JP6585280B2 - Memsの製造方法およびmemsの製造装置 - Google Patents
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Description
まず、情報処理装置は、図2に示す加速度センサの設計構造における構造・物性パラメータとデバイス特性との相関図CC1を準備する。
情報処理装置は、図2に示す相関図CC1から、要求仕様の固有振動数CFmの近傍にある設計仕様の固有振動数CFpを選択する。この場合、選択する設計仕様の固有振動数CFpは単数または複数であっても構わないが、ここでは、要求仕様の固有振動数CFmの近傍にある1つの設計仕様の固有振動数CFpを選択する場合を例示する。また、要求仕様の固有振動数CFmの近傍において、要求仕様の固有振動数CFmの最も近くに位置する設計仕様の固有振動数CFpを選択することが望ましい。
<ステップ1:半導体ウェハの準備>
まず、図3に示す半導体ウェハSWを準備する。半導体ウェハSWには、マトリックス状に区画形成された複数の半導体チップSCが形成されており、それぞれに加速度センサSSが予め形成されている。これら加速度センサSSは、特に限定されるものではないが、後述するFIB装置を用いて形成してもよい。
f0:加速度センサSSの固有振動数
M:可動部4の質量
K:可動部4を懸架している支持梁3のばね定数
を示す。
前述したように、半導体ウェハSWには、マトリックス状に区画形成された複数の半導体チップSCが形成されており、複数の半導体チップSCにそれぞれ形成された加速度センサSSは、互いに支持梁のばね定数Kおよび可動部の質量Mが異なっている。
「(3)出発構造の抽出(半導体ウェハ)」工程で抽出された出発構造の加速度センサSSpの支持梁のバネ定数Kpおよび可動部の質量Mpは、所望構造の加速度センサSSmの支持梁のバネ定数Kmおよび可動部の質量Mmとはそれぞれ誤差があり、出発構造の加速度センサSSpでは、要求仕様の固有振動数CFmを得ることはできない。
出発構造の加速度センサSSpの支持梁を切削する場合は、FIB装置が支持梁にイオンビームを照射して、直接エッチングすることにより、支持梁を所望の寸法に加工してもよい。また、可動部上へ部材を載置する場合は、FIB装置が可動部にイオンビームを照射して可動部上に膜を堆積することにより、部材を直接形成してもよい。
可動部上へ部材を載置する場合、FIB装置は、プローブ(マニュピレータ)15を用いて、試料11から切り出された部材または部材置き場に予め準備していた部材を選択し、選択した部材を可動部へ移送し、可動部上に部材を接続(接着、接合)してもよい。
「(1)設計構造の準備」から「(4)出発構造の加工」の各工程を経ることにより、所望構造の加速度センサSSmが完成する。
本実施例1によるMEMSのデバイス設計方法について、図10および図11を用いて説明する。図10は、デバイス設計方法の手順の第1の例を示す図である。図11は、デバイス設計方法の手順の第2の例を示す図である。これらデバイス設計方法は、デバイス設計装置において実行される。
本実施例1におけるデバイス設計方法の手順の第1の例では、図10に示すように、デバイス設計の開始前に、事前作業として、設計データベースを構築する。この設計データベースには、デバイスの構造が特性と関連付けられて格納されている。この設計データベースは、設計者経験則に偏った解に陥らないように、製造可能範囲全体を網羅したシミュレーションの事前実行により作成したものである。
上述のデバイス設計方法の手順の第1の例では、工程S2において、事前に構築した設計データベースから要求仕様に適合した構造の1つを抽出する例を説明したが、以下の第2の例でも可能である。この第2の例を、図11を用いて説明する。
まず、情報処理装置は、図13に示すMEMSの設計構造における構造・物性パラメータとデバイス特性との相関図CC2を準備する。
情報処理装置は、図13に示す相関図CC2から、要求仕様の固有振動数CFmの近傍にある設計仕様の固有振動数CFpを選択する。この場合、選択する設計仕様の固有振動数CFpは単数または複数であっても構わないが、ここでは、要求仕様の固有振動数CFmの近傍にある1つの設計仕様の固有振動数CFpを選択する場合を例示する。また、要求仕様の固有振動数CFmの近傍において、要求仕様の固有振動数CFmの最も近くに位置する設計仕様の固有振動数CFpを選択することが望ましい。
