JP6584170B2 - 検出装置、リソグラフィ装置、物品の製造方法、および検出方法 - Google Patents
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Description
本発明に係る第1実施形態の露光装置100について、図1を参照しながら説明する。図1は、第1実施形態の露光装置100を示す概略図である。露光装置100は、例えば、照明光学系1と、マスク2を保持して移動可能なマスクステージ3と、投影光学系4と、基板5を保持して移動可能な基板ステージ6と、検出部10(検出装置)と、制御部8とを含みうる。制御部8は、例えばCPUやメモリなどを含み、基板5にパターンを形成する処理(マスク2に形成されたパターンを基板5に転写する処理)を制御する。また、制御部8は、基板5にパターンを形成する際の基板ステージ6の位置を、検出部10によって検出された基板上のマーク5aの位置に基づいて制御する。
第1実施形態では、第1撮像における撮像素子12fの出力の第1目標値を、第2撮像における撮像素子12fの出力の第2目標値より小さい値に設定する例について説明した。第2実施形態では、第1撮像における撮像素子12fの出力ゲインを、第2撮像における撮像素子12fの出力ゲインより高い値に設定する例について説明する。第2実施形態では、図8に示すフローチャートにおけるS30の工程が第1実施形態と異なるため、以下では、S30の工程について説明し、その他の工程についての説明を省略する。
本発明の実施形態における物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記のリソグラフィ装置(露光装置)を用いて潜像パターンを形成する工程(基板を露光する工程)と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を加工(例えば現像)する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
また、本発明は、以下の処理を実行することによっても実現される。即ち、上述した実施形態の機能を実現するソフトウェア(プログラム)を、ネットワーク又は各種記憶媒体を介してシステム或いは装置に供給し、そのシステム或いは装置のコンピュータ(またはCPUやMPU等)がプログラムを読み出して実行する処理である。
Claims (14)
- 基板上のマークの位置を検出する検出装置であって、
前記マークを撮像する撮像素子を有する撮像部と、
前記撮像部に前記マークを撮像させる第1撮像および前記第1撮像の後の第2撮像を制御し、前記第2撮像によって得られた画像に基づいて前記マークの位置を決定する処理部と、
を含み、
前記処理部は、目標タイミングで前記第2撮像を開始するため、前記撮像素子に蓄積された電荷に応じた出力値が前記第2撮像で用いられる第2目標値より小さい第1目標値になるように決定された第1撮像条件を用いて前記第1撮像を制御し、前記第1撮像条件と前記第1撮像で得られた前記撮像素子の出力値とに基づいて、前記第2撮像において前記撮像素子に蓄積された電荷に応じた出力値が前記第2目標値になるように前記第2撮像で用いられる第2撮像条件を決定する、ことを特徴とする検出装置。 - 前記基板を保持して移動可能なステージを含み、
前記目標タイミングは、前記ステージの振動が許容範囲に収まるタイミングであり、
前記処理部は、前記第2撮像条件が前記目標タイミングまでに決定されるように前記第1撮像を制御する、ことを特徴とする請求項1に記載の検出装置。 - 前記処理部は、前記ステージが目標位置に移動して前記ステージの振動が第1許容範囲に収まったタイミングで前記第1撮像を開始し、その後に前記ステージの振動が前記第1許容範囲より狭い第2許容範囲に収まったタイミングを前記目標タイミングとして前記第2撮像を開始するように前記撮像部を制御する、ことを特徴とする請求項2に記載の検出装置。
- 前記処理部は、前記マークに入射する光の強度と前記第1目標値とに基づいて、前記第1撮像で前記撮像素子に電荷を蓄積させる第1蓄積時間を前記第1撮像条件として決定し、決定された前記第1蓄積時間に基づいて前記第1撮像を制御する、ことを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか1項に記載の検出装置。
