JP6579825B2 - ジエン化合物の製造方法 - Google Patents
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Description
[1]
触媒の存在下、不飽和アルコールの脱水反応によりジエン化合物を含む生成ガスを得る脱水反応工程、及び前記生成ガスを水で洗浄し、不純物であるアルデヒド類を除去する洗浄工程を含むジエン化合物の製造方法。
[2]
前記洗浄工程後に得られるジエン化合物を含む混合物を蒸留し、水及び低沸点不純物を塔頂液、ジエン化合物を塔底液として分離する第1蒸留工程、及び前記第1蒸留工程の塔底液を蒸留し、ジエン化合物を塔頂液、高沸点不純物を塔底液として分離する第2蒸留工程をさらに含む、[1]に記載のジエン化合物の製造方法。
[3]
前記不飽和アルコールが一般式(1)及び一般式(2)で示される化合物の混合物であり、生成するジエン化合物が一般式(3)で示される化合物である[1]又は[2]のいずれかに記載のジエン化合物の製造方法。
[4]
R1〜R6のすべてが水素原子である[3]に記載のジエン化合物の製造方法。
本工程で使用する脱水触媒は、一般式(1)及び(2)などで示される不飽和アルコールの脱水能を示すものであれば限定されない。例えば金属リン酸塩、金属縮合リン酸塩、金属硫酸塩、金属塩酸塩、金属酸化物、無機酸などが挙げられる。これらの触媒は単独で使用してもよく、担体に担持して使用してもよい。例えば、脱水触媒の形状保持性が低い実施形態では、担体に担持させた触媒を脱水触媒として使用することができる。
脱水反応により生成したジエン化合物を含む生成ガスは、冷却(通常0〜100℃、好ましくは10〜60℃)した後に、気液分離器に供給してもよい。気液分離後、ガス相のみを水洗塔に供給し、含有されるアルデヒド類を除去する。冷却温度が低い場合は水が凝固してしまうおそれがある。冷却温度が高い場合はジエン化合物の二量体、過酸化物、重合物などの化合物への反応が進行してしまうおそれがある。
特許文献3によると、アルデヒド類とジエン化合物の分離に際しては、これらが共沸点を持つために蒸留は適していない。本発明において、このジエン化合物を含む生成ガスからのアルデヒド類の除去は水を使用したガス洗浄により行う。
水洗塔でアルデヒド類を除去された、ジエン化合物を含む混合ガスを圧縮して液化して得られた混合物を、水素ガス、プロピレン等の低沸分及び水を分離するために蒸留塔に供給し、塔頂から低沸点不純物及び水を塔頂液として分離する。塔底からは低沸点不純物及び水が分離されたジエン化合物を塔底液として抜き出す。この蒸留は、圧力0.3〜0.7MPaG、好ましくは0.4〜0.6MPaGで、塔頂温度は0〜60℃、塔底温度は45〜65℃で操作される。この工程では、充填塔、段塔等を用いることができる。ジエン化合物は容易に重合物を形成するため、重合物による閉塞に耐性があり、加えてメンテナンスが容易な塔構造とすることが望ましい。ジエン化合物を含むプロセス流体の液相、例えばフィード、コンデンサー上流、還流などに重合防止剤を添加することが望ましい。
第1蒸留工程で、蒸留塔の塔底から抜き出したジエン化合物を、アセトン、メチルエチルケトン、ブチルアルデヒド等の高沸点不純物から分離するために、蒸留塔に供給し、塔頂から精製されたジエン化合物を塔頂液として抜き出す。塔底からは高沸点不純物を塔底液として抜き出す。この蒸留は、圧力0.3〜0.7MPaG、好ましくは0.4〜0.6MPaGで、塔頂温度は40〜60℃、塔底温度は50〜120℃で操作される。この工程では、充填塔、段塔等を用いることができる。ジエン化合物は容易に重合物を形成するため、重合物による閉塞に耐性があり、加えてメンテナンスが容易な塔構造とすることが望ましい。ジエン化合物を含むプロセス流体の液相、例えばフィード、コンデンサー上流、還流などに重合防止剤を添加することが望ましい。
図1に実施例1におけるジエン化合物の製造工程をプロセス図として示す。
シリカ担体としてキャリアクトQ−15(登録商標、富士シリシア化学株式会社製)20gに対し、硫酸マグネシウム無水物(和光純薬工業株式会社製)0.4gを含む水溶液を含浸担持して、エバポレーターで大部分の水を除いたのちに80℃のオーブン中で12時間風乾を行った。その後、マッフル炉(ADVANTEC製KM−280)で空気中、400℃〜500℃で合計5時間加熱焼成し、硫酸マグネシウム担持シリカ触媒を得た。
不飽和アルコール脱水反応には、脱水反応器11として固定床の常圧気相流通反応装置を使用した。反応管(ステンレス製)は内径16mm、全長300mmで、上部に原料を蒸発させるための気化器、及び希釈剤(窒素ガス)の導入口を接続し、下部には冷却器、及び気液分離器12を設置した。反応によって生じたガス及び液はそれぞれ別々に回収し、ガスクロマトグラフィーにより定量を行った。
