JP6590632B2 - 排出流の方向が単一のバッファステーション - Google Patents
排出流の方向が単一のバッファステーション Download PDFInfo
- Publication number
- JP6590632B2 JP6590632B2 JP2015205143A JP2015205143A JP6590632B2 JP 6590632 B2 JP6590632 B2 JP 6590632B2 JP 2015205143 A JP2015205143 A JP 2015205143A JP 2015205143 A JP2015205143 A JP 2015205143A JP 6590632 B2 JP6590632 B2 JP 6590632B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- buffer
- wafer
- support
- purge gas
- fins
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000872 buffer Substances 0.000 title claims description 261
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 251
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 134
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 110
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 239000012636 effector Substances 0.000 claims description 13
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 4
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000011112 process operation Methods 0.000 description 1
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000003319 supportive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 239000003039 volatile agent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67769—Storage means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/6735—Closed carriers
- H01L21/67389—Closed carriers characterised by atmosphere control
- H01L21/67393—Closed carriers characterised by atmosphere control characterised by the presence of atmosphere modifying elements inside or attached to the closed carrierl
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/6732—Vertical carrier comprising wall type elements whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising sidewalls
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
[適用例1]
複数のウエハを半導体製造機に格納するためのバッファであって、前記バッファは、
2つの対面する側壁、
後壁、および
複数の支持フィン
を備え、
前記2つの対面する側壁および前記後壁は、内部バッファ容量の一部を画成し、
前記内部バッファ容量は、前記後壁に対面する開口を有し、
前記対面する側壁は、前記開口と前記後壁との間にあり、
前記支持フィンの各々は、
a)前記後壁から両側壁に沿って前記開口まで広がり、
b)前記バッファの使用中に実質的に平坦かつ水平であり、
c)前記ウエハよりも直径が短いウエハ支持領域を有し、前記バッファは前記ウエハとともに使用されるように設計され、
d)前記側壁および前記後壁から実質的に連続して少なくとも前記ウエハ支持領域まで広がり、
e)前記開口から前記ウエハ支持領域の中心を超えて広がる切り欠き領域を有し、該切り欠き領域は、ウエハハンドリングロボットのエンドエフェクタがウエハを前記支持フィンに載せられるほど前記開口の横断方向に十分広い
バッファ。
[適用例2]
前記支持フィンの各々は、隣り合う1つまたは複数の支持フィンからずれていて、
前記支持フィンは、前記バッファの使用中に垂直な線形アレイを形成する、
適用例1に記載のバッファ。
[適用例3]
天井、および
底
を備え、
前記内部バッファ容量は、前記天井および前記底でさらに画成され、
前記後壁および前記2つの側壁は、前記天井と前記底との間にある、
適用例1に記載のバッファ。
[適用例4]
前記対面する側壁、前記後壁、前記天井、および前記底は、前記内部バッファ容量を周囲環境から密閉し、
前記開口は、前記内部バッファ容量から出る唯一の実質的な流路である、
適用例3に記載のバッファ。
[適用例5]