部品データベースから、「(2)出発構造の抽出(相関図)」工程において抽出された出発構造の加速度センサSSp0の支持梁のバネ定数Kpを有するバネ部材および可動部の質量Mpを有する質量部材を抽出する。
情報処理装置は、所望構造の加速度センサSSmを形成するためのプロセスフローを作成する。図15に、所望構造の加速度センサSSmのプロセスフロー150の一例を示す。ここで、プロセスフロー150の作成は、その一部または全てをFIB装置の操作者が行なってもよい。
FIB装置は、例えば図14に示した部品データベース140から、バネ部材k8の部品アドレス143を確認する。同様に、各部材の部品データベースから、質量部材m5、基板sおよびアンカーa2の部品アドレスを確認する。
図15に示すプロセスフロー150に従って、出発構造の加速度センサSSpを組み立てる。すなわち、予め部材置き場に準備されている複数の部材の中から、部品アドレスに対応する位置にある部材を採取し、その部材を他の部材と接続することによって、出発構造の加速度センサSSpを組み立てる。出発構造の加速度センサSSpの組み立ては、例えば前述の実施例1において説明したFIB装置を用いて行われる。
図15のプロセスフロー150の工程No.1から工程No.7によって、全部品の接続が完了すると、出発構造の加速度センサSSpが完成する。
「(8)出発構造の完成」工程で製造された出発構造の加速度センサSSpのバネ部材k8のバネ定数Kpおよび質量部材m5の質量Mpは、所望構造の加速度センサSSmの支持梁のバネ定数Kmおよび可動部の質量Mmとはそれぞれ誤差があり、出発構造の加速度センサSSpでは、要求仕様の固有振動数CFmを得ることはできない。
図23(a)および(b)に示すように、FIB装置は、出発構造の加速度センサSSpのバネ部材k8を切削する。図23(a)中、ハッチングで示す領域が切削した領域である。切削する領域は、出発構造の加速度センサSSpのバネ部材k8の切削可能領域([x1,y1]−[x2,y2]、[x3,y3]−[x4,y4])を元にして、例えばレイアウト層番号155に数字である4に対応するレイアウトにより、ステージ原点[X0,Y0]を基準して設定される。
実施例1と同様に、質量部材m5に部材MWを追加する場合、FIB装置は、部材MWを選択し、選択した部材MWを質量部材m5へ移送し、質量部材m5上に部材MWを接続してもよい。
「(1)設計構造の準備」から「(9)出発構造の加工」の各工程を経ることにより、所望構造の加速度センサSSmが完成する。
2 固定部
3 支持梁
4 可動部
7 電子銃
8 電子ビーム
14 試料ステージ制御装置
16 マニュピレータ制御装置
18 ガス源制御装置
19 二次粒子検出器制御装置
31 イオン源
81 イオン源制御装置
82 レンズ制御装置
85 計算処理装置
86 データベース
a2 アンカー
k8 バネ部材
m5 質量部材
CC1,CC2 相関図
CF 固有振動数
CFm 要求仕様の固有振動数
CFp 設計仕様の固有振動数
M1,M2 マーク
MW 部材
SC,SCp 半導体チップ
SM 保持体
SS,SSm,SSp,SSp0 加速度センサ
UB 単位ブロック
Claims (15)
- 以下の工程を含むMEMSの製造方法:
(a)MEMSのパラメータとデバイス特性との相関図を準備する工程;
(b)前記相関図に対応するパラメータおよびデバイス特性をそれぞれ有する複数のMEMSを予め基板の主面に形成する工程;
(c)前記相関図の中から、要求特性の近傍領域の第1特性を選択する工程;
(d)前記基板の主面に予め準備された前記複数のMEMSの中から、前記相関図に基づいて前記第1特性を有する第1MEMSを抽出する工程;
(e)前記第1MEMSを直接加工して、前記要求特性を有する第2MEMSを形成する工程。 - 請求項1記載のMEMSの製造方法において、
前記(b)工程の前記複数のMEMSは、互いに異なるパラメータを有し、
