミラーは、この光をミラー場７１０のミラー上に向けて反射する。照明系７０４の終端ではレチクル７１２が照射される。その後に、光は投影レンズ７０６内の基板７１４上に指向され、これにより、レチクル７１２内に含まれる構造が縮小されたサイズで基板７１４上に結像される。
ここで、例えば、支持装置１００及び／または光学装置６００は、ミラー場７０８、７１０内で、個別のミラーを可動な、特に傾斜可能な方法で装着するための用途を見出すことができる。
本発明は種々の好適な実施形態に基づいて説明してきたが、本発明は決してこれらの実施形態に限定されず、多種多様な方法で変更することができる。
参照符号のリスト
１００ 支持装置
１０２ 第１支持要素
１０４ 第２支持要素
１０５ メカニズム
１０６ 光学素子
１０８ 光
１１０ 第１たわみ軸受
１１２ 第２たわみ軸受
１１４ アクチュエータ
１１８ 端部
１２０ ねじれ
２００ バネ要素
２０２ ギャップ
２０４ ハンダ接合
４００ 部分
４０２ 部分
４０４ 部分
４０６ 側面
４０８ 側面
４１０ 対称軸
４１２ ねじれ
４１２’ ねじれ
４１４ たわみ軸受
４１６ たわみ軸受
５００ 一部分
６００ 光学装置
６０２ 継手
６０４ 第３支持要素
７００ リソグラフィー装置
７０２ 光形成部
７０４ 照明系
７０６ 投影レンズ
７０８ ミラー場
７１０ ミラー場
７１２ レチクル
７１４ 基板

Ｂ 幅
ｃpos 正のバネ定数
ｃneg 負のバネ定数
Ｄ 厚さ
Ｆ 力
ＦB 作用力
Ｆ110 反作用の力
Ｆ112 反作用の力
Ｌ 長さ
ｘ 第１方向
ｙ 第２方向
ｚ 第３方向

Claims (19)