前記支持フィンの各々は、前記ウエハが前記ウエハ支持領域内にあって前記支持フィンに支持されているとき、1つの前記ウエハの外周の50%以上と重なり、あるいは、前記支持フィンの各々は、前記ウエハが前記ウエハ支持領域内にあって前記支持フィンに支持されているとき、1つの前記ウエハの外周の75%以上と重なる、
適用例1に記載のバッファ。
[適用例6]
前記支持フィンの各々の前記ウエハ支持領域は、前記バッファの使用中に上を向いている前記支持フィンの表面にある凹部領域によって提供され、
前記支持フィンの各々の前記凹部領域は、前記支持領域に支持されているウエハが、前記バッファの使用中に上を向いている前記支持フィンの前記表面と実質的に同一平面になる深さにくぼんでいる、
適用例1に記載のバッファ。
[適用例7]
前記複数の支持フィンは、24枚の支持フィン、25枚の支持フィン、29枚の支持フィン、または30枚の支持フィンからなる群から選択される、適用例1に記載のバッファ。
[適用例8]
少なくとも1つの加熱プラテンをさらに備え、該少なくとも1つの加熱プラテンは、前記側壁の少なくとも一方と熱伝導接触している、適用例1に記載のバッファ。
[適用例9]
複数のパージガスポートをさらに備え、
隣り合う支持フィンからなる各ペアの間に少なくとも1つのパージガスポートがあるか、
隣り合う支持フィンからなる各ペアの間に単一のパージガスポートがあり、各パージガスポートは、前記隣り合う支持フィンに平行な方向に走る細長いスロットの形状であるか、
隣り合う支持フィンからなる各ペアの間に複数のパージガスポートがあるか、あるいは、
隣り合う支持フィンからなる各ペアの間に複数のパージガスポートがあり、隣り合う支持フィンからなる各ペアの間にある複数のパージガスポートの各々は、等間隔に並ぶパージガスポートからなる線形アレイを備える、
適用例1に記載のバッファ。
[適用例10]
隣り合う支持フィンからなる各ペアの間に複数のパージガスポートがあり、
前記複数のパージガスポートは、前記後壁に位置しているパージガスポートを備えるか、
前記複数のパージガスポートは、少なくとも一方の側壁に位置しているパージガスポートを備えるか、あるいは
前記複数のパージガスポートは、少なくとも一方の側壁および前記後壁に位置しているパージガスポートを備える、
適用例1に記載のバッファ。
[適用例11]
プレナムカバー、
プレナム空間
をさらに備え、
前記プレナム空間は、前記プレナムカバーと前記内部バッファ容量に対面する前記後壁の表面とによって少なくとも部分的に画成され、
前記プレナム空間は、複数のパージガスポートと流体連通している、
適用例10に記載のバッファ。
[適用例12]
排気ポート、および
クリーンエア吸気口をさらに備え、
前記クリーンエア吸気口は、ガスを前記開口全体にわたって流し、かつ前記排気ポートに流すように構成される、
適用例1に記載のバッファ。
[適用例13]
半導体処理機用のEFEM(Equipment Front End Module)であって、前記EFEMは、
EFEMハウジング、
前記ウエハを前記EFEMから搬送室または前記半導体処理機の処理室へ搬送できるように構成された1つ以上のロードロック、
FOUP(Front−Opening Unified Pod)を支持するための1つ以上の機械的インターフェース、
前記EFEM内にある様々なステーション間にウエハを搬送するように構成されたウエハ搬送ロボット、および
適用例1に記載の1つ以上のバッファ
を備える、EFEM。
Claims (21)
- 複数のウエハを半導体製造機に格納するためのバッファであって、前記バッファは、
2つの対面する側壁と、
後壁と、
少なくとも1つの加熱プラテンであって、前記対面する側壁の第1の側壁、前記対面する側壁の第2の側壁、および前記後壁からなる群から選択される1つまたは複数の壁を加熱するように構成された少なくとも1つの加熱プラテンと、
複数の支持フィンと、
複数のパージガスポートと、
を備え、
前記2つの対面する側壁および前記後壁は、内部バッファ容量の一部を画成し、
少なくとも1つのパージガスポートは、隣り合う支持フィンからなる各ペアの間にあり、
前記複数のパージガスポートは、前記第1の側壁、前記第2の側壁、および前記後壁からなる群から選択される1つまたは複数の壁にあり、
前記内部バッファ容量は、前記後壁に対面する開口を有し、
前記対面する側壁は、前記開口と前記後壁との間にあり、
前記支持フィンの各々は、
a)前記後壁から両側壁に沿って前記開口まで広がり、
b)前記バッファの使用中に実質的に平坦かつ水平であり、
c)前記ウエハよりも直径が短いウエハ支持領域を有し、前記バッファは前記ウエハとともに使用されるように設計され、
d)前記側壁および前記後壁から実質的に連続して少なくとも前記ウエハ支持領域まで広がり、
e)前記開口から前記ウエハ支持領域の中心を超えて広がる切り欠き領域を有し、該切り欠き領域は、ウエハハンドリングロボットのエンドエフェクタがウエハを前記支持フィンに載せられるほど前記開口の横断方向に十分広い
バッファ。 - 窒素ガスおよびその他の不活性ガスからなる群から選択されるガスを前記複数のパージガスポートに提供するように構成された不活性ガス源をさらに備える、
請求項1に記載のバッファ。 - 前記バッファは、天井、および底をさらに備え、
前記対面する側壁、前記後壁、前記天井、および前記底は、前記内部バッファ容量を周囲環境から密閉し、
前記開口は、前記複数のパージガスポートを通って前記内部バッファ容量に流れ込むガス用に前記内部バッファ容量から出て前記周囲環境に入る唯一の実質的な流路である、
請求項1に記載のバッファ。 - 前記少なくとも1つの加熱プラテンは、前記側壁の第1の側壁を加熱するように構成された第1の加熱プラテンと、前記側壁の第2の側壁を加熱するように構成された第2の加熱プラテンと、を備える、
請求項1に記載のバッファ。 - 前記第1の加熱プラテンは、前記第1の側壁と熱伝導接触し、前記第2の加熱プラテンは、前記第2の側壁と熱伝導接触している、