前記(e)工程では、前記第1MEMSに形成された位置マークを基準にして、前記第1MEMSの加工位置が特定される、MEMSの製造方法。 - 請求項1記載のMEMSの製造方法において、
前記(b)工程の前記複数のMEMSは、互いに異なるパラメータを有し、
前記(e)工程では、前記第1MEMSの一部を切削する、前記第1MEMS上に部材を接着する、および前記第1MEMS上に膜を堆積する、のうち少なくとも1つを含む、MEMSの製造方法。 - 請求項1記載のMEMSの製造方法において、
前記(b)工程の前記複数のMEMSは、互いに異なるパラメータを有し、
前記パラメータは、構造パラメータおよび物性パラメータの少なくとも一方である、MEMSの製造方法。 - 請求項1記載のMEMSの製造方法において、
前記(b)工程の前記複数のMEMSは、互いに異なるパラメータを有し、
前記複数のMEMSは、支持梁および可動部を備える加速度センサであり、
前記パラメータは、前記支持梁のバネ定数および前記可動部の質量である、MEMSの製造方法。 - 以下の工程を含むMEMSの製造方法:
(a)MEMSのパラメータとデバイス特性との相関図を準備する工程;
(b)前記相関図に対応するパラメータを持つ複数の部材を予め準備する工程;
(c)前記相関図の中から、要求特性の近傍領域の第1特性を選択する工程;
(d)予め準備された前記複数の部材の中から、前記相関図に基づいて、複数の構成部材を選択する工程;
(e)基板の主面上に前記複数の構成部材を組み立てることにより、要求特性の近傍領域の第1特性を有する第1MEMSを形成する工程;
(f)前記第1MEMSを直接加工して、前記要求特性を有する第2MEMSを形成する工程。 - 請求項6記載のMEMSの製造方法において、
前記(e)工程では、前記基板に形成された位置マークを基準にして、前記複数の構成部材が組み立てられ、
前記(f)工程では、前記位置マークを基準にして、前記第1MEMSの加工位置が特定される、MEMSの製造方法。 - 請求項6記載のMEMSの製造方法において、
前記(f)工程では、前記第1MEMSの一部を切削する、前記第1MEMS上に部材を接着する、および前記第1MEMS上に膜を堆積する、のうち少なくとも1つを含む、MEMSの製造方法。 - 請求項6記載のMEMSの製造方法において、
前記複数の構成部材は、カーボンにより互いに接着する、MEMSの製造方法。 - 請求項6記載のMEMSの製造方法において、
前記複数の部材は、互いに異なる構造パラメータおよび物性パラメータの少なくとも一方を有している、MEMSの製造方法。 - 請求項6記載のMEMSの製造方法において、
前記複数の部材は、同一の構造パラメータおよび物性パラメータを有している、MEMSの製造方法。 - 請求項6記載のMEMSの製造方法において、
前記第1MEMSは、アンカー、支持梁および可動部を備える加速度センサであり、
前記アンカー、前記支持梁および前記可動部はそれぞれ1つの前記構成部材から成る、MEMSの製造方法。 - 第1MEMSを保持する試料ステージと、
前記試料ステージ上の前記第1MEMSに対してイオンビームを照射する照射光学系と、
前記第1MEMSの前記試料ステージ上の位置および特性と関連付けられた第1データベースと、
要求特性を有する第2MEMSの特性と関連付けられた第2データベースと、
を備え、
前記第1データベースおよび前記第2データベースにそれぞれ格納されたデータを基に、前記試料ステージ上の前記第1MEMSの中から前記要求特性に近いMEMSを抽出し、当該MEMSを直接加工して、前記第2MEMSを形成する、MEMSの製造装置。 - 請求項13記載のMEMSの製造装置において、
前記イオンビームを照射して前記第1MEMSを切削する、または前記イオンビームを照射して前記第1MEMS上に膜を堆積する、MEMSの製造装置。 - 請求項13記載のMEMSの製造装置において、
前記イオンビームを照射するとともに、前記イオンビームの照射による反応でカーボンとなるガス原料を照射して前記第1MEMS上に部材を接着する、MEMSの製造装置。
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