硫酸マグネシウム担持シリカ触媒を用い、不飽和アルコール水溶液(3−ブテン−2−オール濃度48.0質量%、クロチルアルコール濃度32.0質量%、3−ブテン−1−オール濃度0.0質量%、水濃度20.0質量%)を原料とし、窒素ガス及び水蒸気を希釈剤として脱水反応を行った。不飽和アルコール(合計)の導入量は触媒1mLあたり毎時0.32g(=0.32kg/(h・L−cat))、水蒸気(ガス)の導入量は触媒1mLあたり毎時0.30L、窒素ガスの導入量は触媒1mLあたり毎時0.60Lで、気化器温度は120℃、反応器内温度は350℃に設定した(SV=1000h−1)。反応開始から7.5時間後までの平均反応成績は、それぞれ以下のとおりとなった。
不飽和アルコール転化率 :99.8%
1,3−ブタジエン選択率 :95.0%
プロピレン選択率 :0.9%
ブテン選択率 :0.5%
n−ブチルアルデヒド選択率:0.3%
不飽和アルコールの脱水反応により得られた1,3−ブタジエンを含む生成ガス(図1中フロー1)を42℃まで冷却し気液分離器12に供給した。気液分離後のガス相(図1中フロー2)を圧縮機で0.20MPaGまで加圧し、熱交換器を通して42℃に冷却した。
気液分離器12を経た生成ガスを、3mmディクソンパッキンを高さ1000mmに充填した内径20mmの水洗塔(アルデヒド類分離塔)13の下段に0.071Nm3/hr(168g/hr)で導入した。この塔の上段からは30℃の洗浄水を0.340L/hrで供給し、0.18MPaGの圧力下で向流接触させ、生成ガスに含まれるアセトアルデヒドを吸収させた。アセトアルデヒドを除去した生成ガス(図1中フロー3)を塔頂から抜き出した。塔底からはアセトアルデヒドを吸収した廃水を抜き出した。
洗浄工程で塔頂から抜き出した1,3−ブタジエンを含む混合ガスを圧縮機で0.60MPaGまで加圧し、熱交換器を通して42℃まで冷却することで液化ガスとした。この液化ガスを、3mmディクソンパッキンを高さ1500mmに充填した内径20mmの低沸分分離蒸留塔14に導入した。低沸分分離蒸留塔14は圧力0.55MPaG、塔頂温度7℃、塔底液温度59℃で、塔底から純度99.4質量%の1,3−ブタジエン(図1中フロー4)を161.3g/hrで抜き出した。
第1蒸留工程で塔底から抜き出した1,3−ブタジエンを含む液化ガスを、3mmディクソンパッキンを高さ1500mmに充填した内径20mmの高沸分分離蒸留塔15に導入した。高沸分分離蒸留塔15は圧力0.45MPaG、塔頂温度46℃、塔底液温度は102℃で塔頂から高純度の1,3−ブタジエン(純度99.85質量%、図1中フロー5)を160.3g/hrで抜き出した。
特許文献3の実施例によると、酸化脱水素反応により製造されるブタジエンは反応器出口にて表2の組成を有する。
比較例1の反応で得られるブタジエンにはブテン類、ブタン類などの不純物が含まれている。これらの不純物は1,3−ブタジエンと沸点が近く、分離するためには、例えば特許文献5に示すようなジメチルホルムアミドを抽剤とした抽出、抽出蒸留などの方法を行うことが公知である。図2に比較例1のジエン化合物の製造工程をプロセス図として示す。図2には吸収塔22、抽出蒸留塔23、放散塔24及び溶剤再生塔25が記載されており、脱水素反応器21にて生成した、ブテン類、ブタン類などの不純物を含む生成ガスに対して抽出蒸留を行った後にアルデヒド類の分離(水洗塔26)、低沸点不純物の分離(低沸分分離設備27)及び高沸点不純物の分離(高沸分分離設備28)が行なわれる。これに対し、実施例1の反応で得られるブタジエンにはこれらの不純物がほとんど含まれておらず(ブテン類は400ppm)、水洗及び蒸留により容易に高純度のブタジエンを得ることができる。これにより、従来、高純度のブタジエンを得るために必要であった抽出、抽出蒸留などの工程が不要となり、分離に要していたエネルギー及び抽出蒸留塔などの設備費の削減が可能となる。
12 気液分離器
13 水洗塔(アルデヒド類分離塔)
14 低沸分分離蒸留塔
15 高沸分分離蒸留塔
21 脱水素反応器
22 吸収塔
23 抽出蒸留塔
24 放散塔
25 溶剤再生塔
26 水洗塔(アルデヒド類分離塔)
27 低沸分分離設備
28 高沸分分離設備
Claims (4)
- 触媒の存在下、不飽和アルコールの脱水反応によりジエン化合物を含む生成ガスを得る脱水反応工程、及び前記生成ガスを水で洗浄し、不純物であるアルデヒド類を除去する洗浄工程を含むジエン化合物の製造方法。
- 前記洗浄工程後に得られるジエン化合物を含む混合物を蒸留し、水及び低沸点不純物を塔頂液、ジエン化合物を塔底液として分離する第1蒸留工程、及び前記第1蒸留工程の塔底液を蒸留し、ジエン化合物を塔頂液、高沸点不純物を塔底液として分離する第2蒸留工程をさらに含む、請求項1に記載のジエン化合物の製造方法。
- R1〜R6のすべてが水素原子である請求項3に記載のジエン化合物の製造方法。
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