請求項4に記載のバッファ。 - 前記少なくとも1つの加熱プラテンは、前記後壁を加熱するように構成された第1の加熱プラテンを備える、
請求項1に記載のバッファ。 - 前記第1の加熱プラテンは、前記後壁と熱伝導接触している、
請求項6に記載のバッファ。 - 隣り合う支持フィンからなる各ペアの間に単一のパージガスポートがあり、前記複数のパージガスポートの各パージガスポートは、前記隣り合う支持フィンに平行な方向に走る細長いスロットの形状である、
請求項1に記載のバッファ。 - 隣り合う支持フィンからなる各ペアの間に複数のパージガスポートがある、
請求項1に記載のバッファ。 - 隣り合う支持フィンからなる各ペアの間にある複数のパージガスポートの各々は、線形に配置される、
請求項1に記載のバッファ。 - 前記複数のパージガスポートは、前記後壁に位置しているパージガスポートを備える、
請求項1に記載のバッファ。 - 前記複数のパージガスポートは、前記少なくとも1つの側壁に位置しているパージガスポートを備える、
請求項1に記載のバッファ。 - 前記複数のパージガスポートは、前記側壁および前記後壁に位置しているパージガスポートを備える、
請求項1に記載のバッファ。 - 1つまたは複数のプレナムカバー、
1つまたは複数のプレナム空間
をさらに備え、
各プレナム空間は、前記1つまたは複数のプレナムカバーのうちの1つの表面と、前記側壁および前記内部バッファ容量に対面する前記後壁からなる群から選択される前記壁のうちの1つの表面とによって少なくとも部分的に画成され、
前記複数のパージガスポートのうちの複数のパージガスポートは、各プレナム空間と流体連通している、
請求項1に記載のバッファ。 - 排気ポート、および
クリーンエア吸気口をさらに備え、
前記クリーンエア吸気口は、ガスを前記開口全体にわたって流し、かつ前記排気ポートに流すように構成される、
請求項1に記載のバッファ。 - 半導体処理機用のフロントエンドモジュール(EFEM)であって、前記EFEMは、
EFEMハウジング、
ウエハを前記EFEMから前記半導体処理機の搬送室または処理室へ搬送できるように構成された1つまたは複数のロードロック、
前面開閉式一体型ポッド(FOUP)を支持するための1つまたは複数の機械的インターフェース、
前記EFEM内にある様々なステーション間でウエハを搬送するように構成されたウエハ搬送ロボット、および
請求項1に記載の1つ以上のバッファ
を備える、EFEM。 - 前記支持フィンの各々は、前記ウエハが前記ウエハ支持領域内にあって前記支持フィンに支持されているとき、1つの前記ウエハの外周のX%以上と重なり、前記Xは、50および75からなる群から選択される値である、
請求項1に記載のバッファ。 - 前記ウエハ支持領域は、外径がウエハの直径よりも大きく、内径がウエハの直径2.54cm(1インチ)以内である環状領域の内部にある、
請求項1に記載のバッファ。 - 前記支持フィンの各々の前記ウエハ支持領域は、前記バッファの使用中に上を向いている前記支持フィンの表面にある凹部領域によって提供され、
前記支持フィンの各々の前記凹部領域は、前記支持領域に支持されているウエハが、前記バッファの使用中に上を向いている前記支持フィンの前記表面と実質的に同一平面になる深さにくぼんでいる、
請求項1に記載のバッファ。 - 前記切り欠き領域は、前記ウエハよりも直径が大きい円形部分を有し、
各支持フィンは、前記円形部分の中心に面している前記支持フィンの表面から延びている複数の留めくぎを有し、
前記ウエハ支持領域は、その境界内に前記複数の留めくぎを備えている環状領域を有する、
請求項1に記載のバッファ。 - 前記複数の支持フィンは、24枚の支持フィン、25枚の支持フィン、29枚の支持フィン、または30枚の支持フィンからなる群から選択される、請求項1に記載のバッファ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/523,122 US9881826B2 (en) | 2014-10-24 | 2014-10-24 | Buffer station with single exit-flow direction |
US14/523,122 | 2014-10-24 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016086161A JP2016086161A (ja) | 2016-05-19 |
JP2016086161A5 JP2016086161A5 (ja) | 2018-12-27 |
JP6590632B2 true JP6590632B2 (ja) | 2019-10-16 |
Family
ID=55792562
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015205143A Active JP6590632B2 (ja) | 2014-10-24 | 2015-10-19 | 排出流の方向が単一のバッファステーション |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9881826B2 (ja) |
JP (1) | JP6590632B2 (ja) |
KR (1) | KR102433494B1 (ja) |
TW (1) | TWI682482B (ja) |
Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10312122B2 (en) * | 2014-07-25 | 2019-06-04 | Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. | Substrate storage container |
KR101670382B1 (ko) * | 2015-03-10 | 2016-10-28 | 우범제 | 퍼지가스 분사 플레이트 및 그 제조 방법 |