- 前記処理部は、前記第1撮像で得られた前記撮像素子の出力値と前記第2目標値との比率を求め、前記比率と前記第1撮像条件とに基づいて前記第2撮像条件を決定する、ことを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれか1項に記載の検出装置。
- 前記処理部は、前記第1撮像において前記撮像素子の出力値を増幅するためのゲインを、前記第2撮像において前記撮像素子の出力値を増幅するためのゲインより高い値に設定して前記第1撮像を制御する、ことを特徴とする請求項1乃至5のうちいずれか1項に記載の検出装置。
- 前記第1撮像条件および第2撮像条件はそれぞれ、前記マークに照射される光の強度、前記撮像素子の出力値を増幅するためのゲイン、および前記撮像素子に電荷を蓄積させる蓄積時間のうち少なくとも1つを含む、ことを特徴とする請求項1乃至6のうちいずれか1項に記載の検出装置。
- 基板上のマークの位置を検出する検出装置であって、
前記マークを撮像する撮像素子を有する撮像部と、
前記撮像部に前記マークを撮像させる第1撮像および前記第1撮像の後の第2撮像を制御し、前記第2撮像によって得られた画像に基づいて前記マークの位置を決定する処理部と、
を含み、
前記処理部は、目標タイミングで前記第2撮像を開始するため、前記撮像素子に蓄積された電荷に応じた出力値を増幅するためのゲインを前記第2撮像で用いられる第2ゲインよりも高い第1ゲインに設定した第1撮像条件を用いて前記第1撮像を制御し、前記第1撮像条件と前記第1撮像で得られた前記撮像素子の出力値とに基づいて、前記撮像素子の出力値を増幅するためのゲインを前記第2ゲインに設定した、前記第2撮像で用いられる第2撮像条件を決定する、ことを特徴とする検出装置。 - 前記基板を保持して移動可能なステージを含み、
前記目標タイミングは、前記ステージの振動が許容範囲に収まるタイミングであり、
前記処理部は、前記第2撮像条件が前記目標タイミングまでに決定されるように前記第1撮像を制御する、ことを特徴とする請求項8に記載の検出装置。 - 前記処理部は、前記ステージの振動が前記許容範囲内に収まるタイミングまでに前記第2撮像条件が決定されるように、前記第1撮像に用いられる前記第1撮像条件を決定する、ことを特徴とする請求項2又は9に記載の検出装置。
- 前記処理部は、前記第1撮像の制御における倍率と同じ倍率で前記第2撮像を制御する、ことを特徴とする請求項1乃至10のうちいずれか1項に記載の検出装置。
- 基板にパターンを形成するリソグラフィ装置であって、
前記基板上のマークの位置を検出する請求項1乃至11のうちいずれか1項に記載の検出装置と、
前記基板にパターンを形成する際の前記基板の位置を、前記検出装置によって検出された前記マークの位置に基づいて制御する制御部と、
を含むことを特徴とするリソグラフィ装置。 - 請求項12に記載のリソグラフィ装置を用いて基板にパターンを形成する工程と、
前記工程でパターンの形成を行われた前記基板を加工する工程と、
を含み、加工された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。 - 基板上のマークの位置を検出する検出方法であって、
撮像素子によって前記マークの撮像を行う第1撮像工程と、
前記第1撮像工程の後、前記撮像素子によって前記マークの撮像を行う第2撮像工程と、
前記第2撮像工程で得られた画像に基づいて前記マークの位置を決定する決定工程と、
を含み、
前記第1撮像工程は、目標タイミングで前記第2撮像工程を開始するため、前記撮像素子に蓄積された電荷に応じた出力値が前記第2撮像工程で用いられる第2目標値より小さい第1目標値になるように決定された第1撮像条件を用いて前記マークの撮像を行い、前記第1撮像条件と前記第1撮像工程で得られた前記撮像素子の出力値とに基づいて、前記第2撮像工程において前記撮像素子に蓄積された電荷に応じた出力値が前記第2目標値になるように前記第2撮像工程で用いられる第2撮像条件を決定する工程を含む、ことを特徴とする検出方法。
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