  1. 光学装置用の支持装置(100)であって、
    第１支持要素及び第２支持要素(102, 104)と、
    第１たわみ軸受及び第２たわみ軸受(110, 112)とを具え、
    前記第１たわみ軸受及び前記第２たわみ軸受の各々が、前記第１支持要素と前記第２支持要素(102, 104)とを互いに接続して、第１支持要素(102)を、第２支持要素(104)に対して少なくとも第１方向(x)に可動な様式で保持し、前記第１支持要素(102)が前記第２支持要素(104)に対して前記第１方向(x)に移動する毎に、前記第１たわみ軸受及び前記第２たわみ軸受(110, 112)が発生するバネ力(F110, F112)が、部分的に、または完全に互いに相殺し合い、
    前記第１たわみ軸受(110)が正のバネ定数(ｃ pos )を有し、前記第２たわみ軸受(112)が負のバネ定数(ｃ neg )を有する、支持装置(100)。
  2. 前記第１たわみ軸受及び前記第２たわみ軸受(110, 112)の前記バネ要素(200)が、前記第１方向(x)と交差する第２方向(y)に延びる、請求項１に記載の支持装置。
  3. 前記第１たわみ軸受及び／または前記第２たわみ軸受(110, 112)の前記バネ要素(200)に、前記第２方向(y)のプレテンションが加えられている、請求項２に記載の支持装置。
  4. 前記第１支持要素(102)の非たわみ状態において、前記第１たわみ軸受(110)の前記バネ要素(200)が前記第２方向(y)に直線状に延び、及び／または、前記第２たわみ軸受(112)の前記バネ要素(200)が、前記第１方向またはその逆向きに突出するねじれ(120)を有する、請求項２または３に記載の支持装置。
  5. 前記第１支持要素の非たわみ状態において、前記第１たわみ軸受(110)の前記バネ要素(200)に張力が加えられ、前記第２たわみ軸受(112)の前記バネ要素(200)が圧縮されている、請求項１〜４のいずれかに記載の支持装置。
  6. 少なくとも２つの前記第１たわみ軸受(110)及び少なくとも１つの前記第２たわみ軸受(112)を具え、前記少なくとも１つの第２たわみ軸受(112)が前記少なくとも２つの第１たわみ軸受(110)の間に配置されている、請求項１〜５のいずれかに記載の支持装置。
  7. 光学装置(600)用の支持装置(100)であって、
    第１支持要素及び第２支持要素(102, 104)と、
    第１たわみ軸受及び第２たわみ軸受(110, 112)とを具え、
    前記第１たわみ軸受及び前記第２たわみ軸受の各々が、前記第１支持要素と前記第２支持要素(102, 104)とを互いに接続して、第１支持要素(102)を、第２支持要素(104)に対して少なくとも第１方向(x)に可動な様式で保持し、前記第１支持要素(102)が前記第２支持要素(104)に対して前記第１方向(x)に移動する毎に、前記第１たわみ軸受及び前記第２たわみ軸受(110, 112)が発生するバネ力(F 110 , F 112 )が、部分的に、または完全に互いに相殺し合い、
    前記第１支持要素(102)の前記第２支持要素(104)に対する前記第１方向(x)への移動の少なくとも一部分において、前記第１たわみ軸受及び前記第２たわみ軸受(110, 112)が一定の力(F 110 , F 112 )を発生する、支持装置。
  8. 前記第１支持要素(102)の少なくとも１つの部分(400)が、前記第２支持要素(104)の第１部分と第２部分(402, 404)との間に配置され、前記少なくとも１つの部分の一方の側面(406)が前記第１たわみ軸受(110)によって前記第１部分(402)上に支持され、前記少なくとも１つの部分の他方の側面(408)が前記第２たわみ軸受(112)によって前記第２部分(404)上に支持される、請求項７に記載の支持装置。
  9. 前記第１たわみ軸受及び／または前記第２たわみ軸受(110, 112)の前記バネ要素(200)が前記第１方向(x)に延びる、請求項７または８に記載の支持装置。
  10. 前記第１たわみ軸受及び／または前記第２たわみ軸受(110, 112)の少なくとも２つの前記バネ要素(200)が、互いに対して対称に配置されている、請求項７〜９のいずれかに記載の支持装置。
  11. 前記第１たわみ軸受及び／または前記第２たわみ軸受(110, 112)の前記バネ要素(200)が、前記第１方向(x)と交差する第２方向(y)及び／または当該第２方向の逆向きに突出するねじれ(412, 412’)を有する、請求項９または１０に記載の支持装置。
  12. 前記第１支持要素(102)の前記第２支持要素(104)に対する移動(x)が直線移動である、請求項１〜１１のいずれかに記載の支持装置。
  13. 前記第１たわみ軸受及び／または前記第２たわみ軸受(110, 112)の前記バネ要素(200)の各々が、少なくとも１：１０の、厚さ(D)対長さ(L)及び幅(B)の比率、または厚さ(D)及び幅(B)対長さ(L)の比率を有する、
    請求項１〜１２のいずれかに記載の支持装置。
  14. 前記第１たわみ軸受及び／または前記第２たわみ軸受(110, 112)の前記バネ要素(200)が、ロッド形、ワイヤ形、または薄膜形に具体化される、請求項１〜１３のいずれかに記載の支持装置。
  15. 前記第１たわみ軸受及び／または前記第２たわみ軸受(110, 112)の前記バネ要素(200)が、互いに距離をおいて配置される、請求項１〜１４のいずれかに記載の支持装置。
  16. 前記第１たわみ軸受及び／または前記第２たわみ軸受(110, 112)の前記バネ要素(200)が、互いに平行に配置される、請求項１〜１５のいずれかに記載の支持装置。
  17. 前記第１たわみ軸受及び／または前記第２たわみ軸受(110, 112)が金属を含む、請求項１〜１６のいずれかに記載の支持装置。
  18. 光学素子(106)と、
    請求項１〜１７のいずれかに記載の支持装置(100)である少なくとも１つの支持装置とを具え、
    前記第１支持要素(102)が前記光学素子(106)に結合され、前記第２支持要素(104)がフレームに固定されて設けられている、光学装置(600)。
  19. 請求項１〜１７のいずれかに記載の支持装置(100)を少なくとも１つ、または請求項１８に記載の光学装置(600)を少なくとも１つ具えているリソグラフィー装置(700)。
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