KR101637498B1 (ko) * | 2015-03-24 | 2016-07-07 | 피코앤테라(주) | 웨이퍼 수납용기 |
US10531362B2 (en) * | 2015-03-25 | 2020-01-07 | Lg Electronics Inc. | Method and apparatus for preforming initial access based on the ACDC category in a wireless access system |
KR20180001999A (ko) * | 2016-06-28 | 2018-01-05 | 테크-샘 아게 | 개선된 기판 스토리지 및 프로세싱 |
KR102323354B1 (ko) * | 2016-07-06 | 2021-11-09 | 우범제 | 웨이퍼 수납용기 |
KR101865636B1 (ko) * | 2016-07-06 | 2018-06-08 | 우범제 | 웨이퍼 수납용기 |
KR101868001B1 (ko) * | 2017-03-22 | 2018-06-15 | 우범제 | 퓸 제거 장치 |
KR102423761B1 (ko) | 2017-06-23 | 2022-07-20 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 인덱서블 측면 저장 포드 장치, 가열식 측면 저장 포드 장치, 시스템들, 및 방법들 |
US10388547B2 (en) | 2017-06-23 | 2019-08-20 | Applied Materials, Inc. | Side storage pods, equipment front end modules, and methods for processing substrates |
KR102066175B1 (ko) * | 2017-12-28 | 2020-01-14 | 우범제 | 웨이퍼 수납용기 |
KR102512478B1 (ko) * | 2018-03-13 | 2023-03-22 | 우범제 | 웨이퍼 수납용기 |
JP7136612B2 (ja) * | 2018-07-13 | 2022-09-13 | ローツェ株式会社 | 局所パージ機能を有する搬送装置 |
KR20230134612A (ko) | 2018-08-28 | 2023-09-21 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 기판 컨테이너를 위한 멤브레인 디퓨저 |
TWI844567B (zh) * | 2018-10-01 | 2024-06-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法 |
US11189511B2 (en) * | 2018-10-26 | 2021-11-30 | Applied Materials, Inc. | Side storage pods, equipment front end modules, and methods for operating EFEMs |
US11508593B2 (en) * | 2018-10-26 | 2022-11-22 | Applied Materials, Inc. | Side storage pods, electronic device processing systems, and methods for operating the same |
US11373891B2 (en) | 2018-10-26 | 2022-06-28 | Applied Materials, Inc. | Front-ducted equipment front end modules, side storage pods, and methods of operating the same |
US11244844B2 (en) * | 2018-10-26 | 2022-02-08 | Applied Materials, Inc. | High flow velocity, gas-purged, side storage pod apparatus, assemblies, and methods |
US10978326B2 (en) * | 2018-10-29 | 2021-04-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co, , Ltd. | Semiconductor wafer storage device |
NL2022185B1 (nl) * | 2018-12-12 | 2020-07-02 | Suss Microtec Lithography Gmbh | Substratkassette |
KR102283311B1 (ko) * | 2019-01-07 | 2021-07-29 | 피코앤테라(주) | 웨이퍼 수납용기 |
KR102217711B1 (ko) * | 2019-07-09 | 2021-02-22 | 주식회사 에이케이테크 | 사이드 스토리지용 배기 유닛 |
KR102259282B1 (ko) * | 2019-07-18 | 2021-06-01 | 세메스 주식회사 | 물류 저장 시스템 및 그 제어 방법 |
US12037193B2 (en) * | 2019-09-02 | 2024-07-16 | Murata Machinery, Ltd. | Wafer delivery device, wafer storage container, and wafer storage system |
KR20220150352A (ko) * | 2020-03-06 | 2022-11-10 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 기판 컨테이너용 매니폴드 |
CN114313543A (zh) * | 2020-09-30 | 2022-04-12 | 长鑫存储技术有限公司 | 传送盒及物料传送系统 |
KR102701757B1 (ko) * | 2021-04-27 | 2024-09-02 | 우범제 | 웨이퍼 수납용기 |
KR102528927B1 (ko) * | 2021-05-07 | 2023-05-03 | 피코앤테라(주) | 웨이퍼 수납용기 |
EP4352782A1 (en) * | 2021-06-08 | 2024-04-17 | Entegris, Inc. | Wafer container and purge system |
US20230067115A1 (en) * | 2021-08-27 | 2023-03-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Systems and methods for processing a substrate |
US12009242B2 (en) * | 2021-08-30 | 2024-06-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Wafer transport container |
CN114334755A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-04-12 | 拓荆科技股份有限公司 | 用于降低晶圆温度的装置 |
KR20230120306A (ko) * | 2022-02-09 | 2023-08-17 | 주식회사 저스템 | Efem의 버퍼 챔버 장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치 |
US20240297058A1 (en) * | 2022-03-15 | 2024-09-05 | Hitachi High-Tech Corporation | Vacuum processing apparatus |
WO2023248464A1 (ja) * | 2022-06-24 | 2023-12-28 | ミライアル株式会社 | 基板収納容器及びリアリテーナ |
CN117410223B (zh) * | 2023-12-14 | 2024-03-12 | 浙江果纳半导体技术有限公司 | 一种晶圆缓存机构、晶圆传输装置和传输方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61191015A (ja) * | 1985-02-20 | 1986-08-25 | Hitachi Ltd | 半導体の気相成長方法及びその装置 |
US5346518A (en) * | 1993-03-23 | 1994-09-13 | International Business Machines Corporation | Vapor drain system |
TW501194B (en) * | 2000-08-23 | 2002-09-01 | Tokyo Electron Ltd | Processing system for object to be processed |
US7431585B2 (en) * | 2002-01-24 | 2008-10-07 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for heating substrates |
US6899145B2 (en) * | 2003-03-20 | 2005-05-31 | Asm America, Inc. | Front opening unified pod |
US20050169730A1 (en) * | 2003-04-30 | 2005-08-04 | Ravinder Aggarwal | Semiconductor processing tool front end interface with sealing capability |
KR101410706B1 (ko) * | 2006-08-22 | 2014-06-25 | 노드슨 코포레이션 | 처리 시스템에서 피가공물을 취급하기 위한 장치 및 방법 |
CN102177571A (zh) * | 2008-10-07 | 2011-09-07 | 应用材料公司 | 用于从蚀刻基板有效地移除卤素残余物的设备 |
JP5361805B2 (ja) * | 2010-06-15 | 2013-12-04 | 信越ポリマー株式会社 | 基板収納容器 |
KR101364701B1 (ko) * | 2011-11-17 | 2014-02-20 | 주식회사 유진테크 | 위상차를 갖는 반응가스를 공급하는 기판 처리 장치 |
KR101352555B1 (ko) | 2011-11-29 | 2014-01-16 | 우범제 | 세정 기능을 갖는 웨이퍼 카세트 |
CN104221136B (zh) * | 2012-04-16 | 2017-05-31 | 日商乐华股份有限公司 | 收纳容器、收纳容器的开闭器开闭单元、及使用它们的晶圆储料器 |
KR101439168B1 (ko) * | 2012-09-19 | 2014-09-12 | 우범제 | 웨이퍼 상에 잔존하는 공정가스를 제거하는 웨이퍼 퍼징 카세트를 갖춘 웨이퍼 처리장치 |
TW201413780A (zh) * | 2012-09-24 | 2014-04-01 | Eugene Technology Co Ltd | 煙氣移除設備及基板處理設備 |
KR101448131B1 (ko) * | 2013-01-02 | 2014-10-07 | (주) 세츠 | 퓸 제거 기능을 갖는 사이드 스토리지 챔버 |
-
2014
- 2014-10-24 US US14/523,122 patent/US9881826B2/en active Active
-
2015
- 2015-10-13 KR KR1020150143025A patent/KR102433494B1/ko active IP Right Grant
- 2015-10-13 TW TW104133447A patent/TWI682482B/zh active
- 2015-10-19 JP JP2015205143A patent/JP6590632B2/ja active Active
-
2018
- 2018-01-19 US US15/875,917 patent/US10297480B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016086161A (ja) | 2016-05-19 |
US9881826B2 (en) | 2018-01-30 |
KR102433494B1 (ko) | 2022-08-17 |
KR20160048655A (ko) | 2016-05-04 |
US20160118282A1 (en) | 2016-04-28 |
TWI682482B (zh) | 2020-01-11 |
TW201628118A (zh) | 2016-08-01 |
US10297480B2 (en) | 2019-05-21 |
US20180144965A1 (en) | 2018-05-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6590632B2 (ja) | 排出流の方向が単一のバッファステーション | |
KR102577683B1 (ko) | 전면-덕트형 장비 전단부 모듈들, 측면 저장 포드들, 및 이들을 동작시키는 방법들 | |
JP2016086161A5 (ja) | ||
TWI702678B (zh) | 收納單元、搬送裝置及基板處理系統 | |
US9857124B2 (en) | Clamp apparatus, substrate carry-in/out apparatus using the same, and substrate processing apparatus | |
US10522379B2 (en) | Substrate transfer apparatus | |
US20090017637A1 (en) | Method and apparatus for batch processing in a vertical reactor | |
JP2012079907A (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
JP5030410B2 (ja) | 真空処理装置 | |
JP5923197B2 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
US20070141851A1 (en) | System and method of reducing particle contamination of semiconductor substrates | |
TWI828437B (zh) | 半導體設備的片舟暫存裝置及半導體設備 | |
US10497588B2 (en) | EFEM, equipment front end module | |
JP5456804B2 (ja) | 搬送容器 | |
JP4860373B2 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
KR101576056B1 (ko) | 반도체 기판처리용 냉각장치 | |
JP7512520B2 (ja) | 真空処理装置 | |
US20230207359A1 (en) | Humidity control device for equipment front end module of semiconductor processing or characterization tool | |
JP2008117868A (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
KR100888353B1 (ko) | 플라즈마 처리장치 | |
KR20240086972A (ko) | 기판 처리 장치 및 로드락 챔버 | |
JP2012253198A (ja) | 開閉ダンパー装置 | |
JP2003329279A (ja) | 気体導入構造及び作業室 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181012 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181115 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190809 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190820 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190917 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6590632 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |